JP2022133685A - 熱処理装置 - Google Patents
熱処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022133685A JP2022133685A JP2021032512A JP2021032512A JP2022133685A JP 2022133685 A JP2022133685 A JP 2022133685A JP 2021032512 A JP2021032512 A JP 2021032512A JP 2021032512 A JP2021032512 A JP 2021032512A JP 2022133685 A JP2022133685 A JP 2022133685A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- heat treatment
- rod
- workpiece
- transfer
- temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 title claims abstract description 149
- 230000035939 shock Effects 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000006378 damage Effects 0.000 claims description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 138
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 6
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000000112 cooling gas Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 230000003685 thermal hair damage Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67745—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27B—FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
- F27B17/00—Furnaces of a kind not covered by any preceding group
- F27B17/0016—Chamber type furnaces
- F27B17/0033—Chamber type furnaces the floor of the furnaces consisting of the support carrying the charge, e.g. car type furnaces
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D21/00—Arrangements of monitoring devices; Arrangements of safety devices
- F27D21/0014—Devices for monitoring temperature
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D3/00—Charging; Discharging; Manipulation of charge
- F27D3/04—Ram or pusher apparatus
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F27—FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
- F27D—DETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
- F27D5/00—Supports, screens, or the like for the charge within the furnace
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P10/00—Technologies related to metal processing
- Y02P10/20—Recycling
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Robotics (AREA)
- Waste-Gas Treatment And Other Accessory Devices For Furnaces (AREA)
- Heat Treatments In General, Especially Conveying And Cooling (AREA)
- Tunnel Furnaces (AREA)
- Heating, Cooling, Or Curing Plastics Or The Like In General (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
【課題】被処理物を熱処理炉内に搬送して支持材に支持されるときに、被処理部材に熱衝撃が生じることのない熱処理装置を提供する。【解決手段】熱処理装置は、熱処理空間を形成する熱処理炉と、前記熱処理空間内に設けられている支持材と、前記熱処理空間外から前記熱処理空間内に被処理物を搬送した後に、前記被処理物を前記支持材に支持させる搬送装置と、前記搬送装置により前記熱処理装置内に搬送された前記被処理物の温度を検知する温度検知装置と、を備える。前記搬送装置は、前記温度検知装置により検知された温度に基づいて、前記搬送装置により前記熱処理装置内に搬送された前記被処理物を前記支持部材に支持させるタイミングを決定する。【選択図】 図1
Description
本発明は、搬送用ロッドによって、熱処理炉に被処理物を搬入および搬出をする機構を備える熱処理装置に関する。
熱処理炉に被処理物を搬入して熱処理を行う熱処理装置では、熱処理炉外から被処理物を搬送し、熱処理炉内の支持材で被処理物を支持してから熱処理を行う。
例えば、特許文献1では、炉体の被処理物搬入の搬入搬出口(開口部)にシャッターを介して準備室40が設けられている。被処理物は準備室40内の支持機構で支持されてから、アームにより炉体内に搬送される。そして、被処理物は炉体内で支持材に受け渡される。このような準備室を設けると、熱処理装置の構造を簡易にでき、且つ小型化できる利点がある。
