CN1469423A - 气相淀积设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供适于用大面积板多面切割的气相淀积设备，具有利用EL材料的高效率，并在膜的均匀性上是极好的，其中板13和气相淀积掩模14安装在板支撑装置12之上，气相淀积源支撑物17和要淀积的物体(板13)之间的间隔在气相淀积中窄化到等于或小于30cm，优选的，等于或小于20cm，更优选的，5－15cm，气相淀积源支撑物17根据绝缘部件(还称作围堤、隔离壁)10在X方向或Y方向移动，挡板15打开和关闭以形成膜。

Description

气相淀积设备
发明领域
本发明涉及用于淀积能够通过蒸发淀积的淀积材料(下文中称作蒸发材料)的淀积系统，和以用该淀积系统形成的有机发光元件为代表的发光装置的制造方法。具体的，本发明涉及真空蒸发方法和蒸发系统，该系统通过从面对衬底提供的多个蒸发源蒸发蒸发材料进行淀积。
发明背景
近几年，涉及具有EL元件作为自发光发光元件的发光装置的研究非常活跃。发光装置指有机EL显示器(OELD)或有机发光二极管(OLED)。由于这些发光装置有诸如适用于电影显示的快速响应速度，低电压、低功耗驱动等特征，它们用于包括新一代蜂窝电话和便携式信息终端(PDA)的下一代显示器吸引了大家的注意力。
EL元件具有含有机化合物的层(下文中，称作EL层)夹在阳极和阴极之间的结构。通过向阳极和阴极施加电场在EL层中产生电致发光。从EL元件得到的发光包括从单重激发态回到基态的光发射(荧光)和从三重激发态回到基态的光发射(磷光)。
这类具有以矩阵形状排列的EL元件的发光装置可以采用无源矩阵驱动(简单矩阵发光装置)和有源矩阵驱动(有源矩阵发光装置)或其它驱动方法。然而，如果像素密度增加，其中开关由每个像素(或每个点)提供的有源矩阵发光装置被认为是有优势的，因为它们可以用低电压驱动。
上述EL层具有以“空穴输运层、发光层、电子输运层”为代表的叠层结构。用于形成EL层的EL材料粗略地分类为低分子(单体)材料和高分子(聚合物)材料。低分子材料用图14所示的蒸发设备淀积。
图14所示的蒸发设备有安装在衬底上的衬底支撑物1403、封装了EL材料的融化罐1401、蒸发材料、用于防止要被升华的EL材料上升的挡板1402、和用于加热融化罐中EL材料的加热器(没有示出)。然后，用加热器加热的EL材料被升华并淀积在滚动的衬底上。这时，为了均匀地淀积，衬底和融化罐之间有必要有至少1m的距离。
根据上述气相淀积设备和上述气相淀积方法，当EL层用气相淀积形成时，几乎所有被升华的EL材料附着到气相淀积装置膜形成室内部的内壁、挡板或附着阻挡屏(用于防止气相淀积材料附着到膜形成室内壁上的保护板)上。因而，在形成EL层时，利用昂贵的EL材料的效率非常低，即大约1％或更低，发光装置的制造成本变得非常昂贵。
另外，根据相关技术的气相淀积设备，为了提供均匀的膜，有必要将板从气相淀积源分开等于或大于1m的距离的间隔。因而，气相淀积设备本身变成大尺寸，气相淀积装置的每个膜形成室抽气所需的时间周期延长，因而，膜形成速率减缓，产量降低。另外，气相淀积设备是一种转动板的结构，因而，以大面积板为目标时，气相淀积设备就有了限制。
另外，有一个问题是EL材料由于氧或水的存在容易被氧化，退化。然而，在用气相淀积法形成膜中，放入容器(玻璃瓶)中的预定量的气相淀积材料被取出并转移到安装在气相淀积装置内部与要形成有膜的物体相对位置上的容器(典型的，坩锅、或气相淀积舟)中，就要考虑气相淀积材料在转移操作中与氧或水或杂质混合。
另外，当气相淀积材料从玻璃瓶转移到容器中时，气相淀积材料由人手在提供有手套等的膜形成室的预处理室内部转移。然而，当预处理室中提供手套时，室无法抽真空，操作在大气压下进行，就有很大的可能混入杂质。即使当转移操作在处于氮气氛中的预处理室内部进行时，也很难尽可能地减少湿气和氧。另外，尽管使用机器人是可能的，由于气相淀积材料是粉末形状的，因而很难制造出机器人来进行转移操作。因而，很难通过防止杂质混入的集成密闭系统来实施形成EL元件的步骤，即，从形成下电极上面的EL层的步骤到形成上电极的步骤。
发明概述
因此，本发明提供气相淀积设备，其提高利用EL材料的效率、并在形成EL层的产量或均匀性上是极好的，及其气相淀积方法。另外，本发明提供用气相淀积装置并根据本发明的气相淀积方法制造的发光装置和制造该发光装置的方法。
另外，本发明提供在具有，例如320mm×400mm、370mm×470mm、400mm×500mm、550mm×650mm、600mm×720mm、620mm×730mm、680mm×880mm、730mm×920mm、1000mm×1200mm、1100mm×1250mm或1150mm×1300mm尺寸的大面积板上有效地气相淀积EL材料的方法。
根据上述大面积板，有可能有一个问题是当板用板支撑装置(永久磁铁等)固定支撑住时，板部分地弯曲。另外，当形成更大面积时，还要有弯曲薄的掩模的考虑。
另外，本发明提供能够避免杂质混入EL材料的制造系统。
为了实现上述目标，根据本发明，提供有用于支持板的板支撑装置，使得当用一个大面积板多面切割(用一片板形成多个面板)时，以后构成划线的部分与之接触。即，板安装在板支撑装置上，而通过从提供在板支撑装置下侧面上的气相淀积源支撑物升华气相淀积材料，向不与板支撑装置接触的区域实施气相淀积。从而，大面积板的弯曲可以被限制在等于或小于1mm。
另外，当使用掩模(典型的，金属掩模)时，掩模可以被安装在板支撑装置之上，板可以被安装在掩模之上。从而，掩模的弯曲可以被限制在等于或小于1mm。另外，气相淀积掩模可以与板或板支撑物紧密接触，或者通过提供之间一定程度的间隔固定在板上的气相淀积掩模支撑物可以恰当地被提供。
另外，当室的内壁或掩模被清洁时，板支撑装置可以用导电材料形成，附着在室内壁或掩模上的气相淀积材料可以通过用连接到板支撑装置上的高频功率源提供等离子体除去。
另外，为了实现上述目标，根据本发明，提供了气相淀积设备，特征在于，板和气相淀积源相对彼此移动。即，本发明特征在于在气相淀积室的内部，安装有填充了气相淀积材料的容器的气相淀积源支撑物相对于板移动一定的间距或板相对于气相淀积源移动一定的间距。另外，优选的是将气相淀积源支撑物移动一定的间距，使得升华的气相淀积材料的末端(边缘)叠加(重叠)。
尽管可以用单个或多个气相淀积源支撑物，当气相淀积源支撑物为EL层层叠的层的每一层提供时，气相淀积可以有效地并连续地进行。另外，单个或多个容器可以安装到气相淀积源支撑物上，另外，装有同样气相淀积材料的多个容器可以被安装。另外，当包括不同气相淀积材料的容器被安装时，膜可以以对被升华的气相淀积材料进行混合的状态形成于板上(其被称作共气相淀积)。
其次，将给出用于根据本发明相对于彼此移动板和气相淀积源路径概要的说明。另外，尽管将用参考图2A和2B根据本发明相对于板移动气相淀积源支撑物的实例给出说明，板和气相淀积源可以相对于彼此移动，且移动气相淀积源支撑物的路径不限于图2A和2B。另外，尽管说明将给出4个气相淀积源支撑物A、B、C、D的情形，自然可以提供任何数目的气相淀积源支撑物。
图2A说明了板13、安装有气相淀积源的气相淀积源支撑物A、B、C和D、以及相对于板移动气相淀积源支撑物A、B、C和D的路径。首先，气相淀积源支撑物A在X轴方向连续地移动以完成如虚线所示在X轴方向形成膜。其次，气相淀积源支撑物A在Y轴方向连续地移动并在完成在Y轴方向形成膜之后停止在点划线的位置。之后，气相淀积源支撑物B、C和D类似地在X轴方向移动以类似地如虚线所示完成在X轴方向形成膜。其次，气相淀积源支撑物B、C和D在Y轴方向连续地移动，并在完成了在Y轴方向形成膜之后停止。另外，气相淀积支撑物可以从Y轴方向开始移动，且移动气相淀积源支撑物的路径不限于图2A的。另外，气相淀积源支撑物可以在X轴方向和Y轴方向交替地移动。
另外，每个气相淀积源支撑物回到初始位置，并开始下一个板的气相淀积。让每个气相淀积源支撑物回到初始位置的计时可以是从膜形成到接下来的膜形成的计时，也可以是在用其它气相淀积源支撑物形成膜的中间。另外，气相淀积可以从每个气相淀积源支撑物停止的位置为下一个板开始。
其次，不同于图2A的路径将参考图2B说明。参考图2B，气相淀积源支撑物A如虚线所示在X轴方向连续地移动并在Y轴方向连续地移动以形成膜，并停止在点划线所示气相淀积源支撑物D的后侧面。之后，气相淀积源支撑物B、C和D如虚线所示在X轴方向移动并类似地在Y轴方向连续地移动并在完成了形成膜之后停止在气相淀积源支撑物的前一个的后侧面。
通过设定路径，使得气相淀积源支撑物这样回到初始位置，就没有了气相淀积源支撑物不必要的移动，膜形成速度可以提高，因而，发光装置的产量可以提升。
另外，图2A和2B中，移动气相淀积源支撑物A、B、C和D的开始计时可以在前一个气相淀积源支撑物停止之前或停止之后。另外，当下一个气相淀积源支撑物在固化气相淀积膜之前开始移动时，在具有层叠的层结构的EL层中，与气相淀积材料混合的区域(混合区)也可以在相应的膜的界面形成。
根据这样相对彼此移动板和气相淀积源支撑物A、B、C和D的本发明，可以实现装置的小尺寸形成，而不需要增加板和气相淀积源之间的距离。另外，由于气相淀积设备是小尺寸的，被升华的气相淀积材料在膜形成室内部的附着防止屏上或内壁上的附着减少了，气相淀积材料可以被利用，而没有浪费。另外，根据本发明的气相淀积方法，没有必要转动板，因而，可以提供能够处理大面积板的气相淀积设备。另外，根据在X轴方向和Y轴方向相对于板移动气相淀积源支撑物的本发明，气相淀积的膜可以均匀地被形成。
