JP3293801B2 - 枚葉式プラズマアッシング装置 - Google Patents
枚葉式プラズマアッシング装置Info
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- JP3293801B2 JP3293801B2 JP17556799A JP17556799A JP3293801B2 JP 3293801 B2 JP3293801 B2 JP 3293801B2 JP 17556799 A JP17556799 A JP 17556799A JP 17556799 A JP17556799 A JP 17556799A JP 3293801 B2 JP3293801 B2 JP 3293801B2
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、一枚の半導体基板
の表面に形成されたパタ−ニングされたレジスト膜をプ
ラズマアッシングによって剥離する枚葉式プラズマアッ
シング装置に関し、特に、半導体基板を載置するステ−
ジに関する。
の表面に形成されたパタ−ニングされたレジスト膜をプ
ラズマアッシングによって剥離する枚葉式プラズマアッ
シング装置に関し、特に、半導体基板を載置するステ−
ジに関する。
【０００２】
【従来の技術】通常、半導体装置製造において、半導体
基板（以下ウェハと記す）に所望のパタ−ンを形成する
場合、ウェハの全面にレジストを塗布しレジスト膜を形
成し、このレジスト膜を選択的に除去して所望のパタ−
ンを形成し、この除去されたパタ−ン膜によって選択的
にイオン打ち込みを行いウェハに不純物を注入したり、
あるいは選択的にエッチングして配線や回路及び素子の
形成したしていた。
基板（以下ウェハと記す）に所望のパタ−ンを形成する
場合、ウェハの全面にレジストを塗布しレジスト膜を形
成し、このレジスト膜を選択的に除去して所望のパタ−
ンを形成し、この除去されたパタ−ン膜によって選択的
にイオン打ち込みを行いウェハに不純物を注入したり、
あるいは選択的にエッチングして配線や回路及び素子の
形成したしていた。
【０００３】いずれの工程にしても、これら工程後に残
された不要のレジストは除去しなければならない。この
レジストを除去する方法として、現在最も使用されてい
るプラズマアッシングによる方法である。
された不要のレジストは除去しなければならない。この
レジストを除去する方法として、現在最も使用されてい
るプラズマアッシングによる方法である。
【０００４】この方法は、減圧下の容器の一方の電極で
あるステ−ジにウェハを載置し、導入された酸素ガスに
よってグロ−放電を起こさせプラズマを発生させる。そ
して、活性化さえれた酸素原子により炭化水素化合物を
主成分とするレジストを灰化し、ウェハから剥離した灰
化物を容器から排出する方法である。
あるステ−ジにウェハを載置し、導入された酸素ガスに
よってグロ−放電を起こさせプラズマを発生させる。そ
して、活性化さえれた酸素原子により炭化水素化合物を
主成分とするレジストを灰化し、ウェハから剥離した灰
化物を容器から排出する方法である。
【０００５】また、このプラズマアッシング方法による
剥離レ−トは、ウェハの温度によって異なる。言い換え
れば、温度が高い程剥離レ−トが高くなり、温度が低け
れば剥離レ−トは低くなる。しかしながら、剥離レ−ト
を上げるために、例えば、ウェハの温度を２００度以上
に上昇させると、イオンの打ち込みなどにより硬化され
たレジスト層の硬化外皮層が内層のレジストのガス発生
により起こるポッピング現象が生じ、硬化外皮層が内部
のガス爆発により破れ、その灰化物が飛散し半導体素子
形成面に付着し半導体装置の不良品を発生させることに
なる。
剥離レ−トは、ウェハの温度によって異なる。言い換え
れば、温度が高い程剥離レ−トが高くなり、温度が低け
れば剥離レ−トは低くなる。しかしながら、剥離レ−ト
を上げるために、例えば、ウェハの温度を２００度以上
に上昇させると、イオンの打ち込みなどにより硬化され
