JP6056673B2 - ガス処理装置 - Google Patents

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Description

本発明は、処理容器に気密に挿入されたインジェクターから当該処理容器内にガスを供給して被処理体の処理を行うガス処理装置に関する。
半導体ウエハなどの基板(以下「ウエハ」と言う)にシリコン酸化膜(SiO2)などの薄膜を成膜する手法として、例えば特許文献1に記載の装置を用いたALD(Atomic Layer Deposition)法が知られている。この装置では、真空容器(処理容器)内に設けられた回転テーブル上に5枚のウエハを周方向に並べると共に、この回転テーブルに対向するように複数のガスインジェクターを配置している。そして、この装置では、各々のガスインジェクターを真空容器に取り付けるにあたり、金属製のガス管を例えば蛇腹状に形成したいわゆるフレキシブル配管を当該真空容器の外側に配置している。
具体的には、ガスインジェクターの外径よりも一回り大きな貫通口を真空容器の側壁面に形成し、この貫通口内にガスインジェクターを例えば真空容器の内側から挿入する。また、貫通口の内壁面とガスインジェクターの外周面との間に、リング状のスリーブとO−リングとを真空容器の内部領域側からこの順番で並べると共に、同様にリング状の部材によりO−リングを真空容器の外側から内側に向かって押しつける。こうして貫通口の内壁面(詳しくは当該内壁面からガスインジェクターの外周面に向かって周方向に亘って伸び出す起立面)によってスリーブやO−リングの移動が規制されると、O−リングが押しつぶされて、貫通口の内壁面とガスインジェクターとの間が気密にシールされる。そして、前記貫通口の内部に位置するガスインジェクターの開口端に対向するように、前記フレキシブル配管の一端側を当該貫通口に気密に挿入することにより、真空容器の内部を気密に保ちながら、ガスインジェクターを介して当該真空容器内にガスを供給する構成が採られる。
ここで、真空容器内にガスを供給する構成について、以上説明した手法を用いると、フレキシブル配管の着脱時に当該フレキシブル配管を取り回すスペースの分だけ真空容器の外側に余分な作業領域を確保しておく必要があり、装置のフットプリントの増大に繋がってしまう。また、ガスインジェクターのO−リングは、真空容器そのもののシール部を兼ねている。即ち、ガスインジェクターを取り外すと、真空容器のシール部が大気開放されてしまう。そのため、例えばメンテナンスのためにガスインジェクターを取り外す時、当該メンテナンスに起因する真空リークのリスクが発生する。
既述の特許文献1には、このような課題については記載されていない。
特開2010−135510
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、処理容器内に気密に挿入されたガスインジェクターから当該処理容器内にガスを供給するにあたって、装置のフットプリントを抑えることのできるガス処理装置を提供することにある。
本発明は、気密な処理容器内の被処理体に対してガスを供給して処理を行うガス処理装置において、
前記処理容器の側壁部に形成され、当該処理容器の外側のガス供給管に気密に連通する貫通孔と、
前記貫通孔に前記処理容器の内側から挿入され、前記ガス供給管から送られるガスを前記処理容器内に供給するインジェクターと、
前記貫通孔内にて前記インジェクターの外周面に嵌合するスリーブと、
前記貫通孔内にて前記スリーブよりも前記処理容器の外方側に位置し、前記インジェクターの外周面に嵌合する環状のシール部材と、
前記シール部材よりも前記処理容器の外方側にて、前記貫通孔の壁面に沿って周方向に環状に形成され、前記シール部材と対向する係止面と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記スリーブの前記シール部材側の端面により、前記シール部材を前記係止面に押圧して押し潰し、前記インジェクターの内部と外部とを気密にシールするために、前記スリーブを前記処理容器の外方側に押圧する押圧部と、を備えたことを特徴とする。
他の発明は、気密な処理容器内の被処理体に対してガスを供給して処理を行うガス処理装置において、
前記処理容器の壁部に形成され、当該処理容器の外側のガス供給管に気密に連通する貫通孔と、
前記貫通孔に前記処理容器の内側から挿入され、前記ガス供給管から送られるガスを前記処理容器内に供給するインジェクターと、
前記貫通孔内にて前記インジェクターの外周面に嵌合するスリーブと、
前記貫通孔内にて前記スリーブよりも前記処理容器の外方側に位置し、前記インジェクターの外周面に嵌合する環状のシール部材と、
前記シール部材よりも前記処理容器の外方側にて、前記貫通孔の壁面に沿って周方向に環状に形成され、前記シール部材と対向する係止面と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記スリーブの前記シール部材側の端面により、前記シール部材を前記係止面に押圧して押し潰し、前記インジェクターの内部と外部とを気密にシールするために、前記スリーブを前記処理容器の外方側に押圧する押圧部と、を備え
前記スリーブにおける前記処理容器の内方側には被押圧面が形成され、
前記押圧部は、前記被押圧面よりも前記処理容器の内方側に固定された規制部と、前記被押圧面と前記規制部との間に圧入される押圧部材と、を備え、前記押圧部材が圧入された状態で固定されるように構成されていることを特徴とする。
他の発明の具体的態様について列挙する。
前記被押圧面と前記押圧部材とが接触する部位及び前記押圧部材と前記規制部とが接触する部位の少なくとも一方には、圧入動作中に互いに接触する案内部と被案内部とが形成され、