另外，本发明可以提供连续地排列有多个膜形成室以实施气相淀积工艺的制造设备。这样，气相淀积工艺在多个膜形成室中实施，因而，发光装置的产量提升了。
另外，本发明可以提供制造系统，它使装有气相淀积材料的容器直接在气相淀积装置中安装而不暴露于大气中成为可能。根据本发明，使气相淀积材料的处理容易了，且可以避免杂质混入气相淀积材料中。
根据说明书中公开的本发明的构成1，如图1A、1B和1C中的实例所示，提供了气相淀积设备，其通过从与板相对安排的气相淀积源支撑物气相淀积有机化合物材料在板上形成膜，其中安排有板的膜形成室包括板支撑装置和用于移动气相淀积源支撑物的装置，气相淀积源支撑物包括填充有气相淀积材料的容器、用于加热容器的装置和提供在容器之上的挡板，用于移动气相淀积源支撑物的装置提供有在X轴方向移动气相淀积源支撑物一定间距并在Y轴方向移动气相淀积源支撑物一定间距的功能，且板支撑装置被安排在板和气相淀积支撑物之间。
另外，在构成1中，板支撑装置与用于构成板的终端部分、切割区域、或末端部分的区域重叠，掩模插在其间。
另外，在构成1中，如图4A、4B和4C所示，板支撑装置包括凸起，并在凸起的顶点支持板或掩模。
另外，可以提供等离子体发生装置，本发明中公开的本发明的其它构成是气相淀积装置在板上通过从与板相对安排的气相淀积支撑物气相淀积有机化合物材料形成膜，其中安排有板的膜形成室包括板支撑装置和用于移动气相淀积源支撑物的装置，气相淀积源支撑物包括装有气相淀积材料的容器和用于加热容器的装置和提供在容器上的挡板，用于移动气相淀积源支撑物的装置具有在X轴方向移动气相淀积源支撑物一定间距并在Y轴方向移动气相淀积源支撑物一定间距的功能，板支撑装置被安排在板和气相淀积支撑物之间，膜形成室连接到用于在膜形成室内真空化的真空处理室并在膜形成室中产生等离子体。
另外，在构成2中，板支撑装置包括导电材料，且板支撑装置与高频功率源连接。
另外，板支撑装置可以由形状记忆合金制造，例如，可以使用Ni-Ti系列合金。形状记忆合金是能够记忆固定形状并且即使在形变后能通过加热回到初始形状的合金，且形变不是由晶体结构的错位产生，而是由不改变原子间成键的马氏体转变产生。当马氏体状态的形状记忆合金被加热到转变成奥氏体状态的温度或更高温度时，马氏体相转变成奥氏体相。在这个时刻，提供在马氏体相状态的形状被释放以回到初始形状。
另外，在构成2中，板支撑装置与用于构成板的终端部分、切割区域、或末端部分的区域重叠，掩模插在其间。
另外，在构成2中，如图4A、4B和4C所示，板支撑装置包括凸起，且板或掩模被凸起的顶点支持。
另外，在相应的构成中，板支撑装置包括凸起且凸起的高度落在1μm-10μm的范围，优选的，3μm-10μm。
附图简要说明
图1A、1B和1C是示出根据本发明的气相淀积设备的视图；
图2A和2B是示出根据本发明移动气相淀积源的路径的视图；
图3A1、3A2、3A3、3B1、3B2、3C1、3C2和3C3是示出板支撑装置的视图(实施方案2)；
图4A、4B、4C和4D是示出板支撑装置实例的视图(实施方案2)；
图5A和5B是示出根据本发明的气相淀积源支撑物的视图；
图6是示出根据本发明的制造系统的视图；
图7是示出根据本发明的载运器容器的视图；
图8A和8B是示出根据本发明的气相淀积设备的视图；
图9A和9B是示出根据本发明的气相淀积设备的视图；
图10A和10B是示出根据本发明的发光装置的视图；
图11A和11B是示出根据本发明的发光装置的视图；
图12是示出根据本发明的气相淀积设备的视图；
图13是示出根据本发明的气相淀积设备的视图；
图14是示出气相淀积设备的视图；
图15是示出根据本发明的气相淀积设备的视图；
图16A-16H是示出使用本发明的电子设备的实例的视图。
优选实施方案的详细说明
将参考如下的附图给出本发明实施方案的说明。另外，在所有用于说明实施方案的视图中，同样的部分用同样的记号标记(attach)，其重复的说明将省略。
实施方案1
图1A、1B和1C示出根据本发明的蒸发系统。图1A是X方向的截面图(沿点划线A-A’得到的截面)，图1B是Y方向的截面图(沿点划线B-B’得到的截面)，图1C是俯视图。另外，图1A、1B和1C示出蒸发中的蒸发系统。
图1A、1B和1C中，淀积室11包括板支撑装置12、安装有蒸发挡板15的蒸发源支撑物17、用于移动蒸发源支撑物的装置(没有说明)和用于产生低压气氛的装置。另外，淀积室11安装有板13和蒸发掩模14。
另外，提供板支撑装置12用于通过引力作用固定金属制成的蒸发掩模14，因而固定安排在蒸发掩模之上的板13。注意真空抽气机构可以引入到板支撑装置12中，进行真空抽气以固定掩模。尽管这里示出让蒸发掩模与板支撑装置12紧密接触的实例，为了防止蒸发掩模和板支撑装置形成彼此固定，绝缘体可以提供在蒸发掩模和板支撑装置彼此交叉的部分，或者板支撑装置的形状可以任意的调节以便于与蒸发掩模点接触。另外，尽管这里示出通过板支撑装置12安装板和蒸发掩模二者的实例，也可以单独地提供用于支撑板的装置和另一个用于支撑蒸发掩模的装置。
另外，优选的是当执行多个图形时板支撑装置12形成于切割区(要划线器划线的区域)，因为蒸发不能在与板支撑装置12重叠的区域实施。或者，可以形成板支撑装置12以便于与要成为面板终端部分的区域重叠。如图1C所示，板支撑装置12以从上表面看十字的形状形成，这是因为图1C示出形成在一个板内的点划线画出的4个面板的实例。然而，板支撑装置12的形状不限于这种结构，不对称形状也是可以接受的。附带地，图中没有示出，板支撑装置12固定在淀积室中。注意，为简单起见，掩模在图1C中没有示出。
另外，蒸发掩模和板的对准可以用CCD相机(没有说明)证实。对准控制可以分别在板和蒸发掩模中安装对准标记物来实施。蒸发源支撑物17安装有填充了蒸发材料18的容器。淀积室11通过产生低压气氛被抽真空到5×10-3Torr(0.665Pa)或更低的真空度，优选的，10-4-10-6Pa。
另外，在蒸发中，蒸发材料通过电阻加热被预先升华(气化)，并通过在蒸发中打开挡板15在板13的方向散开。被蒸发的蒸发材料19在向上的方向散开，并通过提供在蒸发掩模14上的开口部分选择地气相淀积在板13上。另外，优选的，淀积速率、蒸发源支撑物的移动速率、挡板的打开和关闭由微机控制。蒸发源支撑物的蒸发速率可以通过移动速率控制。
另外，尽管没有说明，可以在用提供在淀积室11中的石英振荡器测量所淀积膜的膜厚度时实施蒸发。当所淀积膜的膜厚度用石英振荡器测量时，可以测量淀积到石英振荡器上的膜质量随着振荡频率变化的变化。
在图1所示的蒸发系统中，在蒸发中，板13和蒸发源支撑物17之间间隔的距离d可以分别减少到30cm或更少，优选的，20cm或更少，更优选的，5cm-15cm，以由此显著地提升利用蒸发材料的效率和产量。
在蒸发系统中，蒸发源支撑物17的构成包括容器(典型的，坩锅)、通过均匀加热部件安排在容器外侧面上的加热器、提供在加热器外侧面的绝缘层、包含这些的外圆筒、环绕在外圆筒周围的冷却管和用于开启和关闭包括坩锅打开部分的外圆筒的打开部分的蒸发挡板15。另外，蒸发源支撑物17可以是能够以将加热器固定到容器上的状态被载运的容器。另外，容器用BN烧结体材料、BN和AlN的复合烧结体、能够耐高温、高压和低压的石英或石墨形成。
另外，蒸发源支撑物17提供有在蒸发室11内部X方向或Y方向可移动同时保持水平状态的机构。该情形中，蒸发源支撑物17被做得在图2A或2B所示的二维平面上以Z字型移动。另外，移动蒸发源支撑物17的间距可以恰当地被匹配到绝缘体之间的间隔中。另外，绝缘体10被安排成条形以覆盖第一电极21的末端部分。注意，为简单起见板支撑装置没有在图2A和图2B中说明。
另外，提供在蒸发源支撑物中的有机化合物是其一种或一个不是必须的，而可以是其多种。例如，除了在蒸发源支撑物中作为发光有机化合物提供的一种材料外，还可以一起提供可以是掺杂物(掺杂材料)的其它有机化合物。优选的是设计要气相淀积的有机化合物层由主材料和激发能低于主材料的发光材料(掺杂材料)构成，因而掺杂物的激发能变得低于空穴输运区的激发能和电子输运层的激发能。由此，可以防止杂质分子激发体的扩散，可以让杂质有效地发光。另外，当掺杂物是载流子陷阱类型的材料时，也可以提升复合载流子的效率。另外，本发明包括一种情形，其中能够把三重态激发能转变成发光的材料被加入到混合区作为杂质。另外，在形成混合区中，可以向混合区提供浓度梯度。
另外，当在单个蒸发源支撑物提供多个有机化合物时，对于蒸发方向优选的是歪斜以便在要被淀积的物体位置处交叉，使得有机化合物被混合在一起。另外，为了实施共蒸发，蒸发源支撑物可以提供有4种蒸发材料(例如，2种主材料作为蒸发材料a，2种掺杂物材料作为蒸发材料b)。另外，当像素尺寸小(或者，相应的绝缘体之间的间隔窄)时，膜可以通过分割容器内部为4份并为了使相应的部分恰当地被蒸发而实施共蒸发被精细地形成。
另外，由于板13和蒸发源支撑物17之间的间隔距离d被分别窄化到30cm或更小，优选的，5cm-15cm，有一个考虑是还要加热蒸发掩模14。因而，对于蒸发掩模14优选的是使用具有低热扩散速率的金属材料，其很难由于热而变形(例如，诸如钨、钽、铬、镍或钼的高熔点金属或包括这些元素的合金，诸如不锈钢、inconel、镍基合金的材料)。例如，有42％镍和58％铁的低热扩散合金等被指出。另外，为了冷却要被加热的蒸发掩模，蒸发掩模可以提供有循环冷却介质(诸如冷却水、冷却气体)的机构。