また、特許文献2に示される構造は、熱処理炉外から被処理物を搬送し、熱処理容器内で被処理基板を処理台上に下降させて搭載する。このとき、被処理物が低温であるために、処理台と基板の温度差が小さくなるように十分な下降時間を確保する。このようにして処理台と基板の温度差をなくし、処理台上に堆積した膜の剥がれを少なくする。
しかしながら、上記のいずれの熱処理装置も、熱処理炉内に搬送された被処理部材を炉内の支持材で支持するときに、熱衝撃が生じる可能性がある。
例えば、特許文献1に記載の熱処理装置では、被処理物を炉内で支持するときに、支持材と被処理物との温度差について考慮されていない。このため、両者の温度差が大きいと、支持部材と被処理物とが接触したときに熱衝撃が生じる可能性がある。
また、特許文献2に記載の熱処理装置では、熱処理容器内で被処理基板を処理台上に下降させて搭載するときに、処理台と基板の温度差が小さくなるように十分な下降時間を確保するが、被処理基板を熱処理容器内で支持するリフトピン14が既に加熱されていると考えられる。このため、リフトピン14で被処理物を搭載するときの、リフトピン14の先端部と被処理物との間の温度差が大きくなり、この部分に熱衝撃が生じる。
このように、従来の熱処理装置では、被処理物が外部から搬送されて熱処理炉内の支持材で支持されると、炉内の高温状態になっていない被処理物を高温の支持材で支持することとなり、被処理物に熱ダメージが生じる。この結果、被処理物にクラックが生じ、または破壊(割れ)が生じる。
この発明の目的は、被処理物を熱処理炉内に搬送して支持材に支持されるときに、被処理部材に熱衝撃が生じることのない熱処理装置を提供することにある。
この発明の熱処理装置は、
熱処理空間を形成し、前記熱処理空間内の被処理物に加熱処理を施す熱処理炉と、
前記熱処理空間内に設けられている支持材と、
前記熱処理空間外から前記熱処理空間内に前記被処理物を搬送した後に、前記被処理物を前記支持材に支持させる搬送装置と、を備える。
熱処理空間を形成し、前記熱処理空間内の被処理物に加熱処理を施す熱処理炉と、
前記熱処理空間内に設けられている支持材と、
前記熱処理空間外から前記熱処理空間内に前記被処理物を搬送した後に、前記被処理物を前記支持材に支持させる搬送装置と、を備える。
また、前記搬送装置により前記熱処理装置内に搬送された前記被処理物の温度を検知する温度検知装置を備え、
前記搬送装置は、前記温度検知装置により検知された温度に基づいて、前記搬送装置により前記熱処理装置内に搬送された前記被処理物を前記支持材に支持させるタイミングを決定する。
前記搬送装置は、前記温度検知装置により検知された温度に基づいて、前記搬送装置により前記熱処理装置内に搬送された前記被処理物を前記支持材に支持させるタイミングを決定する。
なお、本発明において、被処理物とは、熱処理を行う目的物のワークを意味するが、ワークを支持するトレーをも含む概念である(以下、同じ)。
被処理物は、熱処理空間外から熱処理空間内に搬送された後に、熱処理空間内に設けられた支持材に支持される。そして、この支持されるタイミングが調整される。すなわち、温度検知装置により、熱処理装置内に搬送された被処理物の温度に基づいて前記タイミングが調整される。
このように制御することで、熱処理装置内に搬送された被処理物の温度が熱処理空間内で加熱されてから支持材で支持されるようにできる。すると、被処理物が支持材で支持されたときの両者の温度差が高くならず、被処理物に対する熱衝撃が生じない。
搬送装置は、温度検知装置により検知された温度が損傷温度より高くなった場合に、搬送装置により熱処理装置内に搬送された被処理物を支持材に支持させる。損傷温度とは、熱衝撃により被処理物がクラックを生じたり割れたりする温度である、すなわち、被処理物が支持材に支持されたときに、被処理物の温度と支持部材との温度差に起因する熱衝撃により前記被処理物が損傷する温度である。
また、温度検知装置は、被処理物に接触せずに、被処理物の温度を検知する。このような温度検知装置としては放射温度計が一般的である。
この発明によれば、被処理物が熱処理炉内に搬送されて支持材に支持されるときに、被処理物が一定の高温になってから支持されるようにしたので、被処理物が熱衝撃によって損傷することを防止できる。
本発明の実施形態に係る熱処理装置について、図を参照して説明する。図1(A)、図1(B)は、本発明の実施形態に係る熱処理装置の概略構成を示す側面図である。図1(A)、図1(B)では、搬送室および熱処理炉については断面図を示している。また、図1(A)は、被処理物が搬送室内にある場合を示し、図1(B)は、被処理物が熱処理炉内にある場合を示す。図2は、搬送用ロッドの前端部(第1端部)の平面図である。図3(A)は、側面図であり、図3(B)は、搬送用ロッドの前端部(第1端部)の平面図であり、図3(C)は端面図であり、図3(D)は外観斜視図である。図4は、熱処理空間のz方向において、被処理物、支持材の位置関係を示す図である。
以下、高さ方向をz方向、搬送用ロッドの移動方向をx方向、x方向に直交する方向をy方向として説明する。
(熱処理装置10の全体構成)
図1(A)、図1(B)、図2に示すように、熱処理装置10は、熱処理炉20、搬送室30、搬送用ロッド41、搬送用ロッド42、搬送装置50、および、切替装置60を備える。
図1(A)、図1(B)、図2に示すように、熱処理装置10は、熱処理炉20、搬送室30、搬送用ロッド41、搬送用ロッド42、搬送装置50、および、切替装置60を備える。
熱処理炉20と搬送室30とは、一方向(図1(A)、図1(B)におけるx方向)に沿って並んで配置されている。熱処理炉20と搬送室30とは接続している。
熱処理炉20は、被処理物に対して加熱処理を行う熱処理空間(内部空間)200を有する。熱処理炉20は、熱処理空間200の雰囲気が保てる部屋で構成されている。熱処理炉20は、上部の壁構造体にガス導入部(図示せず)が設けられ、ガス導入部から所定の雰囲気ガス(熱処理ガス)が熱処理空間200内に導かれる。
熱処理空間200には、被処理物WKを支持するための支持材230~233、および、熱源240が配置されている。支持材230~233は、全体として棒状であって先端が細いセラミックスから構成され、z方向に伸びるように熱処理空間200内に図示しない保持部材で保持されている。図4に示すように、4つの支持材230~233は、x方向に2つが並び、且つy方向に2つが並ぶように配置されている。支持材230~233の先端位置は、搬送用ロッド41および搬送用ロッド42の上端よりも高い位置にある。
熱源240は、熱処理空間200の上側の壁に近接した位置、および下側の壁に近接した位置に、それぞれ配置されている。これに限らず、熱源240は、熱処理空間200の側方に配置されていてもよい。熱源240は、支持材230~233で支持された被処理物WKを均一加熱できるものであればよい。
