JPH1041252A - 薄膜形成装置及び基板保持機構 - Google Patents
薄膜形成装置及び基板保持機構Info
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- JPH1041252A JPH1041252A JP20910496A JP20910496A JPH1041252A JP H1041252 A JPH1041252 A JP H1041252A JP 20910496 A JP20910496 A JP 20910496A JP 20910496 A JP20910496 A JP 20910496A JP H1041252 A JPH1041252 A JP H1041252A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- holding
- thin film
- film forming
- forming apparatus
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｗ−ＣＶＤ法の成膜時に下地密着層が形成さ
れていない基板端部で発生する膜の剥離を防止する。 【解決手段】 基板保持機構には、基板支持台１０とこ
の支持台１０上に載置された基板２０を保持するための
保持部３０とを備え、保持部は薄膜形成処理の最中に温
度変化によって変形する形状記憶合金を有する。薄膜形
成中に保持部３０を加熱することで、基板２０との接触
部が加熱前と加熱後で重複しない構造のため、基板２０
全面に薄膜を形成することができる。これにより酸化膜
露出部近傍でのＷ−ＣＶＤ成膜時の膜剥がれを防止する
ことができる。
れていない基板端部で発生する膜の剥離を防止する。 【解決手段】 基板保持機構には、基板支持台１０とこ
の支持台１０上に載置された基板２０を保持するための
保持部３０とを備え、保持部は薄膜形成処理の最中に温
度変化によって変形する形状記憶合金を有する。薄膜形
成中に保持部３０を加熱することで、基板２０との接触
部が加熱前と加熱後で重複しない構造のため、基板２０
全面に薄膜を形成することができる。これにより酸化膜
露出部近傍でのＷ−ＣＶＤ成膜時の膜剥がれを防止する
ことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路の
コンタクトホ−ルにタングステン膜を成膜する所謂、Ｗ
−ＣＶＤ成膜法に係る下地密着層形成のための薄膜形成
装置及びその薄膜形成装置に用いて特に有用な基板保持
機構に関する。
コンタクトホ−ルにタングステン膜を成膜する所謂、Ｗ
−ＣＶＤ成膜法に係る下地密着層形成のための薄膜形成
装置及びその薄膜形成装置に用いて特に有用な基板保持
機構に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の高集積化に伴い、上下
配線間の導通部、所謂コンタクトホ−ルは、より小さく
深いものになってきている。最近、このコンタクトホ−
ル内に配線材を確実に埋め込むための手法として、所謂
Ｗ−ＣＶＤ法と呼ばれる技術が最近一般的となりつつあ
る。このＷ−ＣＶＤ法によれば、６フッ化タングステン
（ＷＦ6 ）を水素（Ｈ2 ）で還元しながら、熱ＣＶＤで
タングステン（Ｗ）膜を成膜するというものである。
配線間の導通部、所謂コンタクトホ−ルは、より小さく
深いものになってきている。最近、このコンタクトホ−
ル内に配線材を確実に埋め込むための手法として、所謂
Ｗ−ＣＶＤ法と呼ばれる技術が最近一般的となりつつあ
る。このＷ−ＣＶＤ法によれば、６フッ化タングステン
（ＷＦ6 ）を水素（Ｈ2 ）で還元しながら、熱ＣＶＤで
タングステン（Ｗ）膜を成膜するというものである。
【０００３】Ｗ−ＣＶＤ法では、先ず基板（半導体ウエ
ハ）上に密着用のバリア層をスパッタリング装置によっ
て成膜するのが一般的である。一方、このスパッタ装置
では基板上に異物が付着するのを低減するため、基板を
立てた状態で成膜する装置が実用化されている。このよ
うな縦置き型のスパッタリング装置の場合、基板を基板
支持台上に保持するための基板保持機構が必要となる。
ハ）上に密着用のバリア層をスパッタリング装置によっ
て成膜するのが一般的である。一方、このスパッタ装置
では基板上に異物が付着するのを低減するため、基板を
立てた状態で成膜する装置が実用化されている。このよ
