JPH05283501A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高温の場所よりウエハを移載する際に搬送ミ
スを起こすことを防ぐ。 【構成】 ウエハホルダーの一部に加熱機構を設けるあ
るいは別途加熱室を設けることによりウエハホルダーの
温度をウエハ温度に近づける。 【効果】 高温の場所よりウエハを移載する際に搬送ミ
スを起こすことがない半導体製造装置を提供する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体基板を高温で処理
する半導体製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体製造装置は数１００℃以上
の高温で半導体基板を処理すると共に、自動化及び性能
向上のため基板の搬送用にロボットが用いられている。

【０００３】以下図面を参照しながら、上記した従来の
半導体製造装置の一例について説明する。

【０００４】図５（ａ）は従来の半導体製造装置の概略
図を示すものであり、図５（ｂ）は従来の半導体製造装
置の上方より見た概略図である。図５において、１はロ
ードロック室、２は反応室である。３は半導体基板（以
後、ウエハと記載する。）を移載する搬送ロボットで、
４はゲートバルブ、５はウエハを収容するカセットであ
る。６は上部電極で、７は下部電極をかねるサセプタで
ある。８はサセプタ内に埋め込まれたウエハ加熱用のヒ
ーターであり、９はウエハである。

【０００５】以上のように構成された半導体製造装置に
ついて、以下その動作について説明する。

【０００６】まず、カセット５に処理するウエハをセッ
トしロードロック室１内を真空に引く。その後ゲートバ
ルブ４を開き、搬送ロボット３によってウエハ９を１枚
ずつ反応室２内のサセプタ７上に設置する。反応室２内
では様々な処理例えば膜形成やエッチング等が行われ
る。本例では、上部電極６と下部電極を兼ねるサセプタ
７の並行平板の電極によるプラズマを発生し、膜堆積を
行う。サセプタ７は形成する膜質をよくするために３０
０ないし４００℃にヒーター８を用いて加熱される。膜
形成等の処理が終了すると、ロードロック室１と反応室
２は再び真空に引かれた後ゲートバルブ４が開けられ
る。その後、搬送ロボット３が処理されたウエハ９を搬
送し、カセット５に戻す。カセット５に全てのウエハが
処理されて戻った後、ロードロック室はパージされ、大
気圧に戻された後大気解放されウエハの取り出しが行わ
れる。

【０００７】従来用いられる搬送ロボットの概略図を図
６に示す。図で１１はウエハホルダー、１５はアーム
部、１６は軸部である。ウエハが直接接するウエハホル
ダーは、アーム部を介して軸部につながっており、軸部
の回転によりロボットの軸に対する角度を変え、アーム
部の伸縮により軸からのホルダーの距離を変えることが
できる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな構成では、処理済みのウエハを移載する際、ほぼ室
温に等しい温度のウエハホルダーが１００℃以上の温度
のウエハを乗せるため、図６に示すようにウエハ９ある
いはウエハホルダー１１が反るので、カセットにウエハ
を移載する際にウエハの位置がずれ、カセットの仕切り
や壁にぶつかりウエハを落とすあるいは搬送ロボットの
調整を狂わす等の搬送ミスを発生するという問題点を有
していた。

【０００９】本発明は上記問題点に鑑み、温度差がある
場所間のウエハの移載を搬送ミスを発生することなく行
う搬送系を有する半導体製造装置を提供するものであ
る。

【００１０】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに本発明の半導体製造装置は、半導体基板を移載する
ロボットの半導体基板に接する部分を加熱する機構を備
えたものである。

【００１１】好ましくは、移載ロボットを大気圧より低
い圧力となる室内に設置しする。また、本発明の半導体
製造装置は、半導体基板に接触する１００℃以上の高温
の部分と、該半導体基板を移載するロボットと、該ロボ
ットの半導体基板に接する部分を加熱する機構を該ロボ
ットの稼働範囲内に備えたものである。

【００１２】

【作用】本発明は上記した構成によって、予めウエハホ
ルダーの温度を高温となったウエハの温度と一致させ、
ウエハとウエハホルダーが接することによる反りが発生
することを防ぐこととなる。

【００１３】

【実施例】以下本発明の一実施例の半導体製造装置につ
いて、図面を参照しながら説明する。

【００１４】（図１）は本発明の実施例における半導体
製造装置の搬送ロボットの概略図をを示すものである。
図１において、１１はウエハホルダー、１２は該ホルダ
ーの加熱部、１３は該ホルダー加熱のためのヒーターで
ある。１５はアーム部、１６は軸部であり、１４は前記
ホルダー加熱部１２とアーム部１５の間の断熱材であ
る。