另外，为了清洁附着到掩模上被淀积的物质，优选的是通过等离子体发生装置在淀积室的内部产生等离子体以蒸发附着在掩模上的被淀积物质以排出蒸汽到淀积室的外面。为了这个目的，高频功率源20被连接到板支撑装置12上。如上所述，优选的是板支撑装置12用导电材料(诸如Ti)形成。当产生等离子体时，优选的是金属掩模被供上电，以便于从板支撑装置12上浮起以防止电场集中。
另外，当蒸发膜被选择地形成于第一电极21(阴极或阳极)时使用蒸发掩模14，当蒸发膜被形成于其整个面之上时不特别的需要蒸发掩模14。
另外，淀积室包括用于引入选自包括Ar、H、F、NF3和O的组中的一种或多种气体的气体引入装置和用于排出蒸发的被淀积物质的排出装置。通过上述构成，在维护中淀积室的内部可以被清洁而不与大气接触。
另外，淀积室11与用于使淀积室内部真空化的真空化室连接。真空处理室提供有磁悬浮型涡轮分子泵、低温泵或干燥泵。由此，淀积室11最终的真空度可以做到10-5-10-6Pa，并可以控制杂质从泵侧和排出系统的反向扩散。为了防止杂质引入到淀积室11，作为要引入的气体，使用氮的惰性气体或稀有气体。使用要引入的气体，其在被引入到装置中之前用气体精制器高度提纯。因而，有必要提供气体精制器使得气体被高度提纯，之后被引入到淀积室11中。由此，包括在气体中的氧、湿气等杂质可以预先被除去，因而，可以防止杂质被引入到淀积室11中。
根据如上所述具有移动蒸发源支撑物机构的淀积室，没有必要延长板和蒸发源支撑物之间的距离，并可以均匀地形成蒸发膜。
因而，根据本发明，板和蒸发源支撑物间的距离可以缩短，可以实现蒸发系统的小尺寸形成。另外，由于蒸发系统变成小尺寸的，升华的蒸发材料在淀积室内部的内壁上或附着阻挡屏上的附着可以减少，蒸发材料可以被有效地利用。另外，根据本发明的蒸发方法，没有必要转动板，因而，可以提供能够处理大面积板的蒸发系统。
另外，通过这样缩短板和蒸发源支撑物间的距离，蒸发膜可以被薄薄地并可控地淀积。(实施方案2)
其次，将参考图3A1、3A2、3A3、3B1、3B2、3C1、3C2和3C3给出根据本发明的板支撑装置构成的详细说明。
图3A1示出安装有板303和掩模302的板支撑装置301的透视图，图3A2只示出板支撑装置301。
另外，图3A3示出安装有板303和由具有10mm高度h和1mm-5mm宽度w的金属片(代表性的，Ti)构成的掩模302的板支撑装置的截面视图。
通过板支撑装置301，可以抑制板的弯曲或掩模的弯曲。
另外，板支撑装置301的形状不限于图3A1-3A3所示的，还可以由，例如，3B2中所示的形状构成。
图3B2示出提供支持板末端部分的部分的实例，通过板支撑装置305，板303的弯曲或掩模302的弯曲可以被抑制。另外，图3B2只示出板支撑装置305。另外，图3B1示出安装有板303和掩模302的板支撑装置305的透视图。
另外，代替板支撑装置的形状，可以构成图3C2所示的形状。图3C2示出提供支持板末端部分的掩模框架306的实例，通过板支撑装置307和掩模框架306，板303的弯曲或掩模302的弯曲可以被抑制。该情形中，板支撑装置307和掩模框架306可以用彼此互不相同的材料形成。另外，掩模框架306提供有凹处，用于如图3C3所示固定掩模302的位置。
另外，图3C2只示出掩模框架306和板支撑装置307。另外，图3C1示出板支撑装置305和安装有板303和掩模302的掩模框架的透视图。
另外，代替板支撑装置的形状，可以构成图4A、4B、4C和4D所示的形状。图4A、4B、4C和4D示出通过点接触与掩模接触的实例。通过这样构成形状，示出了一个实例，其中防止掩模和板支撑装置被淀积物质牢固的附着。
图4A示出安装有板403和掩模402的板支撑装置401的透视图，图4B只示出板支撑装置401。
另外，图4C示出X方向安装有板403和掩模402的板支撑装置的截面视图，其由具有10mm-50mm高度h2的金属片(有代表性的，Ti)构成。另外，板支撑装置401包括凸起401a，凸起的高度h1的特征在于落在1μm-30μm的范围，优选的，3μm-10μm。
另外，图4D示出Y方向板支撑装置的截面视图。
其次，气相淀积源支撑物的特定构成将参考图5A和5B说明。图5A和5B示出气相淀积源支撑物的放大的视图。
图5A示出以格子的形状提供4个填充有气相淀积材料的容器501给气相淀积源支撑物502并在相应的容器之上提供挡板503的构成实例，图5B示出以线形形状提供4个填充有气相淀积材料的容器511给气相淀积源支撑物512并在相应的容器之上提供挡板513的构成实例。
多个填充有同样材料的容器501或511可以安装在图5A或5B说明的气相淀积源支撑物502或512上，或者单个容器可以安装在气相淀积源支撑物上。另外，共淀积可以通过安装填充有不同气相淀积材料(例如，主材料和客材料)的容器来实施。另外，如上所述，气相淀积材料通过加热容器被升华，膜形成到板上。
另外，如图5A或5B所示，可以通过在每个容器之上提供挡板来控制膜是否由升华的气相淀积材料形成。另外，可以在所有容器之上只提供单个挡板。另外，通过挡板，可以减少升华或散射不必要的气相淀积材料，而不停止加热不形成膜的气相淀积源支撑物，即，备用的气相淀积源支撑物。另外，气相淀积源支撑物的构成不限于图5A和5B的，还可以恰当地由实施本发明的人来设计。
通过上述气相淀积源支撑物和容器，气相淀积材料可以被有效地升华，另外，膜以气相淀积材料的尺寸(Size)是平均匀(even)的状态形成，因而，形成没有不均匀性的均匀气相淀积膜。另外，多个气相淀积材料可以被安装在气相淀积源支撑物上，因而，可以很容易的实施共气相淀积。另外，作为目标的EL层可以在一次操作中形成，而不用为EL层的每个膜移动膜形成室。(实施方案3)
将参考图6给出在上述容器中填充精制的蒸发材料、载运容器、之后直接将容器安装在作为淀积设备的蒸发系统的制造方法的系统的说明。
图6说明制造者，代表性地是生产和精制作为蒸发材料的有机化合物材料的材料制造商618(有代表性地，材料制造商)，和作为有蒸发系统的发光装置制造商的制造者(有代表性地，生产厂家)619。
首先，从发光装置制造商619向材料制造商618进行订货610。基于订单610，材料制造商618精制以升华蒸发材料并以精制的高纯度粉末的形式将蒸发材料612填充到第一容器611中。之后，材料制造商618将第一容器从大气中隔离，使得额外的杂质不附着在其内部或外部，并将第一容器611包含在第二容器6212a和621b中以密闭地密封，用于防止第一容器611在清洁的环境室内部被污染。在密闭地密封第二容器621a和621b中，在容器内部，优选的是被抽真空，或被填充以氮的惰性气体等。另外，优选的是在精制或包含超高纯度的蒸发材料612之前清洁第一容器611和第二容器621a和621b。另外，尽管第二容器621a和621b可以是具有用于阻挡氧或湿气混入其中的遮挡性能的包装膜，为了能够自动地取出容器，优选的是第二容器由具有挡光性能的坚固容器以圆筒的形状或盒子的形状构成。
之后，第一容器611以被第二容器621a和621b密闭地密封的状态从材料制造商618载运(617)到发光装置制造商619。
在发光装置制造商619处，第一容器611以密闭地密封在第二容器621a和621b的状态被直接引入到可抽真空的处理室613中。另外，处理室613是在其内部安装有加热装置614和板支撑装置(没有说明)的蒸发系统。
之后，处理室613的内部被抽真空以带来清洁的状态，其中氧或湿气尽可能被减少，之后，不破坏真空，第一容器611从第二容器621a和621b中取出，第一容器611被安装，与加热装置614接触，可以制备蒸发源。另外，要淀积的物体(这里是板)615被安装在处理室613中以便与第一容器611相对。
接下来，通过加热装置614向蒸发材料施加热，蒸发膜616形成于要淀积的物体615的表面上。这样提供的蒸发膜616不包括杂质，当用蒸发膜616完成发光元件时，可以实现高可靠性和高亮度。
另外，形成膜以后，保留在第一容器611中的蒸发材料可以被升华以便在发光装置制造商处精制。形成膜之后，第一容器611安装在第二容器621a和621b处，从处理室613取出，并载运到用于升华的精制室中以精制蒸发材料。这里，留下的蒸发材料被升华以精制，精制的高纯度粉末状的蒸发材料被填充到分开的容器中。之后，在第二容器中被密闭地密封的状态下，蒸发材料被载运到处理室613中以实施蒸发处理。在这个时刻，优选的是用于精制留下的蒸发材料的温度(T3)、蒸发材料周围升高的温度(T4)和被升华以精制的蒸发材料周围的温度(T5)满足T3＞T4＞T5。即，在升华以精制材料的情形中，当温度向着用于填充要被升华以精制的蒸发材料的容器一侧降低时，就带来了对流，淀积材料可以被有效地升华以精制。另外，用于升华以精制蒸发材料的精制室可以被提供，与处理室613接触，已经被升华以精制的蒸发材料可以被载运，而不使用用于密闭地密封蒸发材料的第二容器。
如上所述，第一容器611安装在作为处理室613的蒸发室中，而根本不与大气接触以便能够进行蒸发，同时保持由材料制造商包含蒸发材料612的阶段的纯度。因而，根据本发明，可以实现提升产量的全自动制造系统，并可以实现能够避免杂质混入到在材料制造商618处精制的蒸发材料612中的集成密闭系统。另外，蒸发材料612由材料制造商基于订单直接包含在第一容器611中，因而，只有其必须的量被提供给发光装置制造商，比较昂贵的蒸发材料可以有效地使用。另外，第一容器和第二容器可以被再利用到一定的量以降低成本。
下面将参考图7给出要运送的容器样式的具体说明。用于传输的被分割成上部分(621a)和下部分(621b)的第二容器包括提供在第二容器上部分用于固定第一容器的固定装置706、用于压固定装置的弹簧705、提供在第二容器的下部分用于构成气体路径来保持被减压的第二容器的气体引入口708、用于固定上容器621a和下容器621b的O型环707和止动片702。填充有精制的蒸发材料的第一容器611被安装在第二容器中。另外，第二容器可以用包括不锈钢的材料形成，第一容器可以用包括钛的材料形成。