うな縦置き型のスパッタリング装置の場合、基板を基板
支持台上に保持するための基板保持機構が必要となる。
【０００４】図５は、基板支持台１０上に載置された基
板２０を基板支持台１０上に保持するための４ヵ所の基
板保持部（チャック部３０）で構成された従来の基板保
持機構１００の概略正面図である。この従来の基板保持
機構１００では基板２０の外周部を押さえつけるチャッ
ク部３０はその構造の性質上、成膜中常に同じ箇所を押
さえ続けるようになってる。
板２０を基板支持台１０上に保持するための４ヵ所の基
板保持部（チャック部３０）で構成された従来の基板保
持機構１００の概略正面図である。この従来の基板保持
機構１００では基板２０の外周部を押さえつけるチャッ
ク部３０はその構造の性質上、成膜中常に同じ箇所を押
さえ続けるようになってる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そのために、従来の基
板保持機構１００では、チャック部３０と接触する基板
２０の接触部において成膜形成によってバリア膜が堆積
されず、下地の絶縁膜がむき出しの状態のままとなる。
またバリア膜形成後のＷ−ＣＶＤ法による成膜では基板
２０の裏面へのガス（ＷＦ6 ，Ｈ2 及び副生成物）の回
り込みを防止するため、基板２０の外周部をシャドウリ
ングと呼ばれる押さえ板（図示ぜず）で押しつける。こ
のため、このシャドウリング下部にも膜が堆積されず、
絶縁膜がむき出しの状態となる。つまりチャックとシャ
ドウリングが重なる部分では、バリア膜もＷ膜も形成さ
れないことになる。
板保持機構１００では、チャック部３０と接触する基板
２０の接触部において成膜形成によってバリア膜が堆積
されず、下地の絶縁膜がむき出しの状態のままとなる。
またバリア膜形成後のＷ−ＣＶＤ法による成膜では基板
２０の裏面へのガス（ＷＦ6 ，Ｈ2 及び副生成物）の回
り込みを防止するため、基板２０の外周部をシャドウリ
ングと呼ばれる押さえ板（図示ぜず）で押しつける。こ
のため、このシャドウリング下部にも膜が堆積されず、
絶縁膜がむき出しの状態となる。つまりチャックとシャ
ドウリングが重なる部分では、バリア膜もＷ膜も形成さ
れないことになる。
【０００６】しかしながら、理想的にはシャドウリング
下部にはガスが回り込まないはずであるが、実際には押
しつけが完璧とはならないため、一部のガスは浸透して
しまう。これらのガスの中で、反応中の副生成物である
フッ化水素（ＨＦ）は特に浸透し易い。ＨＦは多くの絶
縁膜を浸食するが、特に最も一般的に用いられるシリコ
ン酸化膜系ではそれが顕著である。
下部にはガスが回り込まないはずであるが、実際には押
しつけが完璧とはならないため、一部のガスは浸透して
しまう。これらのガスの中で、反応中の副生成物である
フッ化水素（ＨＦ）は特に浸透し易い。ＨＦは多くの絶
縁膜を浸食するが、特に最も一般的に用いられるシリコ
ン酸化膜系ではそれが顕著である。
【０００７】そのため、チャック部３０の下部にてむき
出しとなっていたシリコン酸化膜がＷ−ＣＶＤ処理中に
ＨＦによって浸食され、やがてバリア膜の堆積された部
分にも到達して上部のバリア膜が剥離するといった問題
が発生していた。剥離したバリア膜は、基板内部に飛散
すると異物となって歩留り低下要因ともなる。
出しとなっていたシリコン酸化膜がＷ−ＣＶＤ処理中に
ＨＦによって浸食され、やがてバリア膜の堆積された部
分にも到達して上部のバリア膜が剥離するといった問題
が発生していた。剥離したバリア膜は、基板内部に飛散
すると異物となって歩留り低下要因ともなる。
【０００８】そこで本発明は、バリア膜形成時の基板保
持機構を改良し、絶縁膜がむき出しとなる箇所を無くす
る方法を提供し、例えばＷ−ＣＶＤ法によってＷ膜の成
膜中にバリア膜が剥離し、このため歩留りが低下する等
の問題点を回避することを目的とする。
持機構を改良し、絶縁膜がむき出しとなる箇所を無くす
る方法を提供し、例えばＷ−ＣＶＤ法によってＷ膜の成
膜中にバリア膜が剥離し、このため歩留りが低下する等
の問題点を回避することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、本発明に係る基板保持機構には、基板支持
台とこの支持台上に載置された基板を保持するための保
持部とを備え、上記保持部は薄膜形成処理の最中に温度
変化によって変形する形状記憶合金を有する基板保持機
構を用いる。
