JP7379135B2 - 熱処理装置 - Google Patents

熱処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP7379135B2
JP7379135B2 JP2019229861A JP2019229861A JP7379135B2 JP 7379135 B2 JP7379135 B2 JP 7379135B2 JP 2019229861 A JP2019229861 A JP 2019229861A JP 2019229861 A JP2019229861 A JP 2019229861A JP 7379135 B2 JP7379135 B2 JP 7379135B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat treatment
transport
opening
rod
treatment furnace
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2019229861A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2021099170A (ja
Inventor
淳司 中谷
Original Assignee
株式会社ジェイテクトサーモシステム
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社ジェイテクトサーモシステム filed Critical 株式会社ジェイテクトサーモシステム
Priority to JP2019229861A priority Critical patent/JP7379135B2/ja
Priority to TW109138342A priority patent/TW202124897A/zh
Priority to KR1020200164722A priority patent/KR20210080209A/ko
Priority to CN202011493831.9A priority patent/CN113008032B/zh
Publication of JP2021099170A publication Critical patent/JP2021099170A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7379135B2 publication Critical patent/JP7379135B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27BFURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS IN GENERAL; OPEN SINTERING OR LIKE APPARATUS
    • F27B17/00Furnaces of a kind not covered by any preceding group
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D7/00Forming, maintaining, or circulating atmospheres in heating chambers
    • F27D7/06Forming or maintaining special atmospheres or vacuum within heating chambers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67126Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F27FURNACES; KILNS; OVENS; RETORTS
    • F27DDETAILS OR ACCESSORIES OF FURNACES, KILNS, OVENS, OR RETORTS, IN SO FAR AS THEY ARE OF KINDS OCCURRING IN MORE THAN ONE KIND OF FURNACE
    • F27D7/00Forming, maintaining, or circulating atmospheres in heating chambers
    • F27D7/06Forming or maintaining special atmospheres or vacuum within heating chambers
    • F27D2007/063Special atmospheres, e.g. high pressure atmospheres

Description

本発明は、搬送用ロッドによって、熱処理炉に被処理物を搬入および搬出をする機構を備える熱処理装置に関する。
特許文献1には、高温熱処理炉および炉内搬送装置が記載されている。特許文献1では、コの字状のリフト管を移動させることで、ワークを熱処理炉内で移動させている。
リフト管は、台と一体になっている。台は、モータ機構によって、水平方向および垂直方向に移動する。
このような構造によって、ワークは、熱処理炉内において、水平方向および垂直方向に搬送される。
特開平07-161652号公報
特許文献1に記載の構成では、ワークの搬送機構の形状が大きい。したがって、このような搬送機構に載置されたワークを、熱処理炉内に搬入しようとすると、熱処理炉の開口部(搬入搬出口)を大きくしなければならない。