前記案内部は、前記被案内部が当該案内部に相対的に案内されることにより、前記押圧部材が前記スリーブを押圧するように傾斜している傾斜面を含んでいても良い。
前記案内部は、前記押圧部材を前記被押圧面と前記規制部との間に圧入した位置に維持するために、前記傾斜面に続いて前記押圧部材の操作方向に平行な面が形成されていても良い。
前記押圧部材が前記スリーブの伸びる方向と交差する方向に移動して、前記被押圧面と前記規制部との間に圧入されるように構成されていても良い。
前記押圧部材が前記スリーブの周方向に回動して、前記被押圧面と前記規制部との間に圧入されるように構成されていても良い。
前記押圧部材には、ねじ部材が挿入される孔部が形成され、前記ねじ部材を回すことにより前記押圧部材が前記被押圧面と前記規制部との間に圧入されるように構成されていても良い。
前記貫通孔は、前記処理容器の側壁部に形成されていても良い。
本発明は、シール部材を介して処理容器に気密に挿入されたインジェクターから当該処理容器内にガスを供給するにあたって、処理容器とインジェクターとの間を気密に接続するためにシール部材を締め付ける押圧部について、処理容器の内側に設けている。そのため、処理容器の外側には押圧部を配置せずに済むので、装置のフットプリントを抑えることができる。
本発明のガス処理装置の適用例である成膜装置を示す縦断面図である。 前記成膜装置を示す斜視図である。 前記成膜装置を示す横断平面図である。 前記成膜装置に設けられるノズルの取り付け構造を示す縦断面図である。 前記取り付け構造を示す斜視図である。 前記取り付け構造を示す分解斜視図である。 前記取り付け構造の縦断面を示す斜視図である。 前記取り付け構造を用いて真空容器にノズルを取り付ける様子を示す作用図である。 前記取り付け構造を用いて真空容器にノズルを取り付ける様子を示す作用図である。 前記取り付け構造を用いて真空容器にノズルを取り付ける様子を示す作用図である。 前記取り付け構造を用いて真空容器にノズルを取り付ける様子を示す作用図である。 従来の取り付け構造を示す縦断面図である。 本発明のガス処理装置の適用例である熱処理装置を示す縦断面図である。 前記熱処理装置におけるガスインジェクターの取り付け構造を示す縦断面図である。 前記取り付け構造の他の例を模式的に示す縦断面図である。 前記取り付け構造の更に他の例を模式的に示す縦断面図である。 前記取り付け構造の別の例を模式的に示す縦断面図である。 前記取り付け構造の更に別の例を模式的に示す縦断面図である。 前記取り付け構造の他の例を模式的に示す斜視図である。 前記取り付け構造の他の例を模式的に示す平面図である。
本発明の実施の形態に係るガス処理装置を成膜装置に適用した例について、図1〜図7を参照して説明する。この装置は、図1〜図3に示すように、平面形状が概ね円形である真空容器(処理容器)1と、当該真空容器1内にて鉛直軸周りに回転自在に構成された回転テーブル2と、を備えており、ガスインジェクターによって回転テーブル2上の被処理体であるウエハWに対して処理ガスを供給して成膜処理を行うように構成されている。そして、この成膜装置は、後で詳述するように、ガスインジェクターの取り付けのための余分なスペースを真空容器1の外側に設けずに済むように、即ち省スペース性に優れたレイアウトを採るように構成されている。続いて、この成膜装置の具体的な構成について以下に説明する。
真空容器1の天板11の中心部には、図1に示すように、後述の処理領域P1、P2を仕切るために、当該真空容器1内に分離ガス(N2ガス)を通流させる分離ガス供給管51が接続されている。回転テーブル2の下側には、加熱部であるヒータユニット7が設けられており、当該回転テーブル2を介してウエハWを成膜温度例えば300℃〜600℃の加熱温度に加熱するように構成されている。図1中7aは、例えば石英などにより構成されたカバー部材であり、回転テーブル2の周囲を覆うように概略箱型に配置されると共に、後述の排気口61、62を避けるように、且つ天板11の下面に沿うように形成されている。真空容器1の底面側には、ヒータユニット7が設けられた領域に対して窒素ガスを供給するための図示しないパージガス供給管が接続されている。図1中1aは、真空容器1の側壁12の上端面に配置されたO−リングなどのシール部材である。
回転テーブル2は、例えば石英などにより構成されており、中心部にて概略円筒形状のコア部21に固定されている。この回転テーブル2は、コア部21の下面に接続された回転軸22によって、鉛直軸周りこの例では時計周りに回転自在に構成されている。図1中23は回転軸22を鉛直軸周りに回転させる駆動部(回転機構)であり、20は回転軸22及び駆動部23を収納するケース体である。このケース体20には、図示しないパージガス供給管が接続されており、回転軸22が配置された領域に対して窒素ガスなどの不活性ガスがパージされるように構成されている。
回転テーブル2の表面部には、図2〜図3に示すように、直径寸法が例えば300mmのウエハWを載置するための基板載置領域をなす凹部24が当該回転テーブル2の回転方向(周方向)に沿って複数箇所例えば5箇所に形成されている。凹部24の通過領域と各々対向する位置には、各々例えば石英からなる4本のノズル(ガスインジェクター)31、32、41、42が真空容器1の周方向に互いに間隔をおいて放射状に配置されている。これらノズル31、32、41、42は、例えば真空容器1の外周壁から中心部に向かってウエハWに対向して水平且つ直線的に伸びるように各々取り付けられている。この例では、後述の搬送口15から見て時計周り(回転テーブル2の回転方向)に第2の処理ガスノズル32、分離ガスノズル41、第1の処理ガスノズル31及び分離ガスノズル42がこの順番で配列されている。これらガスノズル31、32、41、42の例えば下面側には、図示しないガス吐出孔が回転テーブル2の半径方向に沿って複数箇所に各々形成されている。
