JP2002025990A - 半導体デバイスの製造装置および半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体ウエハを熱処理後、ブレードにウエハ
を載置した際に生じるウエハ面内での温度分布を均等化
し、熱ストレスを低減する。 【解決手段】 ウエハ１４を移送するブレード６のウエ
ハ１４を載置する部分の形状が、ウエハ１４が全面に接
触するようウエハ形状を倣ったものであるとともに、複
数のスリット１７が設けられ、スリット幅を２０ｍｍ以
下とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
の製造技術に関し、特に半導体ウエハに熱処理を行う半
導体デバイスの製造装置および半導体デバイスの製造方
法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハを熱処理する半導体デバイ
スの製造装置の例として、ウエハ上に堆積された薄膜を
パターニングされたレジストをマスクにエッチングした
り、レジストを除去するためにプラズマを用いたエッチ
ング装置やアッシング装置が用いられる。このアッシン
グ装置においては２００〜３００℃程度の比較的高温の
ステージ上でウエハを処理する事が多い。また、エッチ
ング装置においても銅のエッチングなどにおいては２０
０℃程度の温度で処理を行うことがある。このような数
百℃程度の処理温度においては、従来の半導体デバイス
では熱ストレスによるダメージ等にはあまり考慮がなさ
れていなかった。しかしながら近年の半導体デバイスで
は、微細化および膜の積層化が進んでいることにより、
数百℃程度でのプロセスにおいてもウエハへのダメージ
が発生することがある。このダメージの発生はウエハの
面内における温度の不均一性によるものである。

【０００３】ここでは、アッシング装置を例に、従来の
装置および搬送シーケンスの一例を図１１〜図１７に示
す。図１１におけるアッシング装置は減圧下でウエハを
処理する反応室１と、外部の大気圧領域から真空の前記
反応室１へとウエハを移送するための搬送室２を有して
いる。反応室１内には、ウエハを載置、保持するステー
ジ３が設置されており、そのステージ３の内部にはヒー
ターなどの加熱機構４が埋め込まれている。反応室１に
は、反応性ガスを反応室１内に導入するガス導入管９と
減圧を行うポンプ１０が設けられている。また反応室１
には図示省略したプラズマを発生させる機構を有してい
る。一方、搬送室２にはウエハを載置するブレード６と
伸縮するアーム１２とそれらを動作させる駆動機構５を
有し、また、真空〜大気圧まで圧力を制御するためのポ
ンプ１１およびガス導入管１３が設けられている。さら
に、搬送室２と反応室１の間、および、搬送室と外部の
間にはゲートバルブ７およびゲートバルブ８が設けら
れ、ウエハを搬送する時にそれぞれ開閉する機構を有す
る。

【０００４】次に図１２〜図１７を用いて搬送シーケン
スについて説明する。まず、搬送室２が大気圧の状態で
図１２のようにゲートバルブ８を開き、アーム１２を伸
ばして外部のウエハ１４をブレード６上に乗せ、次にア
ーム１２を縮めてウエハ１４を搬送室２内に取り込みゲ
ートバルブ８を閉じる（図１３）。さらにポンプ１１に
より搬送室２内の圧力を下げた状態で、ゲートバルブ７
を開き、図１４のようにウエハ１４を反応室１に移送す
る。次に図１５に示すようにステージ内部に設置された
リフトピン１５を上げウエハ１４をブレード６より持ち
上げた状態において、アーム１２を縮めゲートバルブ７
を閉め（図１６）リフトピン１５を下げる（図１７）。
反応室１において所定の処理を終えた後は、逆にリフト
ピン１５でウエハ１４を持ち上げ（図１６）、ゲートバ
ルブ７を開けた後アーム６を延ばしてウエハ１４の下に
ブレード６を差し入れる（図１５）。リフトピン１５を
下げてウエハ１４をブレード１６上においた後（図１
４）、アーム１２を縮めてゲートバルブ７を閉じる（図
１３）。次にガス導入管１３より窒素ガスなどを搬送室
２内に導入し、ほぼ大気圧になったところでゲートバル
ブ８を開き、アーム６を伸ばしてウエハ１４を外部へと
搬出する（図１２）。