在材料制造商处，精制的蒸发材料填充在第一容器611中。另外，第二容器的上部分621a和下部分621b通过O型环707匹配，上容器621a和下容器621b用止动片702固定，第一容器611密闭地密封在第二容器内部。之后，第二容器的内部通过气体引入口708被减压，并用氮气氛置换，第一容器611通过调节弹簧705用固定装置706固定。干燥剂可以安装在第二容器的内部。当第二容器的内部这样被保持在真空、低压或氮气氛中时，可以防止即使少量的氧或湿气附着到蒸发材料上。
第一容器611在这种状态下被载运到发光装置制造商处，并直接安装到处理室613中。之后，蒸发材料通过加热升华，蒸发膜616被形成。
其次，将参考图8A和8B以及9A和9B给出安装被密闭地密封在第二容器中载运到淀积室806的第一容器611的机构的说明。另外，图8A和8B以及图9A和9B示出在运输中的第一容器。
图8A说明安装室805的俯视图，其包括用于安装第一容器或第二容器的基座804、蒸发源支撑物803、用于安装基座804和蒸发源支撑物803的转动基座807和用于载运第一容器的载运装置802，图8B说明安装室的透视图。另外，安装室805被安排得与淀积室806相邻，安装室中的气氛可以通过用于通过气体引入口控制气氛的装置来控制。另外，本发明的载运装置不限于图8A和8B所说明的挤压第一容器的侧面以载运的构成，而可以由在其上部分挤压(pinch)(拾取(pick))以载运的构成构造。
第二容器以脱离止动片702的状态被安排到基座804之上这样的安装室805中。接下来，安装室805的内部由用于控制气氛的装置变成减压的状态。当安装室内部的压力和第二容器内部的压力变得彼此相等时，就成为了能够容易地打开第二容器的状态。另外，第二容器的上部分621a被除去，第一容器611通过载运装置802安装在蒸发源支撑物803中。另外，尽管没有说明，用于安装被除去的上部分621a的部分被恰当地提供。另外，蒸发源支撑物803从安装室805移动到淀积室806。
之后，通过提供在蒸发源支撑物803处的加热装置，蒸发材料升华，膜开始被形成。在形成膜时，当提供在蒸发源支撑物803处的挡板(没有说明)打开时，升华的蒸发材料散开到板的方向并气相淀积到板上以形成发光层(包括空穴输运层、空穴注入层、电子输运层和电子注入层)。
另外，完成蒸发之后，蒸发源支撑物803回到安装室805，通过载运装置802安装在蒸发源支撑物803处的第一容器611被转移到安装在基座804的第二容器的下容器(没有说明)，并用上容器621a密闭地密封。在这时，优选的是第一容器、上容器621a和下容器用载运容器的组合体密闭地密封。在这种状态下，安装室805置于大气压下，第二容器从安装室中取出，用止动片702固定，并载运到材料制造商618处。
另外，为了有效地载运用于开始蒸发的蒸发源支撑物和蒸发完成的蒸发源支撑物，转动基座807可以提供有转动功能。另外，转动基座807的结构不限于上述结构，转动基座807可以具有向左和向右移动的功能，当转动基座807对安装在淀积室806中的蒸发源支撑物关闭时，多个第一容器可以通过载运装置802安装在蒸发源支撑物处。
其次，将给出将通过用第二容器密闭地密封载运的多个第一容器安装到多个蒸发源支撑物上的机构的说明，其不同于图8A和8B，参考图9A和9B。
图9A说明了安装室905的俯视图，其包括用于安装第一容器或第二容器的基座904、多个蒸发源支撑物903、用于载运第一容器的多个载运装置902和转动基座907，图9B说明安装室905的透视图。另外，安装室905被安排得与淀积室906相邻，安装室的气氛可以由通过气体引入口控制气氛的装置来控制。
通过转动基座907和多个载运装置902，可以有效地进行安装多个第一容器611到多个蒸发源支撑物903并将多个第一容器611从多个完成了膜形成的蒸发源支撑物转移到基座904的操作。在这时，优选的是将第一容器611安装到已经被载运的第二容器上。
根据由上述蒸发系统形成的蒸发膜，杂质可以被减少到极端，当用该蒸发膜完成发光元件时，可以实现高可靠性和亮度。另外，通过这样的制造系统，由材料制造商填充的容器可以被直接安装到蒸发系统中，因而，可以防止氧或湿气附着到蒸发材料上，进一步将来可以处理发光元件的超高纯度形成。另外，通过再次精制有着留下的蒸发材料的容器，可以消除材料的浪费。另外，第一容器和第二容器可以被再利用，并可以实现低成本形成。
实例
本发明的实例基于附图在下面给予说明。此外，在所有用于说明实例的附图中，同样的部分给出共同的符号，其重复的说明被省略。
实例1
本实例中，在具有绝缘表面的衬底上形成TFT并形成是发光元件的EL元件的实例示于图10。在像素部分中连接到EL元件的一个TFT的横截面视图示于本实例中。
基础绝缘膜201通过诸如氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜的绝缘膜的叠层形成于具有绝缘表面的衬底200上。尽管这里基础绝缘膜201具有两层结构，可以用具有单层或两层或多层绝缘膜的结构。基础绝缘膜的第一层是用SiH4、NH3和N2O反应气体通过等离子体CVD形成具有10-200nm(优选的，50-100nm)厚度的氧氮化硅膜。这里，氧氮化硅膜(组成比：Si＝32％，O＝27％，N＝24％及H＝17％)被形成具有50nm的膜厚度。基础绝缘膜的第二层是用SiH4和N2O反应气体通过等离子体CVD形成到具有50-200nm(优选的100-150nm)厚度的氧氮化硅膜。这里，氧氮化硅膜(组成比：Si＝32％，O＝59％，N＝7％及H＝2％)被形成具有100nm的膜厚度。
随后，半导体层形成于基础绝缘膜201上。半导体层如下形成：非晶半导体膜用已知的装置(溅射、LPCVD、等离子体CVD等)形成，然后，膜用已知的晶化方法(激光晶化法、热晶化法、或者使用诸如镍的催化剂的热晶化法)晶化，然后，结晶半导体膜图形化为所需的形式。该半导体层以25-80nm(优选的30-60nm)的厚度形成。尽管在材料上没有限制，结晶半导体膜的材料优选的由硅或锗-硅合金形成。
在用激光晶化工艺形成结晶半导体膜的情形中，有可能使用准分子激光器、YAG激光器、脉冲振荡或连续振荡型的YVO4激光器。在使用这种激光器的情形中，优选使用的是发自激光振荡器的激光用光学系统会聚成线形形式以照射到半导体膜上的方法。晶化的条件由实施本发明的人适当地选择。在使用准分子激光器的情形中，脉冲振荡频率是30Hz，激光能量密度是100-400mJ/cm2(典型的，200-300mJ/cm2)。同时，在使用YAG激光器的情形中，优选的使用其二次谐波，脉冲振荡频率是1-10kHZ，激光能量密度是300-600mJ/cm2(典型的350-500mJ/cm2)。会聚成线形到100-1000μm的宽度，例如，400μm宽度的激光遍及整个衬底照射，上面线形激光束的重叠比可以取为50-98％。
然后，半导体层的表面用含氟化氢的腐蚀剂清洁，以形成覆盖半导体层的栅绝缘膜202。栅绝缘膜202用含硅的绝缘膜通过使用等离子体CVD或溅射被形成具有40-150nm的厚度。本实例中，用等离子体CVD形成氧氮化硅膜(组成比：Si＝32％，O＝59％，N＝7％及H＝2％)以具有115nm的厚度。当然，栅绝缘膜202不限于氧氮化硅膜，而可以以单层或多层的叠层由含其它形式硅的绝缘膜的层制成。
清洁了栅绝缘膜202的表面之后，形成栅电极210。
然后，提供杂质元素(诸如B)的p型，这里，足量的硼加入到半导体中以形成源区211和漏区212。杂质元素的添加之后，进行加热处理、强光照射或激光照射以激活杂质元素。激活的同时，恢复从等离子体损坏到栅绝缘膜或者来自栅绝缘膜和半导体层之间界面的等离子体损坏是可能的。特别的，杂质元素通过室温到300℃在大气中照射准分子激光在主表面或背表面上来激活。另外，可以照射YAG激光的二次谐波，由此激活杂质元素。YAG激光是优选的激活装置，因为它需要极少的维护。
在随后的工艺中，进行完氢化之后，形成有机或无机材料(例如由光敏有机树脂)制成的绝缘体213a，然后，形成氮化铝膜、示为AlNxOy的氧氮化铝膜或者氮化硅膜制成的第一保护膜213b。示为AlNxOy的膜由AlN或Al制成的靶用RF溅射通过从气体导入系统引入氧、氮或稀有气体形成。AlNxOy膜中氮的含量可以在至少几个原子％的范围，或者优选的2.5-47.5原子％，氧的含量可以在至多47.5原子％，优选的，少于0.01-20原子％的范围。这里形成接触孔，到达源区或漏区。其次，形成源电极(线路)215和漏电极214以完成TFT(p沟道TFT)。该TFT将控制提供给有机发光装置(OLED)的电流。
并且，本发明不限于本实例的TFT结构，但是，如果需要，可以是在沟道区和漏区(源区)之间具有LDD区的轻掺杂漏(LDD)结构。这种结构形成有杂质元素以低浓度添加的区域，在沟道形成区和通过用高浓度添加杂质元素形成的源或漏区之间，其被称作LDD区。更进一步，还可以是，被称作GOLD(栅-漏重叠的LDD)结构，其安排LDD区通过栅绝缘膜与栅电极重叠。优选的是栅电极形成在叠层结构中，并被刻蚀以便上栅电极和下栅电极具有不同的锥形角以便用栅电极作为掩模以自对准的方式形成LDD区和GOLD区。
同时，尽管这里的说明使用了p沟道TFT，不必说n沟道TFT可以用n型杂质元素(P、As等)代替p型杂质元素形成。