たレジスト層の硬化外皮層が内層のレジストのガス発生
により起こるポッピング現象が生じ、硬化外皮層が内部
のガス爆発により破れ、その灰化物が飛散し半導体素子
形成面に付着し半導体装置の不良品を発生させることに
なる。
【０００６】しかし、１００度前後の低い温度に設定す
ると、剥離レ−トが低くなるものの、上述のポッピング
現象は起きない。しかし、剥離レ−トが低いとそれだけ
剥離に要する時間が長くなり、ト−タル的には生産性を
低下させることになる。かかる問題を解消するレジスト
の剥離方法およびその装置が、特開平１０−３２１６０
３号公報に開示されている。
ると、剥離レ−トが低くなるものの、上述のポッピング
現象は起きない。しかし、剥離レ−トが低いとそれだけ
剥離に要する時間が長くなり、ト−タル的には生産性を
低下させることになる。かかる問題を解消するレジスト
の剥離方法およびその装置が、特開平１０−３２１６０
３号公報に開示されている。
【０００７】このレジストの剥離方法およびその装置で
は、レジストの表面の硬化層のレジストの剥離の際は、
ウェハの中心部分あるいはウェハの外縁部と接触する補
助ステ−ジを設け、ヒ−タ内蔵のステ−ジから離間させ
た状態で、補助ステ−ジによりウェハを引き上げ、接触
面積が小さくしステ−ジからの伝熱を抑え、ウェハを低
温にすることによりポンピング現象の発生を抑えレジス
トの硬化層を遅い速度で剥離している。そして、硬化層
を剥離した後、補助ステ−ジを下降させ、ウェハの外周
面と接触していたステ−ジの載置面と補助ステ−ジのウ
ェハの載置面と一致させ、ウェハの裏面の全面と接触さ
せ、ヒ−タからの伝熱によりウェハを高温にし高い剥離
レ−トで剥離し、ト−タルの剥離時間を短縮し、生産性
の向上を図っている。
は、レジストの表面の硬化層のレジストの剥離の際は、
ウェハの中心部分あるいはウェハの外縁部と接触する補
助ステ−ジを設け、ヒ−タ内蔵のステ−ジから離間させ
た状態で、補助ステ−ジによりウェハを引き上げ、接触
面積が小さくしステ−ジからの伝熱を抑え、ウェハを低
温にすることによりポンピング現象の発生を抑えレジス
トの硬化層を遅い速度で剥離している。そして、硬化層
を剥離した後、補助ステ−ジを下降させ、ウェハの外周
面と接触していたステ−ジの載置面と補助ステ−ジのウ
ェハの載置面と一致させ、ウェハの裏面の全面と接触さ
せ、ヒ−タからの伝熱によりウェハを高温にし高い剥離
レ−トで剥離し、ト−タルの剥離時間を短縮し、生産性
の向上を図っている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のレジス
トの剥離方法およびその装置では、小さな接触面積をも
つ補助ステ−ジでウェハの中心部あるいは外縁部でウェ
ハを支えているものの、大型なウェハになればなる程、
補助ステ−ジとウェハと接触している部分と接触してい
ない部分との間で温度差が生じる。
トの剥離方法およびその装置では、小さな接触面積をも
つ補助ステ−ジでウェハの中心部あるいは外縁部でウェ
ハを支えているものの、大型なウェハになればなる程、
補助ステ−ジとウェハと接触している部分と接触してい
ない部分との間で温度差が生じる。
【０００９】さらに、ヒ−タ内蔵のステ−ジから離間さ
せ、補助ステ−ジにより突き上げられたウェハの温度
は、プラズマの輻射熱により依存される。不安定な輻射
熱に依存することは、ウェハの温度を一定に保つことは
難しく温度差が益々助長する結果となる。この部分的に
剥離レ−トの違いは、部分的にレジストが残り残す恐れ
があるし、かえって時間がかかる。こんことは、エッチ
ング終点検知機構を設けても、確実に外皮硬化層がいつ
除去できたか否かを判断することが困難である。
せ、補助ステ−ジにより突き上げられたウェハの温度
は、プラズマの輻射熱により依存される。不安定な輻射
熱に依存することは、ウェハの温度を一定に保つことは
難しく温度差が益々助長する結果となる。この部分的に
剥離レ−トの違いは、部分的にレジストが残り残す恐れ
があるし、かえって時間がかかる。こんことは、エッチ
