KR101924675B1 - 종형 열처리 장치 - Google Patents

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KR101924675B1
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히로시 기쿠치
츠토무 와카모리
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

열처리로의 노 입구를 덮개부에 의해 막았을 때의 밀폐성이 우수한 종형 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
하단부에 노 입구를 구비한 열처리로와,
상기 열처리로의 상기 노 입구에 배치되는 덮개부와,
상기 덮개부를 상기 덮개부의 하면측으로부터 캔틸레버 지지하는 덮개부 개폐 기구와,
상기 덮개부를 상기 노 입구에 배치했을 때에 상기 덮개부를 상기 덮개부의 하면측으로부터 압박하는 보조 수단을 가지며,
상기 보조 수단이 토글 기구를 구비하는 종형 열처리 장치를 제공한다.

Description

종형 열처리 장치{VERTICAL HEAT TREATMENT APPARATUS}
본 발명은 종형 열처리 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조에 있어서는, 피처리체, 예컨대 반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, 단순히 웨이퍼라고도 기재함)에, 산화, 확산, CVD(Chemical Vapor Deposition), 어닐링 등의 처리를 실시하기 위해 각종 처리 장치(반도체 장치)가 이용되고 있다. 그리고, 처리 장치의 하나로서, 한번에 복수매의 웨이퍼의 열처리가 가능한 배치 처리식의 종형 열처리 장치가 알려져 있다.
배치 처리식의 종형 열처리 장치에 있어서는, 복수매의 웨이퍼를 수납한 운반 용기(캐리어, FOUP라고도 함)에 의해 장치 밖으로부터 웨이퍼를 반송하여, 운반 용기를 장치의 반입 반출부인 로드 포트 등을 통해 종형 열처리 장치 내에 공급한다. 그리고, 공급된 운반 용기로부터 웨이퍼를 꺼내어, 높이 방향으로 간격을 두고 복수매의 웨이퍼를 유지할 수 있는 보우트(유지구)로 웨이퍼를 이재(移載)한다. 이어서, 하단부에 노 입구를 갖는 열처리로에, 보우트마다 열처리로의 하방측으로부터 삽입하여 각종 처리에 제공된다.
이러한 종형 열처리 장치에 있어서는, 보우트가 열처리로에 삽입되고 있는 동안은 보우트 하부에 설치한 덮개에 의해 열처리로의 노 입구가 막혀 있다. 그러나, 열처리로로부터 보우트를 꺼낸 후에는 덮개도 보우트와 함께 하강하기 때문에 열처리로의 노 입구는 해방된 상태가 된다.
노 입구가 해방되어 있으면, 노 내의 열이 열처리로 밖으로 방출되기 때문에 노 내의 온도가 내려가, 다음 배치의 웨이퍼에 열처리를 할 때에 승온에 시간이 필요하기 때문에 생산성이 저하될 우려가 있었다. 또한, 노 내로부터 방출된 열에 의해 노 입구의 주변 부재에 악영향을 미칠 우려가 있었다.
그래서, 예컨대 특허문헌 1에는, 거의 수직으로 설치되며, 하측 단부에 피처리물을 로드ㆍ언로드하기 위한 개구부를 갖는 열처리로와, 비처리중에 열처리로의 개구부를 폐색하기 위한 개폐 기구를 구비한 것을 특징으로 하는 종형 열처리 장치가 개시되어 있다. 특허문헌 1에 개시된 종형 열처리 장치에서는, 개폐 기구가, 열처리로의 원형상 개구부에 접촉되는 원판형의 덮개부와, 이 덮개부를 구동시키기 위한 구동 기구부와, 덮개부와 구동 기구부를 접속하는 아암부 등으로 구성되어 있는 것도 개시되어 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 평4-147616호 공보
그러나, 특허문헌 1에 개시된 종형 열처리 장치에서는, 덮개부는 아암에 의해서만 캔틸레버 지지되어 있다. 이 때문에, 아암은 덮개부를 수평으로 지지하는 것은 어려우며, 열처리로의 개구부에 덮개부를 접촉하여 열처리로의 노 입구를 덮개부로 막았을 때에 개구 둘레 가장자리부와 덮개부 사이에 간극이 생겨, 개구부를 밀폐할 수 없는 경우가 있었다.
본 발명은 상기 종래 기술이 갖는 문제를 감안하여, 열처리로의 노 입구를 덮개부에 의해 막았을 때의 밀폐성이 우수한 종형 열처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 하단부에 노 입구를 구비한 열처리로와,
상기 열처리로의 상기 노 입구에 배치되는 덮개부와,
상기 덮개부를 상기 덮개부의 하면측으로부터 캔틸레버 지지하는 덮개부 개폐 기구와,
상기 덮개부를 상기 노 입구에 배치했을 때에 상기 덮개부를 상기 덮개부의 하면측으로부터 압박하는 보조 수단을 가지며,
상기 보조 수단이 토글 기구를 구비하는 종형 열처리 장치를 제공한다.
본 발명에 의하면, 열처리로의 노 입구를 덮개부에 의해 막았을 때의 밀폐성이 우수한 종형 열처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태에 따른 종형 열처리 장치의 개략 설명도.
도 2는 본 발명의 실시형태에 따른 종형 열처리 장치에서의 열처리로의 노 입구 주변의 설명도.
도 3은 본 발명의 실시형태에 따른 종형 열처리 장치에서의 덮개부 개폐 기구에 의해 덮개부를 반송할 때의 동작 설명도.
도 4는 본 발명의 실시형태에 따른 종형 열처리 장치에서의 보조 수단의 토글 기구의 설명도.
도 5는 본 실시형태의 실시형태에 따른 종형 열처리 장치에 있어서, 보조 수단이 압박하는 장소의 설명도.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 관해 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은, 하기의 실시형태에 제한되지 않으며, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 하기의 실시형태에 여러가지 변형 및 치환을 가할 수 있다.
본 실시형태에서는 종형 열처리 장치의 일구성예에 관해 설명한다.
본 실시형태의 종형 열처리 장치는, 하단부에 노 입구를 구비한 열처리로와, 열처리로의 노 입구에 배치되는 덮개부와, 덮개부를 덮개부의 하면측으로부터 캔틸레버 지지하는 덮개부 개폐 기구와, 덮개부를 노 입구에 배치했을 때에 덮개부를 덮개부의 하면측으로부터 압박하는 보조 수단을 가질 수 있다. 그리고, 보조 수단이 토글 기구를 구비하고 있는 것이 바람직하다.
이하, 본 실시형태의 종형 열처리 장치의 구성에 관해, 본 실시형태의 종형 열처리 장치의 단면 모식도를 나타낸 도 1을 이용하여 구체적으로 설명한다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)는, 열처리 유닛(11)을 가질 수 있다. 열처리 유닛(11)의 구성예에 관해 이하에 설명한다.
(열처리 유닛)
열처리 유닛(11)은, 열처리로 영역(111)과, 로딩 영역(112)을 가질 수 있다. 열처리로 영역(111)에는 열처리로(1111)를 배치할 수 있다. 또한, 로딩 영역(112)은 열처리로(1111)에 웨이퍼를 공급하기 위해, 또는, 열처리로(1111)에서 처리를 행한 웨이퍼를 반출하기 위해, 운반 용기(15)와 유지구(1121) 사이에서 웨이퍼를 이재할 수 있다.
또, 운반 용기(15)는 피처리체인 웨이퍼를 반송, 보관할 때에 이용되며, 그 내부에는 복수매, 예컨대 25장의 웨이퍼를 수납할 수 있다. 운반 용기(15)가 예컨대 밀폐형의 FOUP(Front Opening Unified Pod)인 경우, 일단부에 피처리체를 반입 반출하기 위한 취출구가 형성되고, 취출구에는 착탈 가능한 덮개를 배치할 수 있다. 그리고 운반 용기(15) 내는 덮개에 의해 실질적으로 기밀한 상태가 된다. 일반적으로, 운반 용기(15)의 내부의 분위기는 청정 공기로 되어 있다. 또한, 덮개에는 예컨대 2개의 록(lock) 기구가 설치되어 있고, 록 기구를 닫거나 열거나 함으로써, 덮개를 취출구로부터 착탈할 수 있는 구성으로 되어 있다.
열처리로 영역(111)은, 도 1에 나타낸 바와 같이 로딩 영역(112) 상에 배치할 수 있다. 열처리로(1111)는, 하단부가 노 입구(1111a)로서 개구된 세로로 긴 처리 용기인 반응관(1112)과, 반응관(1112)의 주위를 덮도록 배치된 히터(1113)를 가질 수 있다. 히터(1113)의 구성에 관해서는 특별히 한정되지 않지만, 반응관(1112) 내를 예컨대 300∼1200℃로 가열할 수 있는 것이 바람직하다.