ここで、各々のガスノズル31、32、41、42を真空容器1に取り付けるための構成及び取り付け方法について、第1の処理ガスノズル31を代表して詳述する。即ち、ノズル31の基端側(真空容器1の側壁12側)には、図1〜図3に示すように、当該側壁12を貫通するように、ガス供給ポート70が当該真空容器1の外側から気密に取り付けられている。具体的には、ガス供給ポート70は、回転テーブル2の半径方向に沿って伸びる概略角筒形状となるように形成されており、この角筒状部分が真空容器1の壁部の一部をなしている。そして、真空容器1の外側におけるガス供給ポート70の端部は、図4及び図5に示すように、水平方向にフランジ状に伸び出してフランジ部70aをなしている。
真空容器1の外壁面には、ガス供給ポート70が挿入される部位を囲むように、O−リングなどのシール部材71が設けられており、フランジ部70aがボルト72を介して当該外壁面に固定されることにより、ガス供給ポート70が真空容器1に気密に取り付けられている。図4などにおける73は、ガス供給ポート70を介して真空容器1内に処理ガスを供給するためのガス供給路であり、フランジ部70aの背面側から下方に向かって垂直に伸び出している。
ガス供給ポート70における真空容器1の内部領域側の面には、図6及び図7に示すように、ノズル31の基端側が挿入される挿入口(貫通孔)74が形成されており、当該挿入口74の内周面とノズル31の外周面との間には、図4にも示すように、例えばO−リングなどからなるシール部材75が当該ノズル31の外周面に嵌合するように配置されている。そして、挿入口74の内周面における前記フランジ部70a側の部位は、ノズル31の内径寸法よりも小さくなるように縮径して、当該ノズル31の外周面に沿ってシール部材75に対向する環状の対向面(係止面)をなしている。図6中70bは、後述のボルト94を固定するためのねじ穴である。尚、図4及び図7は、ノズル31(ガス供給ポート70)の長さ方向にて真空容器1を縦方向に切断した様子を示している。
シール部材75よりも回転テーブル2側には、当該シール部材75をフランジ部70a側(前記対向面側)に押し付ける(締め付ける)ためのリング状のスリーブ76がノズル31の外周面に嵌合するように配置されている。そして、前記シール部材75がスリーブ76により締め付けられて鉛直方向に伸びると、ノズル31は、これらシール部材75及びスリーブ76の内部に収納された状態にて、当該シール部材75を介して挿入口74の内周面(前記対向面)に対して気密に接触するように構成されている。
この例では、シール部材75及びスリーブ76からなる構成は、左右2箇所に横並びに互いに隣接して配置されている。これら2つのスリーブ76のうちフランジ部70aのスリーブ76及び回転テーブル2側のスリーブ76に夫々「外側」及び「内側」を付すと、内側スリーブ76は、当該回転テーブル2側におけるノズル31寄りの部位が周方向に亘って真空容器1の内部領域側に突出している。そして、前記突出した部位に対して内側スリーブ76の外周面側に離間した位置における当該内側スリーブ76の回転テーブル2側の面を「摺動面76a」と呼ぶものとする。この摺動面76aは、ガス供給ポート70における回転テーブル2側の端面よりも当該回転テーブル2側に離間した位置に形成されると共に、鉛直面に並行となっている。この摺動面76aは、後述の締め付け部材81によって押圧される被押圧面をなしている。
ガス供給ポート70における回転テーブル2側の端面には、挿入口74の開口端を左右両側(回転テーブル2の回転方向上流側及び下流側)から挟み込むように、当該回転テーブル2側に突出する突出部77、77が各々設けられている。これら突出部77、77における挿入口74側の面には、図6にも示すように、互いに対向するように伸び出す円筒状のピン78、78が規制部として各々形成されている。各々のピン78、78は、互いに平行になるように、且つ水平方向を向くように形成されており、後述の傾斜面82bにより案内される被案内部をなしている。突出部77、77の上面には、後述の固定部材(ねじ部材)81b、81bが挿入されるねじ穴79が各々形成されている。
ここで、挿入口74よりも回転テーブル2側には、概略板状の締め付け部材81が押圧部材として設けられており、この締め付け部材81は、ノズル31が配置される下端側の部位が概略円状に開口していて、後述の固定部材81b、81bを回す(締め付けるあるいは緩める)ことにより、上下方向に沿って移動自在に配置されている。締め付け部材81の背面側(ガス供給ポート70側)の面は、シール部材75を押圧する押圧面として形成されており、鉛直方向に伸びるように、即ち摺動面76aと並行になるように配置されている。これら締め付け部材81及びピン78により、押圧部が構成されている。尚、図6では、締め付け部材81をガス供給ポート70よりも上方側に離間させて描画している。