【０００５】以上の搬送シーケンスの中で、ウエハ１４
を搬入する時の図１３→図１５およびウエハ１４を搬出
する際の図１５→図１３において、ウエハ１４の温度が
急激に変化する。特にウエハ１４を搬出する際の図１５
→図１４においては、ブレード６がウエハ１４の一部の
みにふれるため、ウエハ面内の温度分布が不均一にな
る。図１８にブレード６上にウエハ１４がおかれた際の
ウエハ上面からみた様子の概念図を示す。高温のステー
ジ３上で暖められたウエハ１４がブレード６上におかれ
る際に、ブレード６に接する部分の温度が急激に下がっ
て低温部となり（図の色の薄い部分）ウエハ１４が収縮
しようとする。これに対しブレード６に接する部分から
離れたところは高温部であり（図の色の濃い部分）温度
の低下が遅いため、あまり収縮しない。このため境界部
分１４ａにおいて歪みによるストレスが発生するという
問題があった。このようなストレスのためにウエハ１４
に欠陥やまた、ウエハ１４が割れるという現象が発生
し、品質上および歩留り等が問題点となってきた。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】この発明はかかる課題
を解決するためになされたもので、ウエハの熱処理後の
ストレス発生を防止し、ウエハ欠陥や割れのない半導体
デバイスの製造装置および半導体デバイスの製造方法を
提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明に係る半導体デ
バイスの製造装置は、ウエハを載置するブレードのウエ
ハを載置する部分の形状が、ウエハが全面に接触するよ
うウエハの形状を倣ったものであるとともに、複数のス
リットが設けられており、このスリット幅を２０ｍｍ以
下としたものである。

【０００８】また、ブレードがウエハの形状を倣ったも
のであるとともに複数の２０ｍｍ幅以下のスリットを有
するハニカム構造で形成されているものである。

【０００９】また、ブレード材質が酸化ジルコニウム系
セラミックスとするものである。

【００１０】また、ブレード材質がポリイミド樹脂とす
るものである。

【００１１】また、ブレードのウエハを載置する部分の
形状が、ウエハが全面に接触するようにウエハの形状を
倣ったものであるとともに、複数のスリットが設けられ
ており、材質を酸化ジルコニウム系セラミックスまたは
ポリイミド樹脂としたものである。

【００１２】また、ブレードがウエハの形状を倣ったも
のであるとともに、複数の２０ｍｍ幅のスリットを有す
るハニカム構造で形成されており、材質を酸化ジルコニ
ウム系セラミックスまたはポリイミド樹脂としたもので
ある。

【００１３】また、この発明に係る半導体デバイスの製
造装置は、半導体ウエハを熱処理する反応室に設けられ
たウエハを載置、保持するステージに加熱、冷却機構が
備えられているものである。

【００１４】また、搬送室には、ブレードおよび搬送室
を加熱、冷却する加熱、冷却機構が備えられているもの
である。

【００１５】また、ステージに加熱、冷却機構が、搬送
室にも加熱、冷却機構が設けられたものである。

【００１６】また、ブレードの材質を酸化ジルコニウム
系セラミックスまたはポリイミド樹脂とし、（ケース
１）ステージに加熱、冷却機構、（ケース２）搬送室に
加熱、冷却機構および、（ケース３）ステージ、搬送室
共に加熱、冷却機構が備えられ、前記材質と前記（ケー
ス１）〜（ケース３）の組み合わせた構成の半導体デバ
イスの製造装置である。

【００１７】また、ブレードのウエハを載置する部分の
形状が、ウエハの形状を倣ったものであるとともに幅２
０ｍｍ以下の複数のスリットを有するものであり、前記
（ケース１）〜（ケース３）に組み合わせた構成の半導
体デバイスの製造装置である。

【００１８】また、前記半導体デバイスの製造装置の組
み合わせの構成に、ブレードがハニカム構造で形成され
た構成の半導体デバイスの製造装置である。

【００１９】また前記半導体デバイスの製造装置の組み
合わせの構成に、ブレード材質を酸化ジルコニウム系セ
ラミックスまたはポリイミド樹脂の組み合わせを加えた
構成を備えた半導体デバイスの製造装置である。

【００２０】またさらに、半導体デバイスの製造方法で
あって、反応室内でウエハを熱処理後にウエハをリフト
アップして冷却し、その後に搬送室に移送するプロセス
を有するものである。