반응관(1112)은 예컨대 석영 등으로 구성할 수 있고, 반응관(1112) 내에 처리 가스나 퍼지용의 불활성 가스를 도입하는 복수의 가스 도입관이나 반응관(1112) 내를 제어 가능한 진공 펌프나 압력 제어 밸브 등을 갖는 배기관을 접속할 수 있다. 또한, 반응관(1112)의 아래쪽에는 웨이퍼를 삽입하기 위한 노 입구(1111a)를 형성할 수 있다. 노 입구(1111a)의 수평면(도면 중의 Z축과 수직인 면)에서의 단면 형상은 피처리체인 웨이퍼의 형상 등에 맞춰 임의로 선택할 수 있어 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 원형상으로 할 수 있다.
반응관(1112)이나 히터(1113)는 베이스 플레이트(1114) 상에 배치할 수 있고, 베이스 플레이트(1114)에 개구부를 형성해 놓음으로써, 도면 중 하방측으로부터 웨이퍼를 유지한 유지구(1121) 등의 반입 반출을 행할 수 있다. 베이스 플레이트(1114)는 예컨대 스테인리스강에 의해 구성되어 있는 것이 바람직하다.
로딩 영역(112)에는, 후술하는 반송 보관 유닛(12)의 이재부(123)의 재치대(123a)에 재치한 운반 용기(15) 내의 웨이퍼를 이재하는 유지구(1121) 등을 설치할 수 있다.
구체적으로는 예컨대 도 1에 나타낸 바와 같이, 이재부(123)의 재치대(123a) 상에 재치한 운반 용기(15)와 유지구(1121)의 사이에서 웨이퍼를 이재하는 이재 기구(1122)를 배치할 수 있다. 또, 이재 기구(1122)는, 열처리로(1111)에 웨이퍼를 공급하기 위해, 운반 용기(15)로부터 유지구(1121)로 웨이퍼를 이재할 수도 있지만, 열처리후에 유지구(1121)로부터 운반 용기(15)로 처리가 끝난 웨이퍼를 이재할 수도 있다.
유지구(1121)는 보우트라고도 불리며, 복수매의 웨이퍼를 선반형으로 유지할 수 있다. 유지구(1121)는 단열부(보온통)(1125)를 통해 덮개(1123) 상에 재치되어 있다.
덮개(1123)는 도시하지 않은 승강 기구 상에 지지되어 있고, 승강 기구에 의해 그 위치를 상승시킴으로써 열처리로(1111)의 노 입구(1111a)를 밀폐할 수 있다. 또한, 승강 기구에 의해 덮개(1123) 상에 재치된 유지구(1121)를 열처리로(1111)에 대하여 반입 혹은 반출할 수 있다.
또한, 덮개(1123) 상에 재치된 유지구(1121)를 회전시키고, 열처리로(1111) 내에서 웨이퍼를 수평면내에서 회전시킬 수 있도록 회전 기구(1124)를 설치할 수도 있다.
또한, 로딩 영역(112)에는, 유지구(1121)나 덮개(1123)를 하강시키고 있을 때에 열처리로(1111)의 노 입구(1111a)에 배치할 수 있는 덮개부(1126)를 설치할 수 있다. 덮개부(1126)에는, 덮개부(1126)를 덮개부(1126)의 하면측으로부터 캔틸레버 지지하는 덮개부 개폐 기구(1127)를 설치할 수 있고, 또한, 덮개부(1126)를 노 입구에 배치했을 때에 덮개부(1126)를 덮개부(1126)의 하면측으로부터 압박하는 보조 수단(1128)을 설치할 수 있다. 그리고, 보조 수단(1128)은 토글 기구를 구비하고 있는 것이 바람직하다.
열처리로(1111)의 노 입구(1111a) 주변의 구조에 관해 도 2∼도 4를 이용하여 설명한다.
도 2의 (A), (B)는 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)에서의 열처리로(1111)의 노 입구(1111a) 주변을 확대하여 나타낸 단면도에 해당한다.
도 2의 (A), (B)에서는, 유지구(1121)나 덮개(1123)를 하강시킨 후, 열처리로(1111)의 노 입구(1111a)를 막기 위해, 매니폴드(21)에 의해 형성된 노 입구(1111a)를 덮도록 덮개부(1126)를 배치하고, 매니폴드(21)에 덮개부(1126)를 접촉시키고 있다. 그리고, 도 2의 (A)는 보조 수단(1128)에 의해 덮개부(1126)를 압박하지 않은 상태를, 도 2의 (B)는 보조 수단(1128)에 의해 덮개부(1126)를 덮개부(1126)의 하면측으로부터 압박하고 있는 상태를 각각 나타내고 있다.
여기서, 도 2의 (A), (B)에 나타낸 덮개부(1126), 덮개부 개폐 기구(1127), 보조 수단(1128)에 관해 설명한다.
덮개부(1126)는 노 입구(1111a)를 막을 수 있도록 구성되어 있으면 되며, 구체적인 구성은 특별히 한정되지 않지만, 예컨대, 노 입구(1111a)를 막는 노 입구 차폐부(231)와, 노 입구 차폐부(231)를 복수의 탄성체(233)를 통해 지지하는 지지 부재(232)를 가질 수 있다. 그리고, 덮개부 개폐 기구(1127)는 지지 부재(232)의 하면측으로부터 덮개부(1126)를 캔틸레버 지지하도록 구성할 수 있다. 또한, 보조 수단(1128)은 지지 부재(232)의 하면측으로부터 덮개부(1126)를 압박할 수 있다.
덮개부(1126)가 노 입구 차폐부(231)와, 노 입구 차폐부(231)를 복수의 탄성체(233)를 통해 지지하는 지지 부재(232)를 갖는 경우, 덮개부 개폐 기구(1127)나 보조 수단(1128)에 의해, 지지 부재(232)에 대하여 국소적, 또는 좁은 범위에 가해진 힘을 탄성체(233)가 분산시켜 노 입구 차폐부(231)에 전달할 수 있다. 이 때문에, 노 입구 차폐부(231)의 지지 부재(232)와 대향하는 면에 대하여 면내에서 대략 균일하게 힘을 가할 수 있고, 노 입구(1111a)를 형성하는 매니폴드(21)와 노 입구 차폐부(231) 사이에 간극이 생기는 것을 억제할 수 있다. 또한, 도 2의 (A), (B)에 나타낸 바와 같이 노 입구 차폐부(231)의 매니폴드(21)와 대향하는 부분에 시일 부재(231a)를 설치한 경우, 시일 부재(231a)를 대략 균일하게 압축하고, 노 입구 차폐부(231)에 의한 노 입구(1111a)의 밀폐성을 높일 수 있다.
노 입구 차폐부(231)는 노 입구(1111a)를 막을 수 있도록 구성되어 있으면 되며, 형상은 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 노 입구(1111a)와 대향하는 쪽의 면을 노 입구(1111a)와 닮은 형상, 즉 예컨대 원형상으로 할 수 있다. 이 경우, 노 입구(1111a)를 형성하는 매니폴드(21)의 노 입구 차폐부(231)와 대향하는 면과 접촉할 수 있도록, 노 입구 차폐부(231)는 노 입구(1111a)보다 큰 것이 바람직하다. 그리고, 노 입구 차폐부(231)의 외형은 예컨대 판형상을 갖고 있는 것이 바람직하기 때문에, 전술한 바와 같이 노 입구(1111a)가 원형상을 갖는 경우, 노 입구 차폐부(231)는 원판형상으로 하는 것이 바람직하다.
또한, 전술한 바와 같이, 노 입구 차폐부(231)의 노 입구(1111a)와 대향하는 면 중, 매니폴드(21)와 접촉하는 위치에는 시일 부재(231a)를 배치하는 것이 바람직하다. 시일 부재(231a)로는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 O링을 이용할 수 있다. 또한, 노 입구 차폐부(231)에는, 예컨대 노 입구 차폐부(231)나 시일 부재(231a)를 냉각시키기 위한 냉각 기구 등의 각종 부대 설비를 임의로 배치할 수 있다.