熱処理炉20を構成する壁における1つの側壁(前壁21)には、開口201が形成されている。開口201は、前壁21を貫いている。この開口201を介して、熱処理炉20の熱処理空間200は、搬送室30の搬送空間(内部空間)300に繋がっている。
熱処理炉20を構成する他の壁(上壁)には、その中央部に孔が開けられている。また、他の壁(上壁)に近接した位置に設けられている熱源240にも、前記孔に対応する位置に他の孔が設けられている。この二つの孔には窓部を介して温度検知装置として放射温度計250が配置されている。後述のように、放射温度計250は、熱処理炉内に搬送された被処理物WKの温度を検出する。窓部は、放射温度計250で放射する波長(数μ~10μ以下)を吸収しない特性の窓ガラスで構成することが可能である。
搬送室30は、搬送空間300を有する。搬送室30を構成する壁における1つの側壁(前壁31)には、開口301および開口302(図5参照)が形成されている。開口301、302は、前壁31を貫いている。これら開口301、302によって、搬送用ロッド41および搬送用ロッド42が前進と後退ができる。
搬送室30は、遮熱壁32が配置されている。遮熱壁32は、搬送室30における熱処理炉20側の端部の近傍に配置されている。遮熱壁32は、可動式であり、搬送空間300における開口201へ繋がる側の空間と、開口301に繋がる側の空間の遮断、連通を切り替えられる。
搬送用ロッド41と搬送用ロッド42は、一方向に延びる棒形状(本願では円柱状)である。搬送用ロッド41と搬送用ロッド42の材質は、腐食しにくいステンレス鋼(SUS)で構成されている。
搬送用ロッド41と搬送用ロッド42の延びる方向は、熱処理炉20と搬送室30とが並ぶ方向に平行である。搬送用ロッド41と搬送用ロッド42は、所定の距離をおいて、平行に配置されている。搬送用ロッド41と搬送用ロッド42との並ぶ方向は、x方向およびz方向に直交する方向(図1(A)、図1(B)におけるy方向)である。搬送用ロッド41と搬送用ロッド42との距離Ws(図2参照)は、後述する支持部材412および支持部材422の長さも考慮して、支持材230~233のy方向の寸法よりも大きい。
搬送用ロッド41と搬送用ロッド42とは、搬送室30の前壁31に形成された第2開口を挿通している。搬送用ロッド41の延びる方向の第1端部4111と搬送用ロッド42の延びる方向の第1端部4211(図2参照)は、搬送室30内側に配置され、搬送用ロッド41の延びる方向の第2端部4112と搬送用ロッド42の延びる方向の第2端部4212(図6参照)は、搬送室30の外部に配置される。
後述のように、搬送用ロッド41と搬送用ロッド42とは、それぞれ45度回転する。0度のときをロッド状態A、45度回転したときをロッド状態Bと称する。詳細は後述するように、搬送用ロッド41と搬送用ロッド42とは以下の工程を繰り返す。
搬送用ロッド41と搬送用ロッド42は、
(工程1)搬送室30内でロッド状態Bで被処理物WKを上方から受け取る。被処理物WKがセットされる。
(工程1)搬送室30内でロッド状態Bで被処理物WKを上方から受け取る。被処理物WKがセットされる。
(工程2)ロッド状態Bで前進して第1端部4111、4211を熱処理炉20内に移動させる。
(工程3)被処理物WKの温度が所定温度に上昇するとロッド状態Aにする。所定温度に上昇したかどうかは、放射温度計250の出力により判定される。このとき、被処理物WKは4つの支持材230~233上に置かれて支持される。被処理物WKに対する熱処理が行われる。
(工程4)ロッド状態Aで後退して、第1端部4111、4211が搬送室30内に移動する。
(工程5)被処理物WKに対する熱処理が終わると、ロッド状態Aで前進して第1端部4111、4211を熱処理炉20内に移動させる。
(工程6)ロッド状態Bにする。このとき、被処理物WKを支持材230~233から受け取って支持する。
(工程7)ロッド状態Bで後退して、第1端部4111、4211が搬送室30内に移動する。
(工程8)ロッド状態Bで被処理物WKを外部に取り出す。
x方向における、搬送用ロッド41の延びる方向の第1端部4111と搬送用ロッド42の延びる方向の第1端部4211の位置は同じであり、搬送用ロッド41の延びる方向の第2端部4112と搬送用ロッド42の延びる方向の第2端部4212は、同じである。
搬送装置50は、搬送室30を基準として、熱処理炉20が接続する側と反対側に配置されている。すなわち、搬送装置50は、搬送室30および熱処理炉20の外側に配置されている。搬送装置50は、ロッド保持部材51を介して搬送用ロッド41と搬送用ロッド42に接続する。搬送用ロッド41と搬送用ロッド42とは、それぞれの側面に沿う方向に回転可能な状態(ロッド状態Aとロッド状態B)で、ロッド保持部材51に保持されている。
搬送装置50は、前後方向であるx方向に沿って移動する。この搬送装置50の移動によって、搬送用ロッド41と搬送用ロッド42も、前後方向であるx方向に沿って移動する。これにより、図1(A)に示すように、搬送装置50が移動範囲の第1端部にあるとき、搬送用ロッド41の第1端部4111の部分と、搬送用ロッド42の第1端部4211の部分とは、搬送室30の搬送空間300に配置される。一方、図1(B)に示すように、搬送装置50が移動範囲の第2端部にあるとき、搬送用ロッド42の第1端部4211の部分と、搬送用ロッド42の第1端部4211の部分とは、熱処理炉20の熱処理空間200に配置される。
搬送装置50は、熱処理炉20の外側で、且つ離れた位置に配置されている。このため、搬送装置50は熱対策する必要はない。搬送装置50は、安価な普及品で構成することが可能である。
以上のように、熱処理装置10は、搬送室30において、搬送用ロッド41の第1端部4111の部分および搬送用ロッド42の第1端部4211の部分に載置された被処理物WKが、開口201を介して、熱処理炉20内に搬入される(図1(A)→図1(B))。熱処理炉20内に搬入された被処理物WKは、その温度が低いが、熱処理炉20内で所定の温度に上昇したときにロッド状態B→ロッド状態Aとなって、支持材230~233で支持される。このとき、被処理物WKの温度は十分に加熱されているため、支持材230~233で支持されたときに被処理物WKに対する熱衝撃は生じない。
被処理物WKに対する熱衝撃は、被処理物WKの材料の対熱衝撃温度特性に依存する。対熱衝撃温度特性は、急激な温度変化に耐えられる温度特性である。例えば、セラミックスの中のアルミナの対熱衝撃温度は200℃程度である。
そこで、被処理物WKを支持材230~233で支持した時の被処理物WKと支持材230~233の温度差が対熱衝撃温度以内となるように制御する。例えば、被処理物WKの被支持点付近がアルミナの場合、上記温度差が200℃以内となるまで被処理物WKを加熱する。熱制御の具体例は以下の通りである。
