KR20210080209A - 열처리장치 - Google Patents

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KR20210080209A
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준지 나카타니
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고요 써모 시스템 가부시끼 가이샤
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Abstract

열처리로(20)는 피처리물(WK)이 반송되는 개구(201)를 갖는다. 반송실(30)은 개구(201)를 통해 열처리로(20)에 접속한다. 반송실(30)은 개구(301)를 갖는다. 반송용 로드(41, 42)는 개구(201)와 개구(301)를 삽입통과한다. 반송장치(50)는 반송용 로드(41, 42)가 연장되는 방향의 제1단부(4111, 4211)를 반송실(30)내 또는 열처리로(20)내로 이동시킨다. 지지부재(412, 422)는 반송용 로드(41, 42)의 제1단부(4111, 4211)의 부분에 배치된다. 지지부재(412, 422)는 반송용 로드(41, 42)의 상단보다 상측에 돌출되어 피처리물(WK)이 재치 가능한 제1양태와 상단보다 하측에 배치되는 제2양태가 전환된다.

Description

열처리장치{HEAT TREATMENT APPARATUS}
본 발명은 반송용 로드에 의해 열처리로에 피처리물을 반입 및 반출을 하는 기구를 구비하는 열처리장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는 고온열처리로 및 노내 반송장치가 기재되어 있다. 이 선행기술문헌에서는 ㄷ자 모양의 리프트관을 이동시킴으로써 워크를 열처리로내에서 이동시키고 있다.
리프트관은 받침대와 일체로 되어 있다. 받침대는 모터기구에 의해 수평방향 및 수직방향으로 이동한다.
이러한 구조에 의해 워크는 열처리로내에서 수평방향 및 수직방향으로 반송된다.
그러나 상기 선행기술문헌에 기재된 구성에서는 워크의 반송기구의 형상이 크다. 따라서 이러한 반송기구에 재치된 워크를 열처리로내에 반입하려면 열처리로의 개구부(반입반출구)를 크게 해야 한다.
그리고 개구부가 커짐에 따라 열처리로내가 외부에 개구되는 면적은 커진다. 이 때문에 열처리로의 분위기를 유지할 때에 큰 손실이 발생한다. 예를 들어 열처리로내에 질소를 충전시키는 경우, 대량의 질소가 필요하게 된다.
일본 특허공개 평07-161652호 공보
따라서 본 발명의 목적은 열처리로와 외부가 연결되는 면적을 작게 할 수 있는 반송기구를 구비하는 열처리장치를 제공하는 데 있다.
본 발명의 열처리장치는 열처리로, 반송실, 반송용 로드, 반송장치, 지지부재 및 전환장치를 구비한다. 열처리로는 피처리물이 반송되는 제1개구를 갖고, 피처리물을 열처리한다. 반송용 로드는 열처리로의 내외로 이동 가능하고, 열처리로측의 제1단부와 열처리로와 반대측의 제2단부를 구비하고, 제1개구를 삽입통과하는 막대모양이다. 반송장치는 제2단부에 접속되고, 제1단부를 상기 열처리로내로 이동시킨다. 지지부재는 제1단부에 배치되고, 반송용 로드의 상단보다 상측에 돌출되어 피처리물이 재치 가능한 제1양태와 상단보다 하측에 배치되는 제2양태가 전환된다. 전환장치는 반송용 로드를 통해 지지부재의 제1양태과 제2양태를 전환한다.
이 구성에서는 높이방향에 있어서의 반송용 로드의 위치를 바꾸지 않아도 지지부재의 제1양태로부터 제2양태에의 전환에 의해 열처리로내에서의 높이방향에 있어서의 피처리물의 위치는 바꿀 수 있다. 따라서 제1개구의 크기는 반송용 로드 및 피처리물이 수평방향으로 이동할 때의 크기로 충분하다. 이에 의해 제1개구는 작게 할 수 있고, 열처리로와 외부가 연결되는 면적은 작아진다.
또한 본 발명의 열처리장치에서는 지지부재는 반송용 로드의 측면에 배치된 막대모양체인 것이 바람직하다. 이 구성에서는 지지부재가 간소한 구조로 실현된다. 또한 피처리물을 점접촉으로 지지할 수 있어 피처리물에 대한 열의 영향을 억제할 수 있다.
또한 본 발명의 열처리장치에서는 전환장치는 반송용 로드의 제2단부에 접속되고, 반송용 로드를 측면을 따른 방향으로 회전시키는 회전보조기구를 구비하는 것이 바람직하다. 이 구성에서는 전술한 지지부재의 제1양태과 제2양태의 전환이 용이한 구조로 실현된다.
또한 본 발명의 열처리장치에서는 제1개구를 통해 열처리로에 접속하고, 제1개구와 반대측 벽에 제2개구를 갖는 반송실을 구비한다. 반송용 로드는 제1개구와 제2개구를 삽입통과하여 이동한다. 이 구성에서는 열처리로는 제1개구를 통해 반송실에 연결되고, 반송실은 제2개구를 통해 외부에 연결된다. 따라서 열처리로의 온도 및 분위기를 유지하기 쉽다. 또한 반송용 로드가 상기 구성인 것에 의해 반송실을 작게 할 수 있음과 함께 제2개구의 크기는 반송용 로드의 크기로 충분하기 때문에 제2개구를 작게 할 수 있다.