탄성체(233)는, 노 입구 차폐부(231)와 지지 부재(232)를 접속하여 노 입구 차폐부(231)를 지지할 수 있으면 되며, 그 구성은 특별히 한정되지 않지만, 탄성체(233)로는 예컨대 스프링을 이용하는 것이 바람직하다. 특히 탄성체(233)는 노 입구(1111a)의 근방에 배치되기 때문에, 내열성이 높은 것이 바람직하며, 탄성체(233)로서 금속제의 스프링을 이용하는 것이 보다 바람직하다. 노 입구 차폐부(231)와 지지 부재(232) 사이에 배치하는 탄성체(233)의 수에 관해서도 특별히 한정되지 않지만, 지지 부재(232)로부터의 힘을 보다 균일하게 분산시킬 수 있도록 예컨대 3개 이상 배치하는 것이 바람직하다. 탄성체(233)의 배치는 특별히 한정되지 않고, 임의의 위치에 배치할 수 있다. 단, 덮개부 개폐 기구(1127)나 보조 수단(1128)에 의해, 지지 부재(232)에 대하여 국소적 또는 좁은 범위에 가해진 힘을 노 입구 차폐부(231)에 대하여 노 입구 차폐부(231)의 면내에서 보다 균일하게 전달할 수 있도록 배치하는 것이 바람직하다. 예컨대 노 입구 차폐부(231)가 원판형상을 갖는 경우, 탄성체(233)는, 노 입구 차폐부(231)와 복수의 탄성체(233)의 접점이 하나의 원 위에 위치하도록 배치하는 것이 바람직하다. 특히, 탄성체(233)는, 노 입구 차폐부(231)와 복수의 탄성체(233)의 접점을 통과하는 원이, 노 입구 차폐부(231)의 둘레 가장자리의 원과 동심원이 되도록 배치하는 것이 보다 바람직하다.
지지 부재(232)에 관해서는 특별히 한정되지 않으며, 상면측, 즉 노 입구 차폐부(231)와 대향하는 면에서는 복수의 탄성체(233)와 접속된다. 또한, 하면측에서는 덮개부 개폐 기구(1127)와 접속할 수 있다. 지지 부재(232)의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예컨대 원판형상으로 할 수 있다.
또, 노 입구 차폐부(231)를 탄성체(233)를 통해 지지 부재(232) 상에 배치할 때의 노 입구 차폐부(231)와, 지지 부재(232)의 위치 관계는 특별히 한정되지 않는다. 예컨대, 지지 부재(232)의 중심과, 노 입구 차폐부(231)의 중심을 통과하는 직선이, 노 입구 차폐부(231)의 노 입구(1111a)와 대향하는 면과 수직이 되도록 노 입구 차폐부(231)와 지지 부재(232)를 배치하는 것이 바람직하다.
다음으로 덮개부 개폐 기구(1127)에 관해 설명한다.
덮개부 개폐 기구(1127)는, 전술한 바와 같이 덮개부(1126)를 덮개부(1126)의 하면측으로부터 지지하고 있다. 그리고 덮개부 개폐 기구(1127)는, 덮개부(1126)를 소정의 위치에 반송할 수 있다. 예컨대, 유지구(1121)나 덮개(1123) 등을 상승시켜, 열처리로(1111) 내에 유지구(1121)를 삽입하고 있는 동안은, 덮개부 개폐 기구(1127)는, 유지구(1121)나 그것에 부대된 덮개(1123) 등의 설비와 간섭하지 않는 후퇴 위치에 덮개부(1126)를 반송, 배치할 수 있다.
또한, 유지구(1121)나 덮개(1123)가 하강하고 있는 동안은, 덮개부 개폐 기구(1127)는, 노 입구(1111a)를 막는 노 입구 차폐 위치에 덮개부(1126)를 반송, 배치할 수 있다. 또, 노 입구 차폐 위치에는, 후술하는 바와 같이 도면 중의 Z축 방향의 위치가 상이한 풀클로즈용 노 입구 차폐 위치와, 하프클로즈용 노 입구 차폐 위치를 모두 포함할 수 있다.
덮개부 개폐 기구(1127)는, 전술한 바와 같이 소정의 타이밍에, 후퇴 위치와 노 입구 차폐 위치 사이에서 덮개부(1126)를 반송할 수 있는 기구이면 되며, 구성은 특별히 한정되는 것이 아니다.
예컨대, 도 2의 (A), (B)에 나타낸 바와 같이 덮개부 개폐 기구(1127)는 실린더부(221)와, 덮개부(1126)를 지지하는 아암부(222)와, 실린더부(221)와 아암부(222)를 접속하는 축부(223)를 가질 수 있다. 그리고, 덮개부 개폐 기구(1127)는 실린더부(221)에 의해 축부(223)를 회전축으로 하여 아암부(222)를 도 2의 (A)에 양화살표로 나타낸 θ방향으로 회전(선회)시킬 수 있다. 또한, 덮개부 개폐 기구(1127)는 실린더부(221)에 의해 아암부(222)를 Z축 방향으로 상하 이동시킬 수 있다.
덮개부 개폐 기구(1127)가 전술한 바와 같이 실린더부(221), 아암부(222) 및 축부(223)를 갖는 경우의 덮개부(1126)의 노 입구 차폐 위치와 후퇴 위치 사이의 이동, 반송에 관해 도 2의 (A), (B) 및 도 3을 이용하여 설명한다. 도 3은 노 입구(1111a)측으로부터 덮개부(1126) 및 덮개부 개폐 기구(1127)를 본 도면을 나타내고 있고, 설명에 필요한 부재 이외는 기재를 생략하고 있다.
도 3에서는 노 입구(1111a)를 일점쇄선으로 나타내고 있고, 실선으로 나타낸 위치 A에 아암부(222) 및, 아암부(222)에 의해 지지된 덮개부(1126)가 위치하고 있는 경우, 노 입구(1111a)는 덮개부(1126)에 의해 막혀 있고, 덮개부(1126)는 노 입구 차폐 위치에 위치하고 있다. 또, 노 입구 차폐 위치란, 전술한 바와 같이 노 입구(1111a)를 막을 수 있는 덮개부(1126)의 위치를 나타낸다. 노 입구 차폐 위치에 덮개부(1126)가 있을 때, 덮개부(1126)는 노 입구(1111a)의 바로 아래에 위치하고 있는 것이 바람직하고, 노 입구(1111a)를 형성하는 매니폴드(21)의 바로 아래에, 덮개부(1126)의 노 입구 차폐부(231)에 설치한 시일 부재(231a)가 위치하는 것이 보다 바람직하다. 특히, 노 입구 차폐 위치에 덮개부(1126)가 있을 때, 덮개부(1126)는 노 입구(1111a)의 중심과 덮개부(1126)의 노 입구(1111a)에 대향하는 면의 중심이 일치하는 장소에 위치하고 있는 것이 더욱 바람직하다.
도 3의 위치 A에 덮개부(1126)를 배치했을 때, 도 2의 (A), 도 2의 (B)에 나타낸 바와 같이 덮개부(1126)를 Z축 방향으로 상승시켜 매니폴드(21)에 접촉하는 위치(풀클로즈용 노 입구 차폐 위치)에 덮개부(1126)를 반송하여 노 입구(1111a)를 폐색할 수 있다(풀클로즈). 또, 열처리로(1111)로부터의 열을 차단하여, 열처리로(1111) 내의 온도 및 분위기를 유지하기 위해서는 전술한 바와 같이 풀클로즈의 상태로 하는 것이 바람직하다. 단, 열처리로(1111)로부터의 열을 일정 정도 차단하기만 하면 되는 경우에는, 덮개부(1126)를 매니폴드(21)에 접촉시키지 않고, 노 입구(1111a)를 덮도록 노 입구(1111a)와 간격을 둔 위치(하프클로즈용 노 입구 차폐 위치)에 배치해도 좋다(하프클로즈).
그리고, 열처리로(1111) 내에 유지구(1121) 등을 삽입하는 경우에는, 축부(223)를 회전축으로 하여, 실린더부(221)에 의해 화살표 C를 따라서 아암부(222)를 회전시켜, 점선으로 나타낸 위치 B로 아암부(222) 및 덮개부(1126)를 이동시킬 수 있다. 위치 B에 아암부(222) 및 덮개부(1126)가 있는 경우, 노 입구(1111a)가 로딩 영역(112)에 대하여 노출되어, 노 입구(1111a)에 유지구(1121) 등을 삽입할 수 있고, 덮개부(1126)는 후퇴 위치에 위치하고 있다.