【００１５】以上のように構成された搬送ロボットを有
する半導体製造装置について、以下（図１）及び（図
５）を用いてその動作を説明する。

【００１６】まず（図５）は本実施例の半導体製造装置
全体を示す概略図であり、このうち搬送ロボットの部分
が図１に示す構造となっている。図５では従来の実施例
で述べたように搬送ロボット３が高温のサセプタ７上の
ウエハ９をカセット５へ移載することを示している。
（図１）で、ウエハホルダー１１はホルダー加熱部１２
内のホルダー加熱ヒーター１３によって加熱され、サセ
プタ上のウエハの温度により近い温度にすることができ
る。また、高温がアーム等へ影響を及ぼさないように断
熱材１４によってアーム部１５の温度上昇を減じてい
る。ウエハホルダー部の温度を加熱ヒーター１３によっ
て制御する例えば、サセプタ上のウエハを移載する直前
に高温に上昇させホルダー上にウエハが乗った後に徐々
に冷却する、あるいは常に一定かつサセプタ温度に室温
より近い温度になるように保つ、あるいはサセプタ上の
ウエハを移載する場合には加熱しカセット内のウエハを
移載する場合には室温に保つ等の制御を行う。

【００１７】以上のように本実施例のよれば、ホルダー
加熱ヒーター１３によってウエハホルダー１１を加熱す
る構造を持つ搬送ロボットを設けることにより、ウエハ
ホルダー及びウエハの温度の変化により生じた反りによ
る搬送ミスを防ぐことができる。

【００１８】以下本発明の第２の実施例について図面を
参照しながら説明する。（図２）は本発明の第２の実施
例を示す半導体製造装置の概略図である。図２に於て、
２１は加熱室である。本実施例ではウエハホルダーの加
熱機構を搬送ロボットに取り付けず、加熱室２１を別途
ロードロック室１内に設置する。加熱室２１の例を図３
に示す。（図３）に於て、２２は反射板、２３は加熱ラ
ンプである。加熱室２１内にウエハホルダー部が挿入で
きる形となっており、加熱ランプと反射板によってウエ
ハホルダーのみを加熱する。搬送ロボットのアーム部１
５に影響を与えないように断熱材１４をウエハホルダー
１２とアーム部１５の間に設置する。

【００１９】図４に示すように、サセプタ７上のウエハ
を移載する前に、加熱室２１にウエハホルダーを差込み
加熱することにより、高温のウエハをホルダー上に乗せ
た場合でも特に急激な変化を生じない。

【００２０】以上のように、ウエハホルダーの加熱室を
ホルダーと別途に設けたことにより、ホルダー部に加熱
用のヒーター等を組み込む必要がなく、搬送ロボットの
自由度を損なわず、また搬送ロボットが重くなり搬送ス
ピードが落ちることもない。

【００２１】

【発明の効果】以上のように本発明は、半導体基板を移
載するロボットの半導体基板に接する部分を加熱する機
構を設けることにより、温度差がある場所間のウエハの
移載を搬送ミスを発生することなく行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例における搬送ロボットの
概略図

【図２】本発明の第２の実施例における半導体製造装置
の概略図

【図３】本発明の第２の実施例における加熱室の概略図

【図４】本発明の第２の実施例における動作を説明する
ための半導体製造装置の概略図

【図５】従来の半導体製造装置の概略図

【図６】従来の搬送ロボットの概略図

【符号の説明】

１ ロードロック室 ２ 反応室 ３ 搬送ロボット ５ カセット ７ サセプタ ９ ウエハ １１ ウエハホルダー １２ ホルダー加熱部 １３ ホルダー加熱ヒーター １４ 断熱材 １５ アーム部 １６ 軸部 ２１ 加熱室

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】半導体基板に接触する１００℃以上の高温
   の部分と、該半導体基板を移載するロボットと、該ロボ
   ット内に該ロボットの半導体基板に接する部分を加熱す
   る機構を備えたことを特徴とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】移載ロボットを大気圧より低い圧力となる
   室内に設置したことを特徴とする請求項１記載の半導体
   製造装置。
3. 【請求項３】半導体基板に接触する１００℃以上の高温
   の部分と、該半導体基板を移載するロボットと、該ロボ
   ットの半導体基板に接する部分を加熱する機構を該ロボ
   ットの稼働範囲内に備えたことを特徴とする半導体製造
   装置。