そして、開口部が大きくなることによって、熱処理炉内が外部に開口する面積は、大きくなる。このため、熱処理炉の雰囲気を保つ際に、大きなロスが生じてしまう。例えば、熱処理炉内に窒素を充填させるような場合、大量の窒素が必要になってしまう。
したがって、本発明の目的は、熱処理炉と外部とが繋がる面積を小さくできる搬送機構を備える熱処理装置を提供することにある。
この発明の熱処理装置は、熱処理炉、搬送室、搬送用ロッド、搬送装置、支持部材、および、切替装置を備える。熱処理炉は、被処理物が搬送される第1開口を有し、被処理物を熱処理する。搬送用ロッドは、熱処理炉の内外に移動可能であり、熱処理炉側の第1端部と熱処理炉と反対側の第2端部とを備え、第1開口を挿通する棒状である。搬送装置は、第2端部に接続され、第1端部を前記熱処理炉内に移動させる。支持部材は、第1端部に配置され、搬送用ロッドの上端よりも上側に突出し、被処理物が載置可能な第1態様と、上端よりも下側に配置される第2態様とが切り替えられる。切替装置は、搬送用ロッドを介して支持部材の第1態様と第2態様とを切り替える。
この構成では、高さ方向における搬送用ロッドの位置を変えなくても、支持部材の第1態様から第2態様への切り替えによって、熱処理炉内での高さ方向における被処理物の位置は、変えられる。したがって、第1開口の大きさは、搬送用ロッドおよび被処理物が水平方向に移動する際の大きさでよい。これにより、第1開口は、小さくでき、熱処理炉と外部とが繋がる面積は小さくなる。
また、この発明の熱処理装置では、支持部材は、搬送用ロッドの側面に配置された棒状体であることが好ましい。この構成では、支持部材が簡素な構造で実現される。また、被処理物を点接触で支持でき、被処理物に対する熱の影響を抑制できる。
また、この発明の熱処理装置では、切替装置は、搬送用ロッドの第2端部に接続され、搬送用ロッドを側面に沿った方向に回転させる回転補助機構を備えることが好ましい。この構成では、上述の支持部材の第1態様と第2態様との切り替えが容易な構造で実現される。
また、この発明の熱処理装置では、第1開口を介して熱処理炉に接続し、第1開口と反対側の壁に第2開口を有する搬送室を備える。搬送用ロッドは、第1開口と第2開口を挿通して移動する。この構成では、熱処理炉は、第1開口を介して搬送室に繋がり、搬送室は、第2開口を介して外部につながる。したがって、熱処理炉の温度および雰囲気を保ちやすい。さらに、搬送用ロッドが上記構成であることによって、搬送室を小さくできるとともに、第2開口の大きさは、搬送用ロッドの大きさでよいため、第2開口を小さくできる。
また、この発明の熱処理装置では、搬送室は、被処理物が投入される、開閉可能な投入口を備える。投入口は閉じられた状態において、搬送室の雰囲気は、不活性ガスによって置換される。
この構成では、雰囲気を置換させるガス量が、搬送室に充填する程度となるため、ガスの使用量を削減できる。
また、この発明の熱処理装置では、第2開口は、搬送用ロッドの外形に沿った形状であることが好ましい。この構成では、熱処理炉に繋がる搬送室と外部とが繋がる面積が、さらに小さくなり、上記雰囲気を置換させるガスの使用量を、さらに削減できる。
この発明によれば、熱処理炉と外部とが繋がる面積を小さくできる。
図1(A)、図1(B)は、本発明の実施形態に係る熱処理装置の概略構成を示す側面図である。 図2は、搬送用ロッドの先端部(第1端部)の平面図である。 図3(A)は、側面図であり、図3(B)は、搬送用ロッドの先端部(第1端部)の平面図であり、図3(C)は端面図であり、図3(D)は外観斜視図である。 図4(A)、図4(B)は、搬送用ロッドおよび支持部材の挙動を示す図である。 図5は、搬送室の前壁に形成された開口と搬送用ロッドとを示す図である。 図6(A)、図6(B)は、切替装置の一構成例を示す図である。 図7(A)、図7(B)、図7(C)、図7(D)、図7(E)は、熱処理装置の外部から被処理物を投入して、熱処理を行うまでの工程を示す図である。 図8(A)、図8(B)、図8(C)、図8(D)は、被処理物の熱処理後から被処理物を熱処理装置の外部に取り出すまでの工程を示す図である。 図9(A)、図9(B)は、支持部材の別の一例を概念的に示す図である。 図10は、搬送用ロッドの派生例の構成を示す部分的な平面図である。
本発明の実施形態に係る熱処理装置について、図を参照して説明する。図1(A)、図1(B)は、本発明の実施形態に係る熱処理装置の概略構成を示す側面図である。図1(A)、図1(B)では、搬送室および熱処理炉については断面図を示している。また、図1(A)は、被処理物が搬送室内にある場合を示し、図1(B)は、被処理物が熱処理炉内にある場合を示す。図2は、搬送用ロッドの先端部(第1端部)の平面図である。図3(A)は、側面図であり、図3(B)は、搬送用ロッドの先端部(第1端部)の平面図であり、図3(C)は端面図であり、図3(D)は外観斜視図である。
(熱処理装置10の全体構成)
図1(A)、図1(B)、図2に示すように、熱処理装置10は、熱処理炉20、搬送室30、搬送用ロッド41、搬送用ロッド42、搬送装置50、および、切替装置60を備える。
熱処理炉20と搬送室30とは、一方向(図1(A)、図1(B)におけるx方向)に沿って並んで配置されている。熱処理炉20と搬送室30とは接続している。以下、熱処理炉20と搬送室30とが並ぶ方向をx方向として説明する。