此外，尽管顶部栅型TFT在本实例中作为实例说明，本发明可以应用于无论何种TFT结构。例如，本发明可应用于底部栅型(反转交错型)TFT或向前交错型TFT。
随后，在像素部分，与同漏电极接触的连接电极接触的第一电极217以矩阵形状排列。该第一电极217作为发光元件的阳极或阴极。然后，形成覆盖第一电极217的末端部分的绝缘体(通常称作围堤、隔离物或阻挡物等)216。对于绝缘体216，使用光敏有机树脂。在使用负型光敏丙烯酸树脂用作绝缘体216的情形中，例如绝缘体216可以优选的制备使得绝缘体216的上末端部分具有有着第一曲率半径的曲面，绝缘体的下末端部分具有有着第二曲率半径的曲面。第一和第二曲率半径中的任何一个可以优选的在0.2μm-3μm的范围。另外，含有机化合物的层218形成于像素部分中，然后第二电极219形成于其上以完成EL元件。该第二电极219作为EL元件的阴极或阳极。
覆盖第一电极217的末端部分的绝缘体216可以覆盖有氮化铝膜、氧氮化铝膜(aluminum nitride oxide film)或氮化硅膜形成的第二保护膜。
例如，使用正型光敏丙烯酸树脂作为绝缘体216的材料的实例示于图10B中。绝缘体316a具有只在其上末端有着曲率半径的曲面。另外，绝缘体316a覆盖有氮化铝膜、氧氮化铝膜或氮化硅膜形成的第二保护膜316b。
例如，当第一电极217用作阳极时，第一电极217的材料可以是具有大的功函数的金属(例如Pt、Cr、W、Ni、Zn、Sn、或In)。这样的电极217的末端部分覆盖有绝缘体(通常称作围堤、隔离物、阻挡物、护堤等)216或316，然后，用实施方案1或2所示的蒸发系统同绝缘体216或316一起移动蒸发源实施真空蒸发。例如，淀积室抽真空直到真空度达到5×10-3Torr(0.665Pa)或更少，优选的10-4-10-6Pa，用于真空蒸发。真空蒸发之前，有机化合物通过电阻加热蒸发。当挡板打开用于真空蒸发时，蒸发的有机化合物散开到衬底上。蒸发的有机化合物向上散开，然后通过金属掩模中形成的开口淀积在衬底上。形成发光层(包括空穴输运层、空穴注入层、电子输运层和电子注入层)。
在通过真空蒸发形成在其整体上发白光的含有机化合物层的情形中，该层可以通过淀积每个发光层来形成。例如，Alq3膜、部分地掺杂有红色发光染料的Nile红的Alq3、p-BtTAZ膜和TPD(芳香二胺)膜按此顺序层叠以得到白光。
在使用真空蒸发的情形中，如实施方案3所示，其中真空蒸发材料的EL材料预先由材料制造商储存的容器(典型的，融化罐)被设置在淀积室中。优选的，融化罐设置在淀积室中，同时避免与空气接触。从材料制造商处运输的融化罐在运输中优选的密封在第二容器中并以这种状态引入到淀积室中。理想的，具有真空抽气装置的室连接到淀积室(安装室)，融化罐在这个室中于真空或惰性气体气氛中被取出，然后融化罐被设置在淀积室中。这样，融化罐和存储在融化罐中的EL材料被保护起来不受污染。
其次，第二电极219作为阴极形成于发光层上。第二电极219由包括具有小功函数的金属(例如，Li、Mg或Cs)的薄膜、和薄膜上面的透明导电膜(由氧化铟锡(ITO)合金形成的，铟锌氧化物合金(In2O3-ZnO)、氧化锌(ZnO)等制成)的叠层结构构成。为了得到低电阻值阴极，可以在绝缘体216上提供辅助电极。这样得到的发光元件发白光。这里，已说明了含有机化合物的层218用真空蒸发形成的实例。然而，根据本发明，不限于特定的方法，层218可以用涂覆法(诸如旋涂法、喷墨法)形成。
本实例中，尽管说明了淀积低分子材料制成的层作为有机化合物层的实例，高分子材料和低分子材料都可以被淀积。
可以想到根据发光的发射方向有两种结构的具有TFT的有源矩阵发光装置。一个是在发光元件中产生的发光可以穿过第二电极被观察到并可以用上述步骤制造的结构。
另一个结构是发光元件中产生的发光穿过第一电极和衬底之后照射到观察者的眼睛中。当发光元件中产生发光在穿过第一电极以后照射到观察者的眼睛中时，优选的是第一电极217可以用具有透光性的材料制备。例如，当第一电极217被提供作为阳极时，透明导电膜(由氧化铟锡(ITO)合金、氧化锌铟合金(In2O3-ZnO)、氧化锌(ZnO)等制成)用作第一电极217的材料，其末端部分覆盖有绝缘体(通过称作围堤、隔离物、阻挡物、护堤等)216，接下来形成含有机化合物的层218。在这层上，另外，金属膜(例如，MgAg、MgIn、AlLi、CaF2、CaN等，或者周期表中I族和II族元素与铝通过共真空蒸发形成的膜)被形成作为阴极。这里，使用真空蒸发的电阻加热方法被用于阴极的形成，从而阴极可以用真空蒸发掩模被选择地形成。
用上述步骤形成第二电极219之后，密封衬底用密封材料层叠以封装形成于衬底200上的发光元件。
另外，有源矩阵型发光装置的外观视图参考图11说明。另外，图11A是示出仪器的俯视图，图11B是沿图11A中线A-A’切割构成的截面视图。源信号侧驱动电路1101、像素部分1102、和栅信号线驱动电路1103形成于衬底1110上。密封衬底1104、密封材料1105和衬底1110围成的内侧构成空间1107。
另外，用于传输输入到源信号侧驱动电路1101和栅信号侧驱动电路1103的信号的线路1108从FPC(柔性印刷电路)1109接收视频信号或时钟信号用于构成外部输入终端。尽管这里只说明了FPC，FPC可以附连有印刷线路板(PWB)。本技术说明中的发光装置不仅包括发光装置的主体，而且包括其中FPC和PWB附连到上面的状态。
其次，截面结构将参考图11B说明。驱动器电路和像素部分形成于衬底1110之上，这里，示出源信号线驱动电路1101作为驱动器电路和像素部分1102。
另外，源信号线驱动电路1101用n沟道型TFT 1123和p沟道型TFT 1124组合的CMOS电路形成。另外，形成驱动器电路的TFT可以通过众所周知的CMOS电路、PMOS电路或NMOS电路形成。另外，尽管通过本实例，示出用衬底之上驱动器电路形成的驱动器集成型，驱动器集成型不是必须需要的，驱动器电路可以不形成在衬底之上，而且可以在其外侧。
另外，像素部分1102由多个像素形成，每个包括开关TFT 1111、电流控制TFT 1112，和第一电极(阳极)1113，其电连接到电流控制TFT 1112上。
另外，绝缘层1114形成于第一电极(阳极)1113的两端，含有机化合物1115的层形成于第一电极(阳极)1113上。含有机化合物1115的层用实施方案1和2所示的蒸发设备通过将蒸发源支撑物同绝缘膜1114一起移动形成。另外，第二电极(阴极)1116形成于含有机化合物1115的层之上。结果是，形成包括第一电极(阳极)1112、含有机化合物1115的层和第二电极(阴极)1116。这里，发光元件1118示出白色发光的实例，因而，提供有包括颜色转换层1131和光遮挡层1132的滤色器(为简单起见，外涂层在这里没有说明)。
图11中，滤色器形成于密封衬底1104的侧面，由于这是发自发光元件的光通过第二电极被观察的实例，然而，在发自发光元件的光通过第一电极被观察的结构的情形中，滤色器可以形成于衬底1110的侧面。
第二电极(阴极)1116还作为所有像素共同的线路起作用并通过连接线路1108电连接到FPC 1109上。第三电极(辅助电极)1117形成于绝缘层1114上以实现使得第二电极具有低电阻。
另外，为了封装形成于衬底1110之上的发光元件1118，密封衬底1104同密封材料1105粘贴。另外，包括树脂膜的隔离物可以被提供，用于确保密封衬底1104和发光元件1118之间的间隔。另外，密封材料1105内侧的空间1107填充有氮的惰性气体等。另外，优选的是使用环氧类树脂用于密封材料1105。另外，优选的是密封材料1105是尽可能少的渗透湿气或氧的材料。另外，空间1107的内部分可以包括有具有吸收氧或湿气的作用的物质。
另外，根据本实例，作为构成密封衬底1104的材料，除了玻璃衬底或石英衬底之外，可以使用包括FPR(玻璃纤维增强塑料)、PVF(聚氟乙烯)、迈拉(Mylar)、聚酯、或丙烯酸树脂的塑料衬底。另外，有可能用密封材料1105附着密封衬底1104，之后密封以便用密封材料覆盖侧面(暴露的面)。
通过如上所述封装发光元件，发光元件可以完全的从外界封锁(block)，可以防止诸如湿气或氧这样加速有机化合物层退化的物质从外界入侵。因而，可以提供高度可靠的发光装置。
另外，尽管本实例只示出有源矩阵型发光装置的实例，无源矩阵型发光装置也可以用本发明完成。
另外，本实例可以自由地与实施方案1-3组合。
实例2
根据本实例，图12示出从第一电极到密封的多室系统全自动制造的制造设备的实例。
图12示出多室制造设备，具有门100a-100x；制备室101；取出室119；载运室102、104a、108、114和118；输送室105、107和111；淀积室106R、106B、106G、106H、106E、109、110、112和113；用于安装蒸发源的安装室126R、126G、126B、126E和126H；预处理室103；密封板装载室117；密封室116；盒子室111a和111b；托盘放置台121；清洁室122；烘烤室123；和掩模贮存室124。
载运预先提供有薄膜晶体管、阳极和用于覆盖阳极末端部分的绝缘体的板以制造装置的过程示于图12，并将在下面示出制造发光装置。
首先，板设置在盒子室111a或盒子室111b中。当板是大尺寸板时(例如，300mm×360mm)，板设置在盒子室111a或111b中，当板是普通板(例如，127mm×127mm)时，板运送到托盘放置台121，且多个板安置在托盘上(例如，300mm×360mm)。