ノズル31から見て左右両側における締め付け部材81の下面部には、下方側に伸び出す腕部82、82が各々形成されている。各腕部82、82における回転テーブル2側の面には、摺動面76aに沿って鉛直方向(締め付け部材81の操作方向)に伸びる鉛直面82aと、ノズル31の伸びる方向に対して交差する方向に沿って形成された傾斜面82bとが上側から下側に向かってこの順番で配置されている。傾斜面82bは、ピン78の外周面に沿って締め付け部材81を案内するための案内面として形成されており、前記鉛直面82aの下端位置から当該締め付け部材81の背面側に向かって伸び出している。即ち、傾斜面82bは、例えば真空容器1の側壁に沿って垂直に伸びる垂直面について、当該垂直面における上端側が回転テーブル2側に倒れるように傾斜させた構成を採っている。傾斜面82bの下方側における腕部82の回転テーブル2側の面には、ピン78の外周面に係止する凹部83が待避部材として各々形成されている。また、締め付け部材81における左右両側の上面には、既述の固定部材81b、81bを取り付け穴79、79に取り付けるために当該固定部材81b、81bが遊嵌される開口部81a、81aが形成されている。この締め付け部材81によってノズル31とガス供給ポート70とを気密に接触させる手法について、以下に説明する。
即ち、図8に示すように、挿入口74の内部にシール部材75及びスリーブ76からなる組を2組配置すると共に、これらシール部材75やスリーブ76の内部にノズル31を挿入すると、内側スリーブ76における回転テーブル2側の部位(摺動面76a)は、真空容器1の側壁12よりも当該回転テーブル2側に突出する。この内側スリーブ76の突出寸法は、例えばシール部材75、75がスリーブ76によって押しつぶされる寸法(例えば1〜2mm)に対応するように設定されている。そして、締め付け部材81における傾斜面82bと凹部83との間の部位がピン78と内側スリーブ76との間に位置するように、締め付け部材81の位置を設定する(図8参照)。この時、ノズル31は、ガス供給ポート70に対して気密に接触していない。
次いで、図9に示すように、締め付け部材81を下降させると、傾斜面82bがピン78の外周面に接触し、続いて締め付け部材81は、当該ピン78によって下方への移動が規制されながら、摺動面76aに沿って下降すると共にガス供給ポート70に向かって移動する。即ち、締め付け部材81は、ピン78とスリーブ76との間に圧入されていく。従って、ピン78は、傾斜面82bに乗り上げるように移動する。そのため、スリーブ76がシール部材75側に押しつけられるので、当該シール部材75は、ノズル31の長さ方向において圧縮されて、当該長さ方向に直交する方向に膨張する。
こうして図10に示すように、締め付け部材81が更に下降してピン78が鉛直面82aに乗り上げると、例えば挿入口74の開口端がなす面に対して摺動面76aが重なり合い、シール部材75を介してノズル31とガス供給ポート70とが気密に接触する。また、摺動面76aと並行な鉛直面82aにピン78が接触しているため、締め付け部材81は、上下方向に移動しにくくなり、いわば当該締め付け部材81の移動がロックされる。
以上説明した締め付け部材81の下降動作は、固定部材81b、81bを締め付けることによって行われる。従って、固定部材81b、81bによって突出部77と締め付け部材81とを互いに固定することにより、締め付け部材81は、ピン78が鉛直面82aに乗り上げていることに加えて、鉛直方向への移動が更に妨げられる(ロックの度合いが高まる)。
その後、例えばノズル31を取り外す時、ノズル31に締め付け部材81が干渉しないように待避させる時には、図11に示すように、ピン78と凹部83とを互いに係止させる。以上説明した第1の処理ガスノズル31と同様に、他のノズル32、41、42についても締め付け部材81により真空容器1に取り付けるように構成されている。
続いて、成膜装置の他の構成の説明に戻ると、内側スリーブ76よりも回転テーブル2側には、当該回転テーブル2に対するノズル31の傾斜角度を調整するための傾斜角度調整部材91が配置されている。即ち、この傾斜角度調整部材91は、ノズル31を囲むように配置された本体部分92と、当該本体部分92の外側に設けられた枠部材93とにより構成されている。本体部分92は、ボルト94によって既述のガス供給ポート70のねじ穴70bに固定されるように形成されている。一方、枠部材93は、ボルト96により、本体部分92に対する高さ位置が調整自在に構成されている。そして、枠部材93には、ノズル31の下面側を支持する支持面95が形成されており、従って枠部材93を本体部分92に対して昇降させることにより、ノズル31の傾斜角度を調整できるように構成されている。具体的には、本体部分92に対して枠部材93を上昇させると、ノズル31の先端側が上昇し、一方本体部分92に対して枠部材93を下降させると、ノズル31の先端側が下降する。この傾斜角度調整部材91についても、ノズル32、41、42に夫々個別に設けられている。尚、傾斜角度調整部材91については、図5及び図6以外では描画を省略している。
以上説明した第1の処理ガスノズル31は、Si(シリコン)を含む第1の処理ガスの供給源に接続されている。第2の処理ガスノズル32は、第2の処理ガス例えばオゾン(O3)ガスの供給源に接続されている。処理ガスノズル31、32の下方領域は、夫々第1の処理ガスをウエハWに吸着させるための第1の処理領域P1及びウエハWに吸着した第1の処理ガスの成分と第2の処理ガスとを反応させるための第2の処理領域P2となる。
分離ガスノズル41、42は、各々第1の処理領域P1と第2の処理領域P2とを分離する分離領域Dを形成するためのものであり、分離ガスである窒素ガスの供給源に各々接続されている。分離領域Dにおける真空容器1の天板11には、各処理ガス同士の混合を阻止するために、凸状部4の下面である低い天井面が配置されている。即ち、天板11の下面側には、平面で見た時に概略扇形状となるように形成された凸状部4が配置されており、分離ガスノズル41、42はこの凸状部4の内部に夫々収納されている。