도 3에서는 위치 A의 아암부(222)와 위치 B의 아암부(222) 사이의 각도가 약 90도로 되어 있지만, 이러한 형태에 한정되는 것은 아니다. 후퇴 위치는 전술한 바와 같이 열처리로(1111)에 유지구(1121) 등을 삽입하고 있을 때에, 유지구(1121)나 그것에 부대된 덮개(1123) 등의 설비와 간섭하지 않는 덮개부(1126)의 위치를 나타내고 있다. 이 때문에, 종형 열처리 장치(10) 내의 각 부재의 배치나 사이즈에 따라 후퇴 위치는 상이하며, 노 입구 차폐 위치에 덮개부(1126)가 있는 경우의 아암부(222)와 후퇴 위치에 덮개부(1126)가 있는 경우의 아암부(222) 사이의 각도는 임의로 선택할 수 있다.
여기까지, 축부(223)를 회전축으로 하여 아암부(222)를 회전(선회)시켜, 덮개부(1126)를 노 입구 차폐 위치와 후퇴 위치 사이에서 반송하는 덮개부 개폐 기구(1127)의 구성예를 나타냈지만, 이러한 형태에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 덮개부 개폐 기구(1127)는, 덮개부(1126)를 노 입구 차폐 위치와 후퇴 위치 사이에서 직선형으로 슬라이드시켜 반송하는 기구이어도 좋다.
덮개부(1126)를 직선형으로 슬라이드시키는 경우, 덮개부 개폐 기구는 전술한 구성 대신에, 예컨대 한방향(직선 방향)으로 신축하는 아암 기구부를 가질 수 있다. 그리고, 아암 기구부의 일단부측에서 덮개부(1126)를 지지하고, 아암 기구부의 타단부는 예컨대 베이스 플레이트(1114)에 고정할 수 있다. 덮개부 개폐 기구는 아암 기구부를 신축함으로써, 덮개부(1126)를 노 입구 차폐 위치와 후퇴 위치 사이에서 직선형으로 반송할 수 있다. 또한, 덮개부 개폐 기구는 아암 기구부를 Z축 방향으로 이동시키는 상하 이동 기구부를 가질 수도 있다. 상하 이동 기구부를 설치하는 경우, 아암 기구부는 베이스 플레이트(1114)에 직접 고정하지 않고, 상하 이동 기구부를 통해 베이스 플레이트(1114)에 고정하도록 구성할 수 있다. 상하 이동 기구부를 가짐으로써, 덮개부(1126)를 노 입구 차폐 위치(하프클로즈용 노 입구 차폐 위치)에 반송한 후, 덮개부(1126)를 Z축 방향으로 반송하여 노 입구(1111a)를 형성하는 매니폴드(21)에 접촉하는 위치(풀클로즈용 노 입구 차폐 위치)에 반송할 수 있다. 풀클로즈용 노 입구 차폐 위치에 덮개부(1126)를 반송함으로써, 노 입구(1111a)를 기밀하게 폐색할 수 있다.
다음으로 보조 수단(1128)에 관해 설명한다.
전술한 바와 같이 덮개부 개폐 기구(1127)에 의해 덮개부(1126)를 노 입구(1111a)를 형성하는 매니폴드(21)에 접촉시켜 노 입구(1111a)를 막을 수 있다. 그러나, 덮개부 개폐 기구(1127)는 덮개부(1126)를 하면측으로부터 캔틸레버 지지하기 때문에, 덮개부 개폐 기구(1127)만으로는 덮개부(1126)를 수평으로 유지하는 것이 어렵다. 이 때문에, 덮개부 개폐 기구(1127)만으로 덮개부(1126)를 지지하고, 노 입구(1111a)에 밀착시키는 것만으로는, 덮개부(1126)와 매니폴드(21) 사이에 간극이 생겨, 노 입구(1111a)를 밀폐할 수 없을 우려가 있다.
특히 최근에는 피처리체인 웨이퍼의 직경이 300 mm, 450 mm로 커지고 있고, 이것에 맞춰 노 입구(1111a)나 덮개부(1126)의 사이즈도 커지고 있다. 또한, 덮개부(1126)의 사이즈가 커짐에 따라서 덮개부(1126)의 중량도 증가하고 있다. 이 때문에, 덮개부 개폐 기구(1127)만으로 덮개부(1126)를 수평으로 지지하는 것은 특히 어려워지고 있고, 덮개부(1126)와 매니폴드(21) 사이에 더욱 간극이 생기기 쉬워지고 있다.
그래서, 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)에 있어서는 보조 수단(1128)을 설치할 수 있다. 보조 수단(1128)은, 덮개부 개폐 기구(1127)와 함께 덮개부(1126)를 지지, 압박할 수 있기 때문에, 덮개부 개폐 기구(1127)만으로 덮개부(1126)를 캔틸레버 지지하고 있는 경우와 비교하여 덮개부(1126)를 보다 수평으로 유지하는 것이 가능해진다. 그리고 덮개부(1126)를 매니폴드(21)에 대하여 강하게 접촉시킬 수 있으므로, 덮개부(1126)와 매니폴드(21) 사이에 간극이 생기는 것을 억제할 수 있다. 이 때문에, 열처리로(1111)의 노 입구(1111a)를 덮개부(1126)에 의해 막았을 때의 열처리로(1111)의 밀폐성을 높이는 것이 가능해진다.
또, 전술한 바와 같이 덮개부(1126)를 캔틸레버 지지하기만 하는 경우, 웨이퍼의 사이즈가 커짐에 따라서, 덮개부(1126)와 매니폴드(21) 사이에 간극이 생기기 쉬워졌다. 이에 비해, 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)에서는 웨이퍼의 사이즈에 상관없이 덮개부(1126)와 매니폴드(21) 사이의 간극의 발생을 억제할 수 있고, 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)는, 처리하는 웨이퍼의 직경이 클수록 특히 우수한 효과를 나타낸다. 이 때문에, 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)가 처리하는 웨이퍼는, 예컨대 직경이 300 mm 이상의 웨이퍼인 것이 바람직하고, 특히 직경이 450 mm 이상의 웨이퍼인 것이 바람직하다.
보조 수단(1128)은 덮개부(1126)를 하면측으로부터 압박할 수 있으면 되며, 그 구성은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 토글 기구를 구비하고 있는 것이 바람직하다.
보조 수단(1128)은, 도 2의 (A), (B)에 나타낸 바와 같이 신축 기구부(241)와, 링크판(242)과, 링크판-보조 수단 아암부 접속판(243)과, 보조 수단 아암부(244)을 가질 수 있다.
링크판(242)은 삼각형을 이루고 있으며, 3개의 정점 중의 하나의 정점 근방에 신축 기구부(241)를, 하나의 정점 근방에 링크판-보조 수단 아암부 접속판(243)을 접속할 수 있다. 또, 링크판(242)과 신축 기구부(241)의 접속점, 및 링크판(242)과 링크판-보조 수단 아암부 접속판(243)의 접속점에 있어서는, 각각 링크판(242)이 회전 가능하게 접속하는 것이 바람직하다. 링크판(242)의 또 하나의 정점은 임의의 개소에 링크판(242)이 회전 가능하게 고정할 수 있다.
링크판-보조 수단 아암부 접속판(243)은 또한, 보조 수단 아암부(244)에 접속할 수 있고, 링크판-보조 수단 아암부 접속판(243)은 보조 수단 아암부(244)의 단부가 아닌 임의의 개소에 접속하는 것이 바람직하다. 링크판-보조 수단 아암부 접속판(243)과 보조 수단 아암부(244)를 접속할 때, 링크판-보조 수단 아암부 접속판(243)이 접속점에서 회전 가능하게 접속하는 것이 바람직하다.
보조 수단 아암부(244)는 한쪽의 단부를 임의의 개소에 보조 수단 아암부(244)가 회전 가능하게 고정할 수 있다. 또한, 보조 수단 아암부(244)의 다른쪽의 단부에는 예컨대 지지 부재(232)를 압박하는 압박 부재를 설치해 놓을 수 있다.
신축 기구부(241)는 신축 가능한 로드부를 가지며, 로드부의 선단부를 전술한 바와 같이 링크판(242)의 하나의 정점 근방에 접속할 수 있다. 신축 기구부(241)는 신축 가능한 로드부를 갖고 있으면 되며, 그 구성은 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 에어실린더에 의해 구성할 수 있다.