熱処理炉20は、内部空間200を有する。内部空間200には、処理台230、および、熱源240が配置されている。より具体的には、例えば、図1(A)、図1(B)に示すように、高さ方向(図1(A)、図1(B)におけるz方向)において、処理台230は、搬送用ロッド41および搬送用ロッド42と略同じ位置に配置される。処理台230の天面は、搬送用ロッド41および搬送用ロッド42の上端よりも高い位置にある。以下、高さ方向をz方向として説明する。
熱源240は、処理台230に対して、上側および下側に、それぞれ所定の間隔をおいて配置されている。これに限らず、熱源240は、処理台230に対して、側方に配置されていてもよい。熱源240は、例えば、線状発光体等のランプヒータで実現される。熱源240は、これに限るものではなく、例えば、処理台230に載置された被処理物WKを均一加熱できるものであればよい。
熱処理炉20を構成する壁における1つの側壁(前壁21)には、開口201が形成されている。開口201は、前壁21を貫いている。この開口201を介して、熱処理炉20の内部空間200は、搬送室30の内部空間300に繋がっている。開口201が、本発明の「第1開口」に対応する。
搬送室30は、内部空間300を有する。搬送室30を構成する壁における1つの側壁(前壁31)には、開口301および開口302(図5参照)が形成されている。開口301、302は、前壁31を貫いている。これら開口301、302によって、搬送室30の内部空間300は、外部に繋がっている。
搬送室30は、遮熱壁32が配置されている。遮熱壁32は、搬送室30における熱処理炉20側の端部の近傍に配置されている。遮熱壁32は、可動式であり、内部空間300における開口201へ繋がる側の空間と、開口301に繋がる側の空間の遮断、連通を切り替えられる。
搬送用ロッド41と搬送用ロッド42は、一方向に延びる棒状(本願では円柱状)である。搬送用ロッド41と搬送用ロッド42の延びる方向は、熱処理炉20と搬送室30とが並ぶ方向に平行である。搬送用ロッド41と搬送用ロッド42は、所定の距離をおいて、平行に配置されている。搬送用ロッド41と搬送用ロッド42との並ぶ方向は、x方向およびz方向に直交する方向(図1(A)、図1(B)におけるy方向)である。搬送用ロッド41と搬送用ロッド42との距離Ws(図2参照)は、後述する支持部材412および支持部材422の長さも考慮して、処理台230のy方向の寸法よりも大きい。
搬送用ロッド41と搬送用ロッド42とは、搬送室30の前壁31に形成された第2開口を挿通している。搬送用ロッド41の延びる方向の第1端部4111と搬送用ロッド42の延びる方向の第1端部4211(図2参照)は、搬送室30内側に配置され、搬送用ロッド41の延びる方向の第2端部4112と搬送用ロッド42の延びる方向の第2端部4212(図6参照)は、搬送室30の外部に配置される。
x方向における、搬送用ロッド41の延びる方向の第1端部4111と搬送用ロッド42の延びる方向の第1端部4211の位置は同じであり、搬送用ロッド41の延びる方向の第2端部4112と搬送用ロッド42の延びる方向の第2端部4212は、同じである。
搬送装置50は、搬送室30を基準として、熱処理炉20が接続する側と反対側に配置されている。すなわち、搬送装置50は、搬送室30および熱処理炉20の外側に配置されている。搬送装置50は、ロッド保持部材51を介して搬送用ロッド41と搬送用ロッド42に接続する。搬送用ロッド41と搬送用ロッド42とは、それぞれの側面に沿う方向に回転可能な状態で、ロッド保持部材51に保持されている。
搬送装置50は、x方向に沿って移動する。この搬送装置50の移動によって、搬送用ロッド41と搬送用ロッド42も、x方向に沿って移動する。これにより、図1(A)に示すように、搬送装置50が移動範囲の第1端部にあるとき、搬送用ロッド41の第1端部4111の部分と、搬送用ロッド42の第1端部4211の部分とは、搬送室30の内部空間300に配置される。一方、図1(B)に示すように、搬送装置50が移動範囲の第2端部にあるとき、搬送用ロッド42の第1端部4211の部分と、搬送用ロッド42の第1端部4211の部分とは、熱処理炉20の内部空間200に配置される。
これにより、具体的な制御、処理は後述するが、図1(A)に示すように、熱処理装置10は、搬送室30において、搬送用ロッド41の第1端部4111の部分および搬送用ロッド42の第1端部4211の部分に載置された被処理物WKを、開口201を介して、図1(B)に示すように、熱処理炉20内に搬入できる。逆に、熱処理装置10は、熱処理炉20において熱処理された被処理物WKを、開口201を介して、搬送室30内に搬出できる。
切替装置60は、詳細な構成は後述するが、搬送用ロッド41の第2端部4112および搬送用ロッド42の第2端部4212に接続する。切替装置60は、搬送用ロッド41および搬送用ロッド42を、それぞれの側面に沿った方向に回転させる回転補助機構を備える。
このような構成において、搬送用ロッド41には、支持部材412が配置され、搬送用ロッド42には、支持部材422が配置される。
図2に示すように、支持部材412は、2個であり、2個の支持部材412は、搬送用ロッド41の第1端部4111の近傍(搬送用ロッド41の第1端部4111の部分)に接続している。2個の支持部材412は、搬送用ロッド41の延びる方向において、間隔LS412で配置されている。この間隔LS412は、搬送時に支持する被処理物WKのx方向に沿った大きさによって決まり、2個の支持部材412が被処理物WKの裏面に接触するように決定されている。
2個の支持部材412は、搬送用ロッド41の側面411に接続している。2個の支持部材412は、側面411から搬送用ロッド42側に突出している。2個の支持部材412の突出量L412は、被処理物WKの高さ方向の移動量によって決定される。