回転テーブル2の外周側における真空容器1の底面部には、既述の図1に示すように、第1の処理領域P1及び第2の処理領域P2に夫々対応するように排気口61、62が形成されている。第1の排気口61は、第1の処理領域P1と、この第1の処理領域P1の回転テーブル2の回転方向下流側に位置する分離領域Dとの間に設けられている。第2の排気口62は、第2の処理領域P2と、この第2の処理領域P2の回転テーブル2の回転方向下流側に位置する分離領域Dとの間に設けられている。これら第1の排気口61及び第2の排気口62から夫々伸びる排気管63には、図1に示すように、各々バタフライバルブなどの圧力調整部65を介して、排気機構である例えば真空ポンプ64に接続されている。
真空容器1の側壁には、図2及び図3に示すように、外部の搬送アーム100と回転テーブル2との間においてウエハWの受け渡しを行うための搬送口15が形成されており、この搬送口15はゲートバルブGにより気密に開閉自在に構成されている。また、この搬送口15を臨む位置における回転テーブル2の下方側には、回転テーブル2の貫通口を介してウエハWを裏面側から持ち上げるための昇降ピン(いずれも図示せず)が設けられている。
また、この成膜装置には、図1に示すように、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部200が設けられており、この制御部200のメモリ内には後述の成膜処理を行うためのプログラムが格納されている。このプログラムは、装置の動作を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの記憶媒体である記憶部201から制御部200内にインストールされる。
次に、上述実施の形態の作用について簡単に説明する。先ず、以上説明したように、真空容器1に対して各ノズル31、32、41、42を夫々取り付けると共に、これらノズル31、32、41、42の傾斜角度を調整する。そして、ゲートバルブGを開放して、回転テーブル2を間欠的に回転させながら、搬送アーム100により搬送口15を介して回転テーブル2上に例えば5枚のウエハWを順番に載置する。次いで、ゲートバルブGを閉じ、真空ポンプ64により真空容器1内を引き切りの状態にすると共に、回転テーブル2を例えば時計周りに回転させる。そして、ヒータユニット7によりウエハWを加熱する。
続いて、処理ガスノズル31、32から夫々処理ガスを吐出すると共に、分離ガスノズル41、42から分離ガス(窒素ガス)を所定の流量で吐出する。そして、圧力調整部65により真空容器1内を予め設定した処理圧力に調整する。第1の処理領域P1では、ウエハWの表面に第1の処理ガスの成分が吸着して吸着層が生成する。一方、第2の処理領域P2では、この吸着層と第2の処理ガスとの反応が起こり、反応生成物(シリコン酸化物)が形成される。こうして回転テーブル2の回転を続けることにより、吸着層の吸着及び当該吸着層の反応がこの順番で多数回に亘って行われて、反応生成物が多層に亘って積層されて薄膜が形成される。
以上の一連のプロセスを行っている間、第1の処理領域P1と第2の処理領域P2との間に窒素ガスを分離ガスとして供給しているので、第1の処理ガスと第2の処理ガスとが互いに混合しないように各ガスが排気される。また、回転テーブル2の下方側にパージガスを供給しているため、回転テーブル2の下方側に拡散しようとするガスは、前記パージガスにより排気口61、62側へと押し戻される。
その後、各ノズル31、32、41、42を例えばメンテナンスのために取り外す時、既述の図11で説明したように、締め付け部材81を上昇させて、各シール部材75やスリーブ76などを取り外す。この時、図11から分かるように、ガス供給ポート70については取り外す必要がない。そのため、ガス供給路73の取り回しスペースを真空容器1の外側に設けておく必要がない。
上述の実施の形態によれば、シール部材75によりノズル31を真空容器1に気密に取り付けるにあたり、当該シール部材75を締め付ける締め付け部材81について、真空容器1の内部に配置している。そして、この締め付け部材81によりシール部材75を締め付ける時、当該締め付け部材81が移動する方向について、ノズル31の伸びる方向に対して交差(直交)する方向となるように設定している。そのため、各ノズル31、32、41、42や他の部材が配置されていて余分なスペースを確保しにくい真空容器1の内部であっても、締め付け部材81を移動自在に収納できる。従って、真空容器1の外部にはガス供給路73の取り回しスペースを設けずに済むので、装置のフットプリントを抑えて当該装置の省スペース化を図ることができる。また、メンテナンスのためにノズル31、32、41、42を取り外す時であっても、ガス供給ポート70を着脱する必要がない。そのため、ガス供給路73の内部に付着した付着物の舞上がりを抑えることができるので、パーティクルの発生を抑制できる。また、前記メンテナンスを行う時、シール部材75については大気開放せずに済むので、当該メンテナンスに起因する真空リークの発生を低減できる。
以上説明した成膜装置では、各ノズル31、32、41、42は、平面で見た時に放射状に配置されている。従って、本発明の手法を採らない場合には、装置よりも一回り大きなスペース(ガス供給路73の取り回しスペース)を当該装置の外側に概略リング状に配置しておく必要がある。一方、本発明をこの成膜装置に適用することにより、前記一回り大きなスペースの分だけフットプリントの節約に繋がることから、大きな効果が得られる。
ここで、ノズル31を真空容器1に気密に取り付ける従来の構成について、図12を参照して簡単に説明する。ガス供給ポート70における回転テーブル2側の部位は、シール部材75の対向面をなすように縮径している。ガス供給路73は、ガス供給ポート70に対して着脱自在に構成され、外側スリーブ76によってノズル31の周囲のシール部材75を締め付けるように配置されている。