또한 본 발명의 열처리장치에서는 반송실은 피처리물이 투입되는 개폐 가능한 투입구를 구비한다. 투입구는 닫혀진 상태에 있어서 반송실의 분위기는 불활성가스에 의해 치환된다.
이 구성에서는 분위기를 치환시키는 가스량이 반송실에 충전하는 정도가 되기 때문에 가스의 사용량을 삭감할 수 있다.
또한 본 발명의 열처리장치에서는 제2개구는 반송용 로드의 외형을 따른 형상인 것이 바람직하다. 이 구성에서는 열처리로에 연결되는 반송실과 외부가 연결되는 면적이 더 작아져서 상기 분위기를 치환시키는 가스의 사용량을 더 삭감할 수 있다.
또한 본 발명에 따르면 열처리로와 외부가 연결되는 면적을 작게 할 수 있다.
도 1(A), 도 1(B)는 본 발명의 실시형태에 따른 열처리장치의 개략구성을 도시한 측면도이다.
도 2는 반송용 로드의 선단부(제1단부)의 평면도이다.
도 3(A)는 측면도이고, 도 3(B)는 반송용 로드의 선단부(제1단부)의 평면도이고, 도 3(C)는 단면도이고, 도 3(D)는 외관 사시도이다.
도 4(A), 도 4(B)는 반송용 로드 및 지지부재의 거동을 도시한 도면이다.
도 5는 반송실의 앞벽에 형성된 개구와 반송용 로드를 도시한 도면이다.
도 6(A), 도 6(B)는 전환장치의 일구성예를 도시한 도면이다.
도 7(A), 도 7(B), 도 7(C), 도 7(D), 도 7(E)는 열처리장치의 외부로부터 피처리물을 투입하여 열처리를 수행하기까지의 공정을 도시한 도면이다.
도 8(A), 도 8(B), 도 8(C), 도 8(D)는 피처리물의 열처리후부터 피처리물을 열처리장치의 외부에 꺼내기까지의 공정을 도시한 도면이다.
도 9(A), 도 9(B)는 지지부재의 다른 일례를 개념적으로 도시한 도면이다.
도 10은 반송용 로드의 파생예의 구성을 도시한 부분적인 평면도이다.
본 발명의 실시형태에 따른 열처리장치에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 1(A), 도 1(B)는 본 발명의 실시형태에 따른 열처리장치의 개략구성을 도시한 측면도이다. 도 1(A), 도 1(B)에서는 반송실 및 열처리로에 대해서는 단면도를 도시하고 있다. 또한 도 1(A)는 피처리물이 반송실내에 있는 경우를 도시하고, 도 1(B)는 피처리물이 열처리로내에 있는 경우를 도시한다. 도 2는 반송용 로드의 선단부(제1단부)의 평면도이다. 도 3(A)는 측면도이고, 도 3(B)는 반송용 로드의 선단부(제1단부)의 평면도이고, 도 3(C)는 단면도이고, 도 3(D)는 외관 사시도이다.
(열처리장치(10)의 전체 구성)
도 1(A), 도 1(B), 도 2에 도시한 바와 같이 열처리장치(10)는 열처리로(20), 반송실(30), 반송용 로드(41), 반송용 로드(42), 반송장치(50) 및 전환장치(60)를 구비한다.
열처리로(20)와 반송실(30)은 일방향(도 1(A), 도 1(B)에 있어서의 x방향)을 따라 나란히 배치되어 있다. 열처리로(20)와 반송실(30)은 접속되어 있다. 이하, 열처리로(20)와 반송실(30)이 병렬하는 방향을 x방향으로 하여 설명한다.
열처리로(20)는 내부공간(200)을 갖는다. 내부공간(200)에는 처리대(230) 및 열원(240)이 배치되어 있다. 보다 구체적으로는 예를 들어 도 1(A), 도 1(B)에 도시한 바와 같이 높이방향(도 1(A), 도 1(B)에 있어서의 z방향)에 있어서 처리대(230)는 반송용 로드(41) 및 반송용 로드(42)와 거의 동일한 위치에 배치된다. 처리대(230)의 윗면은 반송용 로드(41) 및 반송용 로드(42)의 상단보다 높은 위치에 있다. 이하, 높이방향을 z방향으로 하여 설명한다.
열원(240)은 처리대(230)에 대하여 상측 및 하측에 각각 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 그뿐만 아니라 열원(240)은 처리대(230)에 대하여 측방에 배치되어 있어도 된다. 열원(240)은 예를 들어 선형발광체 등의 램프히터로 실현된다. 열원(240)은 이에 한정하는 것은 아니며 예를 들어 처리대(230)에 재치된 피처리물(WK)을 균일 가열할 수 있는 것이면 된다.
열처리로(20)를 구성하는 벽에 있어서의 하나의 측벽(앞벽(21))에는 개구(201)가 형성되어 있다. 개구(201)는 앞벽(21)을 관통하고 있다. 이 개구(201)를 통해 열처리로(20)의 내부공간(200)은 반송실(30)의 내부공간(300)에 연결되어 있다. 개구(201)가 본 발명의 “제1개구”에 대응한다.