【００２１】また、リフトアップしてウエハを冷却する
時間を２０秒以上とするプロセスを有する。

【００２２】また、ウエハを熱処理後にウエハをリフト
アップし、ウエハとステージ間にブレードを挿入するプ
ロセスを有する製造方法である。

【００２３】また、ブレードを挿入する時間を１５秒以
上とするプロセスを有する製造方法である。

【００２４】また、ウエハを熱処理後にリフトアップ
し、反応室内に冷却用ガスを導入するプロセスを有する
半導体デバイスの製造方法である。

【００２５】

【発明の実施の形態】実施の形態１．以下この発明の実
施の形態１を図１によって説明する。図１において、ス
テージ３にはヒータ等の加熱機構４の他に、冷媒を流す
ための冷却機構１９および冷媒の供給装置１６が備えら
れている。このとき用いられる冷媒は水やガスなどであ
る。このような構成を備えた半導体デバイスの製造装置
を用いた場合の搬送シーケンスの一実施の形態を以下に
示す。ウエハ１４を反応室１まで搬送する間および処理
している間は冷却機構１９をオフにし、加熱機構４をオ
ンにすることによってウエハ１４を高温にする。次に処
理が終了後、冷却機構１９をオン（および加熱機構４を
オフ）にすることによってステージ３およびウエハ１４
を冷却する。ウエハ１４が十分に冷却した後従来例で図
示したリフトピン１５によりウエハ１４を持ち上げブレ
ード６によりウエハ１４を処理室１より搬送室２へと移
送する。ウエハ１４の処理が連続して行われる場合に
は、ウエハ１４がブレード６上におかれた時点で、再度
冷却機構１９をオフ（および加熱機構４をオン）する。
本実施の形態１においてステージ３の冷却は冷却機構１
９をオンにする事によって行うだけでなく加熱機構４を
オフする事によって行っても良い。また、冷却を行うタ
イミングは処理が終了した後に限らず、処理の終了直前
に行っても構わない。さらに本発明ではウエハ１４の冷
却を徐々に行うことができるだけでなく、ウエハ１４の
温度を面内で均一に冷却することができるため、歪みに
よるダメージを低減することができる。また、ウエハ１
４を処理室１に搬入する時においてもステージ３上にウ
エハ１４を置いた後にステージ３の温度を上昇させれば
さらにダメージを低減することが可能である。

【００２６】実施の形態２．次に本発明の実施の形態２
を図２について述べる。上記した実施の形態１ではステ
ージ３に加熱、冷却機構４、１９が備えられているもの
を示したが、本実施の形態２は図２に示すように搬送室
２に加熱機構４ａ、冷却機構１９ａが備えられたもので
ある。このような構成の半導体デバイスの製造装置を用
いた場合の搬送シーケンスは、ウエハ１４を熱処理する
ために搬送室２に移送する前に、またはウエハ１４を反
応室１内にて熱処理中に加熱機構４ａを用いて搬送室２
およびブレード６を加熱する。反応室１にて熱処理を終
了した後に加熱昇温されたブレード６上にウエハ１４を
載置して反応室１より搬入室２に移送する。その後搬入
室２の冷却機構１９ａをオンしてウエハ１４を冷却す
る。このような搬送シーケンスを有する構成の半導体デ
バイスの製造装置によって熱処理された半導体ウエハ１
４は、従来例のように熱処理終了後のウエハ１４に室温
付近の温度のブレード６が直接接触することがない。そ
して加熱機構４ａによって加熱昇温されたブレード６に
よってウエハ１４を搬入室２と移送されその後冷却機構
１７ａをオンしてウエハ１４が徐冷される。従ってウエ
ハ１４の熱歪みによるダメージを低減できる。

【００２７】実施の形態３．次に本発明の実施の形態３
の半導体デバイスの製造装置を図３について述べる。図
３において、搬入室２に加熱機構４ａ、冷却機構１９ａ
を、ステージ３には加熱機構４、冷却機構１９が備えら
れている。このような構成を有する半導体デバイスの製
造装置では、ウエハ１４を搬入室２に移送する前、また
は搬送後に加熱機構４ａをオンしてブレード６またはウ
エハ１４を加熱し、反応室１内で熱処理終了後にステー
ジ３の加熱機構４、冷却機構１９をオン、オフ制御し
て、ウエハ１４に印加される熱ストレスを低減させるよ
うブレード６やウエハ１４の温度管理を行い、搬送室２
に移送する際に搬送室２の加熱機構４ａ、冷却機構１９
ａをオン、オフ制御することによって、さらにウエハ１
４に印加される熱ストレスの低減がはかれるという利点
がある。またさらに、搬送室２内の加熱機構４ａ、冷却
機構１９ａおよびステージ３の加熱機構４、冷却機構１
９のオン、オフ制御をウエハ１４の移送、熱処理のタイ
ムシーケンスに対し最適に選定することにより、半導体
デバイス製造のスループットをより高めることが可能で
あり、このような製造装置によって製造された半導体デ
バイスの低コスト化、高品質化がはかれる。なお、実施
の形態２、３に示した搬送室２の加熱、冷却機構４ａ、
１９ａは、ステージ３に用いられるものと同様のヒー
タ、水、ガス等を用いてもよい。