従って、以上説明したように、ノズル31の着脱時には真空容器1の外側にガス供給路73の取り回しスペースが必要になり、従ってガス供給路73はフレキシブルな例えば蛇腹管として構成されるので、前記取り回しの度に当該ガス供給路73の内部に付着した付着物が舞い上がるおそれがある。
また、図12では、ノズル31の周囲のシール部材75は、ノズル31と真空容器1との間を気密にシールする役割に加えて、真空容器1全体をシールする機能を持っている。即ち、ノズル31を交換する時、ノズル31及びガス供給路73を取り外すと、シール部材75は、大気開放される。従って、メンテナンスを行う時に当該シール部材75に付着物が付着したまま装置を組み立てると、このシール部材75を介して真空シールがリークしてしまうおそれがある。一方、本発明の構成では、ノズル31の周囲のシール部材75は、真空容器1全体をシールする役割を担っておらず、従ってメンテナンスを行うときにノズル31を交換しても、真空容器1の真空シールがリークするおそれはない。
既述の例では、ノズル31、32、41、42を備えたセミバッチ式の成膜装置に本発明を適用したが、例えば150枚程度の多数枚のウエハWに対して一括して熱処理を行うバッチ式の熱処理装置に適用しても良い。具体的には、図13に示すように、この熱処理装置は、多数枚のウエハWを棚状に積載するウエハボート110と、このウエハボート110を収納する反応管(処理容器)112とを備えている。反応管112は、外管113及び内管114を備えたいわゆる2重管として構成されており、内管114の内部に向かって下方側から伸び出すガスインジェクター115を備えている。図13中116はヒータ、117は排気口である。
このようなバッチ式の熱処理装置においても、反応管112(内管114)におけるガスインジェクター115の取り付け部である当該反応管112の側壁部には、図14に示すよう、既述のピン78や締め付け部材81を備えたガス供給ポート70が配置されている。この装置では、真空雰囲気において、あるいは大気雰囲気において、処理ガスを各ウエハWに供給しながら熱処理が行われる。このようなバッチ式の装置においても、既述の例と同様の作用及び効果が得られる。尚、図13及び図14では、以上の例と同じ部位については同じ符号を付して説明を省略している。
また、以上説明した締め付け部材81の他の例について、以下に列挙する。図15は、鉛直面82aを形成せずに、傾斜面82bだけを締め付け部材81に設けた例を示している。即ち、既述のように、締め付け部材81は、固定部材81bによって突出部77に固定される。従って、締め付け部材81の昇降をロックする機構として、鉛直面82aを設けずに、固定部材81bだけで構成しても良い。そのため、鉛直面82aを締め付け部材81に形成する場合には、固定部材81bを設けなくても良い。
図16は、鉛直面82a及び傾斜面82bを突出部77側に設けると共に、ピン78を締め付け部材81側に設けた例を示している。凹部83、傾斜面82b及び鉛直面82aは、上方側から下方側に向かってこの順番で配置されている。また、ピン78は、締め付け部材81の上下両端部から中央部側に寄った位置に配置されており、この例では下端部に近接する位置に形成されている。
この例においても、傾斜面82bに沿ってピン78が下方側に移動すると、締め付け部材81が下降しながらガス供給ポート70側に移動すると共に、鉛直面82aでは当該締め付け部材81の下降がロックされる。また、凹部83においてピン78が係止されて締め付け部材81が待避位置に待避される。
図17は、ノズル31の伸びる方向に対して、締め付け部材81が移動する方向を交差させた例を示している。即ち、真空容器1の内壁面は、上方側から下方側に向かって回転テーブル2側から離間するように、鉛直面に対して傾斜するように形成されている。また、内側スリーブ76の摺動面76aについても、前記内壁面に沿うように形成されている。
このような構成では、締め付け部材81は、摺動面76aに沿って下降して、既述のようにノズル31とガス供給ポート70との間を気密に接続する。
また、図18は、傾斜面82bについて、平面状に形成することに代えて、曲面状に形成した例を示している。即ち、傾斜面82bは、例えば回転テーブル2の外縁における接線に沿って伸びる軸を中心とする円筒の外周面に沿うように形成されている。
更にまた、以上の各例では、ノズル31を真空容器1に対して気密に接触させるにあたり、締め付け部材81を上方側から下方側に移動させたが、以上の各例の構成を上下逆に配置して、下方側から上方側に移動させるようにしても良い。あるいは、当該各例の構成を回転テーブル2の半径方向に伸びる軸の周りに90°回転させて、当該軸に沿って締め付け部材81を左右方向に移動させても良い。
また、傾斜面82bとしては、直線状に配置することに代えて、円弧状に形成しても良い。具体的には、図19及び図20に示すように、締め付け部材81は、概略円板状に形成されており、この締め付け部材81における回転テーブル2側の表面に、当該締め付け部材81の外縁に沿って鉛直面82a及び傾斜面82bが形成されている。鉛直面82aは、締め付け部材81の操作方向(円周方向)と並行となるように形成されている。そして、締め付け部材81の外縁部には、この締め付け部材81を水平方向軸周りに回転させるための取っ手部120が形成されており、この取っ手部120には、既述の固定部材81bが挿入される開口部81aが設けられている。即ち、初めに傾斜面82bにおける下端位置がピン78に接触するように、締め付け部材81を位置させる。次いで、締め付け部材81を例えば水平方向軸周りに例えば時計周りに回転(回動)させると、傾斜面82bをピン78が上って行くと共に、締め付け部材81がシール部材75側に押しつけられていく。その後、ピン78が鉛直面82aに到達すると、ノズル31と真空容器1とが気密に接触する。尚、図19及び図20では、既述の各例と同じ構成については同じ符号を付して説明を省略している。
