KR101333356B1 - 반송 기구 - Google Patents

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KR101333356B1
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센쇼 고바야시
마사히토 오자와
요시아키 사사키
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 과제는 아암부 자체의 온도 상승을 억제하여 반송 정밀도를 높게 유지하는 것이 가능한 반송 기구를 제공하는 것이다. 처리 용기(56) 내에서 피처리체(W)에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 피처리체를 반출입시키는 반송 기구로서, 복수의 아암(94, 96, 98)을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부(36A, 36B)와, 아암부의 선단에 연결되어 피처리체를 유지하는 포크부(38A, 38B)와, 아암부 중에서 처리 용기 내로 침입하는 부분에 마련한 열차폐판(104)을 구비한다. 이것에 의해, 아암부 자체의 온도 상승을 억제하여 반송 정밀도를 높게 유지한다.

Description

반송 기구{TRANSFER MECHANISM}
본 발명은 판 형상의 반도체 웨이퍼 등의 피처리체를 처리 장치 등으로 반송하는 반송 기구에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 디바이스 등을 제조하기 위해서는, 판 형상의 반도체 웨이퍼나 유리 기판 등의 피처리체에 대해서, 성막 처리, 에칭 처리, 산화 확산 처리, 개질(改質) 처리 등 각종 처리를 반복하여 실시할 필요가 있다. 예를 들면 매엽식 처리 장치에서 복수 종류의 처리를 실시하는 경우에는, 내부에 반송 기구를 구비한 공통 반송실의 주위에, 복수의 처리 장치를 게이트 밸브를 거쳐서 연결하고 있다(예를 들면 특허문헌 1). 그리고, 상기 공통 반송실 내의 반송 기구를 이용하여, 반도체 웨이퍼를 상기 각 처리 장치를 향하여 순서대로 반송하여 반도체 웨이퍼에 대해서 순차적으로 원하는 처리를 실시하도록 되어 있다.
여기서 종래의 반송 기구에 의해 처리 장치에 대해서 반도체 웨이퍼를 반송할 때의 상황에 대하여 설명한다. 도 12는 종래의 반송 장치와 처리 장치의 위치 관계를 나타내는 개략 구성도이다. 도 12에 도시하는 바와 같이, 처리 장치(2)는, 진공 배기가 가능하게 이루어진 처리 용기(4)를 가지고 있으며, 이 처리 용기(4) 내에는, 그 위에 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하기 위한 탑재대(6)가 마련되어 있다. 이 탑재대(6)에는, 저항 가열 히터 등으로 이루어지는 가열 수단(8)이 마련되어 있어, 탑재되는 반도체 웨이퍼(W)를 가열하도록 되어 있다.
상기 처리 용기(4)의 천정부에는, 상기 탑재대(6)에 대향하여 샤워헤드(10)가 마련되어 있어, 처리 용기(4) 내로 필요한 가스를 도입할 수 있도록 되어 있다. 또한 처리 용기(4)의 측벽에는, 반도체 웨이퍼(W)의 반출입구(12)가 마련되어 있고, 이 반출입구(12)에는, 게이트 밸브(G)를 거쳐서 진공 반송실(도시 생략)이 마련되어 있다. 그리고, 이 진공 반송실 내에 반도체 웨이퍼(W)를 반출입시키는 반송 기구(14)가 마련되어 있다.
이러한 반송 기구(14)는, 굴신(屈伸) 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부(16)와, 이 아암부(16)의 선단에 연결된 포크부(18)에 의해 이루어져 있다. 그리고, 이 포크부(18)를 포함한 아암부(16)의 일부를 상기 반출입구(12)로부터 처리 용기(4) 내로 침입시키는 것에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 반출입시키도록 되어 있다. 또한, 여기서 반도체 웨이퍼(W)를 탑재대(6)상에 탑재시키려면, 승강 핀(도시 생략)을 승강시키도록 되어 있다.
일본 공개 특허 제 2004-160613 호 공보
그런데, 상술한 바와 같이 반도체 웨이퍼의 반출입에 수반하여 반송 기구(14)의 아암부(16)를 처리 용기(4) 내로 반복 침입시키면, 가열 수단(8)의 열에 의해서 고온 상태가 된 탑재대(6)로부터의 복사열에 의해서 아암부(16)의 선단측이 상당한 고온 상태, 예를 들어 프로세스 조건에도 따르지만 300℃ 정도까지의 고온 상태가 되는 것은 피할 수 없다. 이 때문에, 아암부(16) 자체가 열팽창하여 휨 현상이 발생하거나, 아암부(16) 내에 마련되어 있는 선회를 위한 타이밍 벨트의 텐션 등도 변화한다. 이 결과, 1회의 동작에 ±0.05㎜ 이내의 높은 반송 정밀도를 가지는 아암부(16)의 반송 정밀도가 저하하는 문제가 있었다.
본 발명은, 이상과 같은 문제점에 착안하여, 이것을 유효하게 해결할 수 있도록 창안된 것이다. 본 발명은 아암부 자체의 온도 상승을 억제하여 반송 정밀도를 높게 유지하는 것이 가능한 반송 기구이다.
청구항 1의 발명은, 처리 용기 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 상기 피처리체를 반출입시키는 반송 기구로서, 복수의 아암을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부와, 상기 아암부의 선단에 연결되어 상기 피처리체를 유지하는 포크부와, 상기 아암부 중에서 상기 처리 용기 내로 침입하는 부분에 마련한 열차폐판을 구비한 것을 특징으로 하는 반송 기구이다.
이와 같이, 처리 용기 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 피처리체를 반출입시키는 반송 기구에 있어서, 복수의 아암을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부의 선단에 피처리체를 유지하는 포크부를 연결하여, 아암부 중에서 처리 용기 내로 침입하는 부분에 열차폐판을 마련하도록 했으므로, 아암부 자체의 온도 상승을 억제하여 반송 정밀도를 높게 유지하는 것이 가능해진다.
청구항 5의 발명은, 처리 용기 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 상기 피처리체를 반출입시키는 반송 기구로서, 복수의 아암을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부와, 상기 아암부의 선단에 연결되어 상기 피처리체를 유지하는 포크부와, 상기 아암부의 표면에 형성된 열차폐층을 구비한 것을 특징으로 하는 반송 기구이다.
이와 같이, 처리 용기 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 피처리체를 반출입시키는 반송 기구에 있어서, 복수의 아암을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부의 선단에 피처리체를 유지하는 포크부를 연결하고, 아암부의 표면에 열차폐층을 형성하도록 했으므로, 아암부 자체의 온도 상승을 억제하여 반송 정밀도를 높게 유지하는 것이 가능해진다.
청구항 16의 발명은, 처리 용기 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 상기 피처리체를 반출입시키는 반송 기구로서, 복수의 아암을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부와, 상기 아암부의 선단에 연결되어 상기 피처리체를 유지하는 포크부와, 상기 아암부 중에서 상기 처리 용기 내로 침입하는 부분에 마련한 열차폐판과, 상기 아암부의 표면에 형성된 열차폐층을 구비한 것을 특징으로 하는 반송 기구이다.
이와 같이, 처리 용기 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 피처리체를 반출입시키는 반송 기구에 있어서, 복수의 아암을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부의 선단에 피처리체를 유지하는 포크부를 연결하고, 아암부 중에서 처리 용기 내로 침입하는 부분에 열차폐판을 마련하고, 또한 아암부의 표면에 열차폐층을 형성했으므로, 아암부 자체의 온도 상승을 억제하여 반송 정밀도를 높게 유지하는 것이 가능해진다.
본 발명에 따른 반송 기구에 의하면, 다음과 같은 뛰어난 작용 효과를 발휘할 수 있다. 청구항 1 및 이것을 인용하는 청구항에 따른 발명에 의하면, 처리 용기 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 피처리체를 반출입시키는 반송 기구에 있어서, 복수의 아암을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부의 선단에 피처리체를 유지하는 포크부를 연결하고, 아암부 중에서 처리 용기 내로 침입하는 부분에 열차폐판을 마련하도록 했으므로, 아암부 자체의 온도 상승을 억제하여 반송 정밀도를 높게 유지할 수 있다.
청구항 5 및 이것을 인용하는 청구항에 따른 발명에 의하면, 처리 용기 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 피처리체를 반출입시키는 반송 기구에 있어서, 복수의 아암을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부의 선단에 피처리체를 유지하는 포크부를 연결하고, 아암부의 표면에 열차폐층을 형성하도록 했으므로, 아암부 자체의 온도 상승을 억제하여 반송 정밀도를 높게 유지할 수 있다.