ング終点検知機構を設けても、確実に外皮硬化層がいつ
除去できたか否かを判断することが困難である。
【００１０】確かに低温と高温とに２段階に分けて剥離
すれば、処理速度は向上するものの、この切り換えが確
実に行えない限り、ポンピング現象を起こさずに完全に
レジスト残りがなく剥離できるか否かに疑問である。ま
た、剥離動作中に、昇降機構のロッドで補助ステ−ジを
突き上げてるので、剥離された灰化物がロッドに付着し
昇降機構の動作に支障をもたらすという懸念がある。
すれば、処理速度は向上するものの、この切り換えが確
実に行えない限り、ポンピング現象を起こさずに完全に
レジスト残りがなく剥離できるか否かに疑問である。ま
た、剥離動作中に、昇降機構のロッドで補助ステ−ジを
突き上げてるので、剥離された灰化物がロッドに付着し
昇降機構の動作に支障をもたらすという懸念がある。
【００１１】従って、本発明の目的は、低温で均一にウ
ェハの温度を保ちウェハ面のレジストを一様に剥離でき
るプラズマエッチング装置を提供することにある。
ェハの温度を保ちウェハ面のレジストを一様に剥離でき
るプラズマエッチング装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、減圧下
の状態の容器に酸素などのガスを導入しグロ−放電によ
り該ガスの原子を活性化し一枚の半導体基板に塗布され
たレジストを除去する枚葉式プラズマアッシング装置に
おいて、一枚の前記半導体基板の中心部を点接触で支え
る複数の突起部材と前記半導体基板の周縁部を線接触で
支える複数の円弧状突起部材とが表面に形成されたステ
−ジと、このステ−ジの温度を一定に維持するヒ−タ内
蔵のブロックと、前記ステ−ジの外周囲を囲むように配
置するとともに前記半導体基板の周縁部を支え保持する
リング状部材と、前記ステ−ジより上に前記リング状部
材とともに前記半導体基板を持ち上げたり前記突起部材
及び前記円弧状部材に前記半導体基板を載置したりする
昇降ロッドと、前記レジストの剥離中に前記昇降ロッド
を被せるスリ−ブとを備える枚葉式プラズマアッシング
装置である。
の状態の容器に酸素などのガスを導入しグロ−放電によ
り該ガスの原子を活性化し一枚の半導体基板に塗布され
たレジストを除去する枚葉式プラズマアッシング装置に
おいて、一枚の前記半導体基板の中心部を点接触で支え
る複数の突起部材と前記半導体基板の周縁部を線接触で
支える複数の円弧状突起部材とが表面に形成されたステ
−ジと、このステ−ジの温度を一定に維持するヒ−タ内
蔵のブロックと、前記ステ−ジの外周囲を囲むように配
置するとともに前記半導体基板の周縁部を支え保持する
リング状部材と、前記ステ−ジより上に前記リング状部
材とともに前記半導体基板を持ち上げたり前記突起部材
及び前記円弧状部材に前記半導体基板を載置したりする
昇降ロッドと、前記レジストの剥離中に前記昇降ロッド
を被せるスリ−ブとを備える枚葉式プラズマアッシング
装置である。
【００１３】
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、本発明について図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１５】図１（ａ）及び（ｂ）は本発明の関連技術
における枚葉式プラズマアッシング装置のステ−ジを示
す平面図及びＡＡ断面矢視図である。このステ−ジは、
図１に示すように、ステ−ジ３の面から突出しウェハ１
０の中心部付近と点接触しウェハ１０を支える突起部１
とウェハ１０の周辺部と線接触しウェハ１０を支える円
弧状突起部２を有している。
における枚葉式プラズマアッシング装置のステ−ジを示
す平面図及びＡＡ断面矢視図である。このステ−ジは、
図１に示すように、ステ−ジ３の面から突出しウェハ１
０の中心部付近と点接触しウェハ１０を支える突起部１
とウェハ１０の周辺部と線接触しウェハ１０を支える円
弧状突起部２を有している。
【００１６】また、ウェハ１０の中央部を点接触で支え