図3(A)~図3(D)に示すように、2個の支持部材412は、丸棒であり、先端に、外周端413を有する。これにより、被処理物WKを支持する際に、外周端413が被処理物WKの裏面に当接する。すなわち、支持部材412は、被処理物WKを点によって支持できる。したがって、支持部材412は、被処理物WKへの接触を最小限に抑えられる。これにより、例えば、被処理物WKに当接した支持部材412を介して放熱することで、被処理物WKに局所的な温度差が生じて、被処理物WKが歪むなどの熱の影響を抑制できる。また、さらに、支持部材412がx方向に2個並んでいることによって、被処理物WKを安定して支持できる。
図2に示すように、支持部材422は、2個であり、2個の支持部材422は、搬送用ロッド42の第1端部4211の近傍(搬送用ロッド42の第1端部4211の部分)に接続している。2個の支持部材422は、搬送用ロッド42の延びる方向において、間隔LS422で配置されている。この間隔LS422は、搬送時に支持する被処理物WKのx方向に沿った大きさによって決まり、2個の支持部材422が被処理物WKの裏面に接触するように決定されている。
2個の支持部材422は、搬送用ロッド42の側面421に接続している。2個の支持部材422は、側面421から搬送用ロッド41側に突出している。2個の支持部材422の突出量L422は、被処理物WKの高さ方向の移動量によって決定される。
2個の支持部材422は、2個の支持部材412と同様に、丸棒であり、先端に、外周端423(図4参照)を有する。これにより、被処理物WKを支持する際に、外周端423が被処理物WKの裏面に当接する。すなわち、支持部材422は、被処理物WKを点によって支持できる。したがって、支持部材422は、被処理物WKへの接触を最小限に抑えられる。これにより、例えば、被処理物WKに当接した支持部材422を介して放熱することで、被処理物WKに局所的な温度差が生じて、被処理物WKが歪むなどの熱の影響を抑制できる。また、さらに、支持部材422がx方向に2個並んでいることによって、被処理物WKを安定して支持できる。ここで、支持部材412、422が丸棒である例を示したが、これに限るものではなく、三角柱や多角柱の棒状体や、先端が半球状の棒状体など、被処理物を点接触で支持できるものであればよい。
(搬送用ロッド41,42および支持部材412,422の挙動)
図4(A)、図4(B)は、搬送用ロッドおよび支持部材の挙動を示す図である。図4(A)は、支持部材によって被処理物を支持する第1態様を示し、図4(B)は、支持部材によって被処理物が支持されていない第2態様を示す。
上述のように、切替装置60によって、搬送用ロッド41と搬送用ロッド42とが回転する。これにより、支持部材412および支持部材422は、図4(A)に示す第1態様と、図4(B)に示す第2態様とをとることができる。
第1態様では、支持部材412の先端が搬送用ロッド41の上端よりも上側となり、支持部材422の先端が搬送用ロッド42の上端よりも上側となる態様である。さらに、図4(A)に示すように、第1態様では、支持部材412および支持部材422の先端にて支持された被処理物WKは、処理台230の天面よりも上方に配置される。
第2態様は、支持部材412の先端が搬送用ロッド41の上端よりも下側となり、支持部材422の先端が搬送用ロッド42の上端よりも下側となる態様である。
したがって、この切り替えを利用することによって、搬送室30で第1態様にて、被処理物WKを支持部材412および支持部材422に載置し、そのまま熱処理炉20内に搬送することで、被処理物WKは、処理台230の上方に運ばれる。
この状態において、第2態様に切り替えると、被処理物WKは、支持部材412および支持部材422による支持から解放され、処理台230の天面に載置される。
逆に、熱処理された後、第2態様にて、搬送用ロッド41、42を熱処理炉20内に挿入することで、搬送用ロッド41、42は、被処理物WKの下方に配置される。すなわち、搬送用ロッド41、42は、被処理物WKに衝突することなく、熱処理炉20内に配置される。
この状態において、第1態様に切り替えると、被処理物WKは、支持部材412および支持部材422によって支持され、処理台230の天面から離れる。そして、この状態のまま搬送されることで、被処理物WKは、熱処理炉20から搬送室30に搬出される。
このように、本実施形態の構成を用いることで、搬送用ロッド41、42の高さ方向の位置を変えることなく、被処理物WKを搬送室30内から熱処理炉20内に搬送して、処理台230の天面に配置し、熱処理後の被処理物WKを処理台230から持ち上げて、熱処理炉20内から搬送室30内に搬送できる。
これにより、開口201の高さは、搬送用ロッド41、42の下端から被処理物WKの上面までの高さ程度でよい。したがって、開口201の開口面積を小さくでき、熱処理炉20の熱や充填された気体が開口201を介して搬送室30に漏洩することを抑制できる。すなわち、開口201があることによる熱処理炉20の温度、雰囲気の変化を抑制できる。
また、本実施形態の構成を用いることによって、搬送室30の高さを、低くできる。これにより、搬送室30の体積を小さくでき、搬送室30のための気体の使用量を削減でき、搬送室30の雰囲気の置換時間も削減できる。
また、本実施形態の構成を用いることによって、開口301、302の開口面積を小さくできる。図5は、搬送室の前壁に形成された開口と搬送用ロッドとを示す図である。