반송실(30)은 내부공간(300)을 갖는다. 반송실(30)을 구성하는 벽에 있어서의 하나의 측벽(앞벽(31))에는 개구(301) 및 개구(302)(도 5 참조)가 형성되어 있다. 개구(301, 302)는 앞벽(31)을 관통하고 있다. 이들 개구(301, 302)에 의해 반송실(30)의 내부공간(300)은 외부에 연결되어 있다.
반송실(30)은 차열벽(32)이 배치되어 있다. 차열벽(32)은 반송실(30)에 있어서의 열처리로(20)측 단부의 근방에 배치되어 있다. 차열벽(32)은 가동식이고, 내부공간(300)에 있어서의 개구(201)에 연결되는 측의 공간과 개구(301)에 연결되는 측의 공간의 차단, 연통을 전환한다.
반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)는 일방향으로 연장되는 막대모양(본원에서는 원기둥모양)이다. 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)가 연장되는 방향은 열처리로(20)와 반송실(30)이 병렬하는 방향에 평행하다. 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)는 소정의 거리를 두고 평행하게 배치되어 있다. 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)가 병렬하는 방향은 x방향 및 z방향에 직교하는 방향(도 1(A), 도 1(B)에 있어서의 y방향)이다. 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)의 거리(Ws)(도 2 참조)는 후술하는 지지부재(412) 및 지지부재(422)의 길이도 고려하여 처리대(230)의 y방향의 치수보다 크다.
반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)는 반송실(30)의 앞벽(31)에 형성된 제2개구를 삽입통과하고 있다. 반송용 로드(41)가 연장되는 방향의 제1단부(4111)와 반송용 로드(42)가 연장되는 방향의 제1단부(4211)(도 2 참조)는 반송실(30) 내측에 배치되고, 반송용 로드(41)가 연장되는 방향의 제2단부(4112)와 반송용 로드(42)가 연장되는 방향의 제2단부(4212)(도 6 참조)는 반송실(30)의 외부에 배치된다.
x방향에 있어서의 반송용 로드(41)가 연장되는 방향의 제1단부(4111)와 반송용 로드(42)가 연장되는 방향의 제1단부(4211)의 위치는 동일하고, 반송용 로드(41)가 연장되는 방향의 제2단부(4112)와 반송용 로드(42)가 연장되는 방향의 제2단부(4212)는 동일하다.
반송장치(50)는 반송실(30)을 기준으로 하여 열처리로(20)가 접속하는 측과 반대측에 배치되어 있다. 즉, 반송장치(50)는 반송실(30) 및 열처리로(20)의 외측에 배치되어 있다. 반송장치(50)는 로드지지부재(51)를 통해 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)에 접속한다. 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)는 각각의 측면을 따르는 방향으로 회전 가능한 상태로 로드지지부재(51)에 지지되어 있다.
반송장치(50)는 x방향을 따라 이동한다. 이 반송장치(50)의 이동에 의해 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)도 x방향을 따라 이동한다. 이에 의해 도 1(A)에 도시한 바와 같이 반송장치(50)가 이동범위의 제1단부에 있을 때 반송용 로드(41)의 제1단부(4111)의 부분과 반송용 로드(42)의 제1단부(4211)의 부분은 반송실(30)의 내부공간(300)에 배치된다. 한편, 도 1(B)에 도시한 바와 같이 반송장치(50)가 이동범위의 제2단부에 있을 때 반송용 로드(42)의 제1단부(4211)의 부분과 반송용 로드(42)의 제1단부(4211)의 부분은 열처리로(20)의 내부공간(200)에 배치된다.
이에 의해 구체적인 제어, 처리는 후술하지만, 도 1(A)에 도시한 바와 같이 열처리장치(10)는 반송실(30)에 있어서 반송용 로드(41)의 제1단부(4111)의 부분 및 반송용 로드(42)의 제1단부(4211)의 부분에 재치된 피처리물(WK)을 개구(201)를 통해 도 1(B)에 도시한 바와 같이 열처리로(20)내에 반입할 수 있다. 반대로 열처리장치(10)는 열처리로(20)에 있어서 열처리된 피처리물(WK)을 개구(201)를 통해 반송실(30)내에 반출할 수 있다.
전환장치(60)는 상세한 구성은 후술하지만, 반송용 로드(41)의 제2단부(4112) 및 반송용 로드(42)의 제2단부(4212)에 접속한다. 전환장치(60)는 반송용 로드(41) 및 반송용 로드(42)를 각각의 측면을 따른 방향으로 회전시키는 회전보조기구를 구비한다.
이러한 구성에 있어서 반송용 로드(41)에는 지지부재(412)가 배치되고, 반송용 로드(42)에는 지지부재(422)가 배치된다.
도 2에 도시한 바와 같이 지지부재(412)는 2개이고, 2개의 지지부재(412)는 반송용 로드(41)의 제1단부(4111)의 근방(반송용 로드(41)의 제1단부(4111)의 부분)에 접속하고 있다. 2개의 지지부재(412)는 반송용 로드(41)가 연장되는 방향에 있어서 간격(LS412)으로 배치되어 있다. 이 간격(LS412)은 반송시에 지지하는 피처리물(WK)의 x방향을 따른 크기에 따라 결정되고, 2개의 지지부재(412)가 피처리물(WK)의 이면에 접촉하도록 결정되어 있다.