청구항 16 및 이것을 인용하는 청구항에 따른 발명에 의하면, 처리 용기 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 피처리체를 반출입시키는 반송 기구에 있어서, 복수의 아암을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부의 선단에 피처리체를 유지하는 포크부를 연결하고, 아암부 중에서 처리 용기 내로 침입하는 부분에 열차폐판을 마련하고, 또한 아암부의 표면에 열차폐층을 형성했으므로, 아암부 자체의 온도 상승을 억제하여 반송 정밀도를 높게 유지할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 반송 기구를 갖는 일반적인 처리 시스템의 일례를 도시하는 개략 평면도,
도 2는 도 1에 도시하는 처리 시스템을 도시하는 개략 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 반송 기구의 제 1 실시예를 도시하는 평면도,
도 4는 열차폐판을 마련한 반송 기구의 아암부의 일부를 도시하는 도면,
도 5는 본 발명의 반송 기구의 제 2 실시예의 아암부의 일부를 도시하는 부분 단면도,
도 6은 제 3 아암을 도시하는 단면도,
도 7은 포크부를 도시하는 평면도,
도 8은 평가에 이용한 반송 기구의 제 2 아암의 부분을 도시하는 개략 사시도,
도 9는 가동 시간과 반송 기구의 아암부의 상하방향으로의 변위량(휨량)을 도시하는 그래프,
도 10은 반송 기구의 아암부의 길이방향으로의 변화를 도시하는 그래프,
도 11은 알루미나층의 복사율과 열방사의 파장의 관계를 도시하는 그래프,
도 12는 종래의 반송 장치와 처리 장치의 위치 관계를 도시하는 개략 구성도.
이하에, 본 발명에 따른 반송 기구의 일 실시예를 첨부 도면에 근거하여 상술한다. 도 1은 본 발명에 따른 반송 기구를 가지는 일반적인 처리 시스템의 일례를 나타내는 개략 평면도, 도 2는 도 1에 나타내는 처리 시스템을 나타내는 개략 단면도, 도 3은 본 발명에 따른 반송 기구의 제 1 실시예를 나타내는 평면도, 도 4는 열차폐판을 마련한 반송 기구의 아암부의 일부를 나타내는 도면이다.
우선, 본 발명에 따른 반송 기구를 가지는 처리 시스템의 일례에 대하여 설명한다. 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 이 처리 시스템(22)은, 진공 처리 가능하게 이루어진 4개의 처리 장치(24A, 24B, 24C, 24D)를 가지고 있다. 이러한 처리 장치(24A 내지 24D)로서는, 성막 처리나 에칭 처리 등의 진공 분위기하에서 실행되는 모든 처리 장치가 적용된다. 이러한 처리 장치(24A 내지 24D)는, 진공 처리 가능하게 이루어진 육각 형상의 트랜스퍼 챔버(26)의 주위에 각각 게이트 밸브(G)를 거쳐서 접속되어 있다. 또한, 이러한 처리 시스템(22)은, 상기 트랜스퍼 챔버(26) 내부에 대하여 그 진공을 파괴하는 일없이 피처리체로서의 반도체 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 로드록 장치(30A, 30B)를 가지고 있으며, 양 로드록 장치 (30A, 30B)는 상기 트랜스퍼 챔버(26)에 각각 게이트 밸브(G)를 거쳐서 접속되어 있다.
그리고, 상기 각 처리 장치(24A 내지 24D) 내에는, 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하기 위한 탑재대(32A 내지 32D)가 각각 마련되어 있다. 또한, 상기 트랜스퍼 챔버(26) 내에는, 반도체 웨이퍼(W)를 반송하기 위해서 굴신 및 선회 가능하게 이루어진 본 발명에 따른 반송 기구(34)가 마련되어, 각 처리 장치(24A 내지 24D) 사이 및 이들과 각 로드록 장치(30A, 30B) 사이에서 반도체 웨이퍼(W)를 이송 탑재할 수 있도록 되어 있다. 구체적으로는, 이 반송 기구(34)는, 상술한 바와 같이 굴신 및 선회 가능하게 이루어진 2개의 아암부(36A, 36B)와, 이러한 아암부(36A, 36B)의 각 선단에 마련된 포크부(38A, 38B)에 의해 주로 구성되어 있으며, 이러한 포크부(38A, 38B) 상에 반도체 웨이퍼(W)를 직접적으로 탑재 유지하여, 상술한 바와 같이 반송할 수 있도록 되어 있다. 이 반송 기구(34)의 상세한 내용에 대하여는 후술한다.
또한 각 로드록 장치(30A, 30B) 내에는, 반도체 웨이퍼(W)를 일시적으로 유지하기 위해서 베이스대(40A, 40B)가 각각 마련되어 있다. 또한 상기 로드록 장치(30A, 30B)의 반대측에는, 각각 게이트 밸브(G)를 거쳐서 횡장(橫長)의 로드 모듈(42)이 장착되며, 이 로드 모듈(42)의 한쪽에는, 복수매의 반도체 웨이퍼를 수용할 수 있는 카세트(도시 생략)를 탑재하는 I/O 포트(44)가 마련되어 있다. 그리고, 이 로드 모듈(42) 내에는, 굴신 및 선회 가능하게 이루어진 대기측 반송 기구(46)가 마련되어 있다.
이 대기측 반송 기구(46)는, 상술한 바와 같이 굴신 및 선회 가능하게 이루어진 2개의 아암부(48)와, 이 아암부(48)의 선단에 마련된 2개의 포크부(50)에 의해 주로 구성되어 있으며, 이러한 포크부(50) 상에 반도체 웨이퍼(W)를 직접적으로 탑재 유지하여 반송할 수 있도록 되어 있다. 또한, 이 대기측 반송 기구(46)는 안내 레일(52)을 따라서 그 길이방향으로 이동 가능하게 되어 있다. 그리고, 이 로드 모듈(42)의 일단부에는, 반도체 웨이퍼(W)의 위치 맞춤 및 방향 부여를 행하는 오리엔터(54)가 마련되어 있어, 처리 장치(24A 내지 24D)에 반도체 웨이퍼(W)를 반입하기 전에, 여기서 반도체 웨이퍼(W)의 위치 맞춤 및 방향 부여를 실행하도록 되어 있다.
<처리 장치 및 본 발명의 반송 기구의 제 1 실시예를 갖는 트랜스퍼 챔버>
여기서 도 2를 참조하여 각 처리 장치 및 본 발명의 반송 기구의 제 1 실시예를 갖는 트랜스퍼 챔버에 대해 설명한다. 또한, 도 2 중에 있어서, 4개의 처리 장치(24A 내지 24D)를 대표하여 처리 장치(24A)를 도시하고 있으며, 그 안에 탑재대(32A)가 마련되어 있다.
이 처리 장치(24A)는, 예를 들어 알루미늄 합금 등에 의해 상자 형상으로 성형된 처리 용기(56)를 가지고 있다. 이 처리 용기(56) 내에 마련되는 상기 탑재대(32A)는 용기 바닥부로부터 기립된 지주(58)의 상단에 장착되어 있다. 이 탑재대(32A) 내에는, 예를 들어 저항 가열 히터로 이루어지는 가열 수단(60)이 매설되도록 마련되어 있어, 탑재대(32A)상에 탑재한 반도체 웨이퍼(W)를 소정의 온도로 가열할 수 있도록 되어 있다. 이 가열 수단(60)에 의해, 후술하는 바와 같이 반송 기구(34)의 아암부(36A, 36B)도 가열되게 된다. 또한, 이 탑재대(32A)상에는, 반도체 웨이퍼(W)의 반출입시에 이 반도체 웨이퍼(W)를 밀어 올리거나, 끌어내리는 리프터 기구(62)가 마련된다.
이 리프터 기구(62)는, 3개(도시예에서는 2개만 기재함)의 승강 핀(64)을 가지고 있고, 각 승강 핀(64)의 하단부는 원호 형상으로 된 승강판(66)에 의해 공통으로 지지되어 있다. 그리고, 이 승강판(66)은 용기 바닥부를 관통하여 마련한 승강 로드(도시 생략)의 상단에서 지지되는 동시에, 이 승강 로드는 액추에이터(도시 생략)에 의해 승강 가능하도록 되어 있다.