上述のように、熱処理装置10では、搬送用ロッド41、42は、x方向にのみ移動し、z方向には移動しない。したがって、開口301、302は、搬送用ロッド41、42が挿通するだけの大きさであればよく、例えば搬送用ロッド41、42の外形(円周面)に沿った形状であり、搬送用ロッド41、42の外形よりも若干大きければよい。例えば、開口301、302は、搬送用ロッド41、42の断面形状と同様の形状で、略同じ寸法の円形の開口であればよい。
より具体的には、開口301の直径φ301は、搬送用ロッド41の直径φ41とほぼ同程度で、かつ、大きければよい。この際、開口301の直径φ301は、搬送用ロッド41の直径φ41に近いほど好ましい。なお、開口301の直径φ301は、支持部材412の第1態様における搬送用ロッド41の下端と支持部材412の上端との距離H41よりも短ければよい。
同様に、開口302の直径φ302は、搬送用ロッド42の直径φ42とほぼ同程度で、かつ、大きければよい。この際、開口302の直径φ302は、搬送用ロッド42の直径φ41に近いほど好ましい。なお、開口302の直径φ302は、支持部材422の第1態様における搬送用ロッド42の下端と支持部材422の上端との距離H42よりも短ければよい。
このような構成によって、開口301、302の開口面積を小さくできる。これにより、搬送室30と外部とが開口301、302を介して連通する面積を小さくできる。したがって、外部の温度および雰囲気が搬送室30の内部の温度および雰囲気に与える影響を小さくできる。ひいては、搬送室30を介して熱処理炉20の内部の温度および雰囲気に与える影響を小さくできる。
なお、搬送用ロッド41、42を回転させる切替装置60は、例えば、図6(A)、図6(B)に示す構成によって実現される。図6(A)、図6(B)は、切替装置の一構成例を示す図であり、図6(A)が第1態様に対応し、図6(B)が第2態様に対応する。
図6(A)、図6(B)に示すように、切替装置60は、シャフト611、シャフト621、摺動板612、摺動板622、結合板63、軸部材601、および、アクチュエータ602を備える。
シャフト611は、搬送用ロッド41から搬送用ロッド42側に延びる形状である。シャフト611の第1端部は、搬送用ロッド41の第2端部4112に固定されている。シャフト611の第2端部は、摺動板612に接続する。この際、摺動板612には、y方向に延びる溝613が形成されており、シャフト611の第2端部は、当該第2端部に配置されたピン614を溝613にはめ込むことによって、摺動板612に対して摺動可能に接続される。
シャフト621は、搬送用ロッド42から搬送用ロッド41側に延びる形状である。シャフト621の第1端部は、搬送用ロッド42の第2端部4212に固定されている。シャフト621の第2端部は、摺動板622に接続する。この際、摺動板622には、y方向に延びる溝623が形成されており、シャフト621の第2端部は、当該第2端部に配置されたピン624を溝623にはめ込むことによって、摺動板622に対して摺動可能に接続される。
摺動板612と摺動板622とは、結合板63に固定されている。より具体的には、摺動板612は、結合板63におけるy方向の第1端部に固定され、摺動板622は、結合板63におけるy方向の第2端部に固定されている。
結合板63のy方向の中心には、z方向に延びる軸部材601の第1端部が接続している。軸部材601の第2端部は、アクチュエータ602に接続している。
このような構成において、アクチュエータ602によって、軸部材601の長さを変化させることで、結合板63、摺動板612、および、摺動板622のz方向の位置は変化する。この変化に伴って、ピン614が溝613内を移動(摺動)し、ピン624が溝623内を移動(摺動)する。そして、ピン614の移動に伴って、シャフト611が回動し、ピン624の移動に伴って、シャフト621が回動する。これらシャフト611、621の回動によって、搬送用ロッド41、42は、回転する。
このような構成を切替装置60に用いることで、搬送用ロッド41の回転と搬送用ロッド42の回転を同期させることができる。したがって、被処理物WKの持ち上げ等を安定して行うことができる。
なお、以上の構成を備える熱処理装置10は、例えば、図7、図8に示すような処理を行うことで、被処理物WKの熱処理を行う。図7(A)、図7(B)、図7(C)、図7(D)、図7(E)は、熱処理装置の外部から被処理物を投入して、熱処理を行うまでの工程を示す図である。図8(A)、図8(B)、図8(C)、図8(D)は、被処理物の熱処理後から被処理物を熱処理装置の外部に取り出すまでの工程を示す図である。
まず、図7(A)に示すように、搬送用ロッド41、42の第1端部4111、4211が搬送室30内にある状態で、投入口39から、被処理物WKを投入する。この際、支持部材412、422は、第1態様であり、被処理物WKは、支持部材412、422上に置かれる。この状態では、遮熱壁32は、搬送室30の内部空間300を、搬送用ロッド41、42が存在する側と、開口201につながる側とに分離するように設置される。これにより、投入口39と開口201とが直接つながることを抑制できる。上記したように、被処理物WKが投入された後、投入口39を閉じた状態にする。そして、被処理物WKを搬送室30内に投入した際に、投入口39から混入した外気を除去するために、搬送室30の置換処理が行われる。この置換処理は、搬送室30内に窒素ガス等のパージガスを供給することにより行われ、搬送室30内の空気がパージガスに追い出される。これによって、搬送室30内の雰囲気は、窒素ガス等の不活性ガス雰囲気に置換される。