여기서, 보조 수단(1128)의 토글 기구에 관해 도 4의 (A), (B)를 이용하여 설명한다. 도 4의 (A), (B)에서는, 각 부재의 회전의 중심이 되는 점을 알기 쉽도록 보조 수단(1128)을 점과 선으로 모식적으로 나타내고 있다. 도 4의 (A)는 도 2의 (A)와 마찬가지로 보조 수단(1128)이 덮개부(1126)를 압박하지 않은 상태, 즉 보조 수단(1128)이 클램프하지 않은 상태에 해당한다. 그리고 도 4의 (B)는 도 2의 (B)으로 마찬가지로 보조 수단(1128)이 덮개부(1126)를 압박하고 있는 상태, 즉 보조 수단(1128)이 클램프하고 있는 상태에 해당한다.
도 4의 (A), (B) 중, 삼각형 ABC가 도 2의 (A), (B)의 링크판(242)에, 선분 BE가 링크판-보조 수단 아암부 접속판(243)에, 선분 DF가 보조 수단 아암부(244)에 해당한다. 점 F가 예컨대 지지 부재(232)를 압박할 수 있다.
우선 도 4의 (A)에 나타낸 바와 같이, 신축 기구부(241)가 로드부(241a)를 화살표 41의 방향으로 늘려서 펼침으로써 링크판(242)(삼각형 ABC)이 정점 C를 중심으로 화살표 42의 방향으로, 즉 반시계 방향(좌회전)으로 회전한다. 이 때, 보조 수단 아암부(244)(선분 DF)가 지점 D를 중심으로 화살표 43의 방향으로, 즉 반시계 방향(좌회전)으로 회전한다. 그리고, 신축 기구부(241)가 로드부(241a)를 화살표 41의 방향으로 더 늘려서 펼침으로써 도 4의 (B)의 상태가 된다.
도 4의 (B)에서는 링크판-보조 수단 아암부 접속판(243)(선분 BE)의 한쪽 단부인 점 E가 링크판(242)(삼각형 ABC)의 한 변을 나타내는 선분 BC 상에 있는 경우를 나타내고 있지만, 이하에, 점 E가 선분 BC의 우측에 있는 경우와, 점 E가 선분 BC의 좌측에 있는 경우로 나눠 토글 기구의 작용에 관해 설명한다.
또, 점 E가 선분 BC의 우측에 있는 상태로부터, 신축 기구부(241)의 로드부(241a)를 화살표 41의 방향으로 더 늘려서 펼치면, 점 E는 좌측으로 이동하고, 점 E는 선분 BC의 좌측으로 이동한다. 그리고, 점 E가 선분 BC의 우측에 있는 경우는 토글이 작용하지 않은 상태이고, 점 E가 선분 BC의 좌측에 있는 경우는 토글이 작용하고 있는 상태가 된다.
우선, 도 4의 (B)에 있어서 점 E가 선분 BC의 우측에 있는 상태, 즉 토글이 작용하지 않은 상태에 관해 설명한다.
도 4의 (B)에 있어서, 점 E가 선분 BC의 우측에 위치한 상태가 된 후, 신축 기구부(241)에 의한 화살표 41 방향에 대한 압력을 제거하고, 신축 기구부(241)가 링크판(242)(삼각형 ABC)에 대하여 힘을 가하지 않은 상태로 한다. 그리고 이 상태로, 점 F에 블록 화살표 44로 나타낸 바와 같이 아래로 향하는 힘이 가해졌다고 한다면, 링크판-보조 수단 아암부 접속판(243)(선분 BE)은 점 B를 지점으로 하여 화살표 45의 방향(우회전)으로 회전하고, 링크판(242)(삼각형 ABC)은 점 C를 중심으로 화살표 46의 방향(좌회전)으로 회전한다. 이 때문에, 보조 수단 아암부(244)(선분 DF)의 점 F측의 단부는 가해진 하중의 방향, 즉 블록 화살표 44의 방향으로 내려가 버린다.
다음으로 도 4의 (B)에 있어서, 점 E가 선분 BC의 좌측에 있는 경우, 즉 토글이 작용하고 있는 상태에 관해 설명한다.
도 4의 (B)에 있어서, 점 E가 선분 BC의 좌측에 위치한 상태가 된 후, 신축 기구부(241)에 의한 화살표 41 방향에 대한 압력을 제거하고, 신축 기구부(241)가 링크판(242)에 대하여 힘을 가하지 않은 상태로 한다. 그리고 이 상태로 전술한 경우와 마찬가지로, 점 F에 블록 화살표 44로 나타낸 바와 같이 아래로 향하는 힘이 가해진 것으로 한다. 이 경우, 링크판-보조 수단 아암부 접속판(243)(선분 BE)은 점 B를 지점으로 하여 화살표 47의 방향(좌회전)으로 회전하고자 한다. 그리고, 링크판(242)(삼각형 ABC)은 점 C를 중심으로 화살표 48의 방향(우회전)으로 회전하고자 한다. 링크판(242)(삼각형 ABC)이 화살표 48의 방향으로 회전하고자 하면 링크판-보조 수단 아암부 접속판(243)(선분 BE)은 위쪽으로 밀려 올라간다. 그러면 보조 수단 아암부(244)(선분 DF)는 점 D를 중심으로 블록 화살표 44로 나타낸 하중의 방향과는 반대측의 방향으로, 즉 화살표 49의 방향으로 회전하고자 한다. 이 때문에, 토글이 작용하고 있는 상태에서는, 신축 기구부(241)로부터의 힘이 가해지지 않더라도 보조 수단 아암부(244)(선분 DF)는 하중에 대하여 저항하고, 그 위치를 유지할 수 있다.
이상에 설명한 바와 같이 보조 수단(1128)이 토글 기구를 구비하고 있는 경우, 토글이 작용한 상태로 함으로써, 예컨대 신축 기구부(241)로부터의 출력이 빠진 경우라 하더라도 보조 수단(1128)은 덮개부(1126)를 계속하여 지지할 수 있다. 이 때문에, 덮개부(1126)와 매니폴드(21) 사이에 간극이 갑자기 생기는 것을 방지할 수 있고, 덮개부(1126)에 의해 폐색된 열처리로(1111) 내의 밀폐성을 보다 확실하게 유지할 수 있다.
또, 예컨대 도 2의 (B)에 나타낸 바와 같이, 보조 수단(1128)에 의해 덮개부(1126)의 하면측으로부터 압박하는 경우로서, 보조 수단(1128)이 토글 기구를 구비하고 있는 경우에는, 전술한 이유 때문에 토글이 작용한 상태까지 신축 기구부(241)를 작동시키는 것이 바람직하다.
다음으로, 보조 수단(1128)이 덮개부(1126)를 압박하는 위치에 관해 설명한다.
전술한 바와 같이 덮개부(1126)는 지지 부재(232)를 갖고 있는 것이 바람직하다. 그리고, 덮개부(1126)가 지지 부재(232)를 갖고 있는 경우, 보조 수단(1128)은 지지 부재(232)의 하면측으로부터 덮개부(1126)를 압박하는 것이 바람직하다. 또, 보조 수단(1128)은 지지 부재(232)를 지지 부재(232)의 하면측으로부터 직접 압박할 수도 있지만, 아암부(222)를 압박하고, 아암부(222)를 통해 지지 부재(232)를 압박해도 좋다.
덮개부(1126)가 지지 부재(232)를 갖는 경우에, 보조 수단(1128)이 압박하는 바람직한 위치에 관해 도 5를 이용하여 설명한다.
도 5는, 노 입구 차폐 위치에 덮개부(1126)를 배치했을 때의 아암부(222) 및 지지 부재(232)의 하면측으로부터 본 도면을 나타내고 있다. 도 5에 있어서는, 설명에 필요한 부재 이외에는 기재를 생략하고 있다. 또한, 탄성체(233)(233a∼233d)는 지지 부재(232)와 노 입구 차폐부(231) 사이에 배치되기 때문에, 원래 지지 부재(232)의 하면측으로부터 탄성체(233)는 보이지 않지만 설명의 편의상 나타내고 있다. 또, 탄성체(233)로서 4개의 탄성체(233a∼233d)를 배치한 예를 나타내고 있지만, 전술한 바와 같이 탄성체(233)의 수는 한정되지 않으며, 예컨대 4개보다 많이, 또는 4개 미만 배치할 수도 있다.
보조 수단(1128)에 의해 지지 부재(232)의 하면측으로부터 압박하는 점인 보조 수단 압박점(1128a)의 위치는 특별히 한정되는 것이 아니라, 덮개부(1126)의 사이즈, 무게나, 아암부(222)에 의한 지지 부재(232)에 대한 압박력 등에 따라서 임의로 선택할 수 있다.