그리고, 상기 탑재대(32A)에는, 상기 승강 핀(64)을 삽입 통과시키기 위한 핀 삽입 통과 구멍(68)이 마련되어 있어, 반도체 웨이퍼(W)의 반출입시에 상기 승강 핀(64)을 승강시켜서, 이 핀 삽입 통과 구멍(68)으로부터 상방으로 출몰시킬 수 있도록 되어 있다. 또한 처리 용기(56)의 천정부에는, 예를 들어 샤워헤드로 이루어지는 가스 공급 수단(70)이 마련되어 있어, 처리 용기(56) 내에 필요한 가스를 공급하도록 되어 있다. 이 가스 공급 수단(70)은 샤워헤드에 한정되지 않는 것은 물론이다.
또한 용기 바닥부에는 배기구(72)가 마련되어 있고, 이 배기구(72)에는, 처리 용기(56) 내의 분위기를 배기하기 위한 배기 수단(74)이 마련된다. 상기 배기 수단(74)은 용기 내의 압력을 조정하는 압력 조정 밸브 및 진공 펌프(도시 생략)를 가지고 있다. 이 처리 용기(56)의 측벽에는, 반도체 웨이퍼(W)의 반출입구(76)가 마련되어 있고, 이 반출입구(76)는 게이트 밸브(G)를 거쳐서 상기 트랜스퍼 챔버(26)에 연결되어 있다. 이와 같이 형성된 처리 장치(24A) 내에서, 예를 들어 성막 처리 등의 열처리를 실행하도록 되어 있다.
또한, 다른 처리 장치(24B 내지 24D)로서는, 필요에 따라서 반도체 웨이퍼(W)에 대해서 실시해야 할 각종 처리에 대응한 처리 장치가 이용되며, 또한 플라즈마 처리 장치도 이용할 수 있다. 여기서 상기 열처리란, 반도체 웨이퍼(W)의 처리 결과, 반도체 웨이퍼 자체 및 탑재대(32A)가 고온이 되는 상태의 처리를 모두 포함하며, 플라즈마의 유무에 직접적으로는 관계하지 않는다.
그리고, 상기 트랜스퍼 챔버(26)는 알루미늄이나 알루미늄 합금 등에 의해 상자 형상으로 성형된 트랜스퍼용 용기(80)를 가지고 있다. 이 트랜스퍼용 용기(80)의 측벽에는, 상기 각 처리 장치(24A 내지 24B) 및 각 로드록 장치(30A, 30B)에 대응하여 반도체 웨이퍼를 반출입시키는 반출입구(82)가 형성되어 있고, 여기에 게이트 밸브(G)를 거쳐서 상기 각 장치가 연결되어 있다.
이 트랜스퍼용 용기(80)에는, 가스 도입구(84) 및 가스 배출구(86)가 마련되어 있어, 이 가스 도입구(84)를 거쳐서 불활성 가스로서 예를 들어 N2 가스를 도입할 수 있도록 되어 있는 동시에, 상기 가스 배출구(86)로부터 내부 분위기를 진공 처리할 수 있도록 되어 있다. 이 트랜스퍼 챔버(26) 내부는 가동시에는 상시 진공 분위기로 되어 있다.
그리고, 이 트랜스퍼 챔버(26) 내에, 상기한 바와 같이 본 발명에 따른 상기 반송 기구(34)가 마련된다. 이 반송 기구(34)의 기본 구조는, 예를 들어 일본 특허 공개 제 2005-229087 호 공보 등에 개시되어 있다. 구체적으로는, 도 3 및 도 4에도 도시하는 바와 같이, 이 반송 기구(34)는, 상기한 바와 같이, 여기에서는 2개의 아암부(36A, 36B)와, 이러한 선단에 연결한 포크부(38A, 38B)를 주로 가지고 있다. 여기서 도 3의 (A)는 양쪽 아암부(36A, 36B)가 모두 축소 후퇴하여 있는 상태를 도시하며, 도 3의 (B)는 한쪽 아암부가 신장하여 있는 경우를 도시하고 있다.
구체적으로는, 상기 각 아암부(36A, 36B)는, 구동축(88)을 거쳐서 회전 가능하게 용기 바닥부에 마련된 회전 기대(90)에 선회 가능하게 각각 장착되어 있다. 이 구동축(88)은, 예를 들어 2축 구조로 이루어져 있어, 모터로 이루어지는 구동원(92)에 의해 별개 독립적으로 회전 구동된다. 이러한 2축 구조의 구동축(88)의 한쪽 축은 상기 회전 기대(90)에 연결되어, 이것을 회전 구동하도록 되어 있다. 상기 각 아암부(36A, 36B)는, 그 기단부측으로부터 제 1 아암(94), 제 2 아암(96) 및 제 3 아암(98)을 이러한 순서로 서로 굴곡 가능하게 직렬로 연결하여 각각 형성되어 있으며, 수평 방향을 향하여 신축할 수 있도록 되어 있다.
그리고, 상기 제 1 아암(94)의 기단부가 상기 회전 기대(90)에 회전 가능하게 지지되어 있다. 이 회전 기대(90)에는, 상기 2축 구조의 다른쪽 구동축에 연결된 구동 아암(97)이 장착되어 있다. 이 구동 아암(97)의 선단부와 상기 각 아암부(36A, 36B)의 제 1 아암(94)의 길이방향의 중앙부 사이에 종동 아암(100)(도 3 참조)이 걸쳐져 있으며, 이 종동 아암(100)의 양단부는 회전 가능하게 축지지되어 있다. 따라서, 후술하는 바와 같이, 상기 회전 기대(90)를 선회시키는 것에 의해서 포크부(38A, 38B)가 방향 부여를 실시하고, 상기 구동 아암(97)을 좌우로 선회시키는 것에 의해서, 상기 2개의 아암부(36A, 36B)를 교대로 선택적으로 신축할 수 있도록 되어 있다. 도 2에 있어서는, 주로 한쪽 아암부(36A)를 나타내고 있지만, 다른쪽 아암부(36B)도 이와 같이 형성되어 있다.
여기서, 상기 제 1 아암(94) 및 제 2 아암(96)은 알루미늄이나 알루미늄 합금 등에 의해 가늘고 긴 상자 형상으로 성형된 아암 케이스(99)를 가지고 있으며, 이 아암 케이스(99)의 내부의 양단측에 풀리(101A, 101B 및 101C, 101D)가 각각 마련된다. 그리고, 선회 중심측의 풀리(101A, 101C)는, 각각 제 1 아암(94) 및 제 2 아암(96)의 아암 케이스(99)에 고정되며, 반대측의 풀리(101B, 101D)는 회전축(105B, 105C)을 거쳐서 각각 아암 케이스(99)에 회전 가능하게 마련된다. 또한 회전 기대(90)의 상부에는, 구동원(92)으로부터의 구동력에 의해 회전되는 회전축(105A)이 마련되며, 이 회전축(105A)이 제 1 아암(94)의 기단부측에 고정되어 있다.
그리고, 이러한 풀리(101A, 101B) 사이 및 풀리(101C, 101D) 사이에는 타이밍 벨트(103A, 103B)가 각각 걸쳐져 있어, 구동력을 각 아암부(36A, 36B)의 선단측까지 전달하도록 되어 있다.
또한 제 3 아암(98)은 알루미늄이나 알루미늄 합금 등에 의해 짧은 판 형상으로 형성되어 있으며, 이 선단에 연결 부재(102)를 거쳐서 상기 포크부(38A), 혹은 포크부(38B)가 연결되어 있다. 상기 포크부(38A, 38B)는, 두 갈래로 갈라진 형상으로 성형되어 있으며, 그 재료는 예를 들어 알루미나나 질화 알루미늄이나 실리콘 카바이드와 같은 세라믹재로 이루어진다. 또한 상기 연결 부재(102)는 열전도율이 낮은 저열전도 부재, 예를 들어 알루미나에 첨가제를 가하는 등 가공성을 향상시키도록 한 머신어블 세라믹(machinable ceramic)재를 이용할 수 있다.
여기서 상기 각 부재의 치수는, 처리해야 할 반도체 웨이퍼(W)의 직경이 예를 들어 300㎜의 경우에는, 제 1 아암(94)은 길이가 370㎜ 정도, 두께가 10㎜ 내지 20㎜ 정도, 폭이 90㎜ 내지 100㎜ 정도이며, 제 2 아암(96)은 길이가 370㎜ 정도, 두께가 10㎜ 내지 20㎜ 정도, 폭이 80㎜ 내지 90㎜ 정도이며, 제 3 아암(98)은 길이가 150㎜ 정도, 두께가 5㎜ 내지 10㎜ 정도, 폭이 80㎜ 내지 90㎜ 정도이다.
