JP6056673B2 - ガス処理装置 - Google Patents
ガス処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6056673B2 JP6056673B2 JP2013125668A JP2013125668A JP6056673B2 JP 6056673 B2 JP6056673 B2 JP 6056673B2 JP 2013125668 A JP2013125668 A JP 2013125668A JP 2013125668 A JP2013125668 A JP 2013125668A JP 6056673 B2 JP6056673 B2 JP 6056673B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- processing container
- sleeve
- pressing
- hole
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 109
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 40
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 23
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 16
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 118
- 238000000034 method Methods 0.000 description 20
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 9
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 9
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 5
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
- H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
- H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
- H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
- H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
- H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
既述の特許文献1には、このような課題については記載されていない。
前記処理容器の側壁部に形成され、当該処理容器の外側のガス供給管に気密に連通する貫通孔と、
前記貫通孔に前記処理容器の内側から挿入され、前記ガス供給管から送られるガスを前記処理容器内に供給するインジェクターと、
前記貫通孔内にて前記インジェクターの外周面に嵌合するスリーブと、
前記貫通孔内にて前記スリーブよりも前記処理容器の外方側に位置し、前記インジェクターの外周面に嵌合する環状のシール部材と、
前記シール部材よりも前記処理容器の外方側にて、前記貫通孔の壁面に沿って周方向に環状に形成され、前記シール部材と対向する係止面と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記スリーブの前記シール部材側の端面により、前記シール部材を前記係止面に押圧して押し潰し、前記インジェクターの内部と外部とを気密にシールするために、前記スリーブを前記処理容器の外方側に押圧する押圧部と、を備えたことを特徴とする。
前記処理容器の壁部に形成され、当該処理容器の外側のガス供給管に気密に連通する貫通孔と、
前記貫通孔に前記処理容器の内側から挿入され、前記ガス供給管から送られるガスを前記処理容器内に供給するインジェクターと、
前記貫通孔内にて前記インジェクターの外周面に嵌合するスリーブと、
前記貫通孔内にて前記スリーブよりも前記処理容器の外方側に位置し、前記インジェクターの外周面に嵌合する環状のシール部材と、
前記シール部材よりも前記処理容器の外方側にて、前記貫通孔の壁面に沿って周方向に環状に形成され、前記シール部材と対向する係止面と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記スリーブの前記シール部材側の端面により、前記シール部材を前記係止面に押圧して押し潰し、前記インジェクターの内部と外部とを気密にシールするために、前記スリーブを前記処理容器の外方側に押圧する押圧部と、を備え、
前記スリーブにおける前記処理容器の内方側には被押圧面が形成され、
前記押圧部は、前記被押圧面よりも前記処理容器の内方側に固定された規制部と、前記被押圧面と前記規制部との間に圧入される押圧部材と、を備え、前記押圧部材が圧入された状態で固定されるように構成されていることを特徴とする。
他の発明の具体的態様について列挙する。
前記被押圧面と前記押圧部材とが接触する部位及び前記押圧部材と前記規制部とが接触する部位の少なくとも一方には、圧入動作中に互いに接触する案内部と被案内部とが形成され、
前記案内部は、前記被案内部が当該案内部に相対的に案内されることにより、前記押圧部材が前記スリーブを押圧するように傾斜している傾斜面を含んでいても良い。
前記押圧部材が前記スリーブの伸びる方向と交差する方向に移動して、前記被押圧面と前記規制部との間に圧入されるように構成されていても良い。
前記押圧部材が前記スリーブの周方向に回動して、前記被押圧面と前記規制部との間に圧入されるように構成されていても良い。
前記押圧部材には、ねじ部材が挿入される孔部が形成され、前記ねじ部材を回すことにより前記押圧部材が前記被押圧面と前記規制部との間に圧入されるように構成されていても良い。
前記貫通孔は、前記処理容器の側壁部に形成されていても良い。
こうして図10に示すように、締め付け部材81が更に下降してピン78が鉛直面82aに乗り上げると、例えば挿入口74の開口端がなす面に対して摺動面76aが重なり合い、シール部材75を介してノズル31とガス供給ポート70とが気密に接触する。また、摺動面76aと並行な鉛直面82aにピン78が接触しているため、締め付け部材81は、上下方向に移動しにくくなり、いわば当該締め付け部材81の移動がロックされる。
従って、以上説明したように、ノズル31の着脱時には真空容器1の外側にガス供給路73の取り回しスペースが必要になり、従ってガス供給路73はフレキシブルな例えば蛇腹管として構成されるので、前記取り回しの度に当該ガス供給路73の内部に付着した付着物が舞い上がるおそれがある。