以上述べた各例では、締め付け部材81を真空容器1の内部に設けたが、この締め付け部材81を真空容器1の外側に配置して、当該外側にてノズル31の取り付けを行っても良い。この場合であっても、既述の従来例(図12)と比べて、ガス供給路73の取り回しスペースが小さくて済む。
また、ピン78について、締め付け部材81におけるスリーブ76側の面と、スリーブ76における回転テーブル2側の面と、のいずれか一方の面に設けても良い。この場合には、傾斜面82bや鉛直面82aについては、これら締め付け部材81におけるスリーブ76側の面と、スリーブ76における回転テーブル2側の面と、の他方の面に形成しても良い。
W ウエハ
1 真空容器
31、32、41、42 ガスノズル
75 シール部材
78 ピン
81 締め付け部材
82a 鉛直面
82b 傾斜面
83 凹部

Claims (8)

  1. 気密な処理容器内の被処理体に対してガスを供給して処理を行うガス処理装置において、
    前記処理容器の側壁部に形成され、当該処理容器の外側のガス供給管に気密に連通する貫通孔と、
    前記貫通孔に前記処理容器の内側から挿入され、前記ガス供給管から送られるガスを前記処理容器内に供給するインジェクターと、
    前記貫通孔内にて前記インジェクターの外周面に嵌合するスリーブと、
    前記貫通孔内にて前記スリーブよりも前記処理容器の外方側に位置し、前記インジェクターの外周面に嵌合する環状のシール部材と、
    前記シール部材よりも前記処理容器の外方側にて、前記貫通孔の壁面に沿って周方向に環状に形成され、前記シール部材と対向する係止面と、
    前記処理容器の内部に設けられ、前記スリーブの前記シール部材側の端面により、前記シール部材を前記係止面に押圧して押し潰し、前記インジェクターの内部と外部とを気密にシールするために、前記スリーブを前記処理容器の外方側に押圧する押圧部と、を備えたことを特徴とするガス処理装置。
  2. 気密な処理容器内の被処理体に対してガスを供給して処理を行うガス処理装置において、
    前記処理容器の壁部に形成され、当該処理容器の外側のガス供給管に気密に連通する貫通孔と、
    前記貫通孔に前記処理容器の内側から挿入され、前記ガス供給管から送られるガスを前記処理容器内に供給するインジェクターと、
    前記貫通孔内にて前記インジェクターの外周面に嵌合するスリーブと、
    前記貫通孔内にて前記スリーブよりも前記処理容器の外方側に位置し、前記インジェクターの外周面に嵌合する環状のシール部材と、
    前記シール部材よりも前記処理容器の外方側にて、前記貫通孔の壁面に沿って周方向に環状に形成され、前記シール部材と対向する係止面と、
    前記処理容器の内部に設けられ、前記スリーブの前記シール部材側の端面により、前記シール部材を前記係止面に押圧して押し潰し、前記インジェクターの内部と外部とを気密にシールするために、前記スリーブを前記処理容器の外方側に押圧する押圧部と、を備え
    前記スリーブにおける前記処理容器の内方側には被押圧面が形成され、
    前記押圧部は、前記被押圧面よりも前記処理容器の内方側に固定された規制部と、前記被押圧面と前記規制部との間に圧入される押圧部材と、を備え、前記押圧部材が圧入された状態で固定されるように構成されていることを特徴とするガス処理装置。
  3. 前記被押圧面と前記押圧部材とが接触する部位及び前記押圧部材と前記規制部とが接触する部位の少なくとも一方には、圧入動作中に互いに接触する案内部と被案内部とが形成され、
    前記案内部は、前記被案内部が当該案内部に相対的に案内されることにより、前記押圧部材が前記スリーブを押圧するように傾斜している傾斜面を含むことを特徴とする請求項2に記載のガス処理装置。
  4. 前記案内部は、前記押圧部材を前記被押圧面と前記規制部との間に圧入した位置に維持するために、前記傾斜面に続いて前記押圧部材の操作方向に平行な面が形成されていることを特徴とする請求項3に記載のガス処理装置。
  5. 前記押圧部材が前記スリーブの伸びる方向と交差する方向に移動して、前記被押圧面と前記規制部との間に圧入されるように構成されていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載のガス処理装置。
  6. 前記押圧部材が前記スリーブの周方向に回動して、前記被押圧面と前記規制部との間に圧入されるように構成されていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載のガス処理装置。
  7. 前記押圧部材には、ねじ部材が挿入される孔部が形成され、前記ねじ部材を回すことにより前記押圧部材が前記被押圧面と前記規制部との間に圧入されるように構成されていることを特徴とする請求項2ないし6のいずれか1つに記載のガス処理装置。
  8. 前記貫通孔は、前記処理容器の側壁部に形成されていることを特徴とする請求項2ないし7のいずれか1つに記載のガス処理装置。
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6056673B2 (ja) * 2013-06-14 2017-01-11 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
JP6297509B2 (ja) * 2015-01-26 2018-03-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