그리고, 이와 같이 형성된 각 아암부(36A, 36B) 내에, 상기 처리 용기(56) 내로 침입하는 부분에 본 발명이 특징으로 하는 열차폐판(104)이 마련되어 있어, 탑재대(32A)측으로부터 전달되는 주로 복사열을 차단하도록 되어 있다. 구체적으로는, 도 2 내지 도 4에 도시하는 바와 같이, 여기에서는 제 2 아암(96)의 선단, 즉 제 3 아암(98)측의 선단에 마련하고 있다. 이 때의 상태는 도 4에 도시하고 있으며, 도 4의 (A)는 상면도를 도시하고, 도 4의 (B)는 측단면도를 도시하며, 도 4의 (C)는 하면도를 도시하고 있다. 도 4에서는, 상기 열차폐판(104)으로서 제 2 아암(96)의 선단부의 측면 전체를 둘러싸서 덮도록 측면용 열차폐판(104A)을 마련하는 동시에, 이 제 2 아암(96)의 선단부의 하면 전체를 덮도록 하면용 열차폐판(104B)을 마련하고 있다.
상기 측면 열차폐판(104A)은 도시하는 바와 같이 U자 형상으로 성형되어 있으며, 제 2 아암(96)의 측면으로부터 약간, 예를 들어 1㎜ 내지 5㎜ 정도만큼 떨어져서, 그 양단에 스페이서 부재(106)를 개재시켜 핀(108)에 의하여 제 2 아암(96)에 장착 고정하고 있다. 또한, 하면용 열차폐판(104B)은 판 형상으로 성형되어 있으며, 제 2 아암(96)의 하면으로부터 약간, 예를 들면 1㎜ 내지 5㎜ 정도만큼 떨어져서, 스페이서 부재(110)를 개재시켜 핀(112)에 의해 제 2 아암(96)에 장착 고정하고 있다. 여기에서는 상기 열차폐판(104)은 아암부(36A)를 신장했을 때에 게이트 밸브를 경계로 하여, 이 게이트 밸브(G)보다도 처리 용기(56) 내로 침입한 부분에 마련되어 있게 된다. 상기 열차폐판(104)으로서는, 열용량이 작은 재료, 예를 들어 알루미늄이나 알루미늄 합금이나 스테인리스강 등의 금속판, 혹은 산화 알루미늄이나 알루미나 등의 세라믹재를 이용할 수 있다.
또한, 이 열차폐판(104)의 표면은 복사열을 반사하기 용이하도록 연마 가공에 의해 미러면으로 하여 두는 것이 좋다. 이 열차폐판(104)의 두께는 0.5㎜ 내지 2㎜ 정도이며, 또한 제 2 아암(96)의 선단을 덮는 길이(L1)는 제 1 아암(96)의 처리 용기(56) 내로의 침입 길이에도 따르지만, 예를 들어 120㎜ 정도이다. 또한 상기 스페이서 부재(106, 110)는 열전도성이 낮은 재료, 예를 들어 알루미나나 질화 알루미늄 등의 세라믹재를 이용할 수 있다. 여기에서는 상기 열차폐판(104)으로서, 측면용 열차폐판(104A)과 하면용 열차폐판(104B)의 쌍방을 마련했지만, 이것에 한정되지 않으며, 이 중 어느 한쪽만을 마련하도록 해도 좋다. 또한, 여기에서는 주로 한쪽 아암부(36A)를 예로 들어 설명했지만, 상기한 바와 같이 다른쪽 아암부(36B)에도 열차폐판(104, 104A, 104B)이 마찬가지로 마련되어 있는 것은 물론이다.
이어서, 이상과 같은 반송 기구(34)의 동작에 대해 설명한다. 우선, 최초로 처리 시스템(22)에 있어서의 반도체 웨이퍼의 개략적인 흐름에 대해 설명한다. I/O 포트(44)에 마련된 카세트 용기(도시 생략)에서는, 미처리의 반도체 웨이퍼(W)가 대기측 반송 기구(46)에 의해 로드 모듈(42) 내에 반입되고, 이러한 반입된 반도체 웨이퍼(W)는 로드 모듈(42)의 일단부에 마련한 오리엔터(54)로 반송되어, 여기서 위치 결정 및 방향 부여가 이루어진다. 상기 반도체 웨이퍼(W)는 예를 들어 판 형상의 실리콘 기판으로 이루어진다.
위치 결정 등이 이루어진 반도체 웨이퍼(W)는 상기 대기측 반송 기구(46)에 의해 재차 반송되어, 2개의 로드록 장치(30A, 30B) 중 어느 한쪽 로드록 장치 내로 반입된다. 이 로드록 장치 내부가 진공 처리된 후에, 미리 진공 처리된 트랜스퍼 챔버(26) 내의 반송 기구(34)를 이용하여, 상기 로드록 장치 내의 반도체 웨이퍼(W)가 트랜스퍼 챔버(26) 내에 반입된다.
그리고, 이 트랜스퍼 챔버(26) 내로 반입된 미처리의 반도체 웨이퍼는, 본 발명의 반송 기구(34)에 의해서 각 처리 장치(24A 내지 24D)로 필요에 따라서 순서대로 반송되어, 각 처리 장치(24A 내지 24D) 내에서 각각 소정의 처리가 실시되게 된다. 예를 들면 반도체 웨이퍼(W)에 대해서, 성막 처리나 에칭 처리나 산화 확산 처리 등의 열처리가 실시되게 된다. 여기서 실시된 처리의 형태에 따라서는 반도체 웨이퍼(W)는 예를 들어 300℃ 내지 700℃ 정도의 고온 상태로 되어 있다.
이와 같이 하여 실시되어야 할 각종 처리가 모두 실시되어 처리 완료된 반도체 웨이퍼(W)는 반송 기구(34)에 의해 2개의 로드록 장치(30A, 30B) 중 어느 한쪽 로드록 장치 내로 반입된다. 그리고, 이 로드록 장치 내를 대기압 복귀하고, 대기압 복귀후에, 이 로드록 장치 내의 반도체 웨이퍼(W)는 대기측 반송 기구(46)를 이용하여 로드 모듈(42) 내로 반입되며, 또한 I/O 포트(44)의 처리 완료 반도체 웨이퍼 용의 카세트 용기(도시 생략) 내로 수용되게 된다. 그리고, 이상의 동작이 반복하여 행해져서, 반도체 웨이퍼(W)는 연속적으로 처리된다.
여기서 상기 트랜스퍼 챔버(26) 내에서의 반송 기구(34)의 동작에 대하여 자세하게 설명한다. 상기한 바와 같이, 반송 기구(34)의 회전 기대(90)를 회전시키는 것에 의해서 포크부(38A, 38B)가 방향 부여를 실행하여, 구동 아암(97)을 좌우로 회전시키는 것에 의해서 2개의 아암부(36A, 36B)를 교대로 선택적으로 신장시키는 것이 가능하여, 한쪽 아암부가 신장하고 있을 때에는, 다른쪽 아암부는 축소 후퇴 상태를 유지하게 된다. 도 2는 처리 장치(24A)를 일례로서 취하여 도시하고 있으며, 한쪽 아암부(36A)가 신장하여, 개방된 게이트 밸브(G)를 거쳐서 아암부(36A)의 선단 및 포크부(38A)가 처리 용기(56) 내로 침입하고 있다.
그리고, 탑재대(32A)의 승강 핀을 승강시키는 것에 의해, 이 포크부(38A)와 탑재대(32A) 사이에 반도체 웨이퍼(W)의 이송 탑재가 실행된다. 이러한 1회의 이송 탑재에서 포크부(38A)가 처리 용기(56) 내에 머무는 시간은 반송 스피드에도 따르지만 예를 들어 1초 내지 2초 정도이다.
여기서, 탑재대(32A)는 열처리의 프로세스 조건에도 따르지만, 예를 들어 300℃ 내지 700℃ 정도의 고온 상태로 되어 있다. 따라서, 반송 기구(34)를 이용하여 반도체 웨이퍼(W)를 반출입할 때마다 포크부(38A)나 아암부(36A)는 탑재대(32A)측으로부터의 복사열을 받아 점차 온도가 상승하여 가는 일은 피할 수 없다. 특히, 도 2에 도시하는 바와 같이, 제 2 아암(96)의 선단측은 탑재대(32A)에 가장 근접하므로, 화살표(120)(도 2 참조)로 도시하는 바와 같이 큰 복사열을 받게 된다. 이 경우, 도 12에 나타내는 종래의 반송 기구에 있어서는, 아암부에는, 복사열을 차단하는 보호 부재를 전혀 마련하지 않았기 때문에, 아암부가 고온 상태로 되어 반송 정밀도의 저하 등이 문제가 생기고 있었다.