熱処理炉20内の温度が1300℃に保たれているとする。被処理物WKが熱処理炉20内に搬入される直前では、被処理物WKの温度は常温である。被処理物WKが熱処理炉20内に搬入されると、被処理物WKが加熱される。このとき、被処理物WKはロッド状態Bで搬送用ロッド41、42で支持されているため、被処理物WKに対する熱衝撃はない。被処理物WKの温度が1100℃以上に上昇すると、搬送用ロッド41、42をロッド状態Aにする。このとき、被処理物WKは支持材230~233で支持されるが、両者の温度差は200℃以下となっている。したがって、被処理物WKに対し熱衝撃は生じない。本発明の損傷温度とは、この例では両者の温度差が200℃以上となる1100℃以下である。
なお、支持材230~233は、先端部のみを別部材で構成しても良い。このようにすれば、先端部が破損しても取り換えが容易である。また、被処理物WKの特性により、先端部を変更することも可能である。先端部は例えば、ネジ構造によって本体部に取り付けるようにすれば良い。
次に切替装置60と搬送用ロッド41、42について説明する。
切替装置60は、搬送用ロッド41の第2端部4112および搬送用ロッド42の第2端部4212に接続する。切替装置60は、搬送用ロッド41および搬送用ロッド42を、それぞれの側面に沿った方向に回転させてロッド状態Aとロッド状態Bのいずれかの状態に保持する回転補助機構を備える。
搬送用ロッド41には、被処理物WKを支持するための支持部材412が配置され、搬送用ロッド42には、支持部材422が配置される。
図2に示すように、支持部材412は、2個であり、2個の支持部材412は、搬送用ロッド41の第1端部4111の近傍(搬送用ロッド41の第1端部4111の部分)に接続している。2個の支持部材412は、搬送用ロッド41の延びる方向において、間隔LS412で配置されている。この間隔LS412は、搬送時に支持する被処理物WKのx方向に沿った大きさ、または、被処理物WKの大きさによって決まり、2個の支持部材412が被処理物WKの裏面に接触するように決定されている。
2個の支持部材412は、搬送用ロッド41の側面411に接続している。2個の支持部材412は、側面411から搬送用ロッド42側に突出している。2個の支持部材412の突出量L412は、被処理物WKの高さ方向の移動量によって決定される。
図3(A)~図3(D)に示すように、2個の支持部材412は、丸棒であり、先端に、外周端413を有する。これにより、被処理物WKを支持する際に、外周端413が被処理物WKの裏面に当接する。すなわち、支持部材412は、被処理物WKを点によって支持できる。したがって、支持部材412は、被処理物WKへの接触を最小限に抑えられる。これにより、例えば、被処理物WKに当接した支持部材412を介して放熱することで、被処理物WKに局所的な温度差が生じて、被処理物WKが歪むなどの熱の影響を抑制できる。また、さらに、支持部材412がx方向に2個並んでいることによって、被処理物WKを安定して支持できる。
図2に示すように、支持部材422は、2個であり、2個の支持部材422は、搬送用ロッド42の第1端部4211の近傍(搬送用ロッド42の第1端部4211の部分)に接続している。2個の支持部材422は、搬送用ロッド42の延びる方向において、間隔LS422で配置されている。この間隔LS422は、搬送時に支持する被処理物WKのx方向に沿った大きさによって決まり、2個の支持部材422が被処理物WKの裏面に接触するように決定されている。
2個の支持部材422は、搬送用ロッド42の側面421に接続している。2個の支持部材422は、側面421から搬送用ロッド41側に突出している。2個の支持部材422の突出量L422は、被処理物WKの高さ方向の移動量によって決定される。
図5(A)、図5(B)は、搬送用ロッドおよび支持部材の挙動を示す図である。図5(A)はロッド状態Bであり、図5(B)はロッド状態Aである。
2個の支持部材422は、2個の支持部材412と同様に、丸棒であり、先端に、外周端423(図5参照)を有する。これにより、ロッド状態Bでは、被処理物WKを支持する際に、外周端423が被処理物WKの裏面に当接する。すなわち、支持部材422は、被処理物WKを点によって支持できる。したがって、支持部材422は、被処理物WKへの接触を最小限に抑えられる。これにより、例えば、被処理物WKに当接した支持部材422を介して放熱することで、被処理物WKに局所的な温度差が生じて、被処理物WKが歪むなどの熱の影響を抑制できる。
また、支持部材422がx方向に2個並んでいることによって、被処理物WKを安定して支持できる。ここで、支持部材412、422が丸棒である例を示したが、これに限るものではなく、三角柱や多角柱の棒状体や、先端が半球状の棒状体など、被処理物を点接触で支持できるものであればよい。
(搬送用ロッド41,42および支持部材412,422の挙動)
上述のように、切替装置60によって、搬送用ロッド41と搬送用ロッド42とが回転する。これにより、支持部材412および支持部材422は、図5(A)に示すロッド状態B(45度回転)の姿勢と、図5(B)に示すロッド状態Aの姿勢とをとることができる。
上述のように、切替装置60によって、搬送用ロッド41と搬送用ロッド42とが回転する。これにより、支持部材412および支持部材422は、図5(A)に示すロッド状態B(45度回転)の姿勢と、図5(B)に示すロッド状態Aの姿勢とをとることができる。
ロッド状態Bでは、支持部材412の先端が搬送用ロッド41の上端よりも上側となり、支持部材422の先端が搬送用ロッド42の上端よりも上側となる。さらに、図5(A)に示すように、ロッド状態Bでは、支持部材412および支持部材422の先端にて支持された被処理物WKは、支持材230~233の上端よりも上方に配置される。
ロッド状態A(0度回転)は、支持部材412の先端が搬送用ロッド41の上端よりも下側となり、支持部材422の先端が搬送用ロッド42の上端よりも下側となる態様である。
したがって、この切り替えを利用することによって、搬送室30でロッド状態Bにて、被処理物WKを支持部材412および支持部材422に載置し、そのまま熱処理炉20内に搬送することで、被処理物WKは、支持材230~233の上方に運ばれる。
被処理物WKが所定の温度まで加熱されると、ロッド状態Aに切り替えられ、被処理物WKは、支持部材412および支持部材422による支持から解放され、支持材230~233で支持される。
被処理物WKが熱処理空間200内で熱処理された後、ロッド状態Aにて、搬送用ロッド41、42を熱処理炉20内に挿入すると、搬送用ロッド41、42は、被処理物WKの下方に配置される。すなわち、搬送用ロッド41、42は、被処理物WKに衝突することなく、熱処理炉20内に配置される。