2개의 지지부재(412)는 반송용 로드(41)의 측면(411)에 접속하고 있다. 2개의 지지부재(412)는 측면(411)으로부터 반송용 로드(42)측에 돌출되어 있다. 2개의 지지부재(412)의 돌출량(L412)은 피처리물(WK)의 높이방향의 이동량에 따라 결정된다.
도 3(A) 내지 도 3(D)에 도시한 바와 같이 2개의 지지부재(412)는 둥근막대이고, 선단에 외주단(413)을 갖는다. 이에 의해 피처리물(WK)을 지지할 때에 외주단(413)이 피처리물(WK)의 이면에 당접한다. 즉, 지지부재(412)는 피처리물(WK)을 점에 의해 지지할 수 있다. 따라서 지지부재(412)는 피처리물(WK)에 대한 접촉이 최소한으로 억제된다. 이에 의해 예를 들어 피처리물(WK)에 당접한 지지부재(412)를 통해 방열함으로써 피처리물(WK)에 국소적인 온도차가 발생하여 피처리물(WK)이 뒤틀리는 등의 열의 영향을 억제할 수 있다. 또한 지지부재(412)가 x방향으로 2개 병렬해 있음으로써 피처리물(WK)을 더 안정되게 지지할 수 있다.
도 2에 도시한 바와 같이 지지부재(422)는 2개이고, 2개의 지지부재(422)는 반송용 로드(42)의 제1단부(4211)의 근방(반송용 로드(42)의 제1단부(4211)의 부분)에 접속하고 있다. 2개의 지지부재(422)는 반송용 로드(42)가 연장되는 방향에 있어서 간격(LS422)으로 배치되어 있다. 이 간격(LS422)은 반송시에 지지하는 피처리물(WK)의 x방향을 따른 크기에 따라 결정되고, 2개의 지지부재(422)가 피처리물(WK)의 이면에 접촉하도록 결정되어 있다.
2개의 지지부재(422)는 반송용 로드(42)의 측면(421)에 접속하고 있다. 2개의 지지부재(422)는 측면(421)으로부터 반송용 로드(41)측에 돌출되어 있다. 2개의 지지부재(422)의 돌출량(L422)은 피처리물(WK)의 높이방향의 이동량에 따라 결정된다.
2개의 지지부재(422)는 2개의 지지부재(412)와 마찬가지로 둥근막대이고, 선단에 외주단(423)(도 4 참조)을 갖는다. 이에 의해 피처리물(WK)을 지지할 때에 외주단(423)이 피처리물(WK)의 이면에 당접한다. 즉, 지지부재(422)는 피처리물(WK)을 점에 의해 지지할 수 있다. 따라서 지지부재(422)는 피처리물(WK)에 대한 접촉이 최소한으로 억제된다. 이에 의해 예를 들어 피처리물(WK)에 당접한 지지부재(422)를 통해 방열함으로써 피처리물(WK)에 국소적인 온도차가 발생하여 피처리물(WK)이 뒤틀리는 등의 열의 영향을 억제할 수 있다. 또한 지지부재(422)가 x방향으로 2개 병렬해 있음으로써 피처리물(WK)을 더 안정되게 지지할 수 있다. 여기서 지지부재(412, 422)가 둥근막대인 예를 나타냈지만, 이에 한정하는 것은 아니며, 삼각기둥이나 다각기둥의 막대모양체나 선단이 반구모양인 막대모양체 등, 피처리물을 점접촉으로 지지할 수 있는 것이면 된다.
(반송용 로드(41, 42) 및 지지부재(412, 422)의 거동)
도 4(A), 도 4(B)는 반송용 로드 및 지지부재의 거동을 도시한 도면이다. 도 4(A)는 지지부재에 의해 피처리물을 지지하는 제1양태를 도시하고, 도 4(B)는 지지부재에 의해 피처리물이 지지되어 있지 않은 제2양태를 도시한다.
전술한 바와 같이 전환장치(60)에 의해 반송용 로드(41)와 반송용 로드(42)가 회전한다. 이에 의해 지지부재(412) 및 지지부재(422)는 도 4(A)에 도시한 제1양태와 도 4(B)에 도시한 제2양태를 취할 수 있다.
제1양태에서는 지지부재(412)의 선단이 반송용 로드(41)의 상단보다 상측이 되고, 지지부재(422)의 선단이 반송용 로드(42)의 상단보다 상측이 되는 양태이다. 또한, 도 4(A)에 도시한 바와 같이 제1양태에서는 지지부재(412) 및 지지부재(422)의 선단으로 지지된 피처리물(WK)은 처리대(230)의 윗면보다 상방에 배치된다.
제2양태는 지지부재(412)의 선단이 반송용 로드(41)의 상단보다 하측이 되고, 지지부재(422)의 선단이 반송용 로드(42)의 상단보다 하측이 되는 양태이다.
따라서 이 전환을 이용함으로써 반송실(30)에서 제1양태로 피처리물(WK)을 지지부재(412) 및 지지부재(422)에 재치하고, 그대로 열처리로(20)내에 반송함으로써 피처리물(WK)은 처리대(230)의 상방에 운반된다.