그렇지만, 본 발명에 있어서는, 상술한 바와 같이, 아암부(36A) 중에서 처리 용기(56) 내로 침입하는 부분인 제 2 아암(96)의 선단측에 열차폐판(104), 즉 측면용 열차폐판(104A)과 하면용 차단판(104B)을 마련하고 있으므로, 탑재대(32A)로부터 방사되는 상기 화살표(120)로 도시하는 바와 같은 복사열을 차단할 수 있다. 이 결과, 제 2 아암(96)의 과도한 온도 상승을 방지하는 것이 가능하며, 이 아암부(36A)의 전체가 열팽창에 의해서 휨 현상이 발생하는 것을 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 내부에 마련한 타이밍 벨트의 텐션 등에도 악영향을 미치는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼(W)의 반송 정밀도도 높게 유지하는 것이 가능해진다.
구체적으로는, 1회의 반송 조작에서 ±0.05㎜ 이내의 반송 정밀도를 달성하는 것이 가능해진다. 이 경우, 상기 열차폐판(104)의 표면은 연마 처리에 의해서 미러면으로 되어 있으므로, 복사열의 차단 효과를 한층 향상시킬 수 있다. 특히, 처리 용기(56)나 트랜스퍼용 용기(80)의 반출입구(76, 82)의 폭은 36㎜ 정도이므로, 상술한 바와 같이 아암부(36A)의 휨 현상을 억제할 수 있는 효과는 특히 유효하다.
또한, 반도체 웨이퍼(W)의 반송 처리에 의해서 포크부(38) 자체나, 탑재대(32A)로부터의 복사열이나 고온 상태의 반도체 웨이퍼(W)로부터의 열전도에 의해서 고온 상태가 되지만, 본 실시예에서는 제 3 아암(98)과 포크부(38A)를 연결하는 연결 부재(102)로서 머신어블 세라믹재 등의 열전도율이 낮은 재료를 이용하고 있으므로, 제 3 아암(98) 및 제 2 아암(96)측으로의 열전도가 억제되어, 그만큼 제 2 아암(96)의 온도 상승을 더 억제할 수 있다.
여기에서는 한쪽 아암부(36A)에 대해 설명했지만, 다른쪽 아암부(36B)에 있어서도 동일한 작용 효과를 발휘할 수 있는 것은 물론이다. 또한, 다른 처리 장치(24B 내지 24D)에 있어서도, 반도체 웨이퍼(W)나 탑재대의 온도가 고온 상태가 되는 열처리를 실행하는 경우에는, 상술한 내용과 동일한 작용 효과를 발휘할 수 있는 것은 물론이다.
이와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 의하면, 처리 용기(56) 내에서 피처리체, 예를 들어 반도체 웨이퍼에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 피처리체를 반출입시키는 반송 기구에 있어서, 복수의 아암(94, 96, 98)을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부(36A, 36B)의 선단에 피처리체를 유지하는 포크부(38A, 38B)를 연결하고, 아암부 중에서 처리 용기 내로 침입하는 부분에 열차폐판(104)을 마련하도록 했으므로, 아암부 자체의 온도 상승을 억제하여 반송 정밀도를 높게 유지할 수 있다.
또한, 상기 실시예에서는, 제 2 아암(96)의 선단측에 열차폐판(104)을 마련했지만, 이것에 한정되지 않고, 이 열차폐판(104)을 제 2 아암(96)의 하면의 전체면, 혹은 측면의 전체면에, 또는 상기 양쪽 전체면에 마련하도록 해도 좋다.
<제 2 실시예>
다음에 본 발명의 반송 기구의 제 2 실시예에 대하여 설명한다. 앞의 제 1 실시예의 경우에는, 반송 기구의 아암부에 열차폐판(104)을 마련했지만, 이것을 대신하여, 반송 기구의 표면에 단열성이 높은 열차폐층을 형성하도록 하고 있다. 도 5는 이러한 본 발명의 반송 기구의 제 2 실시예의 아암부의 일부를 도시하는 부분 단면도, 도 6은 제 3 아암을 도시하는 단면도, 도 7은 포크부를 도시하는 평면도이다. 또한, 도 1 내지 도 5에 나타내는 구성 부분과 동일 구성 부분에 대해서는 동일 참조 부호를 부여해 그 설명을 생략한다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 여기에서는 반송 기구의 아암부(36A)의 표면에 열전도성이 낮은 열차폐층(121)을 형성하고 있다. 이 열차폐층(121)으로서는, 여기에서는 예를 들어 세라믹 용사층(溶射層)(122)을 이용하고 있다. 구체적으로는, 아암부(36A)의 제 2 아암(96)의 아암 케이스(99)의 측면의 전체에 측면용 세라믹 용사층(122A)을 마련하는 동시에, 아암 케이스(99)의 하면의 전체에 하면용 세라믹 용사층(122B)을 형성하고 있어, 제 2 아암(96)의 내부의 온도 상승을 억제하도록 하고 있다. 이 세라믹 용사층(122)의 재료로서는, 알루미나, 질화 알루미늄, 실리콘 카바이드 등의 세라믹재를 이용할 수 있다. 또한, 이 세라믹 용사층(122)의 두께는 예를 들어 0.35㎜ 내지 0.45㎜ 정도의 두께이다.
또한, 이 세라믹 용사층(122)은 매우 얇은 세라믹 용사층을 복수층 적층하는 것에 의해 다층 구조로 해도 좋다. 이 때, 각 층마다 세라믹재의 재질을 변경하도록 해도 좋다. 이 경우에는, 열전도성을 보다 낮게 하는 것이 가능해진다. 또한, 상기 아암부(36A)뿐만 아니라, 다른쪽 아암부(36B)에 대해도 상술한 것과 마찬가지로 구성되어 있는 것은 물론이다. 여기서 상기 열차폐층(121)으로서는, 파장이 7㎛ 내지 10㎛의 범위내의 열선에 대한 복사율이 파장이 1㎛ 내지 4㎛의 범위내의 열선에 대한 복사율보다 크게 되어 있는 특성을 가지고 있는 것을 이용한다. 구체적으로는, 상기 파장이 7㎛ 내지 10㎛의 범위내의 열선에 대한 복사율은 66%보다 크고, 상기 파장이 1㎛ 내지 4㎛의 범위내의 열선에 대한 복사율은 66% 이하인 특성의 열차폐층(121)을 이용한다. 그리고, 상기 세라믹 용사층(122)은 상기 특성을 만족시키는 특성을 가지고 있다. 이것에 의해, 제 2 아암(96)이 고온 상태의 탑재대(32A)에 접근했을 때에는 복사율이 작으므로(반사율이 높으므로) 가열되기 어려워지며, 이것에 대해서 제 2 아암(96)이 저온 상태의 트랜스퍼 챔버(26) 내로 들어가면 복사율이 크므로(반사율이 낮으므로), 방열되기 쉬워져 신속히 냉각되도록 되어 있다.
이러한 제 2 실시예의 경우에 있어서도, 앞의 제 1 실시예와 마찬가지로, 도 2에 도시하는 바와 같이 탑재대(32A)에 접근한 제 2 아암(96)이 화살표(120)로 도시하는 바와 같이 큰 복사열을 받아도, 여기에 마련한 상기 세라믹 용사층(122, 122A, 122B)의 열전도성이 낮고, 또한 상술한 바와 같이 파장이 1㎛ 내지 4㎛의 범위내의 열선(열원 온도는 450℃ 내지 2500℃ 정도)에 대해서는 복사율은 작기 때문에 열선을 반사하여 가열되기 어렵게 되어 있어, 열이 제 2 아암(96)의 내부에 전해지는 것을 억제할 수 있다. 또한, 파장이 7㎛ 내지 10㎛의 범위내의 열선(열원 온도는 15℃ 내지 140℃ 정도)에 대해서는 복사율은 크기 때문에 열선을 방출하기 쉬워서 냉각하기 쉬운 상태가 되어 있다. 이 결과, 앞의 제 1 실시예와 마찬가지로 제 2 아암(96)의 과도한 온도 상승을 방지하는 것이 가능하여, 이 아암부(36A)의 전체가 열팽창에 의해서 휨 현상이 발생하는 것을 억제할 수 있을 뿐만 아니라, 내부에 마련한 타이밍 벨트의 텐션 등에도 악영향을 미치는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 반도체 웨이퍼(W)의 반송 정밀도도 높게 유지하는 것이 가능해진다. 구체적으로는, 1회의 반송 조작에서 ±0.05㎜ 이내의 반송 정밀도를 달성하는 것이 가능해진다.