る突起部１は、正三角形の頂角の位置に配置し、ウェハ
１０を３点支持することが望ましい。このように３点支
持にすれば、１０インチという大きなウェハでも、３点
の突起部１がウェハ１０と接触し安定して支えることが
できる。
る突起部１は、正三角形の頂角の位置に配置し、ウェハ
１０を３点支持することが望ましい。このように３点支
持にすれば、１０インチという大きなウェハでも、３点
の突起部１がウェハ１０と接触し安定して支えることが
できる。
【００１７】一方、ウェハ１０の周縁部と線接触する円
弧状突起部２は、突起部１と同じ高さでステ−ジ３から
突出している。そして、３つの突起部１に載置されたウ
ェハ１０の周縁部と接触することになる。しかし、ウェ
ハ１０は必ずしも平坦な基板ではなく、上に膨らむよう
に湾曲したり、逆に、下に膨らむように湾曲しているこ
とが多い。この湾曲の仕方は、前の工程により異なって
くが、同一のロットであれば、全てのウェハが同じよう
な傾向で湾曲しているので、円弧状突起部２の高さを突
起部１の高さと同じにする必要はなく、ウェハ１０の湾
曲の状態に応じて、円弧状突起部２の高さを設定すれば
良い。
弧状突起部２は、突起部１と同じ高さでステ−ジ３から
突出している。そして、３つの突起部１に載置されたウ
ェハ１０の周縁部と接触することになる。しかし、ウェ
ハ１０は必ずしも平坦な基板ではなく、上に膨らむよう
に湾曲したり、逆に、下に膨らむように湾曲しているこ
とが多い。この湾曲の仕方は、前の工程により異なって
くが、同一のロットであれば、全てのウェハが同じよう
な傾向で湾曲しているので、円弧状突起部２の高さを突
起部１の高さと同じにする必要はなく、ウェハ１０の湾
曲の状態に応じて、円弧状突起部２の高さを設定すれば
良い。
【００１８】この円弧状突起部２の全域に対するウェハ
１０の接触する領域は、ウェハの変形が悪くても５０パ
−セントを越える必要がある。このため、円弧状突起部
２を予め突起部１より高めに製作しておき、ウェハと円
弧状突起部２と当たり面を調べ円弧状突起部２の高さを
削りなどし調整することである。
１０の接触する領域は、ウェハの変形が悪くても５０パ
−セントを越える必要がある。このため、円弧状突起部
２を予め突起部１より高めに製作しておき、ウェハと円
弧状突起部２と当たり面を調べ円弧状突起部２の高さを
削りなどし調整することである。
【００１９】このように円弧状突起部２の線接触領域を
確保すれば、ウェハ１０の中央部と点接触する突起部１
の接触面積に比べウェハ１０の周縁部と接触する円弧状
突起部２の線接触面積が遙かに大きくなる。言い換えれ
ば、ウェハ１０の中央部は熱抵抗の大きい突起部１で支
え、ウェハ１０の周縁部を熱抵抗の小さい円弧状突起部
２で支えることになる。従って、熱容量の大きなブロッ
ク４からの熱は円弧状突起部２を介して熱容量の小さい
ウェハ１０に円滑に伝えられ、短時間でブロック４と同
じ温度に到達させることができる。
確保すれば、ウェハ１０の中央部と点接触する突起部１
の接触面積に比べウェハ１０の周縁部と接触する円弧状
突起部２の線接触面積が遙かに大きくなる。言い換えれ
ば、ウェハ１０の中央部は熱抵抗の大きい突起部１で支
え、ウェハ１０の周縁部を熱抵抗の小さい円弧状突起部
２で支えることになる。従って、熱容量の大きなブロッ
ク４からの熱は円弧状突起部２を介して熱容量の小さい
ウェハ１０に円滑に伝えられ、短時間でブロック４と同
じ温度に到達させることができる。
【００２０】このことを考えると、図１では３個の円弧
状突起部２であるが、円弧状突起部の円弧部の長さは短
くし個数をそれだけ増やせれば、ウェハ１０の湾曲度が
大きくても、円弧状突起部２とウェハ１０の総線接触面
積が確保できる。また、総線接触面積が増えると、飽和
温度に達する時間がそれだけ短くなる。
状突起部２であるが、円弧状突起部の円弧部の長さは短
くし個数をそれだけ増やせれば、ウェハ１０の湾曲度が
大きくても、円弧状突起部２とウェハ１０の総線接触面
積が確保できる。また、総線接触面積が増えると、飽和