이 상태에 있어서 제2양태로 전환하면 피처리물(WK)은 지지부재(412) 및 지지부재(422)에 의한 지지로부터 해방되어 처리대(230)의 윗면에 재치된다.
반대로 열처리된 후, 제2양태로 반송용 로드(41, 42)를 열처리로(20)내에 삽입함으로써 반송용 로드(41, 42)는 피처리물(WK)의 하방에 배치된다. 즉, 반송용 로드(41, 42)는 피처리물(WK)에 충돌하는 일 없이 열처리로(20)내에 배치된다.
이 상태에 있어서 제1양태로 전환하면 피처리물(WK)은 지지부재(412) 및 지지부재(422)에 의해 지지되고, 처리대(230)의 윗면으로부터 멀어진다. 그리고 이 상태인 채로 반송됨으로써 피처리물(WK)은 열처리로(20)로부터 반송실(30)에 반출된다.
이와 같이 본 실시형태의 구성을 이용함으로써 반송용 로드(41, 42)의 높이방향의 위치를 바꾸지 않고 피처리물(WK)을 반송실(30)내로부터 열처리로(20)내에 반송하여 처리대(230)의 윗면에 배치하고, 열처리후의 피처리물(WK)을 처리대(230)로부터 들어올려 열처리로(20)내로부터 반송실(30)내에 반송할 수 있다.
이에 의해 개구(201)의 높이는 반송용 로드(41, 42)의 하단으로부터 피처리물(WK)의 상면까지의 높이 정도이면 된다. 따라서 개구(201)의 개구면적을 작게 할 수 있고, 열처리로(20)의 열이나 충전된 기체가 개구(201)를 통해 반송실(30)에 누설하는 것을 억제할 수 있다. 즉, 개구(201)가 있음으로 인한 열처리로(20)의 온도, 분위기의 변화를 억제할 수 있다.
또한 본 실시형태의 구성을 이용함으로써 반송실(30)의 높이를 낮게 할 수 있다. 이에 의해 반송실(30)의 체적을 작게 할 수 있고, 반송실(30)을 위한 기체의 사용량을 삭감할 수 있고, 반송실(30)의 분위기의 치환시간도 삭감할 수 있다.
또한 본 실시형태의 구성을 이용함으로써 개구(301, 302)의 개구면적을 작게 할 수 있다. 도 5는 반송실의 앞벽에 형성된 개구와 반송용 로드를 도시한 도면이다.
전술한 바와 같이 열처리장치(10)에서는 반송용 로드(41, 42)는 x방향으로만 이동하고, z방향으로는 이동하지 않는다. 따라서 개구(301, 302)는 반송용 로드(41, 42)가 삽입통과할 만큼의 크기이면 되고, 예를 들어 반송용 로드(41, 42)의 외형(원주면)을 따른 형상이고, 반송용 로드(41, 42)의 외형보다 약간 크면 된다. 예를 들어 개구(301, 302)는 반송용 로드(41, 42)의 단면형상과 마찬가지의 형상이고, 거의 동일한 치수의 원형의 개구이면 된다.
보다 구체적으로는 개구(301)의 직경(φ301)은 반송용 로드(41)의 직경(φ41)과 거의 동일한 정도이면서 크면 된다. 이때 개구(301)의 직경(φ301)은 반송용 로드(41)의 직경(φ41)에 가까울수록 바람직하다. 또한 개구(301)의 직경(φ301)은 지지부재(412)의 제1양태에 있어서의 반송용 로드(41)의 하단과 지지부재(412)의 상단의 거리(H41)보다 짧으면 된다.
마찬가지로 개구(302)의 직경(φ302)은 반송용 로드(42)의 직경(φ42)과 거의 동일한 정도이면서 크면 된다. 이때 개구(302)의 직경(φ302)은 반송용 로드(42)의 직경(φ41)에 가까울수록 바람직하다. 또한 개구(302)의 직경(φ302)은 지지부재(422)의 제1양태에 있어서의 반송용 로드(42)의 하단과 지지부재(422)의 상단의 거리(H42)보다 짧으면 된다.
이러한 구성에 의해 개구(301, 302)의 개구면적을 작게 할 수 있다. 이에 의해 반송실(30)과 외부가 개구(301, 302)를 통해 연통하는 면적을 작게 할 수 있다. 따라서 외부의 온도 및 분위기가 반송실(30) 내부의 온도 및 분위기에 미치는 영향을 작게 할 수 있다. 나아가서는 반송실(30)을 통해 열처리로(20) 내부의 온도 및 분위기에 미치는 영향을 작게 할 수 있다.
또한 반송용 로드(41, 42)를 회전시키는 전환장치(60)는 예를 들어 도 6(A), 도 6(B)에 도시한 구성에 의해 실현된다. 도 6(A), 도 6(B)는 전환장치의 일구성예를 도시한 도면이며, 도 6(A)가 제1양태에 대응하고, 도 6(B)가 제2양태에 대응한다.
도 6(A), 도 6(B)에 도시한 바와 같이 전환장치(60)는 샤프트(611), 샤프트(621), 슬라이딩판(612), 슬라이딩판(622), 결합판(63), 축부재(601) 및 액추에이터(602)를 구비한다.