【００２８】実施の形態４．次に本発明の実施の形態４
を図４に示す。図４はブレード６の平面図である。図４
におけるスリット１７はリフトピン１５との干渉を避け
るためのものである。本図の様にブレードのウエハが載
置される部分をウエハ形状を倣ってウエハ全面に触れる
ような形状とすれば、処理室１からのウエハ１４を搬出
の際に、ウエハ１４の冷却が面内でほぼ均一に起こるた
めダメージが入り難い。ただし、スリット部１７上に位
置する部分においてウエハ１４の温度が不均一になるた
め、スリット１７の幅はできるだけ狭い方が好ましい。
どの程度のスリット幅が許容できるかはウエハ１４とブ
レード６間の熱伝達およびウエハ面内の熱伝導によって
異なる。一例として、たとえば反応室１の圧力が大気圧
で、かつ、ウエハ１４の厚さが約７００ミクロンの場合
のブレード６からの距離と最大の温度差を図６に示す。
ブレード６は従来の形のもので、温度差はウエハ１４中
心との差を時間を追って測定し、最大になった時の値を
プロットした。図６から、ブレード６からの距離が１０
ｍｍ程度になると５０ｍｍの部分での温度差に対し半分
程度の値となる。図４の様な構造をとった場合、ブレー
ド６からもっとも遠い位置はスリットの幅の半分になる
ため、スリット部１７の幅は２０ｍｍ以下で温度差低減
の効果が得られると予想される。ただし、このようなウ
エハ１４の全面を保持するブレード６ではブレード６自
体の重量が大きくなり、たわみが発生することが考えら
れる。そのため図５に示すようにブレードをハニカム状
あるいはメッシュ状にして軽量化をはかることも可能で
ある。また、同時に本構造ではウエハ１４とブレード６
の接触面積が小さくなることから、ウエハ１４がブレー
ド６上に置かれた際の冷却速度が遅くなり、温度の不均
一さが出にくくなるメリットも得られる。なお、本実施
の形態ではスリット１７を２個設けた例を示したが、２
本以上の複数のスリットであっても同様の効果を奏す
る。またブレード６の形状を円形の例で示したが円形に
限らず、ウエハ形状に倣ったものであればよいことは言
うまでもない。

【００２９】実施の形態５．次に、本発明の実施の形態
５について、図７を用いて説明する。本図は反応室１で
の処理終了後、ウエハ１４をリフト機構をなすリフトピ
ン１５で持ち上げた状態を示す。そしてステージ３は冷
却機構１９をオンしている。本図の状態で保持した場
合、ウエハ１４は時間とともに冷却される。次に冷却さ
れた状態にて、ブレード６上にウエハ１４を置く様にす
ることによりウエハ１４の面内での温度差が軽減され
る。ここで、保持時間が長いほどダメージの低減に対し
ては効果的であるが、搬送時間を含めたトータルの処理
時間が長くなるため冷却速度を速めることが望ましい。
ウエハ１４の温度は反応室１の壁の温度が低く、リフト
ピン１５で持ち上げる高さが高いほど速やかに、かつ、
最終の温度も低くなる。従って最終的にブレード６の上
にウエハ１４が置かれる段階でウエハ面内の温度差が小
さくなるためには、反応室壁の温度が低くリフトピン１
５で持ち上げる高さが高く、また、ウエハ１４の保持の
時間が長いほど効果が高い。図８は反応室１の壁の温度
が６０℃、ステージ温度が３５０℃、ステージ３と反応
室１の上面の壁との距離が４ｃｍでさらにリフトピン１
５で３ｃｍウエハ１４を持ち上げた場合のウエハ保持時
間とウエハ温度の関係を示している。図より２０秒程度
ウエハを保持することにより、ウエハ温度が１００℃程
度低下していることが判る。なおここで示した図７で
は、ステージ３内に加熱、冷却機構を設けた実施例を示
したが、搬送室２に加熱、冷却機構を設けたものであれ
ば、さらに熱ストレスの少ない、スループットの高い半
導体デバイスが得られる。