この状態において、搬送用ロッド41、42を45度回転させてロッド状態Bに切り替える。すると、被処理物WKは、支持材230~233による支持から、支持部材412および支持部材422による支持に切替えられる。これにより、被処理物WKは、支持材230~233から離れる。そして、この状態のまま搬送されることで、被処理物WKは、熱処理炉20から搬送室30に搬出される。
このように、本実施形態の構成を用いることで、搬送用ロッド41、42の高さ方向の位置を変えることなく、被処理物WKを搬送室30内から熱処理炉20内に搬送して、被処理物WKを所定の温度まで加熱処理をしたのちに支持材230~233で支持する。その後、被処理物WKに対する熱処理を行い、被処理物WKを支持材230~233から持ち上げて、熱処理炉20内から搬送室30内に搬送する。
これにより、開口201の高さは、搬送用ロッド41、42の下端から被処理物WKの上面までの高さ程度でよい。したがって、開口201の開口面積を小さくでき、熱処理炉20の熱や充填された気体が開口201を介して搬送室30に漏洩することを抑制できる。すなわち、開口201があることによる熱処理炉20の温度、雰囲気の変化を抑制できる。ただし、望ましい実施例では、熱処理空間200と搬送空間300の雰囲気が同じになるように、冷却ガスPを熱処理空間200内のガスと同じものにする。あるいは、両者の主要成分を同じものとする。これにより、遮熱壁32により開口201の開閉を繰り返しても熱処理空間200と搬送空間300の雰囲気を同一に保つことが出来る。
また、切替装置60と搬送装置50を含む駆動装置は、熱処理炉20と搬送室30の外側で、且つ、それらから離れた位置に設けられる。このため、切替装置60と搬送装置50は高熱対応の部品ではなく、安価な汎用部品で構成可能である。
また、本実施形態の構成を用いることによって、搬送室30の高さを、低くできる。これにより、搬送室30の体積を小さくでき、搬送室30のための気体の使用量を削減でき、搬送室30の雰囲気の置換時間も削減できる。
また、本実施形態の構成を用いることによって、開口301、302の開口面積を小さくできる。図6は、搬送室の前壁に形成された開口と搬送用ロッドとを示す図である。
上述のように、熱処理装置10では、搬送用ロッド41、42は、x方向にのみ移動し、z方向には移動しない。したがって、開口301、302は、搬送用ロッド41、42が挿通するだけの大きさであればよく、例えば搬送用ロッド41、42の外形(円周面)に沿った形状であり、搬送用ロッド41、42の外形よりも若干大きければよい。例えば、開口301、302は、搬送用ロッド41、42の断面形状と同様の形状で、略同じ寸法の円形の開口であればよい。
より具体的には、開口301の直径φ301は、搬送用ロッド41の直径φ41とほぼ同程度で、かつ、大きければよい。この際、開口301の直径φ301は、搬送用ロッド41の直径φ41に近いほど好ましい。なお、開口301の直径φ301は、支持部材412の第1態様における搬送用ロッド41の下端と支持部材412の上端との距離H41よりも短ければよい。
同様に、開口302の直径φ302は、搬送用ロッド42の直径φ42とほぼ同程度で、かつ、大きければよい。この際、開口302の直径φ302は、搬送用ロッド42の直径φ42に近いほど好ましい。なお、開口302の直径φ302は、支持部材422の第1態様における搬送用ロッド42の下端と支持部材422の上端との距離H42よりも短ければよい。
このような構成によって、開口301、302の開口面積を小さくできる。これにより、搬送室30と外部とが開口301、302を介して連通する面積を小さくできる。したがって、外部の温度および雰囲気が搬送室30の内部の温度および雰囲気に与える影響を小さくできる。ひいては、搬送室30を介して熱処理炉20の内部の温度および雰囲気に与える影響を小さくできる。
なお、搬送用ロッド41、42を回転させる切替装置60は、例えば、図7(A)、図7(B)に示す構成によって実現される。図7(A)、図7(B)は、切替装置の一構成例を示す図であり、図7(A)が図5(A)のロッド状態Bに対応し、図7(B)が図5(B)のロッド状態Aに対応する。
図7(A)、図7(B)に示すように、切替装置60は、シャフト611、シャフト621、摺動板612、摺動板622、結合板63、軸部材601、および、アクチュエータ602を備える。
シャフト611は、搬送用ロッド41から搬送用ロッド42側に延びる形状である。シャフト611の第1端部は、搬送用ロッド41の第2端部4112に固定されている。シャフト611の第2端部は、摺動板612に接続する。この際、摺動板612には、y方向に延びる溝613が形成されており、シャフト611の第2端部は、当該第2端部に配置されたピン614を溝613にはめ込むことによって、摺動板612に対して摺動可能に接続される。
シャフト621は、搬送用ロッド42から搬送用ロッド41側に延びる形状である。シャフト621の第1端部は、搬送用ロッド42の第2端部4212に固定されている。シャフト621の第2端部は、摺動板622に接続する。この際、摺動板622には、y方向に延びる溝623が形成されており、シャフト621の第2端部は、当該第2端部に配置されたピン624を溝623にはめ込むことによって、摺動板622に対して摺動可能に接続される。
摺動板612と摺動板622とは、結合板63に固定されている。より具体的には、摺動板612は、結合板63におけるy方向の第1端部に固定され、摺動板622は、結合板63におけるy方向の第2端部に固定されている。
結合板63のy方向の中心には、z方向に延びる軸部材601の第1端部が接続している。軸部材601の第2端部は、アクチュエータ602に接続している。
このような構成において、アクチュエータ602によって、軸部材601の長さを変化させることで、結合板63、摺動板612、および、摺動板622のz方向の位置は変化する。この変化に伴って、ピン614が溝613内を移動(摺動)し、ピン624が溝623内を移動(摺動)する。そして、ピン614の移動に伴って、シャフト611が回動し、ピン624の移動に伴って、シャフト621が回動する。これらシャフト611、621の回動によって、搬送用ロッド41、42は、回転する。
このような構成を切替装置60に用いることで、搬送用ロッド41の回転と搬送用ロッド42の回転を同期させることができる。したがって、被処理物WKの持ち上げ等を安定して行うことができる。
なお、以上の構成を備える熱処理装置10は、例えば、図8、図9に示すような処理を行うことで、被処理物WKの熱処理を行う。
図8(A)、図8(B)、図8(C)、図8(D)、図8(E)は、熱処理装置の外部から被処理物WKを投入して、熱処理を行うまでの工程を示す図である。図9(A)、図9(B)、図9(C)、図9(D)は、被処理物WKの熱処理後から被処理物WKを熱処理装置の外部に取り出すまでの工程を示す図である。また、図10は、図8、図9に示す工程をフローチャートで示している。