接下来，提供有多个薄膜晶体管、阳极和用于覆盖阳极末端部分的绝缘体的板被运送到载运室118，并载运到清洁室122以用溶液除去板表面上的杂质(小颗粒等)。当板在清洁室122中被清洁时，要形成有膜的板的面在大气压下被设置的直接向下。接下来，板载运到烘烤室123以通过加热蒸发溶液。
接下来，板载运到淀积室112，作为空穴注入层起作用的有机化合物层形成于预先提供有多个薄膜晶体管、阳极和用于覆盖阳极末端部分的绝缘体的板的整个面上。根据本实例，酞菁铜(CuPc)膜被形成20nm。另外，当PEDOT被形成作为空穴注入层时，PEDOT可以通过在淀积室112中提供旋转涂覆器用旋涂法形成。另外，当有机化合物层在淀积室112中用旋涂法形成时，要淀积有膜的板的面在大气压下被设置的直接向上。在这时，当膜用水或有机溶剂作为溶剂形成时，板被载运到烘烤室123烧结，湿气通过在真空中进行加热处理被蒸发。
接下来，板从提供有板载运机构的载运室118载运到制备室101。根据本实施方案的制造装置，制备室101提供有板反转机构，板可以被恰当地反转。制备室101连接到真空化室，优选的是在真空化之后通过引入惰性气体让制备室101处于大气压。
接下来，板载运到连接到制备室101的载运室102。优选的是通过事先真空化来保持真空，使得湿气或氧尽可能少的存在于载运室102的内部。
另外，真空化室提供有磁悬浮型涡轮分子泵、低温泵或干燥泵。由此，连接到制备室的载运室的最终真空度可以做到落在10-5_10-6Pa的范围，可以控制杂质从泵侧和抽气系统的反向扩散。为了防止杂质引入到装置的内部，作为要引入的气体，使用氮的惰性气体、稀有气体等。使用有引入到装置中的气体，其在引入到设备中之前用气体精制器高度提纯。因而，有必要提供气体精制器，使得气体在被高度提纯之后引入到蒸发系统中。由此，包括在气体中的氧、水等杂质可以预先被除去，因而，可以防止杂质引入到设备中。
另外，当包括形成于无用的部分的有机化合物的膜要被除去时，板可以载运到预处理室103，以便用金属掩模选择地除去有机化合物膜的层叠的层。预处理室103包括等离子体发生装置，通过激发选自包含Ar、H、F和O的组中的一种或多种气体产生等离子体进行干刻蚀。另外，优选的是在真空中进行用于脱气的退火操作，以除去包括在板中的湿气或其它气体，板可以载运到连接到载运室102的预处理室103中退火。
接下来，板从载运室102载运到输送室105，从输送室105到载运室104a而不暴露于大气。另外，包括低分子用于构成空穴输运层或发光层的有机化合物层形成于提供在板整个面上的空穴注入层(CuPc)上。尽管对于整个发光元件，可以形成显示单个颜色(具体的，白色)或全部颜色(具体的，红色、绿色、蓝色)光发射的有机化合物层，在本实例中，将给出用蒸发方法在相应的淀积室106R、106G和106B中形成显示红色、绿色、蓝色的有机化合物层的实例。
首先，将说明相应的淀积室106R、106G和106B。相应的淀积室106R、106G和106B安装有实施方案1和2中说明的可移动的蒸发源支撑物。准备多个蒸发源支撑物，第一蒸发源支撑物填充有形成每种颜色的空穴输运层的EL材料，第二蒸发源支撑物填充有形成每种颜色发光层的EL材料，第三蒸发源支撑物填充有形成每种颜色电子输运层的EL材料，第四蒸发源支撑物填充有形成每种颜色的电子注入层的EL材料，相应的蒸发源支撑物在该状态下安装在相应的淀积室106R、106G和106B中。
将板安装到相应的淀积室中时，优选的是使用实施方案3所说明的制造系统，并把预先由材料制造商包含有EL材料的容器(有代表性地，坩锅)直接安装在淀积室中。另外，在安装容器中，优选的是安装容器而不与大气接触，在从材料制造商处载运容器时，优选的是将坩锅在密闭地密封在第二容器中的状态下引入到淀积室中。优选地，具有真空化装置连接到相应的淀积室106R、106G和106B的安装室126R、126G和126B变成真空或惰性气体气氛，在该气氛下，坩锅从第二容器中取出，且坩锅安装在淀积室中。由此，可以防止坩锅和包含在坩锅中的EL材料被污染。
其次，将说明淀积步骤。首先，载运包含在掩模贮存室124中的金属掩模以安装在淀积室106R中。另外，用掩模形成空穴输运层。本实例中，α-NPD被形成60nm。之后，通过使用同样的掩模，形成红色发光层，接下来形成电子输运层和电子注入层。根据本实例，添加有DCM的Alq3膜被形成40nm作为发光层，Alq3膜被形成40nm作为电子输运层，CaF2层被形成1nm作为电子注入层。
具体的，在淀积室106R中，在安装掩模的状态下，安装有空穴输运层的EL材料的第一蒸发源支撑物、安装有发光层的EL材料的第二蒸发源支撑物、安装有电子输运层的EL材料的第三蒸发源支撑物和安装有电子注入层的第四蒸发源支撑物连续地移动以实施膜形成。另外，在形成膜时，有机化合物通过电阻加热被蒸发，在形成膜时，有机化合物通过开启提供在蒸发源支撑物上的挡板(没有说明)向板的方向散开。蒸发的有机化合物向上散开，并穿过提供在恰当安装的金属掩模上的开口部分(没有说明)气相淀积在板上以形成膜。
这样，不向大气开放，在单个淀积室中，可以形成发红颜色光的发光元件(从空穴输运层到电子注入层)。另外，在单个淀积室中连续地形成的层不限于空穴输运层到电子注入层，这些层可以由实施本发明的人恰当地设定。
另外，形成有红色发光元件的板通过载运机构104b载运到淀积室106G。另外，包含在掩模贮存室124中的金属掩模被载运以安装在淀积室106G中。另外，作为掩模，可以利用形成红色发光元件中的掩模。另外，利用该掩模形成空穴输运层。本实例中，α-NPD膜被形成60nm。之后，形成绿色发光层，接下来用同样的掩模形成电子输运层和电子注入层。本实例中，添加有DMQD的Alq3膜被形成40nm作为发光层，Alq3膜被形成40nm作为电子输运层，CaF2膜被形成1nm作为电子注入层。
具体的，在淀积室106G中，在安装掩模的状态下，安装有空穴输运层的EL材料的第一蒸发源支撑物、安装有发光层的EL材料的第二蒸发源支撑物、安装有电子输运层的EL材料的第三蒸发源支撑物和安装有电子注入层EL材料的第四蒸发源支撑物连续地移动以实施膜形成。另外，在形成膜时，有机化合物通过电阻加热蒸发，在形成膜时，有机化合物通过打开提供在蒸发源支撑物上的挡板(没有说明)在板的方向散开。蒸发的有机化合物向上散开并穿过提供在恰当安装的金属掩模(没有说明)上提供的开口部分(没有说明)气相淀积在板上以形成膜。
这样，不向大气开放，在单个淀积室中，可以形成发绿颜色光的发光元件(从空穴输运层到电子注入层)。另外，在单个淀积室中连续地形成的层不限于空穴输运层到电子注入层，这些层可以由实施本发明的人恰当地设定。
另外，形成有绿色发光元件的板通过载运机构104b载运到淀积室106B。另外，包含在掩模贮存室124中的金属掩模被载运以安装在淀积室106B中。另外，作为掩模，可以利用形成红色或绿色发光元件中的掩模。另外，作为空穴输运层和蓝色发光层起作用的膜用掩模形成。本实例中，α-NPD膜被形成60nm。之后，形成阻挡层，接下来用同样的掩模形成电子输运层和电子注入层。本实例中，BCP膜被形成10nm作为阻挡层，Alq3膜被形成40nm作为电子输运层，CaF2膜被形成1nm作为电子注入层。
具体的，在淀积室106B中，在安装掩模的状态下，安装有空穴输运层和蓝色发光层的EL材料的第一蒸发源支撑物、安装有阻挡层的EL材料的第二蒸发源支撑物、安装有电子输运层的EL材料的第三蒸发源支撑物和安装有电子注入层的EL材料的第四蒸发源支撑物连续地移动以实施膜形成。另外，在形成膜时，有机化合物通过电阻加热蒸发，在形成膜时，有机化合物通过打开提供在蒸发源支撑物上的挡板(没有说明)在板的方向散开。蒸发的有机化合物向上散开并穿过提供在恰当安装的金属掩模(没有说明)上提供的开口部分(没有说明)气相淀积在板上以形成膜。
这样，不向大气开放，在单个淀积室中，可以形成发绿颜色光的发光元件(从空穴输运层到电子注入层)。另外，在单个淀积室中连续地形成的层不限于空穴输运层到电子注入层，这些层可以由实施本发明的人恰当地设定。
另外，形成相应颜色膜的顺序不限于该实例，而可以由实施本发明的人恰当的设定。另外，空穴输运层、电子输运层、或电子注入层可以被相应的颜色共享。例如，在淀积室106H中，可以形成对红色、绿色和蓝色发光元件共同的空穴注入层或空穴输运层，相应颜色的发光层可以在相应的淀积室106R、106G和106B中形成，对红色、绿色和蓝色发光元件共同的电子输运层或电子注入层可以在淀积室106E中形成。另外，在每个淀积室中，还可以形成显示单个颜色(具体的，白色)光发射的有机化合物层。
另外，膜可以在相应的淀积室106R、106G和106B中同时形成，通过连续地移动相应的淀积室，发光元件可以被有效地形成，发光装置的生产节拍可以提升。另外，当某个淀积室接受维护时，相应的发光元件可以在留下的淀积室中形成，发光装置的产量被提升。
另外，当使用蒸发方法时，优选的是在真空化的淀积室中实施蒸发，使得真空度变成等于或低于5×10-3Torr(0.665Pa)，优选的，10-4-10-6Pa。
接下来，将板从载运室104a到输送室107载运之后，另外，不与大气接触，板从输送室107载运到载运室108。通过安装在载运室108内部的载运机构，板被载运到淀积室110中，用电阻加热通过蒸发法形成包括非常薄金属膜(由MgAg、MgIn、AlLi、CaN等的合金形成或者属于周期表1族或2族的元素和铝通过共蒸发方法形成的膜)的阴极。形成包括薄金属层的阴极(下层)之后，板被载运到淀积室109，通过用溅射法，形成包括透明导电膜(ITO(氧化铟锡)、氧化铟氧化锌合金(In2O3-ZnO)、氧化锌(ZnO)等)的阴极(上层)，恰当地形成包括薄金属层和透明导电膜层叠的层的阴极。