샤프트(611)는 반송용 로드(41)로부터 반송용 로드(42)측으로 연장되는 형상이다. 샤프트(611)의 제1단부는 반송용 로드(41)의 제2단부(4112)에 고정되어 있다. 샤프트(611)의 제2단부는 슬라이딩판(612)에 접속한다. 이때 슬라이딩판(612)에는 y방향으로 연장되는 홈(613)이 형성되어 있고, 샤프트(611)의 제2단부는 해당 제2단부에 배치된 핀(614)을 홈(613)에 끼워 넣음으로써 슬라이딩판(612)에 대하여 슬라이딩 가능하게 접속된다.
샤프트(621)는 반송용 로드(42)로부터 반송용 로드(41)측으로 연장되는 형상이다. 샤프트(621)의 제1단부는 반송용 로드(42)의 제2단부(4212)에 고정되어 있다. 샤프트(621)의 제2단부는 슬라이딩판(622)에 접속한다. 이때 슬라이딩판(622)에는 y방향으로 연장되는 홈(623)이 형성되어 있고, 샤프트(621)의 제2단부는 해당 제2단부에 배치된 핀(624)을 홈(623)에 끼워 넣음으로써 슬라이딩판(622)에 대하여 슬라이딩 가능하게 접속된다.
슬라이딩판(612)과 슬라이딩판(622)은 결합판(63)에 고정되어 있다. 보다 구체적으로는 슬라이딩판(612)은 결합판(63)에 있어서의 y방향의 제1단부에 고정되고, 슬라이딩판(622)은 결합판(63)에 있어서의 y방향의 제2단부에 고정되어 있다.
결합판(63)의 y방향의 중심에는 z방향으로 연장되는 축부재(601)의 제1단부가 접속하고 있다. 축부재(601)의 제2단부는 액추에이터(602)에 접속하고 있다.
이러한 구성에 있어서 액추에이터(602)에 의해 축부재(601)의 길이를 변화시킴으로써 결합판(63), 슬라이딩판(612) 및 슬라이딩판(622)의 z방향의 위치는 변화한다. 이 변화에 따라 핀(614)이 홈(613)내를 이동(슬라이딩)하고, 핀(624)이 홈(623)내를 이동(슬라이딩)한다. 그리고 핀(614)의 이동에 따라 샤프트(611)가 회동하고, 핀(624)의 이동에 따라 샤프트(621)가 회동한다. 이들 샤프트(611, 621)의 회동에 의해 반송용 로드(41, 42)는 회전한다.
이러한 구성을 전환장치(60)에 이용함으로써 반송용 로드(41)의 회전과 반송용 로드(42)의 회전을 동기시킬 수 있다. 따라서 피처리물(WK)의 들어올림 등을 안정되게 수행할 수 있다.
또한 이상의 구성을 구비한 열처리장치(10)는 예를 들어 도 7, 도 8에 도시한 바와 같은 처리를 수행함으로써 피처리물(WK)의 열처리를 수행한다. 도 7(A), 도 7(B), 도 7(C), 도 7(D), 도 7(E)는 열처리장치의 외부로부터 피처리물을 투입하여 열처리를 수행하기까지의 공정을 도시한 도면이다. 도 8(A), 도 8(B), 도 8(C), 도 8(D)는 피처리물의 열처리후부터 피처리물을 열처리장치의 외부로 꺼내기까지의 공정을 도시한 도면이다.
우선 도 7(A)에 도시한 바와 같이 반송용 로드(41, 42)의 제1단부(4111, 4211)가 반송실(30)내에 있는 상태에서 투입구(39)로부터 피처리물(WK)을 투입한다. 이때 지지부재(412, 422)는 제1양태이고, 피처리물(WK)은 지지부재(412, 422)상에 놓여진다. 이 상태에서는 차열벽(32)은 반송실(30)의 내부공간(300)을 반송용 로드(41, 42)가 존재하는 측과 개구(201)에 연결되는 측으로 분리하도록 설치된다. 이에 의해 투입구(39)와 개구(201)가 직접 연결되는 것을 억제할 수 있다. 상기한 바와 같이 피처리물(WK)이 투입된 후, 투입구(39)를 닫은 상태로 한다. 그리고 피처리물(WK)을 반송실(30)내에 투입했을 때에 투입구(39)로부터 혼입한 외기를 제거하기 위해서 반송실(30)의 치환처리가 수행된다. 이 치환처리는 반송실(30)내에 질소가스 등의 퍼지가스를 공급함으로써 수행되고, 반송실(30)내의 공기가 퍼지가스에 밀려난다. 이에 의해 반송실(30)내의 분위기는 질소가스 등의 불활성가스 분위기로 치환된다.
다음에 도 7(B)에 도시한 바와 같이 투입구(39)가 닫힌 상태에서 차열벽(32)이 상방으로 이동한다. 이에 의해 반송용 로드(41, 42) 및 피처리물(WK)을 개구(201)를 통해 열처리로(20)에 반입 가능한 상태가 된다.
다음에 도 7(C)에 도시한 바와 같이 반송장치(50)에 의해 반송용 로드(41, 42)가 이동하여 반송용 로드(41, 42)의 제1단부(4111, 4211)는 열처리로(20)내에 삽입된다. 이에 의해 피처리물(WK)은 처리대(230)의 상방까지 반송된다.