이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에 의하면, 처리 용기(56) 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 피처리체를 반출입시키는 반송 기구에 있어서, 복수의 아암(94, 96, 98)을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부(36A, 36B)의 선단에 피처리체를 유지하는 포크부(38A, 38B)를 연결하고, 아암부의 표면에 열차폐층(121), 예를 들어 세라믹 용사층(122)을 형성하도록 했으므로, 아암부 자체의 온도 상승을 억제하여 반송 정밀도를 높게 유지할 수 있다.
또한, 상기 제 2 실시예에서는, 제 2 아암(96)의 측면 전체와 하면 전체에 세라믹 용사층(122)을 형성했을 경우를 예로 들어 설명했지만, 앞의 제 1 실시예의 열차폐판(104)과 마찬가지로 제 2 아암(96)의 선단부측에만 마련하도록 해도 좋거나, 혹은 상기 측면 전체와 하면 전체와 함께 제 2 아암(96)의 표면 전체에도 열차폐층(121)으로서 세라믹 용사층(122)을 마련하도록 해도 좋다. 또한, 상기 구성과 함께, 도 6에 도시하는 바와 같이 제 3 아암(98)의 전체면, 즉, 하면, 측면 및 표면에 열차폐층(121)으로서 세라믹 용사층(124)을 형성해도 좋다. 이 경우, 상기 하면, 측면 및 상면중 어느 한쪽 이상의 표면에 형성하도록 해도 좋으며, 적어도 하면에 형성하도록 하면, 단열성에서 특히 유효하다.
또한, 상기 각 구성과 함께, 도 7에 도시하는 바와 같이 포크부(38A, 38B)의 전체면, 즉 하면, 측면 및 상면에 열차폐층(121)으로서 세라믹 용사층(126)을 마련하도록 해도 좋다. 이 경우에도, 하면, 측면 및 상면중 어느 한쪽 이상의 표면에 형성하도록 해도 좋으며, 적어도 하면에 형성하도록 하면, 단열성에서 특히 유효하다. 또한, 여기에서는 도시되어 있지 않지만, 상기 각 구성과 함께 제 1 아암(94)의 표면에 열차폐층(121)으로서 세라믹 용사층을 형성하도록 해도 좋다. 또한, 상기 실시예에서는 열차폐층(121)으로서 세라믹 용사층(122)을 마련하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 도료를 도포하여 형성한 도료층을 마련해도 좋고, 어느 것으로 해도 상술한 바와 같은 파장에 대한 복사율을 갖는 물질이라면, 어떠한 것을 이용해도 좋다. 이 점은 이하에 설명하는 실시예에 있어서도 동일하다.
<제 3 실시예>
다음에 본 발명의 반송 기구의 제 3 실시예에 대하여 설명한다. 상술한 제 1 및 제 2 실시예에서는 열차폐판(104)으로 열차폐층(121)인 세라믹 용사층(122)을 각각 별개로 마련하도록 하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 제 3 실시예로서 상기 열차폐판(104)과 열차폐층(121)인 세라믹 용사층(122)의 쌍방을 마련하도록 해도 좋다. 이 경우의 제 1 실시예의 열차폐판(104)과 제 2 실시예의 열차폐층(121)인 세라믹 용사층(122)의 조합은 제 1 실시예에서 설명한 각종의 실시형태와 제 2 실시예에서 설명한 각종의 실시형태를 각각 임의로 선택하여 적용하면 좋다.
이것에 의하면, 처리 용기(56) 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 피처리체를 반출입시키는 반송 기구에 있어서, 복수의 아암(94, 96, 98)을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부(36A, 36B)의 선단에 피처리체를 유지하는 포크부(38A, 38B)를 연결하고, 아암부 중에서 처리 용기 내로 침입하는 부분에 열차폐판(104)을 마련하고, 또한 아암부의 표면에 열차폐층(121)으로서 세라믹 용사층(122)을 형성했으므로, 아암부 자체의 온도 상승을 억제하여 반송 정밀도를 높게 유지할 수 있다.
특히, 상기 열차폐판(104)과 열차폐층(121)인 세라믹 용사층(122)을 조합하는 것에 의해, 후술하는 바와 같이, 아암부 자체의 온도 상승을 보다 크게 억제할 수 있어, 아암부의 변위량(휨량) 및 길이방향의 열팽창량을 큰 폭으로 억제하는 것이 가능해진다.
<열차폐판과 세라믹 용사층의 평가>
다음에, 상기 열차폐판(104)을 마련한 본 발명의 제 1 실시예와, 상기 열차폐판(104)과 열차폐층(121)으로서 이용한 세라믹 용사층(122)의 쌍방을 마련한 본 발명의 제 3 실시예의 각 반송 기구(34)를 실제로 동작시키는 실험을 실시했으므로, 그 평가 결과에 대하여 설명한다. 여기서 제 1 실시예로서는, 반송 기구에 열차폐판(104)으로서 측면용 열차폐판(104A)만을 마련하고 있고, 하면용 열차폐판(104B)을 마련하지 않은 반송 기구를 이용한다. 또한 제 2 실시예로서는, 반송 기구에 열차폐층(121)의 일례인 세라믹 용사층(122)으로서 도 5에 도시하는 바와 같이 측면용 세라믹 용사층(122A)과 하면용 세라믹 용사층(122B)을 형성한 반송 기구를 이용했다.
도 8은 평가에 이용한 반송 기구의 제 2 아암의 부분을 나타내는 개략 사시도이다. 또한 제 3 실시예로서 도 8에 도시하는 바와 같이, 여기에서는 열차폐판(104)으로서 측면용 열차폐판(104A)만을 마련하고 있고, 하면용 열차폐판(104B)을 마련하지 않은 반송 기구를 이용한다. 또한 이러한 제 3 실시예의 반송 기구에는 열차폐층(121)의 일례인 세라믹 용사층(122)으로서 도 5에 도시한 것과 동일한 측면용 세라믹 용사층(122A)과 하면용 세라믹 용사층(122B)의 양쪽 모두를 마련하고 있다.
또한 처리 장치(24A)의 탑재대(32A)의 온도는 700℃로 설정하고, 반도체 웨이퍼를 반복하여 반출입시킨다. 도 9는 이 때의 가동 시간과 반송 기구의 아암부의 상하방향으로의 변위량(휨량)을 도시하는 그래프이다. 비교를 위해서 열차폐판과 세라믹 용사층을 마련하지 않은 종래의 반송 기구의 데이터도 도시한다.
도 9에 도시하는 데이터에서 분명히 나타난 바와 같이, 반송 동작을 개시하면, 모든 반송 기구의 아암부의 온도가 점차 상승해가므로 상하방향의 변위량(휨량)이 서서히 증가하고 있다. 이 경우, 종래의 반송 기구는 변위량의 증가량이 매우 크고 급격하게 증가하고 있다. 그리고, 300분 정도 가동했을 때에 변위량은 1㎜ 정도에 이르러 포화하고 있다. 이것에 대해서, 본 발명의 제 1 실시예 및 제 3 실시예의 경우는 모두 변위량의 증가량은 매우 적다. 그리고, 제 1 실시예의 경우는 300분 정도 가동했을 때에 변위량은 0.7㎜ 정도에 이르러 포화하고 있다. 또한 제 3 실시예의 경우는 240분 정도 가동했을 때에 변위량은 0.45㎜ 정도에 이르러 포화하고 있다.
이와 같이, 변위량은, 본 발명의 제 1 실시예의 경우에는 종래의 반송 기구보다 0.3㎜ 정도 적고, 또한 제 3 실시예의 경우에는 제 1 실시예보다 더 0.25㎜ 정도 적다는 것을 알 수 있다. 그리고, 아암부의 상하방향의 변위량의 상한치는 ±1.0㎜이므로, 제 1 실시예 및 제 3 실시예의 경우에는 변위량을 충분히 억제할 수 있다는 것을 알 수 있다. 또한, 상기 제 1 실시예와 제 3 실시예 사이에 있어서의 변위량의 차이가 아암부에 세라믹 용사층을 마련한 본 발명의 제 2 실시예의 효과라고 인식할 수 있다.