温度に達する時間がそれだけ短くなる。
【００２１】通常、ウェハの中央部から周縁部にかけて
微細なパタ−ンが形成されているのに対しウェハの周縁
部はパタ−ンが形成されない部分が多いい。従って、ウ
ェハに被覆されたレジストは、ウェハ１０の中央部より
周辺部の方が広く施されている。このためにも、上述し
たようにウェハ１０の周縁部から中央部に熱の伝達をお
こない温度勾配をもたせれば、ウェハの周縁部の温度を
ウェハ１０の中央部の温度より稍高くすれば、周縁部の
剥離レ−トが中央部より高くなり、ウェハ１０の全域の
レジストを一様に剥離できる。
微細なパタ−ンが形成されているのに対しウェハの周縁
部はパタ−ンが形成されない部分が多いい。従って、ウ
ェハに被覆されたレジストは、ウェハ１０の中央部より
周辺部の方が広く施されている。このためにも、上述し
たようにウェハ１０の周縁部から中央部に熱の伝達をお
こない温度勾配をもたせれば、ウェハの周縁部の温度を
ウェハ１０の中央部の温度より稍高くすれば、周縁部の
剥離レ−トが中央部より高くなり、ウェハ１０の全域の
レジストを一様に剥離できる。
【００２２】例えば、ブロック４を摂氏１２０度に一定
に維持するようにヒ−タ５を制御すれば、ウェハ１０の
周縁部は１２０度に加熱され、ウェハ１０の大きさによ
って若干の差異があるが、周縁部の熱伝達によりウェハ
１０の中央部は１００度乃至１１０度に維持できる。こ
のようにウェハ１０の周縁部と中央部に温度勾配をもた
せることは、ウェハ１０の全面に残されたレジストを一
様に剥離できることを示唆している。
に維持するようにヒ−タ５を制御すれば、ウェハ１０の
周縁部は１２０度に加熱され、ウェハ１０の大きさによ
って若干の差異があるが、周縁部の熱伝達によりウェハ
１０の中央部は１００度乃至１１０度に維持できる。こ
のようにウェハ１０の周縁部と中央部に温度勾配をもた
せることは、ウェハ１０の全面に残されたレジストを一
様に剥離できることを示唆している。
【００２３】なお、ブロック４と同じアルミニウムで製
作されたステ−ジ３は、鍛造成形により突起部１および
円弧状突起部２は成形されているものの、ウェハ１０の
表面に傷をつけないように突起部の硬度は、ウェハ１０
の表面の硬度より低い。従って、ウェハ１０の移載を何
回も繰り返して行う内に摩耗し、ウェハ１０と突起部１
が接触しなくなりステ−ジ自体が寿命となる。
作されたステ−ジ３は、鍛造成形により突起部１および
円弧状突起部２は成形されているものの、ウェハ１０の
表面に傷をつけないように突起部の硬度は、ウェハ１０
の表面の硬度より低い。従って、ウェハ１０の移載を何
回も繰り返して行う内に摩耗し、ウェハ１０と突起部１
が接触しなくなりステ−ジ自体が寿命となる。
【００２４】そこで、従来、ブロックと一体となってい
たステ−ジを切り離しができるようにし、さらに、ステ
−ジ３を容易に交換できるようにブロック４からステ−
ジ３を取り外しができるようにした。勿論、容易に取付
けできるようにインロ−構造にし、熱伝達度を確保する
ために、図示してないねじでブロック４にステ−ジ３を
固定するようにしている。
たステ−ジを切り離しができるようにし、さらに、ステ
−ジ３を容易に交換できるようにブロック４からステ−
ジ３を取り外しができるようにした。勿論、容易に取付
けできるようにインロ−構造にし、熱伝達度を確保する
ために、図示してないねじでブロック４にステ−ジ３を
固定するようにしている。
【００２５】図２（ａ）および（ｂ）は本発明の一実施
の形態における枚葉式プラズマアッシング装置のステ−
ジを示す部分平面図および断面図である。前述したよう
に、ウェハをステ−ジに繰り返して載置する毎にステ−
ジにある突起部が摩耗しステ−ジの寿命が短くなる。そ
こで、このステ−ジでは、ウェハを突起部に載せるとき
に、摩耗を促進させる水平方向の動き（すべり）を抑制
しウェハを突起部に対し垂直方向の動きによりウェハを
突起部に載置できる機構を設けたことである。
の形態における枚葉式プラズマアッシング装置のステ−