するために、本発明に係る基板保持機構には、基板支持
台とこの支持台上に載置された基板を保持するための保
持部とを備え、上記保持部は薄膜形成処理の最中に温度
変化によって変形する形状記憶合金を有する基板保持機
構を用いる。
【００１０】薄膜形成中に上記保持部を加熱することで
この保持部がその記憶状態の形状に変形し、薄膜形成初
期の第１の基板保持状態と薄膜形成途中の第２の基板保
持状態とで基板との接触位置を変化させ、基板との接触
部が加熱前と加熱後で重複しない構造とし、基板全面に
薄膜を形成する。
この保持部がその記憶状態の形状に変形し、薄膜形成初
期の第１の基板保持状態と薄膜形成途中の第２の基板保
持状態とで基板との接触位置を変化させ、基板との接触
部が加熱前と加熱後で重複しない構造とし、基板全面に
薄膜を形成する。
【００１１】
【作用】従来技術では、基板保持部が固定型の基板保持
機構であるため、基板保持部の下部に膜の堆積されない
部分ができ、下地の絶縁膜が露出する。本発明によれば
薄膜形成中に上記保持部を加熱することで、基板との接
触部が加熱前と加熱後で重複しない構造のため基板全面
に薄膜を形成することができる。これにより酸化膜露出
部近傍でのＷ−ＣＶＤ成膜時の膜剥がれを防止すること
ができる。
機構であるため、基板保持部の下部に膜の堆積されない
部分ができ、下地の絶縁膜が露出する。本発明によれば
薄膜形成中に上記保持部を加熱することで、基板との接
触部が加熱前と加熱後で重複しない構造のため基板全面
に薄膜を形成することができる。これにより酸化膜露出
部近傍でのＷ−ＣＶＤ成膜時の膜剥がれを防止すること
ができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。図１及び２は、本発明の実
施形態に係る装置の概略構成図であり、基板上に薄膜形
成するための基板保持機構に係る薄膜形成装置の要部断
面図及び平面図をそれぞれ示している。なお、本実施形
態では薄膜形成において成膜される薄膜は、Ｗ−ＣＶＤ
法による成膜のための下地密着層（バリア層）である。
面を参照しながら説明する。図１及び２は、本発明の実
施形態に係る装置の概略構成図であり、基板上に薄膜形
成するための基板保持機構に係る薄膜形成装置の要部断
面図及び平面図をそれぞれ示している。なお、本実施形
態では薄膜形成において成膜される薄膜は、Ｗ−ＣＶＤ
法による成膜のための下地密着層（バリア層）である。
【００１３】図１は本発明に係る基板保持機構を示し、
その構成は基板支持台１０と支持台１０上に載置された
基板２０を保持するチャック部３０を備え、チャック部
３０を支持台１０の表面に対して上下動させるためのリ
フト６０及び成形部７０を有している。
その構成は基板支持台１０と支持台１０上に載置された
基板２０を保持するチャック部３０を備え、チャック部
３０を支持台１０の表面に対して上下動させるためのリ
フト６０及び成形部７０を有している。
【００１４】図２は４点でチャックした場合の本発明の
構成を示す平面図である。各チャック部３０は、基板２
０をその周辺で４方向から支持する支持部３０ａ，３０
ｂ，３０ｃ，３０ｄとが、それぞれのリフト６０に連結
して構成される。これらの支持部３０ａ〜３０ｄには各
支持部を加熱するためにリ−ド線がスイッチ４０ａ〜４
０ｄを介して電源５０ａ〜５０ｄに接続されている。支
持部３０ａ〜３０ｄは、薄膜形成処理の最中に外部から
のスイッチ４０ａ〜４０ｄの操作による温度変化に基づ
き、基板２０への接触位置が変化するように変形する材
質の形状記憶合金で形成されている。
構成を示す平面図である。各チャック部３０は、基板２
０をその周辺で４方向から支持する支持部３０ａ，３０
ｂ，３０ｃ，３０ｄとが、それぞれのリフト６０に連結
して構成される。これらの支持部３０ａ〜３０ｄには各
支持部を加熱するためにリ−ド線がスイッチ４０ａ〜４
０ｄを介して電源５０ａ〜５０ｄに接続されている。支
持部３０ａ〜３０ｄは、薄膜形成処理の最中に外部から
のスイッチ４０ａ〜４０ｄの操作による温度変化に基づ
き、基板２０への接触位置が変化するように変形する材
質の形状記憶合金で形成されている。
【００１５】薄膜形成中にこの材質を加熱することで記
憶状態の形状に変形させ、薄膜形成初期と薄膜形成途中
とで基板２０との接触位置を変化させる。基板２０との
接触部が２つの状態で重複しない構造とすることによ
り、基板２０上の全ての面に成膜形成させる。成形部７