通过上述步骤，形成图10A和10B所示的具有层叠的层结构的发光元件。
接下来，不与大气接触，板从载运室108载运到淀积室113，形成包括氮化硅膜或氧氮化硅膜的保护膜。该情形中，淀积室113的内部提供有具有包括硅的靶、包括氧化硅的靶或包括氮化硅的靶的溅射设备。例如，氮化硅膜可以用包括硅的靶由氮气氛或包括氮和氩的气氛构成淀积室的气氛来形成。
接下来，形成有发光元件的板从载运室108载运到输送室111并从输送室111到载运室114而不与大气接触。接下来，形成有发光元件的板从载运室114载运到密封室116。另外，优选的是在密封室116中制备提供有密封元件的密封板。
密封板通过将密封板从外面放置到密封板装载室制备。另外，优选的是在真空中预先退火密封板，以除去湿气等杂质，例如在密封板装载室117内部退火。另外，当用来与提供有发光元件的板在密封板上粘贴在一起的密封部件，在使载运室108成为大气压之后，密封部件形成于密封板装载室和载运室114之间的密封板处，形成有密封部件的密封板载运到密封室116。另外，干燥剂可以提供在密封板装载室中的密封板上。
接下来，为了给提供有发光元件的板的脱气，在真空和惰性气氛中退火之后，提供有密封部件的密封板和形成有发光元件的板粘贴在一起。另外，氮或惰性气体填充在密闭地密封空间中。另外，尽管这里示出在密封板处形成密封部件的实例，本发明不特别的限制于此，密封部件可以在形成有发光元件的板处形成。
接下来，粘贴在一起的一对板通过提供在密封室116中的紫外线照射机构用UV光照射，由此固化密封部件。另外，尽管紫外线固化树脂被用作密封部件，只要密封部件是粘性部件，密封部件不特别的限制于此。
接下来，粘贴在一起的一对板从密封室116载运到载运室114并从载运室114到取出室119并取出。
如上所述，通过用图12所示的制造设备，发光元件直到完全密封发光元件在密闭的密封空间时都不暴露于大气中，因而，可以制造高可靠性的发光装置。另外，尽管在载运室114中，真空和大气压的氮气氛被重复，优选的是真空总是保持在载运室102、104a和108中。
另外，还可以构成串联(in-line)系统的制造设备。
另外，具有与层叠的层结构相反的发光方向的发光元件还可以通过载运作为阳极的透明导电膜到图12所示的制造设备中形成。
另外，本实例可以自由地与实施方案1-实施方案3和实例1组合。
实例3
本实例中，图13示出不同于实例2的从第一电极到密封的多室系统全自动制造的制造设备的实例。
图13示出多室制造设备，包括门100a-100s；取出室119；载运室104a、108、114和118；输送室105和107；制备室101；第一淀积室106A；第二淀积室106B；第三淀积室106C；第四淀积室106D；其它淀积室109a、109b、113a和113b；处理室120a和120b；安装有蒸发源的安装室126A、126B、126C和126D；预处理室103a、103b；第一密封室116a；第二密封室116b；第一贮存室130a；第二贮存室130b；盒子室111a和111b；托盘放置台121；和清洁室122。
下面示出将预先提供有薄膜晶体管、阳极和覆盖阳极末端部分的绝缘体的板载运到图13所示的制造设备中并制造发光装置。
首先，板设置到盒子室111a或盒子室111b中。当板是大尺寸板时(例如，300mm×360mm)，板设置在盒子室111a或111b中，当板是普通板(例如，127mm×127mm)时，板载运到托盘放置台121，且多个板安置在托盘上(例如，300mm×360mm)。
接下来，提供有多个薄膜晶体管、阳极和用于覆盖阳极末端部分的绝缘体的板被载运到载运室118，并载运到清洁室122以用溶液除去板表面上的杂质(小颗粒等)。当板在清洁室122中被清洁时，要淀积有膜的板的面在大气压下被设置的直接向下。
另外，当包括形成于无用的部分的有机化合物的膜要被除去时，板可以载运到预处理室103，选择地除去有机化合物膜的层叠的层。预处理室103包括等离子体发生装置，通过激发选自包含Ar、H、F和O的组中的一种或多种气体产生等离子体进行干刻蚀。另外，为了除去包括在板中的湿气或其它气体或减少等离子体的破坏，优选的是在真空中进行退火操作，板可以载运到预处理室103中，让板受到退火处理(例如UV照射)。另外，为了除去包括在有机树脂材料中的湿气或其它气体，板可以在预处理室103中在低压气氛下被加热。
接下来，板从提供有板载运机构的载运室118载运到制备室101。根据本实例的制造设备，制备室101提供有板反转机构以使得恰当地反转板成为可能。制备室101连接到真空化室，真空化以后，优选的是通过引入惰性气体使制备室101处于大气压。
接下来，板载运到连接到制备室101的载运室104a。优选的是通过预先真空化载运室104a使得湿气或氧尽可能少的存在于其内部来保持真空。
另外，真空化室提供有磁悬浮型涡轮分子泵、低温泵或干燥泵。由此，连接到制备室的载运室的最终真空度可以做到落在10-5到10-6Pa的范围，可以控制杂质从泵侧和抽气系统的反向扩散。为了防止杂质引入到设备内部，作为要引入的气体，使用诸如氮的惰性气体、稀有气体。气体引入到设备中，其在引入到设备中之前用气体精制器高度提纯。因而，有必要提供气体精制器，使得气体在被高度提纯之后引入到蒸发系统中。由此，包括在气体中的氧或水可以预先被除去，因而，可以防止杂质引入到设备中。
接下来，板从载运室104a载运到第一至第四淀积室106A-106D。另外，形成包括用于构成空穴注入层、空穴输运层或发光层的有机化合物层。
尽管对于整个发光元件，可以形成显示单个颜色(具体的，白色)或全部颜色(具体的，红色、绿色、蓝色)光发射的有机化合物层，在本实例中，将给出在相应的淀积室106A、106B、106C和106D中同时形成显示白色光发射的有机化合物层的实例(进行并行处理的实例)。另外，尽管当有不同发光颜色的发光层层叠时，显示白色光发射的有机化合物层总共分成包括红色、绿色和蓝色三原色的三波长类型，和使用蓝色/黄色或蓝绿色/桔红色互补色关系的两波长类型，本实例中，将说明提供使用三波长类型的白色发光元件的实例。
首先，将说明相应的淀积室106A、106B、106C和106D。每个淀积室106A、106B、106C和106D安装有实施方案1中说明的可移动的蒸发源支撑物。准备多个蒸发源支撑物，第一蒸发源支撑物填充有形成白色发光层的芳香二胺(TPD)，第二蒸发源支撑物填充有形成白色发光层的p-EtTAZ，第三蒸发源支撑物填充有形成白色发光层的Alq3，第四蒸发源支撑物填充有通过向Alq3中添加红色发光染料的Nile红用于形成白色发光层所构成的EL材料，第五蒸发源支撑物填充有Alq3，蒸发源支撑物在该状态下安装在相应的淀积室中。
优选的是使用实施方案3所说明的制造系统把EL材料安装到淀积室中。即，优选的是使用由材料制造商预先包含有EL材料的容器(有代表性地，坩锅)。另外，在安装中，优选的是安装坩锅而不与大气接触，当从材料制造商处转移时，优选的是将坩锅在密闭地密封在第二容器中的状态下引入到淀积室中。优选地，具有连接到相应的淀积室106A、106B、106C和106D的真空化装置的安装室126A、126B、126C和126D变成真空或惰性气体气氛，在该气氛下，坩锅从第二容器中取出，且坩锅安装到淀积室中。由此，可以防止坩锅和包含在坩锅中的EL材料被污染。另外，安装室126A、126B、126C和126D可以贮存金属掩模。
其次，将说明淀积步骤。首先，在淀积室106A中，按需要从安装室中载运和安装掩模。之后，第一至第五蒸发源支撑物开始连续地移动，进行对于板的蒸发。具体的，TPD通过加热从第一蒸发源支撑物升华，并气相淀积在板的整个面上。之后，p-EtTAZ从第二蒸发源支撑物升华，Alq3从第三蒸发源支撑物升华，Alq3：Nile红从第四蒸发源支撑物升华，Alq3从第五蒸发源支撑物升华，并气相淀积在板的整个面上。
另外，当使用蒸发方法时，优选的是在真空化的淀积室中实施蒸发，其中真空度变成5×10-3Torr(0.665Pa)或更低，优选的，10-4-10-6Pa。
另外，安装有相应的EL材料的蒸发源支撑物提供在相应的淀积室中，并且在淀积室106B-106D中，蒸发类似地进行。即，蒸发工艺可以并行的实施。因而，即使当某个蒸发室受到维护或清洁时，淀积工艺可以在剩下的淀积室中实施，膜形成的生产节拍提升，因而，发光装置的产量可以提升。
接下来，将板从载运室104a载运到输送室105之后，另外，不与大气接触，板从输送室105载运到载运室108。
接下来，通过安装在载运室108内部的载运机构，板被载运到淀积室109a或淀积室109b中以形成阴极。阴极可以用包括用电阻加热通过蒸发法形成的非常薄金属膜(由MgAg、MgIn、AlLi、CaN等的合金形成或者属于周期表1族或2族的元素和铝通过共蒸发方法形成的膜)的阴极(下层)和包括通过溅射法形成的透明导电膜(ITO(氧化铟锡)、氧化铟氧化锌合金(In2O3-ZnO)、氧化锌(ZnO)等)的阴极(上层)的层叠的膜形成。为此目的，优选的是在制造设备中安排淀积室用于形成非常薄的金属膜。
通过上述步骤，形成图10A和10B所示的具有层叠的层结构的发光元件。
接下来，不与大气接触，板从载运室108载运到淀积室113a或淀积室113b，形成包括氮化硅膜或氧氮化硅膜的保护膜。该情形中，淀积室113a或113b的内部提供有具有包括硅的靶、包括氧化硅的靶或包括氮化硅的靶的溅射设备。例如，氮化硅膜可以用包括硅的靶由氮气氛或包括氮和氩的气氛构成淀积室的气氛来形成。