ジを示す部分平面図および断面図である。前述したよう
に、ウェハをステ−ジに繰り返して載置する毎にステ−
ジにある突起部が摩耗しステ−ジの寿命が短くなる。そ
こで、このステ−ジでは、ウェハを突起部に載せるとき
に、摩耗を促進させる水平方向の動き（すべり）を抑制
しウェハを突起部に対し垂直方向の動きによりウェハを
突起部に載置できる機構を設けたことである。
【００２６】このウェハ載置機構は、図２に示すよう
に、ウェハ１０の周縁部を載せる載置面を有するリング
６と、このリング６を定位置まで上昇させたりステ−ジ
３の面まで降ろしたりする昇降ロッド７と、レジスト剥
離中に昇降ロッド７に灰化物が付着しないように昇降ロ
ッド７を覆い被せるスリ−ブ８とを備えている。
に、ウェハ１０の周縁部を載せる載置面を有するリング
６と、このリング６を定位置まで上昇させたりステ−ジ
３の面まで降ろしたりする昇降ロッド７と、レジスト剥
離中に昇降ロッド７に灰化物が付着しないように昇降ロ
ッド７を覆い被せるスリ−ブ８とを備えている。
【００２７】次に、このステ−ジにおけるウェハの突起
部への搭載およびステ−ジからウェハの取り出し動作に
ついて説明する。まず、ステ−ジ３の突起部１にウェハ
を載せるときは、容器とゲ−トバルブを介して連結する
室に保管されたカセットからウェハをフォ−クに載せ、
フォ−クが移動し、何も載せていないステ−ジ３上にウ
ェハ１０が位置決めさせる。
部への搭載およびステ−ジからウェハの取り出し動作に
ついて説明する。まず、ステ−ジ３の突起部１にウェハ
を載せるときは、容器とゲ−トバルブを介して連結する
室に保管されたカセットからウェハをフォ−クに載せ、
フォ−クが移動し、何も載せていないステ−ジ３上にウ
ェハ１０が位置決めさせる。
【００２８】次に、昇降ロッド７が上昇し、フォ−ク９
にウェハ１０はリング６に移載される。そして、ウェハ
１０を移載したフォ−ク９は、紙面に垂直の方向に移動
しステ−ジ３から退避した位置で停止する。リング６に
移載されたウェハ１０は、モ−タ駆動により静かに下降
する昇降ロッド７とともに下降しウェハ１０は突起部１
に載せられウェハ１０の周縁部は円弧状突起部２と接触
する。昇降ロッド７はスリ−ブ８の中に収納される。
にウェハ１０はリング６に移載される。そして、ウェハ
１０を移載したフォ−ク９は、紙面に垂直の方向に移動
しステ−ジ３から退避した位置で停止する。リング６に
移載されたウェハ１０は、モ−タ駆動により静かに下降
する昇降ロッド７とともに下降しウェハ１０は突起部１
に載せられウェハ１０の周縁部は円弧状突起部２と接触
する。昇降ロッド７はスリ−ブ８の中に収納される。
【００２９】ウェハ１０のレジスト剥離中は、昇降ロッ
ド７はスリ−ブ８により被されているので、飛散するレ
ジスト灰化物は付着しない。レジスト剥離が終了する
と、昇降ロッド７が上昇し、突起部１に載置されたウェ
ハ１０がリング６に移載される。そして、昇降ロッド７
の上昇によりウェハ１０を載せたリング６が所定の高さ
に到達すると、フォ−ク９が退避位置から移動し、２本
の昇降ロッド７の間を通り所定の位置に停止する。この
状態は、図２（ａ）に示す。
ド７はスリ−ブ８により被されているので、飛散するレ
ジスト灰化物は付着しない。レジスト剥離が終了する
と、昇降ロッド７が上昇し、突起部１に載置されたウェ
ハ１０がリング６に移載される。そして、昇降ロッド７
の上昇によりウェハ１０を載せたリング６が所定の高さ
に到達すると、フォ−ク９が退避位置から移動し、２本
の昇降ロッド７の間を通り所定の位置に停止する。この
状態は、図２（ａ）に示す。
【００３０】次に、昇降ロッド７が下降すると、フォ−
ク９はウェハ１０と接触する。そして、フォ−ク９の僅
かな上昇によりウェハ１０はフォ−ク９に移載される。
ウェハ１０を載せたフォ−ク９は退避し、昇降ロッド７
は下降しリング６はステ−ジ３の面まで降ろされる。
ク９はウェハ１０と接触する。そして、フォ−ク９の僅
かな上昇によりウェハ１０はフォ−ク９に移載される。
ウェハ１０を載せたフォ−ク９は退避し、昇降ロッド７