다음에 도 7(D)에 도시한 바와 같이 지지부재(412, 422)는 제1양태로부터 제2양태로 전환되어 피처리물(WK)은 처리대(230)의 윗면에 재치된다.
다음에 도 7(E)에 도시한 바와 같이 반송장치(50)에 의해 반송용 로드(41, 42)가 이동하여 반송용 로드(41, 42)의 제1단부(4111, 4211)는 반송실(30)내로 철퇴한다. 이 상태에서 차열벽(32)은 하방으로 이동하여 반송실(30)의 내부공간(300)을 반송용 로드(41, 42)가 존재하는 측과 개구(201)에 연결되는 측으로 분리한다. 바꾸어 말하면 차열벽(32)은 개구(201)를 막는 구조가 되어 밀폐공간이 형성된다.
그리고 이 상태에 있어서 열처리로(20)는 소정의 온도, 분위기로 제어되고, 피처리물(WK)은 열처리된다.
피처리물(WK)에 대한 열처리후, 도 8(A)에 도시한 바와 같이 차열벽(32)은 상방으로 이동한다. 그리고 반송용 로드(41, 42)가 이동하여 반송용 로드(41, 42)의 제1단부(4111, 4211)는 열처리로(20)내에 있어서의 피처리물(WK)의 아래에 도달한다. 이때 지지부재(412, 422)는 제2양태이므로 반송용 로드(41, 42)의 제1단부(4111, 4211)가 피처리물(WK)에 가까워져도 피처리물(WK)에 닿지 않는다.
다음에 도 8(B)에 도시한 바와 같이 지지부재(412, 422)는 제2양태로부터 제1양태로 전환되어 피처리물(WK)은 처리대(230)의 윗면으로부터 들어 올려진다. 그리고 피처리물(WK)은 지지부재(412, 422)에 의해 지지된다.
다음에 도 8(C)에 도시한 바와 같이 반송장치(50)에 의해 반송용 로드(41, 42)가 이동하여 반송용 로드(41, 42)의 제1단부(4111, 4211)는 반송실(30)내로 이동한다. 이에 의해 피처리물(WK)은 열처리로(20)로부터 반송실(30)에 반출된다.
다음에 도 8(D)에 도시한 바와 같이 차열벽(32)은 하방으로 이동하여 반송실(30)의 내부공간(300)을 반송용 로드(41, 42)가 존재하는 측과 개구(201)에 연결되는 측으로 분리한다. 이 상태에서 투입구(39)를 개방함으로써 피처리물(WK)은 열처리장치(10)의 외부로 꺼내진다.
이러한 열처리공정에서는 열처리로(20)와 반송실(30) 사이의 개구(201) 및 반송실(30)과 외부의 개구(301)가 열처리로(20) 및 반송실(30)의 온도, 분위기의 유지에 영향을 미친다. 그러나 본 실시형태의 구성을 구비함으로써 개구(201) 및 개구(301)의 개구면적을 작게 할 수 있어 열처리로(20) 및 반송실(30)의 온도, 분위기의 유지에 미치는 영향을 억제할 수 있다. 즉, 열처리로(20) 및 반송실(30)의 온도, 분위기의 유지에 대한 개구(201, 301)에 의한 손실을 억제하고, 열처리로(20) 및 반송실(30)의 온도, 분위기의 유지를 효율적으로 수행할 수 있다.
(지지부재의 양태의 전환의 다른 예)
또한 전술한 설명에서는 반송용 로드(41, 42)를 회전시킴으로써 높이방향(z방향)에 있어서의 지지부재(412, 422)의 선단의 위치를 변화시키는 양태를 나타냈다. 그러나 다른 구성에 의해 높이방향에 있어서의 지지부재(412, 422)의 선단의 위치를 변화시킬 수도 있다. 도 9(A), 도 9(B)는 지지부재의 다른 일례를 개념적으로 도시한 도면이다. 도 9(A), 도 9(B)는 지지부재의 제1단부측에서 본 도면이다.
지지부재(412, 422)는 도 9(A)에 도시한 반송용 로드(41, 42)의 상단으로부터 돌출되는 제1양태와 도 9(B)에 도시한 반송용 로드(41, 42)내에 수용되는 제2양태를 갖는다. 지지부재(412, 422)를 반송용 로드(41, 42)의 상단으로부터 돌출시키거나 반송용 로드(41, 42)에 수용하는 기구는 지지부재(412, 422)를 물리적으로 밀어내거나 끌어들이거나 하는 기구여도 되고, 지지부재(412, 422)를 압축공기 등을 이용하여 밀어내거나 끌어들이거나 하는 기구여도 된다. 또한 다른 기구여도 된다. 이러한 구성이어도 전술한 반송용 로드(41, 42)를 회전시키는 기구를 이용한 구성과 마찬가지의 작용 효과를 얻을 수 있다.
또한 전술한 설명에서는 반송용 로드로서 한 쌍의 반송용 로드(41, 42)를 이용한 예를 나타냈지만, 전술한 구성은 이에 한정하는 것은 아니며, 1개의 반송용 로드를 이용하여도 된다. 이 경우, 1개의 반송용 로드(41)를 이동하여 피처리물(WK)을 열처리로(20)에 반입 등 시킬 수 있다.