次に、図7(B)に示すように、投入口39が閉じた状態で、遮熱壁32が上方に移動する。これにより、搬送用ロッド41、42および被処理物WKを、開口201を介して熱処理炉20に搬入可能な状態となる。
次に、図7(C)に示すように、搬送装置50によって、搬送用ロッド41、42が移動し、搬送用ロッド41、42の第1端部4111、4211は、熱処理炉20内に挿入される。これにより、被処理物WKは、処理台230の上方まで搬送される。
次に、図7(D)に示すように、支持部材412、422は、第1態様から第2態様に切り替えられ、被処理物WKは、処理台230の天面に載置される。
次に、図7(E)に示すように、搬送装置50によって、搬送用ロッド41、42が移動し、搬送用ロッド41、42の第1端部4111、4211は、搬送室30内に撤退する。この状態で、遮熱壁32は下方に移動し、搬送室30の内部空間300を、搬送用ロッド41、42が存在する側と、開口201につながる側とに分離する。言い換えれば、遮熱壁32は、開口201をふさぐ構造となり、密閉空間が形成される。
そして、この状態において、熱処理炉20は、所定の温度、雰囲気に制御され、被処理物WKは、熱処理される。
被処理物WKへの熱処理後、図8(A)に示すように、遮熱壁32は上方に移動する。そして、搬送用ロッド41、42が移動し、搬送用ロッド41、42の第1端部4111、4211は、熱処理炉20内における被処理物WKの下に達する。この際、支持部材412、422は、第2態様であるので、搬送用ロッド41、42の第1端部4111、4211が被処理物WKに近づいても、被処理物WKに当たらない。
次に、図8(B)に示すように、支持部材412、422は、第2態様から第1態様に切り替えられ、被処理物WKは、処理台230の天面から持ち上げられる。そして、被処理物WKは、支持部材412、422によって支持される。
次に、図8(C)に示すように、搬送装置50によって、搬送用ロッド41、42が移動し、搬送用ロッド41、42の第1端部4111、4211は、搬送室30内に移動する。これにより、被処理物WKは、熱処理炉20から搬送室30に搬出される。
次に、図8(D)に示すように、遮熱壁32は、下方に移動し、搬送室30の内部空間300を、搬送用ロッド41、42が存在する側と、開口201につながる側とに分離する。この状態で、投入口39を開放することで、被処理物WKは、熱処理装置10の外部に取り出される。
このような熱処理工程では、熱処理炉20と搬送室30との間の開口201、および、搬送室30と外部との開口301が、熱処理炉20および搬送室30の温度、雰囲気の維持に影響を与える。しかしながら、本実施形態の構成を備えることによって、開口201および開口301の開口面積を小さくでき、熱処理炉20および搬送室30の温度、雰囲気の維持に与える影響を抑制できる。すなわち、熱処理炉20および搬送室30の温度、雰囲気の維持に対する開口201、301による損失を抑制し、熱処理炉20および搬送室30の温度、雰囲気の維持を効率的に行うことができる。
(支持部材の態様の切り替えの他の例)
なお、上述の説明では、搬送用ロッド41、42を回転させることによって、高さ方向(z方向)における支持部材412、422の先端の位置を変化させる態様を示した。しかしながら、他の構成によって、高さ方向における支持部材412、422の先端の位置を変化させることもできる。図9(A)、図9(B)は、支持部材の別の一例を概念的に示す図である。図9(A)、図9(B)は、支持部材の第1端部側から視た図である。
支持部材412、422は、図9(A)に示す、搬送用ロッド41、42の上端から突出する第1態様と、図9(B)に示す、搬送用ロッド41、42内に収容される第2態様とを有する。支持部材412、422を搬送用ロッド41、42の上端から突出させたり、搬送用ロッド41、42に収容する機構は、支持部材412、422を物理的に押し出したり引き込んだりする機構であってもよく、支持部材412、422を圧縮空気等を用いて押し出したり引き込んだりする機構であってもよい。また、他の機構であってもよい。このような構成であっても、上述の搬送用ロッド41、42を回転させる機構を用いた構成と同様の作用効果を奏することができる。
さらに、上述の説明では、搬送用ロッドとして、一対の搬送用ロッド41、42を用いた例を示したが、上述の構成はこれに限るものではなく、1つの搬送用ロッドを用いてもよい。この場合、1つの搬送用ロッド41を移動し、被処理物WKを熱処理炉20に搬入等させることができる。
図10は、搬送用ロッドの派生例の構成を示す部分的な平面図である。例えば、図10に示すように、1つの搬送用ロッド41を、その先端部にて、二叉状に分岐させ、この二叉部の一端と他端には、それぞれ支持部材412、422が配置される構造にすればよい。また、その際、支持部材412、422の第1態様と第2態様の切り替えについては、例えば、前述の図9(A)、図9(B)で示した例と同様に、支持部材412、422は、前記二叉部の一端と他端から突出する第1態様と、前記二叉部の一端と他端の内に収容される第2態様とに切り替えるようにすることができる。
なお、上述の説明では、熱処理炉20として雰囲気炉を例として示したが、上述の構成は、雰囲気炉に限るものではなく、他の仕様の熱処理炉にも適用できる。
また、上述の説明では、搬送室30を備える態様を示したが、搬送室30を備えない態様であっても、本願発明の構成を適用することができる。
上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
10:熱処理装置
20:熱処理炉
21:前壁
30:搬送室
31:前壁
32:遮熱壁