【００３０】実施の形態６．次に、本発明の実施の形態
６について、図９を用いて説明する。図９に示すように
リフトピン１５においてウエハ１４を持ち上げた後、ブ
レード６をウエハ１４とステージ３の間に挿入した状態
で一定時間待機させると、ステージ３からウエハ１４へ
の輻射がブレード６によって遮断されるため、ウエハ１
４の冷却速度を速めることができるだけでなく、ブレー
ド６の温度が上昇し、ウエハ１４とブレード６の温度差
が小さくなるためさらに一層効果的である。本例におけ
るウエハ保持時間とウエハ温度の関係を図１０に示す。
１５秒程度ウエハを保持することにより、ウエハとブレ
ードの温度差が１００℃程度小さくなっていることが判
る。また、ステージ３に冷却機構、搬送室２に加熱、冷
却機構を設けるとさらに効果が上がることは言うまでも
ない。

【００３１】実施の形態７．前記実施の形態３および実
施の形態４において反応室１にたとえばガス導入管９よ
りガスを導入することにより、ガスによる冷却の効果が
加わり、ウエハ１４の冷却速度を速めることができる。
また、反応室１の壁の材質やブレード６の材質として輻
射係数の高い材質を用いることやブレード６の熱容量を
小さくすることも冷却速度を速めるために有効である。

【００３２】実施の形態８．次に本発明の実施の形態８
について述べる。従来技術の図１１で説明したように、
反応室１にて熱処理した後のウエハ１４をブレード６上
に載置すると、図１８に示したようにブレード６とウエ
ハ１４との熱伝達により両者の接触面のウエハは低温と
なり、接触しない面は高温であり、熱ストレスが境界面
１４ａにて発生する。この場合、ブレード６の材質は従
来一般にアルミナセラミックや、アルミ合金にアルミナ
セラミックコーティングされたものが使用されていた。
それらの材質は熱伝導率が比較的大きい為に前記のよう
な熱境界面１４ａを生じさせている。本発明の実施の形
態８ではこの点に鑑みてなされたものでブレード６の材
質を従来のものに比較して数桁低い熱伝導率を有するも
のを選定した。つまり本実施の形態８では、ブレード６
の材質を機械的、熱的性能、加工性等も配慮して、酸化
ジルコニウム系セラミックスまたはポリイミド樹脂を主
成分としたベスペル（デュポン社製品名）としたもので
ある。これらの材質によって形成されたブレード６はそ
の形状を従来例で示したものや、本発明の実施の形態４
で示したウエハ４の形状を倣うもののいずれであって
も、言い換えればブレード６の形状の如何を問わず、そ
の熱伝導率の低い性能を有することから従来の如く熱境
界面１４ａを生じさせずその結果熱ストレスを低減させ
た半導体デバイスを得ることが可能である。なお、この
材質のブレード６に、実施の形態４で示した形状つまり
ウエハ形状を倣いスリットを有する形状を採用すること
で、さらに優れた効果を奏することは言うまでもない。

【００３３】

【発明の効果】この発明は以上述べたように構成されて
いるので、以下に示すような効果を奏する。

【００３４】ウエハを移送するブレードのウエハを載置
する部分の形状が、ウエハがブレードに全面に接触する
ようウエハ形状を倣ったものであるとともに、複数のス
リットが設けられこのスリット幅を２０ｍｍ以下とした
ので、ウエハの熱処理後ブレード上にウエハを載置した
とき、ウエハ面内での温度分布がほぼ均一となりウエハ
の割れを防ぐとともに、熱歪みによるウエハのダメージ
を低減した高品質の半導体デバイスが得られるという優
れた効果を奏する。

【００３５】またブレードがハニカム構造で形成されて
いるので、ブレード上に熱処理後のウエハが載置された
とき、ウエハの冷却速度が遅くなり面内での不均一な温
度分布が低減される。

【００３６】またブレード材質を酸化ジルコニウム系セ
ラミックスまたはポリイミド樹脂としたので、これら材
質の熱伝導率が低い特性から、熱処理後のウエハを載置
したとき冷却速度が遅くなり、面内での不均一な温度分
布が低減できる。