は下降しリング６はステ−ジ３の面まで降ろされる。
【００３１】このように滑りなど起こさないように、ウ
ェハ１０を静的に載せることにより従来のマニプレ−タ
などのウェハの搭載に比べ突起部１の摩耗が少なくな
り、ステ−ジ３の寿命を数倍伸ばすことができた。
ェハ１０を静的に載せることにより従来のマニプレ−タ
などのウェハの搭載に比べ突起部１の摩耗が少なくな
り、ステ−ジ３の寿命を数倍伸ばすことができた。
【００３２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ウェハの
中央部と点接触する突起部と、ウェハの周縁部と線接触
する円弧状突起部とをステ−ジ上に設け、これら突起部
にウェハを載置し、ウェハより遙かに熱容量が大きく一
定の温度に維持された加熱ブロックをステ−ジに固定
し、円弧状突起部を介して加熱ブロックの熱をウェハに
伝達することによって、ウェハ面内は均一に加熱され所
望の温度に維持されウェハ面内のレジスト剥離レ−トは
一様になり、従来起きていた品質不良をもたらすレジス
ト残りを低減することができるという効果が得られた。
中央部と点接触する突起部と、ウェハの周縁部と線接触
する円弧状突起部とをステ−ジ上に設け、これら突起部
にウェハを載置し、ウェハより遙かに熱容量が大きく一
定の温度に維持された加熱ブロックをステ−ジに固定
し、円弧状突起部を介して加熱ブロックの熱をウェハに
伝達することによって、ウェハ面内は均一に加熱され所
望の温度に維持されウェハ面内のレジスト剥離レ−トは
一様になり、従来起きていた品質不良をもたらすレジス
ト残りを低減することができるという効果が得られた。
【図１】本発明の関連技術における枚葉式プラズマアッ
シング装置のステ−ジを示す平面図及びＡＡ断面矢視図
である。
シング装置のステ−ジを示す平面図及びＡＡ断面矢視図
である。
【図２】本発明の一実施の形態における枚葉式プラズマ
アッシング装置のステ−ジを示す部分平面図および断面
図である。
アッシング装置のステ−ジを示す部分平面図および断面
図である。
１ 突起部 ２ 円弧状突起部 ３ ステ−ジ ４ ブロック ５ ヒ−タ ６ リング ７ 昇降ロッド ８ スリ−ブ ９ フォ−ク １０ ウェハ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/3065 H01L 21/68
Claims (1)
- 【請求項１】 減圧下の状態の容器に酸素などのガスを
導入しグロ−放電により該ガスの原子を活性化し一枚の
半導体基板に塗布されたレジストを除去する枚葉式プラ
ズマアッシング装置において、一枚の前記半導体基板の
中心部を点接触で支える複数の突起部材と前記半導体基
板の周縁部を線接触で支える複数の円弧状突起部材とが
表面に形成されたステ−ジと、このステ−ジの温度を一
定に維持するヒ−タ内蔵のブロックと、前記ステ−ジの
外周囲を囲むように配置するとともに前記半導体基板の
周縁部を支え保持するリング状部材と、前記ステ−ジよ
り上に前記リング状部材とともに前記半導体基板を持ち
上げたり前記突起部材及び前記円弧状部材に前記半導体
基板を載置したりする昇降ロッドと、前記レジストの剥
離中に前記昇降ロッドを被せるスリ−ブとを備えること
を特徴とする枚葉式プラズマアッシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17556799A JP3293801B2 (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | 枚葉式プラズマアッシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17556799A JP3293801B2 (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | 枚葉式プラズマアッシング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001007087A JP2001007087A (ja) | 2001-01-12 |