단, 지지 부재(232)의 하면측으로부터 보조 수단(1128)에 의해 압박할 때, 그 압박하는 힘은, 덮개부(1126)의 전체에 대략 균일하게 가해지는 것이 바람직하다. 이 때문에, 보조 수단(1128)이 지지 부재(232)를 지지 부재(232)의 하면측으로부터 압박할 때, 보조 수단(1128)은, 지지 부재(232)와 복수의 탄성체(233)(233a∼233d)의 접점으로 둘러싸인 영역 내를 압박하는 것이 바람직하다. 구체적으로는 예컨대 도 5와 같이 탄성체(233a∼233d)를 배치한 경우, 지지 부재(232)와 탄성체(233a∼233d)의 접점으로 둘러싸인 영역(51) 내를 보조 수단(1128)에 의해 압박하는 것이 바람직하다.
또, 지지 부재(232)와 복수의 탄성체(233)의 접점은, 탄성체(233)가 금속 스프링인 경우 대략 원형상이 된다. 지지 부재(232)와 복수의 탄성체(233)의 접점이 대략 원형상인 경우, 상기 영역(51)이란, 지지 부재(232)와 복수의 탄성체(233)의 접점의 중심 사이를 연결하는 선보다 외측에 위치하는, 인접하는 지지 부재(232)와 복수의 탄성체(233)의 접점 사이에 그은 공통 접선에 의해 둘러싸인 영역을 가리킨다. 이 때문에 도 5에 나타낸 바와 같이, 영역(51)에는, 지지 부재(232)와 복수의 탄성체(233)의 접점의 바로 아래 영역도 포함된다.
지지 부재(232)와 탄성체(233)(233a∼233d)의 접점으로 둘러싸인 영역(51) 내를 보조 수단(1128)에 의해 압박함으로써, 보조 수단(1128)에 의해 지지 부재(232)에 대하여 국소적으로 가해진 힘을 탄성체(233)에 의해 분산시킬 수 있다. 이 때문에, 노 입구 차폐부(231)의 지지 부재(232)와 대향하는 면에 대하여, 면내에 대략 균일하게 힘을 가할 수 있다.
또한, 덮개부(1126)와 매니폴드(21) 사이에 간극이 생기는 것을 특히 억제하기 위해, 보조 수단 압박점(1128a)과, 지지 부재(232)의 중심(232a)과, 아암부(222)의 지지점의 3점이 형성하는 각도(52)가 90도 이상 270도 이하인 것이 바람직하다. 또, 아암부(222)의 지지점이란, 예컨대 전술한 바와 같이 덮개부 개폐 기구(1127)의 아암부(222)가 축부(223)에 의해 지지되어 있는 경우에는, 축부(223)의 중심을 가리킨다.
이것은, 덮개부(1126) 중 하면측으로부터 아암부(222)에 의해 지지되어 있는 부분, 및 아암부(222)에 의해 지지되어 있는 부분으로부터의 거리가 짧은 부분에 관해서는 덮개부(1126), 특히 노 입구 차폐부(231)와 매니폴드(21) 사이에 간극이 생기기 어렵다. 그러나, 아암부(222)는 덮개부(1126)를 캔틸레버 지지하고 있기 때문에, 지지 부재(232)와 노 입구 차폐부(231) 사이에 탄성체(233)를 배치하더라도, 덮개부(1126) 중 아암부(222)로부터의 거리가 멀어지면 아암부(222)로부터의 압박력이 충분히 전달되지 않는 경우가 있다. 이 때문에, 덮개부(1126)와 매니폴드(21) 사이에 간극이 생기기 쉬워진다. 그래서, 덮개부(1126)와 매니폴드(21) 사이에서 간극이 생기기 쉬운 부분을 보조 수단(1128)에 의해 압박하기 위해, 전술한 각도(52)가 90도 이상 270도 이하의 범위가 되도록 보조 수단 압박점(1128a)의 위치를 선택하는 것이 바람직하다.
특히, 보조 수단(1128)에 의해 지지 부재(232)를 압박하는 보조 수단 압박점(1128a)의 위치는, 전술한 지지 부재(232)와 복수의 탄성체(233)의 접점으로 둘러싸인 영역 내이며, 보조 수단 압박점(1128a)과, 지지 부재(232)의 중심(232a)과, 아암부(222)의 지지점의 3점이 형성하는 각도(52)가 90도 이상 270도 이하인 것이 보다 바람직하다. 즉 도 5에 나타낸 구성의 경우, 보조 수단(1128)은, 지지 부재(232)와 탄성체(233a∼233c)의 접점으로 둘러싸인 영역 내를 압박하는 것이 바람직하다.
여기까지, 보조 수단(1128)을 하나 설치한 예를 나타냈지만, 보조 수단(1128)은 하나에 한정되지 않고, 복수의 보조 수단(1128)을 설치할 수 있다. 복수의 보조 수단(1128)을 설치하는 경우도, 지지 부재(232)의 하면측으로부터 복수의 보조 수단(1128)이 압박하는 보조 수단 압박점(1128a)의 위치는 특별히 한정되는 것은 아니다.
단, 복수의 보조 수단(1128)의 어느 것이, 지지 부재(232)와 복수의 탄성체(233)의 접점으로 둘러싸인 영역 내를 압박하는 것이 바람직하다. 특히, 복수의 보조 수단(1128) 전부가, 지지 부재(232)와 복수의 탄성체(233)의 접점으로 둘러싸인 영역 내를 압박하는 것이 보다 바람직하다.
또는, 복수의 보조 수단(1128) 중의 어느 보조 수단 압박점(1128a)과, 지지 부재(232)의 중심(232a)과, 아암부(222)의 지지점의 3점이 형성하는 각도(52)가 90도 이상 270도 이하인 것이 바람직하다. 특히 복수의 보조 수단(1128) 전부에 관해, 보조 수단 압박점(1128a)과, 지지 부재(232)의 중심(232a)과, 아암부(222)의 지지점의 3점이 형성하는 각도(52)가 90도 이상 270도 이하인 것이 보다 바람직하다.
특히, 복수의 보조 수단(1128) 중의 어느 것이 지지 부재(232)를 압박하는 보조 수단 압박점(1128a)의 위치가, 지지 부재(232)와 복수의 탄성체(233)의 접점으로 둘러싸인 영역 내이며, 보조 수단 압박점(1128a)과, 지지 부재(232)의 중심(232a)과, 아암부(222)의 지지점의 3점이 형성하는 각도(52)가 90도 이상 270도 이하인 것이 바람직하다. 또한, 복수의 보조 수단(1128) 전부가 지지 부재(232)를 압박하는 보조 수단 압박점(1128a)의 위치가, 지지 부재(232)와 복수의 탄성체(233)의 접점으로 둘러싸인 영역 내이며, 보조 수단 압박점(1128a)과, 지지 부재(232)의 중심(232a)과, 아암부(222)의 지지점의 3점이 형성하는 각도(52)가 90도 이상 270도 이하인 것이 보다 바람직하다.
전술한 바와 같이 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)에 있어서는, 덮개부(1126)를 매니폴드(21)에 접촉시켜 노 입구(1111a)를 기밀하게 폐색할 수 있다(풀클로즈). 또한, 덮개부(1126)를 매니폴드(21)에 접촉시키지 않고, 노 입구(1111a)를 덮도록 노 입구(1111a)와 간격을 두고 배치할 수도 있다(하프클로즈). 보조 수단(1128)은 주로 열처리로(1111)의 노 입구(1111a)를 덮개부(1126)에 의해 막았을 때에, 덮개부(1126)와 매니폴드(21) 사이에 간극이 생기는 것을 억제하는 것을 목적으로 설치한 것이기 때문에, 풀클로즈인 경우에 특히 효과를 발휘한다. 그러나, 하프클로즈의 경우라 하더라도 덮개부(1126)를 보다 수평으로 유지하기 위해, 보조 수단(1128)에 의해 덮개부(1126)를 지지하도록 구성해도 좋다.
또한, 여기서는, 덮개부(1126)에 의해 노 입구(1111a)를 막는 경우에 관해 설명했지만, 보조 수단(1128)은, 유지구(1121)를 열처리로(1111)에 삽입했을 때에 노 입구(1111a)를 막는 덮개(1123)에 관해서도 마찬가지로 하면측으로부터 압박할 수도 있다.
이상에 설명한 바와 같이 본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)는, 덮개부 개폐 기구(1127)에 더하여 보조 수단(1128)을 갖기 때문에, 열처리로(1111)의 노 입구(1111a)를 덮개부(1126)에 의해 막았을 때에 덮개부(1126)와 매니폴드(21) 사이에 간극이 생기는 것을 억제할 수 있다. 그리고, 열처리로(1111)의 밀폐성을 높일 수 있다.