まず、図8(A)に示すように、搬送用ロッド41、42の第1端部4111、4211が搬送室30内にある状態で、投入口39から、被処理物WKを投入する(ST1)。この際、支持部材412、422は、ロッド状態Bであり、被処理物WKは、支持部材412、422上に置かれる。この状態では、遮熱壁32は、搬送室30の搬送空間300を、搬送用ロッド41、42が存在する側と、開口201につながる側とに分離するように設置される。これにより、投入口39と開口201とが直接つながることを抑制できる。上記したように、被処理物WKが投入された後、投入口39を閉じた状態にする。そして、被処理物WKを搬送室30内に投入した際に、投入口39から混入した外気を除去するために、搬送室30の置換処理が行われる。この置換処理は、搬送室30内に窒素ガス等のパージガスを供給することにより行われ、搬送室30内の空気がパージガスに追い出される。これによって、搬送室30内の雰囲気は、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気に置換される。
次に、図8(B)に示すように、投入口39が閉じた状態で、遮熱壁32が上方に移動する。これにより、搬送用ロッド41、42および被処理物WKを、開口201を介して熱処理炉20に搬入可能な状態となる。
次に、図8(C)に示すように、搬送装置50によって、搬送用ロッド41、42が移動し(ST2)、搬送用ロッド41、42の第1端部4111、4211は、熱処理炉20内に挿入される。これにより、被処理物WKは、支持材230~233の上方まで搬送される。
この状態で、被処理物WKの温度が加熱される。被処理物WKの温度は放射温度計250で測定され、その温度が所定温度になるまで待機する(ST3、ST4)。
次に、被処理物WKの温度が所定温度に達すると、被処理物WKを支持材230~233に支持させるタイミングであると決定し、図8(D)に示すように、支持部材412、422は、ロッド状態Bからロッド状態Aに切り替えられ、被処理物WKは、支持材230~233で支持される(ST5)。
次に、図8(E)に示すように、搬送装置50によって、搬送用ロッド41、42が移動し、搬送用ロッド41、42の第1端部4111、4211は、搬送室30内に撤退する(ST6)。この状態で、遮熱壁32は下方に移動し、搬送室30の搬送空間300を、搬送用ロッド41、42が存在する側と、開口201につながる側とに分離する。言い換えれば、遮熱壁32は、開口201をふさぐ構造となり、密閉空間が形成される。
そして、この状態において、熱処理炉20は、所定の温度、雰囲気に制御され、被処理物WKは、所定時間、熱処理される(ST7)。
被処理物WKへの熱処理後、図9(A)に示すように、遮熱壁32は上方に移動する。そして、搬送用ロッド41、42が移動し、搬送用ロッド41、42の第1端部4111、4211は、熱処理炉20内における被処理物WKの下に達する(ST8)。この際、支持部材412、422は、ロッド状態Aであるので、搬送用ロッド41、42の第1端部4111、4211が被処理物WKに近づいても、被処理物WKに当たらない。
次に、図9(B)に示すように、支持部材412、422は、ロッド状態Aからロッド状態Bに切り替えられ、被処理物WKは、支持材230~233から持ち上げられる。そして、被処理物WKは、支持部材412、422によって支持される(ST9)。
次に、図9(C)に示すように、搬送装置50によって、搬送用ロッド41、42が移動し、搬送用ロッド41、42の第1端部4111、4211は、搬送室30内に移動する(ST10)。これにより、被処理物WKは、熱処理炉20から搬送室30に搬出される。
次に、図9(D)に示すように、遮熱壁32は、下方に移動し、搬送室30の搬送空間300を、搬送用ロッド41、42が存在する側と、開口201につながる側とに分離する。この状態で、投入口39を開放することで、被処理物WKは、熱処理装置10の外部に取り出される(ST11)。
このような熱処理工程では、熱処理炉20と搬送室30との間の開口201、および、搬送室30と外部との開口301が、熱処理炉20および搬送室30の雰囲気の維持に影響を与える。しかしながら、本実施形態の構成を備えることによって、開口201および開口301の開口面積を小さくでき、熱処理炉20および搬送室30の雰囲気の維持に与える影響を抑制できる。すなわち、熱処理炉20および搬送室30の雰囲気の維持に対する開口201、301による損失を抑制し、熱処理炉20および搬送室30の雰囲気の維持を効率的に行うことができる。
また、被処理物WKは、ST4において、所定温度になるまで加熱され、その後に支持材230~233で支持されるため、被処理物WKが支持材230~233で支持されるときに熱衝撃が生じない。
(支持部材の態様の切り替えの他の例)
なお、上述の説明では、搬送用ロッド41、42を回転させることによって、高さ方向(z方向)における支持部材412、422の先端の位置を変化させる態様を示した。しかしながら、他の構成によって、高さ方向における支持部材412、422の先端の位置を変化させることもできる。図11(A)、図11(B)は、支持部材の別の一例を概念的に示す図である。図11(A)、図11(B)は、支持部材の第1端部側から視た図である。
なお、上述の説明では、搬送用ロッド41、42を回転させることによって、高さ方向(z方向)における支持部材412、422の先端の位置を変化させる態様を示した。しかしながら、他の構成によって、高さ方向における支持部材412、422の先端の位置を変化させることもできる。図11(A)、図11(B)は、支持部材の別の一例を概念的に示す図である。図11(A)、図11(B)は、支持部材の第1端部側から視た図である。
支持部材412、422は、図11(A)に示す、搬送用ロッド41、42の上端から突出するロッド状態Bと、図11(B)に示す、搬送用ロッド41、42内に収容されるロッド状態Aとを有する。支持部材412、422を搬送用ロッド41、42の上端から突出させたり、搬送用ロッド41、42に収容する機構は、支持部材412、422を物理的に押し出したり引き込んだりする機構であってもよく、支持部材412、422を圧縮空気等を用いて押し出したり引き込んだりする機構であってもよい。また、他の機構であってもよい。このような構成であっても、上述の搬送用ロッド41、42を回転させる機構を用いた構成と同様の作用効果を奏することができる。
さらに、上述の説明では、搬送用ロッドとして、一対の搬送用ロッド41、42を用いた例を示したが、上述の構成はこれに限るものではなく、1つの搬送用ロッドを用いてもよい。この場合、1つの搬送用ロッド41を移動し、被処理物WKを熱処理炉20に搬入等させることができる。