０は、支持部３０ａ〜３０ｄの形状を所定の形状に成形
するために設けられている。この成形部７０には前記成
形で、各支持部３０ａ〜３０ｄを機械的に折り曲げ加工
するための加工装置が組み込まれている。
憶状態の形状に変形させ、薄膜形成初期と薄膜形成途中
とで基板２０との接触位置を変化させる。基板２０との
接触部が２つの状態で重複しない構造とすることによ
り、基板２０上の全ての面に成膜形成させる。成形部７
０は、支持部３０ａ〜３０ｄの形状を所定の形状に成形
するために設けられている。この成形部７０には前記成
形で、各支持部３０ａ〜３０ｄを機械的に折り曲げ加工
するための加工装置が組み込まれている。
【００１６】図３は第１の実施形態に係る基板保持機構
の一部切欠拡大平面図を示す。基板２０と基板２０を保
持するチャック部３０の支持部及びこれを加熱するリ−
ド線がスイッチ４０を介して電源５０に接続された状態
を示す。
の一部切欠拡大平面図を示す。基板２０と基板２０を保
持するチャック部３０の支持部及びこれを加熱するリ−
ド線がスイッチ４０を介して電源５０に接続された状態
を示す。
【００１７】薄膜形成前の基板搬送時はチャック部３０
をリフト６０によって基板２０の上方に持ち上げて、待
機する。この待機中は、成膜時に記憶状態である第２の
保持状態（図３（Ｂ））に変形したチャック部３０の基
板支持部を成形部７０によって第１の保持状態（図３
（Ａ））に成形する。なお、この成形部７０にはチャッ
ク部３０の支持部を機械的に折り曲げ加工するための加
工装置を備えている。成形は公知の機械的な折り曲げ加
工技術を用いて行う。
をリフト６０によって基板２０の上方に持ち上げて、待
機する。この待機中は、成膜時に記憶状態である第２の
保持状態（図３（Ｂ））に変形したチャック部３０の基
板支持部を成形部７０によって第１の保持状態（図３
（Ａ））に成形する。なお、この成形部７０にはチャッ
ク部３０の支持部を機械的に折り曲げ加工するための加
工装置を備えている。成形は公知の機械的な折り曲げ加
工技術を用いて行う。
【００１８】基板搬送後、チャック部３０をリフト６０
によって下降させ、支持台１０に基板２０を押さえつけ
る。基板２０の保持が完了後、基板支持台１０を立てて
バリア膜の成膜を開始するが、成膜の途中でスイッチ４
０ａ〜４０ｄを同時ではなくある程度の時間差を置いて
投入していく。
によって下降させ、支持台１０に基板２０を押さえつけ
る。基板２０の保持が完了後、基板支持台１０を立てて
バリア膜の成膜を開始するが、成膜の途中でスイッチ４
０ａ〜４０ｄを同時ではなくある程度の時間差を置いて
投入していく。
【００１９】スイッチ４０が投入されると、チャック部
３０は電源５０によって加熱されて行く。そして、所定
の形状記憶温度に到達した時点で初期状態である第１の
保持状態（図３（Ａ））から第２の保持状態（図３
（Ｂ））に変形する。ここで基板２０と接触するチャッ
ク部３０の支持部の位置が第１の保持状態（図３
（Ａ））から第２の保持状態（図３（Ｂ））において基
板２０上で重なる部分が全くないように設計する。
３０は電源５０によって加熱されて行く。そして、所定
の形状記憶温度に到達した時点で初期状態である第１の
保持状態（図３（Ａ））から第２の保持状態（図３
（Ｂ））に変形する。ここで基板２０と接触するチャッ
ク部３０の支持部の位置が第１の保持状態（図３
（Ａ））から第２の保持状態（図３（Ｂ））において基
板２０上で重なる部分が全くないように設計する。
【００２０】また、スイッチ４０ａ〜４０ｄを同時に投
入すると、形状記憶温度に到達した時点で保持状態が同
時に変化するため、瞬間的に各支持部３０ａ〜３０ｄが
基板２０から離れてしまうため、スイッチ４０の駆動は
適当な制御回路を用いて時間間隔をおいて投入するよう
に制御する。第２の保持状態（図３（Ｂ））への変化が
完了後、スイッチ４０ａ〜４０ｄを全てＯＦＦ状態に戻
し、加熱を停止して自然冷却させる。
入すると、形状記憶温度に到達した時点で保持状態が同
時に変化するため、瞬間的に各支持部３０ａ〜３０ｄが
基板２０から離れてしまうため、スイッチ４０の駆動は
適当な制御回路を用いて時間間隔をおいて投入するよう
に制御する。第２の保持状態（図３（Ｂ））への変化が
完了後、スイッチ４０ａ〜４０ｄを全てＯＦＦ状態に戻
し、加熱を停止して自然冷却させる。
【００２１】成膜完了後、チャック部３０をリフト６０