このような構成では、締め付け部材81は、摺動面76aに沿って下降して、既述のようにノズル31とガス供給ポート70との間を気密に接続する。
また、ピン78について、締め付け部材81におけるスリーブ76側の面と、スリーブ76における回転テーブル2側の面と、のいずれか一方の面に設けても良い。この場合には、傾斜面82bや鉛直面82aについては、これら締め付け部材81におけるスリーブ76側の面と、スリーブ76における回転テーブル2側の面と、の他方の面に形成しても良い。
1 真空容器
31、32、41、42 ガスノズル
75 シール部材
78 ピン
81 締め付け部材
82a 鉛直面
82b 傾斜面
83 凹部
Claims (8)
- 気密な処理容器内の被処理体に対してガスを供給して処理を行うガス処理装置において、
前記処理容器の側壁部に形成され、当該処理容器の外側のガス供給管に気密に連通する貫通孔と、
前記貫通孔に前記処理容器の内側から挿入され、前記ガス供給管から送られるガスを前記処理容器内に供給するインジェクターと、
前記貫通孔内にて前記インジェクターの外周面に嵌合するスリーブと、
前記貫通孔内にて前記スリーブよりも前記処理容器の外方側に位置し、前記インジェクターの外周面に嵌合する環状のシール部材と、
前記シール部材よりも前記処理容器の外方側にて、前記貫通孔の壁面に沿って周方向に環状に形成され、前記シール部材と対向する係止面と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記スリーブの前記シール部材側の端面により、前記シール部材を前記係止面に押圧して押し潰し、前記インジェクターの内部と外部とを気密にシールするために、前記スリーブを前記処理容器の外方側に押圧する押圧部と、を備えたことを特徴とするガス処理装置。 - 気密な処理容器内の被処理体に対してガスを供給して処理を行うガス処理装置において、
前記処理容器の壁部に形成され、当該処理容器の外側のガス供給管に気密に連通する貫通孔と、
前記貫通孔に前記処理容器の内側から挿入され、前記ガス供給管から送られるガスを前記処理容器内に供給するインジェクターと、
前記貫通孔内にて前記インジェクターの外周面に嵌合するスリーブと、
前記貫通孔内にて前記スリーブよりも前記処理容器の外方側に位置し、前記インジェクターの外周面に嵌合する環状のシール部材と、
前記シール部材よりも前記処理容器の外方側にて、前記貫通孔の壁面に沿って周方向に環状に形成され、前記シール部材と対向する係止面と、
前記処理容器の内部に設けられ、前記スリーブの前記シール部材側の端面により、前記シール部材を前記係止面に押圧して押し潰し、前記インジェクターの内部と外部とを気密にシールするために、前記スリーブを前記処理容器の外方側に押圧する押圧部と、を備え、
前記スリーブにおける前記処理容器の内方側には被押圧面が形成され、
前記押圧部は、前記被押圧面よりも前記処理容器の内方側に固定された規制部と、前記被押圧面と前記規制部との間に圧入される押圧部材と、を備え、前記押圧部材が圧入された状態で固定されるように構成されていることを特徴とするガス処理装置。 - 前記被押圧面と前記押圧部材とが接触する部位及び前記押圧部材と前記規制部とが接触する部位の少なくとも一方には、圧入動作中に互いに接触する案内部と被案内部とが形成され、
前記案内部は、前記被案内部が当該案内部に相対的に案内されることにより、前記押圧部材が前記スリーブを押圧するように傾斜している傾斜面を含むことを特徴とする請求項2に記載のガス処理装置。 - 前記案内部は、前記押圧部材を前記被押圧面と前記規制部との間に圧入した位置に維持するために、前記傾斜面に続いて前記押圧部材の操作方向に平行な面が形成されていることを特徴とする請求項3に記載のガス処理装置。
- 前記押圧部材が前記スリーブの伸びる方向と交差する方向に移動して、前記被押圧面と前記規制部との間に圧入されるように構成されていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載のガス処理装置。
- 前記押圧部材が前記スリーブの周方向に回動して、前記被押圧面と前記規制部との間に圧入されるように構成されていることを特徴とする請求項2ないし4のいずれか1つに記載のガス処理装置。
- 前記押圧部材には、ねじ部材が挿入される孔部が形成され、前記ねじ部材を回すことにより前記押圧部材が前記被押圧面と前記規制部との間に圧入されるように構成されていることを特徴とする請求項2ないし6のいずれか1つに記載のガス処理装置。
- 前記貫通孔は、前記処理容器の側壁部に形成されていることを特徴とする請求項2ないし7のいずれか1つに記載のガス処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013125668A JP6056673B2 (ja) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | ガス処理装置 |
KR1020140070806A KR101755074B1 (ko) | 2013-06-14 | 2014-06-11 | 가스 처리 장치 |
US14/302,523 US9598767B2 (en) | 2013-06-14 | 2014-06-12 | Gas processing apparatus |
TW103120280A TWI585234B (zh) | 2013-06-14 | 2014-06-12 | 氣體處理裝置 |
CN201410265319.7A CN104233231B (zh) | 2013-06-14 | 2014-06-13 | 气体处理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013125668A JP6056673B2 (ja) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | ガス処理装置 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015001009A JP2015001009A (ja) | 2015-01-05 |
JP2015001009A5 JP2015001009A5 (ja) | 2016-02-18 |
JP6056673B2 true JP6056673B2 (ja) | 2017-01-11 |
Family