도 10은 반송용 로드의 파생예의 구성을 도시한 부분적인 평면도이다. 예를 들어 도 10에 도시한 바와 같이 1개의 반송용 로드(41)를 그 선단부에서 두갈래모양으로 분기시키고, 이 두갈래부의 일단과 타단에는 각각 지지부재(412, 422)가 배치되는 구조로 하면 된다. 또한 이때 지지부재(412, 422)의 제1양태와 제2양태의 전환에 대해서는 예를 들어 전술한 도 9(A), 도 9(B)에서 도시한 예와 마찬가지로 지지부재(412, 422)는 상기 두갈래부의 일단과 타단으로부터 돌출되는 제1양태와 상기 두갈래부의 일단과 타단내에 수용되는 제2양태로 전환하도록 할 수 있다.
또한 전술한 설명에서는 열처리로(20)로서 분위기로를 예로 하여 나타냈지만, 전술한 구성은 분위기로에 한정하는 것은 아니며, 다른 사양의 열처리로에도 적용할 수 있다.
또한 전술한 설명에서는 반송실(30)을 구비하는 양태를 나타냈지만, 반송실(30)을 구비하지 않는 양태여도 본원발명의 구성을 적용할 수 있다.
전술한 실시형태의 설명은 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것은 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 실시형태가 아니라 특허청구범위에 의해 나타난다. 또한 본 발명의 범위에는 특허청구범위와 균등의 의미 및 범위내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.

Claims (6)

  1. 피처리물이 반송되는 제1 개구를 갖고, 상기 피처리물을 열처리하는 열처리로와,
    상기 열처리로의 내외에 이동 가능하고, 상기 열처리로 측의 제1 단부와 상기 열처리로와 반대측의 제2 단부를 구비하고, 상기 제1 개구를 삽입통과하는 막대모양의 반송용 로드와,
    상기 제2 단부에 접속되고, 상기 제1 단부를 상기 열처리로 내에 이동시키는 반송장치와,
    상기 제1 단부에 배치되고, 상기 반송용 로드의 상단보다 상측에 돌출되어 상기 피처리물이 재치 가능한 제1 양태와 상기 상단보다 하측에 배치되는 제2 양태가 전환되는 지지부재와,
    상기 반송용 로드를 통해 상기 지지부재의 상기 제1 양태와 상기 제2 양태를 전환하는 전환장치를 구비하는 열처리장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지부재는 상기 제1 단부의 측면에 배치된 막대모양체인, 열처리장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 전환장치는 상기 제2 단부에 접속되고, 상기 반송용 로드를 상기 측면을 따른 방향으로 회전시키는 회전보조기구를 구비하는, 열처리장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 개구를 통해 상기 열처리로에 접속하고, 상기 제1 개구와 반대측 벽에 제2 개구를 갖는 반송실을 구비하고,
    상기 반송용 로드는 상기 제1 개구와 상기 제2 개구를 삽입통과하여 이동하는, 열처리장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 반송실은 상기 피처리물이 투입되는 개폐 가능한 투입구를 구비하고,
    상기 투입구는 닫혀진 상태에 있어서 상기 반송실의 분위기는 불활성가스에 의해 치환되는, 열처리장치.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 제2 개구는 상기 반송용 로드의 외형을 따른 형상인, 열처리장치.
KR1020200164722A 2019-12-20 2020-11-30 열처리장치 KR20210080209A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07161652A (ja) 1993-12-10 1995-06-23 Kosho Seisakusho:Kk 高温熱処理炉及び炉内搬送装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1281747C (en) * 1987-03-30 1991-03-19 Herbert E. Gladish Load accumulating system
JP2700817B2 (ja) * 1989-04-04 1998-01-21 本田技研工業株式会社 パレット搬送転換装置
JP2005191412A (ja) 2003-12-26 2005-07-14 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び基板の製造方法
JP4445476B2 (ja) 2006-02-22 2010-04-07 日本碍子株式会社 熱処理炉及び太陽電池セル
KR20110090027A (ko) 2010-02-02 2011-08-10 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 이송 로봇
JP5573533B2 (ja) 2010-09-17 2014-08-20 トヨタ自動車株式会社 基板の熱処理方法および熱処理装置
IT1404530B1 (it) * 2011-02-24 2013-11-22 Comau Spa Robot manipolatore.
JP6409665B2 (ja) 2015-04-14 2018-10-24 株式会社デンソー 加熱装置
CN105318724B (zh) * 2015-11-30 2017-07-25 郑州轻工业学院 一种大型熔炼炉用均匀自动加料装置
JP6298569B1 (ja) * 2017-10-20 2018-03-20 株式会社松浦機械製作所 パレット交換装置
CN108069235A (zh) * 2017-12-22 2018-05-25 大连佳林设备制造有限公司 卷料自动翻转卸料机
CN208036285U (zh) * 2018-01-18 2018-11-02 中车长春轨道客车股份有限公司 货运动车智能装载系统及智能货运动车
CN208171030U (zh) * 2018-05-07 2018-11-30 无锡亿帆管业有限公司 步进炉加料装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07161652A (ja) 1993-12-10 1995-06-23 Kosho Seisakusho:Kk 高温熱処理炉及び炉内搬送装置

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