により基板２０の上方に持ち上げ、成膜途中に記憶状態
の第２の基板保持状態に変形したチャック部３０を第１
の基板保持状態に成形するために、成形部でチャック部
３０を加工する。チャック部３０を第１の基板保持状態
に成形部７０で成形した後、チャック部３０をリフト６
０によって新たな基板２０上に下ろし、同様の薄膜形成
処理を繰り返す。
により基板２０の上方に持ち上げ、成膜途中に記憶状態
の第２の基板保持状態に変形したチャック部３０を第１
の基板保持状態に成形するために、成形部でチャック部
３０を加工する。チャック部３０を第１の基板保持状態
に成形部７０で成形した後、チャック部３０をリフト６
０によって新たな基板２０上に下ろし、同様の薄膜形成
処理を繰り返す。
【００２２】図４は本発明の基板保持機構の第２の実施
形態を示している。基板２０を支持する２つの支持部で
１組のチャック部３０を構成した場合の拡大射視図であ
る。１組のチャック部３０の各々の支持部は第１、第２
の保持状態が完全に反対の動作を行うように設計する。
形態を示している。基板２０を支持する２つの支持部で
１組のチャック部３０を構成した場合の拡大射視図であ
る。１組のチャック部３０の各々の支持部は第１、第２
の保持状態が完全に反対の動作を行うように設計する。
【００２３】第１の保持状態（図４（Ａ））ではチャッ
ク３１が基板２０を保持する形状にし、またチャック３
２は基板２０から離れた形状に成形しておく。一方、形
状記憶状態である第２の保持状態（図４（Ｂ））では、
チャック３１が基板２０から離れた形状にし、またチャ
ック３２は基板２０を保持する形状にそれぞれ変形する
ような構成とする。
ク３１が基板２０を保持する形状にし、またチャック３
２は基板２０から離れた形状に成形しておく。一方、形
状記憶状態である第２の保持状態（図４（Ｂ））では、
チャック３１が基板２０から離れた形状にし、またチャ
ック３２は基板２０を保持する形状にそれぞれ変形する
ような構成とする。
【００２４】図４（Ｂ）では、チャック３１の第２の保
持状態では第１の保持状態のチャック３２と同じ向きに
折れ曲がる状態を示したが、折れ曲がる向きが逆の右向
きに折れ曲がっても勿論同様の効果を得ることができ
る。
持状態では第１の保持状態のチャック３２と同じ向きに
折れ曲がる状態を示したが、折れ曲がる向きが逆の右向
きに折れ曲がっても勿論同様の効果を得ることができ
る。
【００２５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、バ
リア膜成膜時に基板とこれを支持する保持部との接触部
の下部でシリコン酸化膜がむき出しとなることがなく、
基板全面にバリア膜を堆積することができる。そのた
め、後に続くＷ−ＣＶＤ工程で、ＨＦの浸食によるバリ
ア膜の剥離が生じるような問題はない。よって、剥離し
たバリア膜の飛散による歩留り低下を回避可能となる。
リア膜成膜時に基板とこれを支持する保持部との接触部
の下部でシリコン酸化膜がむき出しとなることがなく、
基板全面にバリア膜を堆積することができる。そのた
め、後に続くＷ−ＣＶＤ工程で、ＨＦの浸食によるバリ
ア膜の剥離が生じるような問題はない。よって、剥離し
たバリア膜の飛散による歩留り低下を回避可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態の要部断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態の要部平面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態の基板保持機構の拡大
斜視図である。
斜視図である。
【図４】本発明の第２の実施形態の基板保持機構の拡大
斜視図である。
斜視図である。
【図５】従来例を示した要部平面図である。
１０ 基板支持台 ２０ 基板（半導体ウエハ） ３０ チャック部（保持部） ３１ ２つ１組のチャック部の片側 ３２ ２つ１組のチャック部の他の片側 ４０ スイッチ ５０ 電源 ６０ リフト ７０ チャック成形部 １００ 基板保持機構
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｈ０１Ｌ 21/68 Ｎ
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上にＷ−ＣＶＤ法による成膜のため