【００３７】また、反応室のステージには、加熱、冷却
機構が設けられているので、熱処理後のウエハを昇温し
たブレードで載置でき、同様の効果を奏する。

【００３８】また、ウエハを熱処理後ステージに設けら
れたリフトピンによってウエハをリフトアップして冷却
し、その後ブレードに載置、移送する製造方法であるの
で、ウエハの熱ストレスによる損傷を防止できる。

【００３９】また、ウエハを熱処理後リフトピンでウエ
ハをリフトアップし、ブレードをウエハとステージ間に
挿入してウエハの冷却を促進させるとともに、ブレード
をステージからの輻射熱で昇温させる製造方法であるの
で、同様の効果を奏する。

【００４０】また、ウエハを熱処理後ウエハをリフトア
ップし、反応室内に冷却用ガスを導入する製造方法を採
用しているので、ウエハの冷却をより促進し、スループ
ットの高い、熱ストレスによる損傷を防止した半導体デ
バイスを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１の製造装置を示す図
である。

【図２】 この発明の実施の形態２の製造装置を示す図
である。

【図３】 この発明の実施の形態３の製造装置を示す図
である。

【図４】 この発明の実施の形態４の製造装置のブレー
ドを示す図である。

【図５】 この発明の実施の形態４の製造装置のブレー
ドを示す図である。

【図６】 ブレード上に載置されたウエハの温度分布を
示す図である。

【図７】 この発明の実施の形態５の製造方法を示す図
である。

【図８】 この発明の実施の形態５によるウエハをリフ
トアップしたときの保持時間とウエハ温度を示す図であ
る。

【図９】 この発明の実施の形態６による製造方法を示
す図である。

【図１０】 この発明の実施の形態６によるウエハ保持
時間とウエハ、ブレード温度を示す図である。

【図１１】 従来の半導体デバイスの製造装置を示す図
である。

【図１２】 従来の半導体デバイスの製造シーケンスを
示す図である。

【図１３】 従来の半導体デバイスの製造シーケンスを
示す図である。

【図１４】 従来の半導体デバイスの製造シーケンスを
示す図である。

【図１５】 従来の半導体デバイスの製造シーケンスを
示す図である。

【図１６】 従来の半導体デバイスの製造シーケンスを
示す図である。

【図１７】 従来の半導体デバイスの製造シーケンスを
示す図である。

【図１８】 従来のブレード上にウエハが載置された際
の温度分布を示す概略図である。

【符号の説明】

１ 反応室、２ 搬送室、３ ステージ、４，４ａ 加
熱機構、６ ブレード、１４ ウエハ、１４ａ 境界
面、１５ リフトピン、１７ スリット、１９，１９ａ
冷却機構。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 誠治 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 緒方 健一 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 Ｆターム(参考） 5F004 AA16 BB25 BB26 BC05 BC06 BD01 5F045 BB11 EB08 EJ02 EK07 EN04