KR101730147B1 (ko) * 2015-07-23 2017-05-12 피에스케이 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6504017B2 (ja) 2015-10-21 2019-04-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
CN107195526A (zh) * 2017-06-08 2017-09-22 上海华力微电子有限公司 一种减少机台的部件之间摩擦的方法
TWI733342B (zh) * 2019-03-20 2021-07-11 日商國際電氣股份有限公司 氣體供給部,基板處理裝置及半導體裝置的製造方法
US11923179B2 (en) * 2021-03-26 2024-03-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited Plasma processing apparatus and method
KR20230077436A (ko) * 2021-11-25 2023-06-01 재단법인 한국전자기계융합기술원 대기중으로 빔을 인출하는 빔 가공 장치 및 그 제어 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US929017A (en) * 1906-02-14 1909-07-27 James K Reynard Metal-depositing apparatus.
JPS59104118A (ja) * 1982-12-06 1984-06-15 Agency Of Ind Science & Technol プラズマ堆積装置
JPH0567717A (ja) * 1991-09-06 1993-03-19 Toshiba Corp 樹脂封止型半導体装置
US5241819A (en) * 1992-06-30 1993-09-07 Westinghouse Air Brake Company Tappet valve assembly for automatic railway vehicle couplers
JP2584177Y2 (ja) * 1993-12-20 1998-10-30 日新電機株式会社 薄膜気相成長装置
JP2000136813A (ja) * 1998-10-30 2000-05-16 Nissin Electric Co Ltd 真空処理装置における部品接続機構
DE10221461B4 (de) * 2002-05-15 2004-05-06 Schott Glas Vorrichtung und Verwendung einer Vorrichtung zum Aufnehmen und Vakuumabdichten eines Behältnisses mit einer Öffnung
CN100485870C (zh) * 2004-08-13 2009-05-06 东京毅力科创株式会社 成膜装置和气化器
US20090146380A1 (en) * 2005-08-11 2009-06-11 Eksigent Technologies, Llc Methods and apparatuses for generating a seal between a conduit and a reservoir well
JP5237133B2 (ja) * 2008-02-20 2013-07-17 株式会社日立国際電気 基板処理装置
CN101665919A (zh) * 2008-09-04 2010-03-10 东京毅力科创株式会社 成膜装置、基板处理装置、成膜方法
JP2010087467A (ja) * 2008-09-04 2010-04-15 Tokyo Electron Ltd 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
US9297072B2 (en) * 2008-12-01 2016-03-29 Tokyo Electron Limited Film deposition apparatus
JP5093078B2 (ja) * 2008-12-03 2012-12-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
JP5083193B2 (ja) * 2008-12-12 2012-11-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体
JP5310512B2 (ja) * 2009-12-02 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP6056673B2 (ja) * 2013-06-14 2017-01-11 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
US20160319422A1 (en) * 2014-01-21 2016-11-03 Applied Materials, Inc. Thin film encapsulation processing system and process kit permitting low-pressure tool replacement
JP6307318B2 (ja) * 2014-03-24 2018-04-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム

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