図12は、搬送用ロッドの派生例の構成を示す部分的な平面図である。例えば、図12に示すように、1つの搬送用ロッド41を、その先端部にて、二叉状に分岐させ、この二叉部の一端と他端には、それぞれ支持部材412、422が配置される構造にすればよい。また、その際、支持部材412、422のロッド状態Bとロッド状態Aの切り替えについては、例えば、前述の図11(A)、図11(B)で示した例と同様に、支持部材412、422は、前記二叉部の一端と他端から突出するロッド状態Bと、前記二叉部の一端と他端の内に収容されるロッド状態Aとに切り替えるようにすることができる。
また、熱処理炉20として雰囲気炉を例として示したが、上述の構成は、雰囲気炉に限るものではなく、他の仕様の熱処理炉にも適用できる。
(搬送用ロッド41、42を回転させる他の例)
上述の説明では、アクチュエータ602を含む切替装置60を用いて搬送用ロッド41、42を回転させているが、モータ650を使用して搬送用ロッド41、42を回転させることが可能である。
上述の説明では、アクチュエータ602を含む切替装置60を用いて搬送用ロッド41、42を回転させているが、モータ650を使用して搬送用ロッド41、42を回転させることが可能である。
図13は、搬送用ロッド41の第2端部4112にモータ650、搬送用ロッド42の第2端部4212(図7参照)にモータ651を設けた実施例を示す。モータ650とモータ651とのステータは搬送装置50に固定され、各モータのロータの回転部が第2端部4112と第2端部4212のそれぞれに連結される。モータ650とモータ651は所定の角度だけ回転するステッピングモータで構成するのが好ましい。また、モータ650とモータ651は図外の制御回路で同期され、その回転角度は同一となるように制御される。このように、モータ650、651を、第2端部4112と第2端部4212とに設けることで、構造が簡易化する。
(搬送用ロッド41、42を回転させる他の例)
図14は、搬送用ロッド41、42を回転させるさらに他の例を示す。
図14は、搬送用ロッド41、42を回転させるさらに他の例を示す。
この実施例では、切替装置60を、ラック・ピニオン機構を含む構造とする。切替装置60は、搬送用ロッド41の第2端部4112側に設けられるラック・ピニオン機構700と搬送用ロッド42の第2端部4212側に設けられるラック・ピニオン機構800とで構成される。
ラック・ピニオン機構700は、搬送用ロッド41の第2端部4112に連結されるピニオンギア702と、これに噛み合う棒状のラック703と、ラック703を上下動させるエアシリンダ701とで構成される。同様に、ラック・ピニオン機構800は、搬送用ロッド42の第2端部4212に連結されるピニオンギア802と、これに噛み合う棒状のラック803と、ラック803を上下動させるエアシリンダ801とで構成される。また、エアシリンダ701、801を制御する制御部が設けられている(図示せず)。制御部は、エアシリンダ701、801を同期制御し、ラック703とラック803を同じ量だけ上下動させる。図14(A)は、ラック703とラック803が上方に移動してロッド状態Bとなったことを示し、図14(B)は、ロッド状態Bから、ラック703とラック803が下方に移動してロッド状態Aとなったことを示している。
このように、切替装置60にラック・ピニオン機構を設けるようにしても搬送用ロッド41、42を同じ角度だけ所定回転させることが可能である。
上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
10:熱処理装置
20:熱処理炉
21:前壁
30:搬送室
31:前壁
32:遮熱壁
39:投入口
41,42:搬送用ロッド
50:搬送装置
51:ロッド保持部材
60:切替装置
63:結合板
200:熱処理空間
201:開口
230~233:支持材
240:熱源
300:搬送空間
301:開口
302:開口
411:搬送用ロッド41の側面
412,422:支持部材
421:搬送用ロッド42の側面
423:支持部材422の外周端
601:軸部材
602:アクチュエータ
611:シャフト
612:摺動板
613:摺動板612の溝
614:ピン
621:シャフト
622:摺動板
623:摺動板622の溝
624:ピン
4111:搬送用ロッド41の第1端部
4112:搬送用ロッド41の第2端部
4211:搬送用ロッド42の第1端部
4212:搬送用ロッド42の第2端部
WK:被処理物
20:熱処理炉
21:前壁
30:搬送室
31:前壁
32:遮熱壁
39:投入口
41,42:搬送用ロッド
50:搬送装置
51:ロッド保持部材
60:切替装置
63:結合板
200:熱処理空間
201:開口
230~233:支持材
240:熱源
300:搬送空間
301:開口
302:開口
411:搬送用ロッド41の側面
412,422:支持部材
421:搬送用ロッド42の側面
423:支持部材422の外周端
601:軸部材
602:アクチュエータ
611:シャフト
612:摺動板
613:摺動板612の溝
614:ピン
621:シャフト
622:摺動板
623:摺動板622の溝
624:ピン
4111:搬送用ロッド41の第1端部
4112:搬送用ロッド41の第2端部
4211:搬送用ロッド42の第1端部
4212:搬送用ロッド42の第2端部
WK:被処理物
Claims (3)
- 熱処理空間を形成する熱処理炉であって、前記熱処理空間内の被処理物に加熱処理を施す熱処理炉と、
前記熱処理空間内に設けられている支持材と、
前記熱処理空間外から前記熱処理空間内に前記被処理物を搬送した後に、前記被処理物を前記支持材に支持させる搬送装置と、
前記搬送装置により前記熱処理装置内に搬送された前記被処理物の温度を検知する温度検知装置と、
を備えており、
前記搬送装置は、前記温度検知装置により検知された温度に基づいて、前記搬送装置により前記熱処理装置内に搬送された前記被処理物を前記支持材に支持させるタイミングを決定する、
熱処理装置。 - 損傷温度は、前記被処理物が前記支持材に支持されたときに、前記被処理物の温度と前記支持材との温度差に起因する熱衝撃により前記被処理物が損傷する前記被処理物の温度であり、
前記搬送装置は、前記温度検知装置により検知された温度が前記損傷温度より高くなった場合に、前記搬送装置により前記熱処理装置内に搬送された前記被処理物を前記支持材に支持させる、
請求項1に記載の熱処理装置。 - 前記温度検知装置は、前記被処理物に接触せずに、前記被処理物の温度を検知する、
請求項1又は請求項2のいずれかに記載の熱処理装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021032512A JP2022133685A (ja) | 2021-03-02 | 2021-03-02 | 熱処理装置 |