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウエハを熱処理する半導体デバイ
   スの製造装置であって、前記ウエハを熱処理する反応室
   と、前記ウエハを反応室に移送するための搬送室とを有
   し、前記搬送室には前記ウエハを載置して前記反応室に
   移送するブレードが設けられており、前記ブレードの前
   記ウエハを載置する部分の形状が前記ウエハが全面に接
   触するよう前記ウエハの形状を倣ったものであるととも
   に複数のスリットが設けられており、前記スリットの幅
   を２０ｍｍ以下とすることを特徴とする半導体デバイス
   の製造装置。
2. 【請求項２】 ブレードがハニカム構造で形成されてい
   ることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの
   製造装置。
3. 【請求項３】 半導体ウエハを熱処理する半導体デバイ
   スの製造装置であって、前記ウエハを熱処理する反応室
   と、前記ウエハを反応室に移送するための搬送室とを有
   し、前記搬送室には前記ウエハを載置して前記反応室に
   移送するブレードが設けられており、前記ブレードの材
   質が酸化ジルコニウム系セラミックスであることを特徴
   とする半導体デバイスの製造装置。
4. 【請求項４】 半導体ウエハを熱処理する半導体デバイ
   スの製造装置であって、前記ウエハを熱処理する反応室
   と、前記ウエハを反応室に移送するための搬送室とを有
   し、前記搬送室には前記ウエハを載置して前記反応室に
   移送するブレードが設けられており、前記ブレードの材
   質がポリイミド樹脂であることを特徴とする半導体デバ
   イスの製造装置。
5. 【請求項５】 ブレードの材質が酸化ジルコニウム系セ
   ラミックスであることを特徴とする請求項１または２に
   記載の半導体デバイスの製造装置。
6. 【請求項６】 ブレードの材質がポリイミド樹脂である
   ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体デバ
   イスの製造装置。
7. 【請求項７】 半導体ウエハを熱処理する半導体装置の
   製造装置であって、前記ウエハを熱処理する反応室と、
   前記ウエハを反応室に移送するための搬送室とを有し、
   前記搬送室には前記ウエハを載置し前記反応室に移送す
   るブレードが設けられるとともに、前記反応室には前記
   ウエハを載置、保持するステージと、前記ステージを加
   熱、冷却する加熱機構および冷却機構が備えられている
   ことを特徴とする半導体デバイスの製造装置。
8. 【請求項８】 半導体ウエハを熱処理する半導体デバイ
   スの製造装置であって、前記ウエハを熱処理する反応室
   と、前記ウエハを反応室に移送するための搬送室とを有
   し、前記搬送室には前記ウエハを載置し前記反応室に移
   送するブレードが設けられるとともに、前記搬送室には
   前記ブレードおよび搬送室を加熱、冷却する加熱機構お
   よび冷却機構が備えられていることを特徴とする半導体
   デバイスの製造装置。
9. 【請求項９】 搬送室には、ブレードおよび搬送室を加
   熱、冷却する加熱機構および冷却機構が備えられている
   ことを特徴とする請求項７に記載の半導体デバイスの製
   造装置。
10. 【請求項１０】 ブレードの材質が酸化ジルコニウム系
    セラミックスであることを特徴とする請求項７〜９のい
    ずれか１項に記載の半導体デバイスの製造装置。
11. 【請求項１１】 ブレードの材質がポリイミド樹脂であ
    ることを特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載
    の半導体デバイスの製造装置。
12. 【請求項１２】 ブレードのウエハを載置する部分の形
    状が、前記ウエハが全面に接触するよう前記ウエハの形
    状を倣ったものであるとともに複数のスリットが設けら
    れており、前記スリットの幅が２０ｍｍ以下であること
    を特徴とする請求項７〜９のいずれか１項に記載の半導
    体デバイスの製造装置。
13. 【請求項１３】 ブレードがハニカム構造で形成されて
    いることを特徴とする請求項１２に記載の半導体デバイ
    スの製造装置。
14. 【請求項１４】 ブレードの材質が酸化ジルコニウム系
    セラミックスであることを特徴とする請求項１２または
    請求項１３に記載の半導体デバイスの製造装置。
15. 【請求項１５】 ブレードの材質がポリイミド樹脂であ
    ることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載
    の半導体デバイスの製造装置。
16. 【請求項１６】 半導体ウエハを熱処理する半導体製造
    装置を使用した半導体デバイスの製造方法において、前
    記半導体製造装置には半導体ウエハを熱処理する反応室
    と、ウエハを反応室に移送するための搬送室と、前記搬
    送室にはウエハを載置して前記反応室に移送するブレー
    ドと、前記反応室には前記ウエハを載置、保持するステ
    ージと、前記ステージを加熱、冷却する加熱機構および
    冷却機構とが設けられているとともに、前記ステージに
    は前記ウエハをリフトアップするリフトピンが備えられ
    ており、前記反応室で前記ウエハを熱処理後に前記ウエ
    ハを冷却し、その後前記ブレードに載置して前記搬送室
    に移送することを特徴とする半導体デバイスの製造方
    法。
17. 【請求項１７】 ウエハを冷却する時間が２０秒以上と
    することを特徴とする請求項１６に記載の半導体デバイ
    スの製造方法。
18. 【請求項１８】 ウエハの熱処理後にウエハをリフトピ
    ンによってリフトアップし、ブレードを前記ウエハとス
    テージ間に挿入して前記ウエハを冷却することを特徴と
    する請求項１６に記載の半導体デバイスの製造方法。
19. 【請求項１９】 ブレードをウエハとステージ間に挿入
    する時間が１５秒以上とすることを特徴とする請求項１
    ８に記載の半導体デバイスの製造方法。
20. 【請求項２０】 リフトピンによってリフトアップして
    ウエハを冷却する際に、反応室内に冷却用ガスを導入し
    てウエハを冷却することを特徴とする請求項１６〜１９
    のいずれか１項に記載の半導体デバイスの製造方法。