또한 열차폐판(104), 혹은 세라믹 용사층(122)을 단독으로 이용했을 경우에도, 앞의 제 1 및 제 2 실시예에서 설명한 바와 같이 아암부의 상하방향 변위량을 어느 정도 억제할 수 있었지만, 제 3 실시예와 같이 열차폐판(104)으로 세라믹 용사층(122)의 쌍방을 적용하는 것에 의해, 보다 큰 작용 효과를 발휘할 수 있다는 알 수 있다.
이와 같이 큰 작용 효과를 발휘할 수 있는 이유는, 탑재대측으로부터 전달되는 복사열을 우선 열차폐판(104)에서 반사, 혹은 차단하여 제 2 아암(94)측으로 들어가는 입열량을 억제하는 동시에, 제 2 아암(94)의 표면에 열이 들어오더라도, 그 표면에 형성되어 있는 열전도성이 낮은 세라믹 용사층(122)의 작용에 의해서 제 2 아암(94)의 내부로 침입하는 열이 억제되게 되어, 이 결과 상술한 바와 같은 큰 작용 효과를 발휘하는 것으로 추정된다.
또한, 이 실험시에, 종래의 반송 기구와 본 발명의 제 3 실시예의 반송 기구의 길이방향으로의 열팽창량을 조사했다. 도 10은 반송 기구의 아암부가 길이방향으로의 변화를 도시하는 그래프이다. 도 10에 도시하는 바와 같이, 아암부의 길이방향의 열팽창량은, 종래의 반송 기구의 아암부의 경우에는 가동 시간이 증가함에 따라서, 열팽창량은 점차 증가하여 4시간 정도의 가동 시간에서 약 1.4㎜ 정도까지 변화하고 있는 것을 알 수 있다. 이것에 대해서, 본원의 발명의 경우에는, 가동 시간이 증가해도 열팽창량은 그렇게 변화하지 않고 약 0.4㎜가 된다. 따라서, 종래의 반송 기구보다, 본 발명의 반송 기구의 제 3 실시예쪽이 약 1㎜나 열팽창량이 적어져서, 본 발명의 제 3 실시예는 특히 우수하다는 것을 알 수 있다.
또한, 이 때 서모 라벨(thermolabel)을 이용하여 각 부(部)의 온도를 조사했다. 이러한 온도를 조사한 개소는, 도 3의 (B) 중의 포인트 P1, P2, P3의 3점이며, 포인트 P1은 제 3 아암(98)의 기단부, 포인트 P2는 제 2 아암(96)의 선단부의 아암 커버 내부, 포인트 P3는 제 2 아암(96)의 기단부의 아암 커버 내부이다. 종래의 반송 기구의 경우는, 상기 각 포인트 P1 내지 P3의 온도는 각각 272℃, 193℃ 및 189℃였지만, 본 발명의 제 3 실시예의 경우에는, 각각 204℃, 148℃ 및 137℃이었다. 이와 같이, 본 발명의 제 3 실시예의 경우에는 각 포인트 P1 내지 P3에 대해 온도를 큰 폭으로 저하시킬 수 있다는 것을 알 수 있다.
<세라믹 용사층의 작용 해석>
다음으로, 상기 세라믹 용사층이 상기한 바와 같은 열차폐 효과를 갖는 원인에 대해서 검토하고 해석을 실행했으므로, 그 검토 결과에 대해 설명한다.
본 발명자들은, 세라믹 용사층의 복사율이 열차폐 효과에 큰 영향을 미친다는 추측에 근거하여, 세라믹 용사층의 복사율과 열방사의 관계에 대해서 조사했다. 여기에서는, 세라믹 용사층으로서 알루미나(A12O3)층을 이용했다. 도 11은 알루미나층의 복사율과 열방사의 파장의 관계를 도시하는 그래프이다. 가로축에는 열방사의 파장에 대응하여 열원 온도가 병기되어 있다. 주지하는 바와 같이, 흑체는 복사율이 "1"이며, 도 11에 도시하는 그래프와 같이 알루미나층은 받는 열방사의 파장에 의해서 그 복사율은 매우 크게 변동하고 있다. 파장이, 2.5㎛ 내지 3.5㎛ 부근에서 특성의 요철이 다소 생기고는 있지만, 경향으로서는 파장이 1㎛로부터 10㎛를 향해서 커질수록, 복사율도 커지고 있다.
여기서 상기 반송 기구의 아암부는 반도체 웨이퍼의 반송을 위해서 고온 상태의 처리 용기(56) 내부와 실온 상태의 트랜스퍼 챔버(26) 내부를 반복하여 왕복 이동하게 된다. 상기 처리 용기(56) 내에서는 고온으로 가열된 탑재대(32A)에 접근하고, 트랜스퍼 챔버(26) 내에서는 실온 상태의 트랜스퍼용 용기(80) 등에 의해 둘러싸이게 된다.
그리고, 처리 용기(56) 내부에서는, "열원"이 되는 탑재대(32A)로부터는 그 온도에 대응한 열방사가 이루어지며, 이 열방사의 파장은 프로세스 온도에도 따르지만 1㎛ 내지 4㎛ 정도의 범위이다. 이것은 프로세스 온도인 열원 온도의 450℃ 내지 2500℃의 범위에 상당한다. 여기서 처리 용기(56) 내에서의 실제 사용 온도는 일반적으로는 예를 들어 500℃ 내지 1000℃ 정도의 범위내이다.
한편, 트랜스퍼 챔버(26) 내에서는, "열원"이 되는 트랜스퍼용 용기(80)로부터 그 온도에 대응한 열방사가 이루어지며, 이 열방사의 파장은 7㎛ 내지 10㎛ 정도의 범위이다. 이것은 열원 온도의 15℃ 내지 140℃의 범위에 상당한다. 여기서 트랜스퍼 챔버(26) 내에서의 실제의 사용 온도는 일반적으로는 예를 들면 50℃ 내지 100℃ 정도의 범위내이다.
이러한 상태에서, 도 11에 나타내는 특성을 갖는 세라믹 용사층을 가지는 아암이 트랜스퍼 챔버(26) 내부와 처리 용기(56) 내부를 왕복 이동하면, 처리 용기(56) 내에서는 열원 온도가 높으므로 열방사의 파장은 상술한 바와 같이 예를 들면 1㎛ 내지 4㎛의 범위내이기 때문에, 이 파장에 대해서는 세라믹 용사층의 복사율은 비교적 낮아져서, 예를 들면 66% 이하가 된다. 이 결과, 세라믹 용사층의 반사율은 높아지므로, 세라믹 용사층은 상기 열방사를 반사하여 이것을 차단하는 경향이 커져서, 아암 자체가 가열되는 것을 억제할 수 있다.
이것에 대해서, 트랜스퍼 챔버(26) 내에서는 열원 온도가 낮으므로(실온 정도), 열방사의 파장은 상술한 바와 같이 예를 들어 7㎛ 내지 10㎛의 범위내이기 때문에, 이 파장에 대해서는 세라믹 용사층의 복사율은 상기의 경우와 비교하여 높아져서, 예를 들어 66%보다 커진다. 이 결과, 세라믹 용사층의 반사율은 낮아지므로, 세라믹 용사층은 상기 열방사를 반사하기 어려워져 열을 방사하기 쉬워진다. 그 결과, 세라믹 용사층으로부터의 방열이 촉진되어 아암 자체의 냉각이 효율적으로 행해지게 된다. 이러한 현상에 의해, 상기한 바와 같은 아암 자체의 온도 상승을 억제할 수 있는 원리를 이해할 수 있다.
또한, 열차폐층으로서는 세라믹 용사층에 한정하지 않고, 도 11에 도시한 바와 같은 특성, 즉 실온 정도의 열원으로부터의 열방사의 파장(7㎛ 내지 10㎛ 정도)에 대해서는 복사율이 높고, 또한 프로세스 온도 정도의 열원으로부터의 열방사의 파장(1㎛ 내지 4㎛ 정도)에 대해서는 복사열이 낮아지는 특성을 가지는 재료를 열차폐층(121)으로서 이용하는 것에 의해, 상기한 바와 같은 본 발명의 작용 효과를 발휘할 수 있다는 것을 이해할 수 있다.
또한, 이상 설명한 각 실시예에서는, 열차폐판(104)과 열차폐층(121)을 각각 별개로 마련했을 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 열차폐판(104)의 표면은 열차폐층(121)을 형성하여 열차폐 효과를 보다 증가시키도록 해도 좋다.