39:投入口
41,42:搬送用ロッド
50:搬送装置
51:ロッド保持部材
60:切替装置
63:結合板
200:熱処理炉20の内部空間
201:開口
230:処理台
240:熱源
300:搬送室30の内部空間
301:開口
302:開口
411:搬送用ロッド41の側面
412,422:支持部材
421:搬送用ロッド42の側面
423:支持部材422の外周端
601:軸部材
602:アクチュエータ
611:シャフト
612:摺動板
613:摺動板612の溝
614:ピン
621:シャフト
622:摺動板
623:摺動板622の溝
624:ピン
4111:搬送用ロッド41の第1端部
4112:搬送用ロッド41の第2端部
4211:搬送用ロッド42の第1端部
4212:搬送用ロッド42の第2端部
WK:被処理物

Claims (6)

  1. 被処理物が搬送される第1開口を有し、前記被処理物を熱処理する熱処理炉と、
    前記熱処理炉の内外に移動可能であり、前記熱処理炉側の第1端部と前記熱処理炉と反対側の第2端部とを備え、前記第1開口を挿通する棒状の搬送用ロッドと、
    前記第2端部に接続され、前記第1端部を前記熱処理炉内に移動させる搬送装置と、
    前記第1端部に配置され、前記搬送用ロッドの上端よりも上側に突出し、前記被処理物が載置可能な第1態様と、前記上端よりも下側に配置される第2態様とが切り替えられる支持部材と、
    前記搬送用ロッドを介して前記支持部材の前記第1態様と前記第2態様とを切り替える切替装置と、
    を備える、
    熱処理装置。
  2. 前記支持部材は、前記第1端部の側面に配置された棒状体である、
    請求項1に記載の熱処理装置。
  3. 前記切替装置は、前記第2端部に接続され、前記搬送用ロッドを前記側面に沿った方向に回転させる回転補助機構を備える、
    請求項2に記載の熱処理装置。
  4. 前記第1開口を介して前記熱処理炉に接続し、前記第1開口と反対側の壁に第2開口を有する搬送室を備え、
    前記搬送用ロッドは、前記第1開口と前記第2開口を挿通して移動する、
    請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の熱処理装置。
  5. 前記搬送室は、前記被処理物が投入される、開閉可能な投入口を備え、
    前記投入口は閉じられた状態において、前記搬送室の雰囲気は、不活性ガスによって置換される、
    請求項4に記載の熱処理装置。
  6. 前記第2開口は、前記搬送用ロッドの外形に沿った形状である、
    請求項4または請求項5に記載の熱処理装置。
JP2019229861A 2019-12-20 2019-12-20 熱処理装置 Active JP7379135B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019229861A JP7379135B2 (ja) 2019-12-20 2019-12-20 熱処理装置
TW109138342A TW202124897A (zh) 2019-12-20 2020-11-04 熱處理裝置
KR1020200164722A KR20210080209A (ko) 2019-12-20 2020-11-30 열처리장치
CN202011493831.9A CN113008032B (zh) 2019-12-20 2020-12-17 热处理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019229861A JP7379135B2 (ja) 2019-12-20 2019-12-20 熱処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021099170A JP2021099170A (ja) 2021-07-01
JP7379135B2 true JP7379135B2 (ja) 2023-11-14

Family

ID=76383643

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019229861A Active JP7379135B2 (ja) 2019-12-20 2019-12-20 熱処理装置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP7379135B2 (ja)
KR (1) KR20210080209A (ja)
CN (1) CN113008032B (ja)
TW (1) TW202124897A (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191412A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板の製造方法
JP2007225173A (ja) 2006-02-22 2007-09-06 Ngk Insulators Ltd 熱処理炉及び太陽電池セル
JP2011156654A (ja) 2010-02-02 2011-08-18 Samsung Mobile Display Co Ltd 基板移送ロボット
JP2012064852A (ja) 2010-09-17 2012-03-29 Toyota Motor Corp 基板の熱処理方法および熱処理装置