TW110126180A TWI801934B (zh) | 2021-03-02 | 2021-07-16 | 熱處理裝置 |
KR1020210094933A KR20220124068A (ko) | 2021-03-02 | 2021-07-20 | 열처리장치 |
CN202111046701.5A CN114993040A (zh) | 2021-03-02 | 2021-09-06 | 热处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021032512A JP2022133685A (ja) | 2021-03-02 | 2021-03-02 | 熱処理装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022133685A true JP2022133685A (ja) | 2022-09-14 |
Family
ID=83018222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021032512A Pending JP2022133685A (ja) | 2021-03-02 | 2021-03-02 | 熱処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2022133685A (ja) |
KR (1) | KR20220124068A (ja) |
CN (1) | CN114993040A (ja) |
TW (1) | TWI801934B (ja) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4522527B2 (ja) | 2000-03-06 | 2010-08-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体製造装置における基板搭載方法 |
US9111971B2 (en) * | 2012-07-30 | 2015-08-18 | Applied Materials Israel, Ltd. | System and method for temperature control of a semiconductor wafer |
JP6539929B2 (ja) | 2015-12-21 | 2019-07-10 | 昭和電工株式会社 | ウェハ支持機構、化学気相成長装置およびエピタキシャルウェハの製造方法 |
JP2020017645A (ja) * | 2018-07-26 | 2020-01-30 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置 |
-
2021
- 2021-03-02 JP JP2021032512A patent/JP2022133685A/ja active Pending
- 2021-07-16 TW TW110126180A patent/TWI801934B/zh active
- 2021-07-20 KR KR1020210094933A patent/KR20220124068A/ko not_active Application Discontinuation
- 2021-09-06 CN CN202111046701.5A patent/CN114993040A/zh active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114993040A (zh) | 2022-09-02 |
TWI801934B (zh) | 2023-05-11 |
TW202236389A (zh) | 2022-09-16 |
KR20220124068A (ko) | 2022-09-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4860167B2 (ja) | ロードロック装置,処理システム及び処理方法 | |
KR20020019414A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치를 이용한 반도체디바이스 제조 방법 | |
KR101227809B1 (ko) | 기판 배치대의 강온 방법, 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체, 및 기판 처리 시스템 | |
KR101333356B1 (ko) | 반송 기구 | |
JP6681565B2 (ja) | プローバ | |
JP2012238911A (ja) | 基板処理装置 | |
US20130062035A1 (en) | Substrate cooling device, substrate cooling method and heat treatment apparatus | |
JP7133765B2 (ja) | 搬送ユニット | |
JP2022133685A (ja) | 熱処理装置 | |
TW202217213A (zh) | 紅外線燒製裝置及使用此裝置之電子部件燒製方法 | |
JPWO2016098375A1 (ja) | 半導体ウェーハの検査装置及び半導体ウェーハの検査方法 | |
JP2010080555A (ja) | 基板処理装置 | |
KR100499365B1 (ko) | 하이브리드형열처리장치 | |
JP2012195570A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR100831906B1 (ko) | 온도 제어실 및 그 온도 제어실을 이용한 진공 처리 장치 | |
TWI780820B (zh) | 熱處理裝置 | |
JP2009188161A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2010080537A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2008112922A (ja) | 基板処理装置 | |
JP7379135B2 (ja) | 熱処理装置 | |
JP2002173775A (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP7053939B1 (ja) | 半田付け装置及び半田付け製品の製造方法 | |
JP7253699B2 (ja) | プローバ | |
JP2010073952A (ja) | 基板処理装置 | |
JP4224192B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240123 |