接下来，形成有发光元件的板不与大气接触，板从载运室108载运到输送室107并从输送室107到载运室114。
接下来，形成有发光元件的板从载运室114载运到处理室120a或120b，在处理室120a或120b处，密封部件形成于板上。另外，尽管在本实例中，紫外线固化树脂用于密封部件，只要密封部件是粘附部件，密封部件不特别的限制于此。另外，密封部件可以在处理室120a或120b设定为大气压之后形成。另外，形成有密封部件的板通过载运室114载运到第一密封室116a或第二密封室116b中。
另外，形成有颜色转换层(滤色器)、遮光层(BM)和外涂层的密封板载运到第一贮存室130a或第二贮存室130b。之后，密封板载运到第一密封室130a或第二密封室130b。
接下来，通过在真空中或在惰性气氛中实施退火处理，提供有发光元件的板被脱气，之后，提供有密封部件的板和形成有颜色转换层的板粘贴在一起。另外，氮或惰性气体填充在密闭地密封空间中。另外，尽管这里示出在板处形成密封部件的实例，本发明不特别的限制于此，密封材料还可以形成在密封板上。即，密封板可以形成有颜色转换器(滤色器)、颜色阻挡层(BM)、外涂层和密封部件，之后载运到第一贮存室130a或第二贮存室130b。
接下来，粘贴在一起的板对通过提供在第一密封室116a或第二密封室116b中的紫外线照射机构用UV光照射以固化密封部件。
接下来，粘贴在一起的一对板从密封室116载运到载运室114并从载运室114到取出室119并取出。
如上所述，通过用图13所示的制造设备，直到发光元件密封在密闭的密封空间时发光元件都不暴露于大气中，因而，可以制造高可靠性的发光装置。另外，尽管在载运室114中，真空和大气压的氮气氛被重复，优选的是真空总是保持在载运室102、104a和108中。
另外，还可以构成串联系统的制造设备。
另外，还有可能载运作为阳极的透明导电膜到图13所示的制造设备中并形成具有与层叠的层结构相反的发光方向的发光元件。
图15示出不同于图13的制造设备的实例。膜形成可以类似于图13形成，因而，将省略淀积步骤的详细说明，制造设备构成上不同点存在于附加的提供输送室111和载运室117，且载运室117提供有第二密封室116b、第二贮存室130b和淀积室(用于形成密封)120c和120d。即，在图15中，所有淀积室、密封室和贮存室直接连接到某个载运室，因而，板被有效地载运，另外，发光装置可以并行的制造，发光装置的产量可以提升。
另外，本实例发光装置的并行处理方法可以与实例2组合。即，淀积工艺可以通过提供多个淀积室106R、106G和106B来实施。
另外，本实例可以自由地与各实施方案和实例1组合。
实例4
作为采用根据本发明制造的发光装置的电子设备的实例给出的是视频相机、数码相机、护目镜式显示器(头戴式显示器)、导航系统、声音再现装置(诸如汽车音响和音响部件)、膝上电脑、游戏机、便携式信息终端(诸如移动电脑、蜂窝电话、便携式游戏机、和电子图书)、装备有记录介质的图像再现装置(具体的，有能够再现诸如数字万能盘(DVD)的记录介质中的数据以显示数据图像的显示装置的装置)。对于便携式信息终端，宽的视角特别重要，因为它们的屏幕在看着的时候经常是斜着的。因而对于便携式信息终端，优选的是采用使用发光元件的发光装置。这些电子设备的具体实例示于图16A-16H。
图16A示出发光装置，其组成包括箱体2001、支持基座2002、显示单元2003、扬声器单元2004、视频输入终端2005等。根据本发明制造的发光装置可以应用于显示单元2003。此外，图16A所示的发光装置可以用本发明完成。由于具有发光元件的发光装置是自发光的，装置不需要背光源，可以做成比液晶显示器更薄的显示单元。发光装置指所有用于显示信息的发光装置，包括用于个人电脑、用于广播接收、和用于广告的。
图16B示出数码静止相机，其组成包括主体2101、显示单元2102、图像接收单元2103、操作键2104、外部连接端口2105、快门2106等。根据本发明制造的发光装置可以应用于显示单元2102。图16B所示的数码相机可以用本发明完成。
图16C示出膝上电脑，其组成包括主体2201、箱体2202、显示单元2203、键盘2204、外部连接端口2205、点击鼠标2206等。根据本发明制造的发光装置可以应用于显示单元2203。图16C所示的膝上电脑可以用本发明完成。
图16D示出移动电脑，其组成包括主体2301、显示单元2302、开关2303、操作键2304、红外端口2305等。根据本发明制造的发光装置可以应用于显示单元2302。图16D所示的移动电脑可以用本发明完成。
图16E示出装备有记录介质的便携式图像再现装置(具体的，DVD播放器)。该装置的组成包括主体2401、箱体2402、显示单元A 2403、显示单元B 2404、记录介质(DVD等)读取单元2405、操作键2406、扬声器单元2407等。显示单元A 2403主要显示图像信息，而显示单元B 2404主要显示文本信息。根据本发明制造的发光装置可以应用于显示单元A 2403和B 2404。装备有记录介质的图像再现装置还包括家庭视频游戏机。图16E所示的DVD再现装置可以用本发明完成。
图16F示出护目镜式显示器(头戴式显示器)，其组成包括主体2501、显示单元2502和臂单元2503。根据本发明制造的发光装置可以应用于显示单元2502。图16F所示的护目镜式显示器可以用本发明完成。
图16G示出视频相机，其组成包括主体2601、显示单元2602、箱体2603、外部连接端口2604、遥控接收单元2605、图像接收单元2606、电池2607、声音输入单元2608、操作键2609等。根据本发明制造的发光装置可以应用于显示单元2602。图16G所示的视频相机可以用本发明完成。
图16H示出蜂窝电话，其组成包括主体2701、箱体2702、显示单元2703、声音输入单元2704、声音输出单元2705、操作键2706、外部连接端口2707、天线2708等。根据本发明制造的发光装置可以应用于显示单元2703。如果显示单元2703在黑背景上显示白字母，蜂窝电话消耗更小的功率。图16H所示的蜂窝电话可以用本发明完成。
如果发光材料的亮度将来提高了，发光装置通过透镜等放大包含图像信息的输入光并投影光用于前投式或背投式的投影仪。
这些电子设备目前显示有通过诸如Internet和CATV(电缆电视)的电讯线发送的提高了频率的信号，尤其是动画信息。由于发光材料有很快的响应速度，发光装置适用于动画显示。
根据本发明，没有必要转动板，因而，可以提供能够处理大面积板的气相淀积设备。另外，可以提供使用大面积板并适于多面切割的板支撑装置。
另外，根据本发明，板和气相淀积源支撑物之间的距离可以缩短，可以实现气相淀积装置的小尺寸形成。另外，由于气相淀积设备是小尺寸的，附着在膜形成室内部内壁或附着防止屏蔽上的升华的气相淀积材料可以被有效地利用。
另外，本发明可以提供连续地安排有用于实施气相淀积工艺的多个膜形成室的制造设备。由于这样在多个膜形成室中实施并行处理，发光装置的产量提升了。
另外，本发明可提供能够将填充有气相淀积材料的容器直接安装到气相淀积设备中而不暴露于大气的制造系统。根据本发明，气相淀积材料的处理变得容易，并可以避免杂质混入气相淀积材料中。根据该制造系统，由材料制造商填充的容器可以直接安装到气相淀积设备中，因而，可以防止氧或水附着到气相淀积材料上，将来可以处理发光元件的超高纯度形成。

Claims (9)

1.一种气相淀积设备，其通过从与板相对安排的气相淀积源支撑物气相淀积有机化合物材料形成膜于板之上，所述气相淀积设备包括：
安排有板的膜形成室；
用于移动气相淀积源支撑物的装置，
其中安排有板的膜形成室包括板支撑装置和用于移动气相淀积源支撑物的装置，而所述气相淀积源支撑物包括填充有气相淀积材料的容器，用于加热容器的装置和提供在容器之上的挡板，其中用于移动气相淀积源支撑物的装置具有在X轴方向移动气相淀积源支撑物一定间距并在Y轴方向移动气相淀积源支撑物一定间距的功能，板支撑装置安排在板和气相淀积支撑物之间。
2.根据权利要求1的设备，其中板支撑装置与构成终端部分、切割区域或板的末端部分的区域重叠，掩模插在其之间。
3.根据权利要求1的设备，其中板支撑装置包括凸起并在凸起的顶点支持板或掩模。
4.一种气相淀积设备，其通过从与板相对安排的气相淀积源支撑物气相淀积有机化合物材料形成膜于板之上，气相淀积设备包括：
安排有板的膜形成室；
用于移动气相淀积源支撑物的装置，
其中安排有板的膜形成室包括板支撑装置和用于移动气相淀积源支撑物的装置，而气相淀积源支撑物包括填充有气相淀积材料的容器和用于加热容器的装置和提供在容器之上的挡板，用于移动气相淀积源支撑物的装置具有在X轴方向移动气相淀积源支撑物一定间距并在Y轴方向移动气相淀积源支撑物一定间距的功能，板支撑装置安排在板和气相淀积支撑物之间，膜形成室连接到用于真空化膜形成室内部的真空处理室上并在膜形成室中产生等离子体。
5.根据权利要求4的设备，其中板支撑装置包括导电材料，板支撑装置连接有高频功率源。
6.根据权利要求4的设备，其中板支撑装置与用于构成板的终端部分、切割区域或末端部分的区域重叠，掩模插在其之间。
7.根据权利要求4的设备，其中板支撑装置包括凸起并在凸起的顶点支持板或掩模。
8.根据权利要求1的设备，其中板支撑装置包括凸起，凸起的高度落在1μm-30μm的范围。
9.根据权利要求4的设备，其中板支撑装置包括凸起，凸起的高度落在1μm-30μm的范围。
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