JP2016200378A (ja) 2015-04-14 2016-12-01 株式会社デンソー 加熱装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1281747C (en) * 1987-03-30 1991-03-19 Herbert E. Gladish Load accumulating system
JP2700817B2 (ja) * 1989-04-04 1998-01-21 本田技研工業株式会社 パレット搬送転換装置
JPH07161652A (ja) 1993-12-10 1995-06-23 Kosho Seisakusho:Kk 高温熱処理炉及び炉内搬送装置
IT1404530B1 (it) * 2011-02-24 2013-11-22 Comau Spa Robot manipolatore.
CN105318724B (zh) * 2015-11-30 2017-07-25 郑州轻工业学院 一种大型熔炼炉用均匀自动加料装置
JP6298569B1 (ja) * 2017-10-20 2018-03-20 株式会社松浦機械製作所 パレット交換装置
CN108069235A (zh) * 2017-12-22 2018-05-25 大连佳林设备制造有限公司 卷料自动翻转卸料机
CN208036285U (zh) * 2018-01-18 2018-11-02 中车长春轨道客车股份有限公司 货运动车智能装载系统及智能货运动车
CN208171030U (zh) * 2018-05-07 2018-11-30 无锡亿帆管业有限公司 步进炉加料装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005191412A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板の製造方法
JP2007225173A (ja) 2006-02-22 2007-09-06 Ngk Insulators Ltd 熱処理炉及び太陽電池セル
JP2011156654A (ja) 2010-02-02 2011-08-18 Samsung Mobile Display Co Ltd 基板移送ロボット
JP2012064852A (ja) 2010-09-17 2012-03-29 Toyota Motor Corp 基板の熱処理方法および熱処理装置
JP2016200378A (ja) 2015-04-14 2016-12-01 株式会社デンソー 加熱装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2021099170A (ja) 2021-07-01
KR20210080209A (ko) 2021-06-30
CN113008032A (zh) 2021-06-22
CN113008032B (zh) 2024-02-06
TW202124897A (zh) 2021-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100980961B1 (ko) 종형 열처리 장치 및 피처리체 이동 탑재 방법
JP6779636B2 (ja) 基板処理装置
CN108368605B (zh) 真空处理装置
JP2007039157A (ja) 搬送装置、真空処理装置および搬送方法
KR101986411B1 (ko) 기판 처리 장치
JP7379135B2 (ja) 熱処理装置
TWI756503B (zh) 紅外線燒製裝置及使用此裝置之電子部件燒製方法
JP2009016851A (ja) 被処理体の支持機構及びロードロック室
JP3965131B2 (ja) 基板処理装置
JP2007333272A (ja) ラック、ラックシステム、熱処理装置、並びに、熱処理システム
JP5045397B2 (ja) 連続真空浸炭炉
JP2006210767A (ja) 基板処理装置
KR102598616B1 (ko) 열처리장치
TWI801934B (zh) 熱處理裝置
JP2002299421A (ja) ノッチ整列方法及びノッチ整列機構並びに半導体製造装置
JP2010027809A (ja) ワーク搬送用容器の開閉機構を備えた搬送装置
JP2007039158A (ja) 搬送装置および真空処理装置
JP6050630B2 (ja) 基板処理装置および基板処理システム
JP2009221552A (ja) 連続真空熱処理炉
JP2022047921A (ja) 熱処理装置及び熱処理システム
JP2002289666A (ja) 熱処理装置
JP2006250365A (ja) ローラハースキルンとこれを用いたセラミック粉末の仮焼方法
JP2022150900A (ja) 連続焼成システム
CN117878031A (zh) 基板处理装置
JP2023107329A (ja) 熱処理装置、熱処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20221014

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230919

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231031

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231101

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7379135

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150