본 실시형태의 종형 열처리 장치(10)는, 열처리 유닛(11) 이외에 예컨대 반송 보관 유닛(12), 반입 반출 유닛(13)을 가질 수 있다. 반송 보관 유닛(12), 반입 반출 유닛(13)의 구성예에 관해 도 1을 이용하여 이하에 설명한다.
(반송 보관 유닛)
반송 보관 유닛(12)은, 복수의 운반 용기(15)를 보관하는 제1 보관부(제1 캐리어 스테이지)(121)를 가질 수 있다. 또한, 필요에 따라서 복수의 운반 용기(15)를 보관하는 제2 보관부(제2 캐리어 스테이지)(122)를 설치할 수도 있다.
반송 보관 유닛(12)은, 운반 용기(15) 내의 웨이퍼를 열처리 유닛(11)의 유지구(1121)로 이재할 때에, 운반 용기(15)를 재치한 이재부(123)의 재치대(123a)를 가질 수 있다. 또한, 제1 보관부(121), 제2 보관부(122), 이재부(123)의 재치대(123a)나, 예컨대 후술하는 반입 반출 유닛(13)의 사이에서 운반 용기(15)를 반송하는 반송 기구부(124)를 가질 수 있다.
제1 보관부(121), 제2 보관부(122)는 운반 용기(15)를 재치하고, 보관하는 부재이다. 종형 열처리 장치(10) 내에 운반 용기(15)를 재치한 보관부를 설치해 놓음으로써, 열처리로(1111)에서의 웨이퍼에 대한 처리가 끝날 때마다, 열처리로(1111) 내의 웨이퍼를 신속하게 교환할 수 있고, 종형 열처리 장치(10)의 작업 처리량을 높일 수 있다.
제1 보관부(121)는 도 1에 나타낸 바와 같이 복수단의 재치 선반(121a∼121d)을 가지며, 각 재치 선반에는 지면과 수직인 방향으로 예컨대 2개씩 운반 용기(15)를 배치할 수 있다. 재치 선반의 단수는 특별히 한정되는 것은 아니며, 종형 열처리 장치(10)의 높이 등에 따라서 임의의 단수로 할 수 있다. 제1 보관부(121)는, 반송 보관 유닛(12)의 선택된 하나의 벽면에 설치할 수 있으며, 예컨대 반송 보관 유닛(12)의 열처리 유닛(11)에 대향하는 벽면에 배치하는 것이 바람직하다.
제2 보관부(122)는 도 1에 나타낸 바와 같이, 예컨대 반송 기구부(124)의 아래쪽에 설치할 수 있다. 또, 본 실시형태에서의 아래쪽이란, 높이 방향(도 1 중 Z축 방향)에서 볼 때 아래 방향을 의미하고 있고, 수평 방향(도 1 중에서의 X축 방향이나 지면과 수직인 방향)의 위치는 상관없다. 단, 제2 보관부(122)는, 반송 기구부(124)측으로부터, 높이 방향(도 1 중 Z축 방향)을 따라서 아래쪽, 즉, 제2 보관부(122)측을 본 경우에, 반송 기구부(124)와, 제2 보관부(122)의 적어도 일부가 서로 겹치도록 배치하는 것이 바람직하다. 특히 제2 보관부(122)는 반송 기구부(124)의 바로 아래에 배치하는 것이 바람직하다.
제2 보관부(122)는, 제2 보관부(122)에 운반 용기(15)를 배치했을 때, 운반 용기(15)의 상단부의 높이가, 이재부(123)의 재치대(123a)의 높이와 동일하거나, 또는, 이재부(123)의 재치대(123a)의 높이보다 낮아지는 것이 바람직하다. 단, 반송 기구부(124)에 의해 운반 용기(15)를 잡을 수 있도록, 반송 기구부(124)의 가동 영역을 고려하여 제2 보관부(122)의 재치대의 높이를 결정하는 것이 바람직하다.
제2 보관부(122)에 관해서도 제1 보관부(121)와 마찬가지로, 도 1의 지면과 수직인 방향으로 운반 용기(15)를 예컨대 2개 나란히 배치할 수 있다.
이재부(123)는, FIMS 포트라고도 불리며, 운반 용기(15)를 재치한 재치대(123a)를 갖고 있다. 이재부(123)의 재치대(123a)에는, 열처리로(1111)에 복수매의 웨이퍼를 공급하는 유지구(1121)로 운반 용기(15) 내의 웨이퍼를 이재할 때, 또는, 유지구(1121)로부터 운반 용기(15) 내로 웨이퍼를 이재할 때에, 운반 용기(15)를 재치할 수 있다.
이재부(123)의 재치대(123a)는, 예컨대 도 1에 나타낸 바와 같이, 제1 보관부(121)의 아래쪽에 배치하는 것이 바람직하다. 이재부(123)의 재치대(123a)는 제1 보관부(121)측으로부터 도 1 중 Z축 방향(높이 방향)을 따라서 아래쪽, 즉 이재부(123)측을 본 경우에, 제1 보관부(121)와, 이재부(123)의 적어도 일부가 서로 겹치도록 배치하는 것이 보다 바람직하다. 특히 이재부(123)의 재치대(123a)는 제1 보관부(121)의 바로 아래에 배치하는 것이 더욱 바람직하다.
그리고, 이재부(123)는, 열처리 유닛(11) 내의 로딩 영역(112) 내와 운반 용기(15) 내를 연통하는 개구부와, 개구부를 로딩 영역(112)측으로부터 밀폐할 수 있는 개폐 가능한 도어 기구(123b)를 가질 수 있다. 또한, 도시하지 않은 운반 용기(15)의 덮개를 개폐하는 덮개 개폐 기구를 가질 수 있다.
또한, 운반 용기(15)를 재치대(123a) 상에 배치했을 때에, 운반 용기(15)의 위치 맞춤을 행하는 위치 결정용 볼록부를 재치대(123a) 상에 형성해 놓을 수 있다. 또한, 운반 용기(15)를 재치대(123a) 상에 배치했을 때에 용기 본체의 전면(前面) 둘레 가장자리부를 반송 보관 유닛(12)의 열처리 유닛(11)과 대향하는 격벽에 접촉시킨 상태로, 운반 용기(15)를 고정할 수 있는 록(lock) 수단을 재치대(123a) 상에 배치해 놓을 수도 있다.
이재부(123)의 재치대(123a)에 관해서도, 지면과 수직인 방향으로 2개의 운반 용기(15)를 배치할 수 있도록 구성되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 2개의 운반 용기(15)에 대하여 동시에 웨이퍼의 이재를 행할 수 있도록, 전술한 개구부나 도어 기구(123b), 덮개 개폐 기구 등도 운반 용기(15)의 재치 위치에 대응하여 지면과 수직인 방향으로 2개 배치되어 있는 것이 바람직하다.
또, 도 1에서는 제1 보관부(121)의 아래쪽에 이재부(123)의 재치대(123a)를 배치한 예를 나타내고 있지만, 이재부(123)의 재치대(123a)의 설치 위치는 이러한 형태에 한정되는 것은 아니다. 예컨대 제1 보관부(121)의 재치 선반(121a∼121d) 중 재치 선반(121d)을 이재부(123)의 재치대로 하고, 도 1에서 이재부(123)의 재치대(123a)로서 나타낸 선반을 제1 보관부(121)의 재치 선반의 하나로 해도 좋다. 즉, 제1 보관부(121)의 재치 선반(121d)과 이재부(123)의 재치대(123a)의 위치를 교환해도 좋다.
또한, 이재부(123)에 배치할 수 있는 운반 용기(15)의 수는 2개에 한정되는 것은 아니며, 임의로 변경할 수도 있다. 예컨대 이재부(123)에 2개보다 많이 운반 용기(15)를 배치할 필요가 있는 경우에는, 제1 보관부(121)의 최하단의 재치 선반(121d)에 관해서도 이재부(123)의 재치대(123a)로 할 수도 있다. 이 경우, 재치 선반(121d) 부분에 배치되는 운반 용기(15)에 대응하도록 전술한 개구부나 도어 기구(123b), 덮개 개폐 기구 등도 설치할 수 있다.
또한, 이재부(123)에 관해서도, 유지구(1121)와 운반 용기(15) 사이에서의 웨이퍼를 이재하는 상황 등에 따라서, 일시적으로 운반 용기(15)를 보관하는 보관부(제3 보관부)로서 이용할 수도 있다.