| JP3293801B2 true JP3293801B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=15998347
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17556799A Expired - Fee Related JP3293801B2 (ja) | 1999-06-22 | 1999-06-22 | 枚葉式プラズマアッシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3293801B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101474339B1 (ko) * | 2011-04-01 | 2014-12-18 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 지지부 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US20080131622A1 (en) * | 2006-12-01 | 2008-06-05 | White John M | Plasma reactor substrate mounting surface texturing |
| US7964430B2 (en) | 2007-05-23 | 2011-06-21 | Applied Materials, Inc. | Silicon layer on a laser transparent conductive oxide layer suitable for use in solar cell applications |
| KR101150268B1 (ko) * | 2008-03-27 | 2012-06-12 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 열처리 장치 및 처리 시스템 |
| JP2015076457A (ja) * | 2013-10-08 | 2015-04-20 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 基板処理装置 |
-
1999
- 1999-06-22 JP JP17556799A patent/JP3293801B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101474339B1 (ko) * | 2011-04-01 | 2014-12-18 | 가부시키가이샤 히다치 고쿠사이 덴키 | 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법, 기판 처리 방법 및 기판 지지부 |
| US9748132B2 (en) | 2011-04-01 | 2017-08-29 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus, method for manufacturing semiconductor device, method for processing substrates |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001007087A (ja) | 2001-01-12 |
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|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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