또한, 상기 각 실시예에서는, 아암부로서 제 1 아암, 제 2 아암과 함께 제 3 아암을 마련했을 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 제 3 아암을 생략하고 제 2 아암의 선단에 포크부를 직접 연결한 반송 기구에도 본 발명을 적용할 수 있다. 또한, 상기 각 실시예에서는, 진공 분위기에서 열처리하는 처리 장치에 대해서 본 발명의 반송 기구를 이용하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 본 발명의 반송 기구는 대기압, 혹은 그것에 가까운 분위기 중에서 열처리하는 처리 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 상기 각 실시예에서는, 2개의 아암부 이외에 구동 아암과 종동 아암을 이용한 형식의 반송 기구를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 본 발명은, 이른바 프로그 레그(frog leg) 형식의 반송 기구나 스칼라(scalar) 형식의 반송 기구 등, 모든 형식의 반송 기구에 적용할 수 있다. 또한, 상기 각 실시예에서는 피처리체로서 반도체 웨이퍼를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되지 않고, 유리 기판, LCD 기판, 세라믹 기판 등에도 본 발명을 적용할 수 있다.
22 : 처리 시스템 24A 내지 24D : 처리 장치
26 : 트랜스퍼 챔버 32A 내지 32D : 탑재대
34 : 반송 기구 36A, 36B : 아암부
38A, 38B : 포크부 56 : 처리 용기
60 : 가열 수단 74 : 배기 수단
80 : 트랜스퍼용 용기 90 : 회전 기대
92 : 구동원 94 : 제 1 아암
96 : 제 2 아암 97 : 구동 아암
98 : 제 3 아암 99 : 아암 케이스
110 : 종동 아암 102 : 연결 부재
104 : 열차폐판 104A : 측면용 열차폐판
104B : 하면용 열차폐판 121 : 열차폐층
122, 124, 126 : 세라믹 용사층 122A : 측면용 세라믹 용사층
122B : 하면용 세라믹 용사층 W : 반도체 웨이퍼(피처리체)

Claims (30)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 처리 용기 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 상기 피처리체를 반출입시키는 반송 기구에 있어서,
    복수의 아암을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부와,
    상기 아암부의 선단에 연결되어 상기 피처리체를 유지하는 포크부와,
    상기 아암부의 표면에 형성된 열차폐층을 구비하며,
    상기 열차폐층은, 파장이 7㎛ 내지 10㎛의 범위내의 열선에 대한 복사율이 파장이 1㎛ 내지 4㎛의 범위내의 열선에 대한 복사율보다 크게 되어 있는 특성을 가지는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 아암은 제 1 아암, 제 2 아암 및 제 3 아암으로 이루어지며, 이 순서로 서로 굴곡 가능하게 직렬로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 열차폐층은 상기 제 2 아암에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 열차폐층은 상기 제 2 아암과 상기 제 3 아암에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  9. 제 7 항에 있어서,
    상기 열차폐층은 상기 제 2 아암의 하면과 측면에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 열차폐층은 상기 제 3 아암의 전체면에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  11. 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 포크부의 표면에는, 열차폐층이 추가로 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  12. 삭제
  13. 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 파장이 7㎛ 내지 10㎛의 범위내의 열선에 대한 복사율은 66%보다 크고, 상기 파장이 1㎛ 내지 4㎛의 범위내의 열선에 대한 복사율은 66% 이하인 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  14. 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열차폐층은 세라믹 용사층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  15. 제 5 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열차폐층은 도료를 도포하여 형성한 도료층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  16. 처리 용기 내에서 피처리체에 열처리를 실시하는 처리 장치에 대해서 상기 피처리체를 반출입시키는 반송 기구에 있어서,
    복수의 아암을 가지고 굴신 및 선회가 가능하게 이루어진 아암부와,
    상기 아암부의 선단에 연결되어 상기 피처리체를 유지하는 포크부와,
    상기 아암부 중에서 상기 처리 용기 내로 침입하는 부분에 마련한 열차폐판과,
    상기 아암부의 표면에 형성된 열차폐층을 구비하며,
    상기 열차폐층은, 파장이 7㎛ 내지 10㎛의 범위내의 열선에 대한 복사율이 파장이 1㎛ 내지 4㎛의 범위내의 열선에 대한 복사율보다 크게 되어 있는 특성을 가지는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 복수의 아암은 제 1 아암, 제 2 아암 및 제 3 아암으로 이루어지며, 이 순서로 서로 굴곡 가능하게 직렬로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 열차폐판은 상기 제 2 아암의 상기 제 3 아암측의 선단에 마련되는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 열차폐판은 상기 제 2 아암의 하면측 및 측면측 중 적어도 하나에 마련되는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  20. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열차폐층은 상기 제 2 아암에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  21. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열차폐층은 상기 제 2 아암과 상기 제 3 아암에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 열차폐층은 상기 제 2 아암의 하면과 측면에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 열차폐층은 상기 제 3 아암의 전체면에 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  24. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 포크부의 표면에는, 열차폐층이 추가로 마련되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  25. 삭제
  26. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 파장이 7㎛ 내지 10㎛의 범위내의 열선에 대한 복사율은 66%보다 크고, 상기 파장이 1㎛ 내지 4㎛의 범위내의 열선에 대한 복사율은 66% 이하인 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  27. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열차폐층은 세라믹 용사층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  28. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열차폐층은 도료를 도포하여 형성한 도료층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  29. 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 열차폐판은 스테인리스강, 알루미늄, 알루미늄 합금 및 세라믹재로 이루어지는 군으로부터 선택되는 하나의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
  30. 제 5 항 내지 제 10 항 및 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 아암부와 상기 포크부는 머신어블 세라믹재로 이루어진 연결 부재에 의해 연결되어 있는 것을 특징으로 하는
    반송 기구.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013073379A1 (ja) * 2011-11-16 2013-05-23 日本電産サンキョー株式会社 産業用ロボット
JP5959221B2 (ja) 2011-11-16 2016-08-02 日本電産サンキョー株式会社 産業用ロボット
WO2014156317A1 (ja) * 2013-03-27 2014-10-02 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理装置用連結部材
JP2018531324A (ja) * 2015-10-09 2018-10-25 北京北方華創微電子装備有限公司Ｂｅｉｊｉｎｇ Ｎａｕｒａ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 加熱装置および加熱チャンバ
JP6625391B2 (ja) * 2015-10-15 2019-12-25 豊田鉄工株式会社 加熱炉へのワーク搬出入装置
KR101866128B1 (ko) * 2017-03-24 2018-07-13 경남대학교 산학협력단 충돌방지기능을 구비한 고온환경 작업용 6축 수직 다관절 로봇
TWI754065B (zh) * 2017-06-23 2022-02-01 日商三井化學東賽璐股份有限公司 零件製造裝置及零件製造方法
JP2022074693A (ja) 2020-11-05 2022-05-18 東京エレクトロン株式会社 基板保持体、基板搬送装置及び基板保持体の製造方法
JP2022133684A (ja) * 2021-03-02 2022-09-14 株式会社ジェイテクトサーモシステム 熱処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05283501A (ja) * 1992-03-25 1993-10-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置
JPH06204316A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp 耐熱ロボットハンド
JP2001189367A (ja) * 2000-01-04 2001-07-10 Ulvac Japan Ltd 基板搬送ロボット
JP2009172733A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Yaskawa Electric Corp 水平多関節ロボット

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0684270B2 (ja) * 1986-01-20 1994-10-26 松下電器産業株式会社 赤外線輻射被膜
JPH11195687A (ja) * 1997-12-27 1999-07-21 Nippon Seiko Kk 基板搬送装置
JP3263684B2 (ja) * 1999-07-26 2002-03-04 株式会社ジェーイーエル 基板搬送用ロボット
JP2003100853A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
CN100461363C (zh) * 2004-12-10 2009-02-11 株式会社爱发科 搬运机械手以及搬运装置
JP2007150336A (ja) * 2007-01-09 2007-06-14 Nsk Ltd 基板搬送装置
JP4980127B2 (ja) * 2007-04-24 2012-07-18 川崎重工業株式会社 基板搬送ロボット

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05283501A (ja) * 1992-03-25 1993-10-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体製造装置
JPH06204316A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Mitsubishi Electric Corp 耐熱ロボットハンド
JP2001189367A (ja) * 2000-01-04 2001-07-10 Ulvac Japan Ltd 基板搬送ロボット
JP2009172733A (ja) * 2008-01-25 2009-08-06 Yaskawa Electric Corp 水平多関節ロボット

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