반송 기구부(124)는 운반 용기(15)를 반송하는 기구로 할 수 있다.
반송 기구부(124)는, 반송 보관 유닛(12)과 반송 보관 유닛(12)의 외부의 사이에서 운반 용기(15)를 반송할 수 있다. 구체적으로는 예컨대, 후술하는 반입 반출 유닛(13)으로부터 반입된 운반 용기(15)를 제1 보관부(121), 제2 보관부(122), 이재부(123)의 재치대(123a)에 반송할 수 있다. 또한, 열처리 유닛(11)에서 처리를 끝낸 웨이퍼를 수납한 운반 용기(15)를 반입 반출 유닛(13)에 반출할 수 있다.
또한, 반송 기구부(124)는 반송 보관 유닛(12) 내에서, 운반 용기(15)를 반송할 수도 있다. 구체적으로는, 제1 보관부(121), 제2 보관부(122), 이재부(123)의 재치대(123a) 사이에서 운반 용기(15)를 반송할 수 있다.
반송 기구부(124)는, 운반 용기(15)를 반송할 수 있으면 되며, 그 구체적인 구성에 관해서는 특별히 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 운반 용기(15)를, 운반 용기(15)의 상면측으로부터 잡고 반송하는 기구나, 운반 용기(15)의 하면측으로부터 지지하여 반송하는 기구를 채택할 수 있다. 운반 용기(15)를 운반 용기(15)의 상면측으로부터 잡고 반송할 수 있는 반송 기구로서, 예컨대 오토메이션 플랜지를 바람직하게 이용할 수 있다.
(반입 반출 유닛)
반입 반출 유닛(13)은 반송 보관 유닛(12)에 인접하여 배치할 수 있고, 웨이퍼를 복수매 수납한 운반 용기(15)를 종형 열처리 장치(10)에 반입 반출하는 유닛으로 할 수 있다.
반입 반출 유닛(13)의 구성은 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 도 1에 나타낸 바와 같이, 하단 로드 포트(131)와 상단 로드 포트(132)의 2단의 로드 포트를 배치할 수 있다. 각 로드 포트는, 운반 용기(15)를 재치하는 대와, 운반 용기(15)를 반송 보관 유닛(12) 내에 반입 반출하기 위한 개구부를 가질 수 있다.
구체적으로는, 하단 로드 포트(131)는, 운반 용기(15)를 재치하는 제1 반입 반출대(131a)와, 제1 개구부(131b)를 가질 수 있다.
상단 로드 포트(132)는, 운반 용기(15)를 재치하는 제2 반입 반출대(132a)와, 제2 개구부(132b)를 가질 수 있다. 또한, 제1 반입 반출대(131a), 제2 반입 반출대(132a) 모두, 지면과 수직 방향으로 예컨대 2개의 운반 용기(15)를 배치하도록 구성할 수 있다.
제1 반입 반출대(131a), 제2 반입 반출대(132a)에 반입된 운반 용기(15)는, 반송 보관 유닛(12)의 반송 기구부(124)에 의해 반송 보관 유닛(12) 내의 제1 보관부(121)나 제2 보관부(122), 이재부(123)의 재치대(123a) 등에 반송할 수 있다. 또한, 열처리 유닛(11)에서 처리를 끝낸 웨이퍼를 수납한 운반 용기(15)는, 제1 반입 반출대(131a)나, 제2 반입 반출대(132a)에 배출할 수 있다.
또, 제1 반입 반출대(131a)나, 제2 반입 반출대(132a)는, 운반 용기(15)의 반입, 반출 상황 등에 따라서, 일시적으로 운반 용기(15)를 보관하는 보관부(제4 보관부)로서 이용할 수도 있다.
또, 본 실시형태의 종형 열처리 장치에 있어서는, 도 1에 나타낸 바와 같이 예컨대 컴퓨터로 이루어진 제어부(14)를 설치할 수 있다. 제어부(14)는 프로그램, 메모리, CPU로 이루어진 데이터 처리부 등을 구비할 수 있다. 프로그램에는, 제어부(14)로부터 종형 열처리 장치(10)의 각 부에 제어 신호를 보내어, 운반 용기(15)의 반송이나, 운반 용기(15)와 유지구(1121) 사이에서의 웨이퍼의 이재, 열처리로(1111)의 열처리, 덮개부(1126)의 개폐 등의 각 처리 공정을 진행시키도록 명령(각 스텝)을 조합할 수 있다. 프로그램은, 컴퓨터 기억 매체, 예컨대 플렉시블 디스크, 컴팩트디스크, 하드디스크, MO(광자기 디스크) 및 메모리카드 등의 기억 매체에 저장되어 제어부에 인스톨할 수 있다.
1111 : 열처리로
1111a : 노 입구
1126 : 덮개부
1127 : 덮개부 개폐 기구
1128 : 보조 수단
231 : 노 입구 차폐부
232 : 지지 부재
233 : 탄성체

Claims (3)

  1. 하단부에 노 입구를 구비한 열처리로와,
    상기 열처리로의 상기 노 입구에 배치되고, 상기 노 입구를 막는 노 입구 차폐부와, 상기 노 입구 차폐부를 복수의 탄성체를 통해 지지하는 지지 부재를 갖는덮개부와,
    상기 덮개부를 상기 지지 부재의 하면측으로부터 캔틸레버 지지하는 덮개부 개폐 기구와,
    토글 기구를 구비하고, 상기 덮개부를 상기 노 입구에 배치했을 때에 상기 덮개부를 상기 지지 부재의 하면측으로부터 압박하는 보조 수단을 가지며,
    상기 보조 수단이 상기 지지 부재를 상기 지지 부재의 하면측에서 압박할 때에, 상기 보조 수단은 상기 지지 부재와 상기 복수의 탄성체와의 접점으로 둘러싸인 영역 내를 압박하는 것인, 종형 열처리 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117542767B (zh) * 2024-01-10 2024-03-26 合肥费舍罗热工装备有限公司 一种半导体立式熔接炉
CN117702082B (zh) * 2024-02-06 2024-04-09 湖南德智新材料有限公司 炉体组件、气相沉积设备、以及气相沉积方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100385818B1 (ko) 1995-09-06 2003-08-21 동경 엘렉트론 주식회사 종형열처리장치
JP2003282548A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4943235A (en) * 1987-11-27 1990-07-24 Tel Sagami Limited Heat-treating apparatus
JP3228508B2 (ja) 1990-10-11 2001-11-12 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JPH0661164A (ja) * 1992-08-07 1994-03-04 Kokusai Electric Co Ltd 半導体製造装置の炉口シャッタ装置
JP3134137B2 (ja) * 1993-01-13 2001-02-13 東京エレクトロン株式会社 縦型処理装置
JPH07235545A (ja) * 1994-02-23 1995-09-05 Shinko Electric Co Ltd 半導体製造用熱処理炉のキャップ固定構造
JP3982844B2 (ja) * 1995-01-12 2007-09-26 株式会社日立国際電気 半導体製造装置及び半導体の製造方法
JP3562164B2 (ja) * 1996-09-12 2004-09-08 東芝ライテック株式会社 水銀供給装置
US6499933B2 (en) * 1997-04-03 2002-12-31 Tokyo Electron Limited Elevating mechanism, carrier conveying apparatus and heat treatment installation
TW438958B (en) * 2000-10-16 2001-06-07 Promos Technologies Inc Furnace boat-push device
JP4421806B2 (ja) * 2002-04-05 2010-02-24 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及びそのシャッター機構並びにその作動方法
JP3369165B1 (ja) * 2002-04-09 2003-01-20 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置
JP2007073746A (ja) * 2005-09-07 2007-03-22 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP4838083B2 (ja) * 2006-09-20 2011-12-14 株式会社日立国際電気 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4327206B2 (ja) * 2007-01-30 2009-09-09 東京エレクトロン株式会社 縦型熱処理装置及び縦型熱処理方法
JP5606174B2 (ja) * 2010-01-27 2014-10-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置、基板処理方法、半導体装置の製造方法および反応室の閉塞方法。
JP5960028B2 (ja) * 2012-10-31 2016-08-02 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
JP6106501B2 (ja) * 2013-04-12 2017-04-05 東京エレクトロン株式会社 収納容器内の雰囲気管理方法
US9234703B2 (en) * 2013-12-17 2016-01-12 Honda Motor Co., Ltd. Automatic charge hearth access door assembly

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100385818B1 (ko) 1995-09-06 2003-08-21 동경 엘렉트론 주식회사 종형열처리장치
JP2003282548A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマ処理装置

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