の下地密着層を形成する薄膜形成装置であって、 基板支持台と、この支持台上に載置された基板を保持す
るための保持部と、を備え、上記保持部は、薄膜形成処
理の最中に温度変化によって変形する形状記憶合金を有
していることを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の薄膜形成装置におい
て、 薄膜形成中に上記保持部を加熱することにより、この保
持部がその記憶状態の形状に変形し、薄膜形成初期の第
１の基板保持状態と薄膜形成途中の第２の基板保持状態
とで上記基板との接触位置を変化させ、該基板との接触
部が加熱前と加熱後で重複しない構造を有することを特
徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の薄膜形成装置におい
て、 上記保持部は上記基板の周囲に複数配置され、各保持部
には加熱用の電源が設けられており、成膜の途中で上記
基板を保持する複数の保持部の電源が所定の時間間隔を
おいて投入され、所定の時間差で上記保持部の形状記憶
合金を形状記憶温度に到達させ、基板支持状態が同時に
変化することにより、瞬間的にチャック部が上記基板か
ら離脱しないように昇温制御する機能を備えたことを特
徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項４】 請求項１に記載の薄膜形成装置におい
て、 上記保持部は第１と第２の基板保持状態をとる１組のチ
ャック部を有し、この１組のチャック部の一方が第１の
保持状態にあるとき、他方が第２の保持状態を保つよう
に動作させる基板保持機構を有することを特徴とする薄
膜形成装置。 - 【請求項５】 請求項４に記載の薄膜形成装置におい
て、 上記１組の保持部の各々のチャック部は一方が上記基板
を支持する支持状態であるとき、他方が基板から離脱し
た状態を保つように動作させる基板保持機構を有するこ
とを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項６】 基板支持台とこの支持台上に載置された
基板を保持するための保持部とを備え、上記保持部は、
温度変化によって変形する形状記憶合金を有しているこ
とを特徴とする基板保持機構。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20910496A JPH1041252A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 薄膜形成装置及び基板保持機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20910496A JPH1041252A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 薄膜形成装置及び基板保持機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1041252A true JPH1041252A (ja) | 1998-02-13 |
Family
ID=16567363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20910496A Pending JPH1041252A (ja) | 1996-07-19 | 1996-07-19 | 薄膜形成装置及び基板保持機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1041252A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004063454A (ja) * | 2002-06-03 | 2004-02-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 蒸着装置 |
| JP2007258441A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 熱処理装置 |
-
1996
- 1996-07-19 JP JP20910496A patent/JPH1041252A/ja active Pending
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