ID=52018125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013125668A Active JP6056673B2 (ja) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | ガス処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9598767B2 (ja) |
JP (1) | JP6056673B2 (ja) |
KR (1) | KR101755074B1 (ja) |
CN (1) | CN104233231B (ja) |
TW (1) | TWI585234B (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6056673B2 (ja) * | 2013-06-14 | 2017-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置 |
JP6297509B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2018-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR101730147B1 (ko) * | 2015-07-23 | 2017-05-12 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6504017B2 (ja) | 2015-10-21 | 2019-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
CN107195526A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-09-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种减少机台的部件之间摩擦的方法 |
TWI733342B (zh) * | 2019-03-20 | 2021-07-11 | 日商國際電氣股份有限公司 | 氣體供給部,基板處理裝置及半導體裝置的製造方法 |
US11923179B2 (en) * | 2021-03-26 | 2024-03-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Plasma processing apparatus and method |
KR20230077436A (ko) * | 2021-11-25 | 2023-06-01 | 재단법인 한국전자기계융합기술원 | 대기중으로 빔을 인출하는 빔 가공 장치 및 그 제어 방법 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US929017A (en) * | 1906-02-14 | 1909-07-27 | James K Reynard | Metal-depositing apparatus. |
JPS59104118A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-15 | Agency Of Ind Science & Technol | プラズマ堆積装置 |
JPH0567717A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
US5241819A (en) * | 1992-06-30 | 1993-09-07 | Westinghouse Air Brake Company | Tappet valve assembly for automatic railway vehicle couplers |
JP2584177Y2 (ja) * | 1993-12-20 | 1998-10-30 | 日新電機株式会社 | 薄膜気相成長装置 |
JP2000136813A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Nissin Electric Co Ltd | 真空処理装置における部品接続機構 |
DE10221461B4 (de) * | 2002-05-15 | 2004-05-06 | Schott Glas | Vorrichtung und Verwendung einer Vorrichtung zum Aufnehmen und Vakuumabdichten eines Behältnisses mit einer Öffnung |
CN100485870C (zh) * | 2004-08-13 | 2009-05-06 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置和气化器 |
US20090146380A1 (en) * | 2005-08-11 | 2009-06-11 | Eksigent Technologies, Llc | Methods and apparatuses for generating a seal between a conduit and a reservoir well |
JP5237133B2 (ja) * | 2008-02-20 | 2013-07-17 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置 |
CN101665919A (zh) * | 2008-09-04 | 2010-03-10 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置、基板处理装置、成膜方法 |
JP2010087467A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
US9297072B2 (en) * | 2008-12-01 | 2016-03-29 | Tokyo Electron Limited | Film deposition apparatus |
JP5093078B2 (ja) * | 2008-12-03 | 2012-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5083193B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP5310512B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP6056673B2 (ja) * | 2013-06-14 | 2017-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置 |
US20160319422A1 (en) * | 2014-01-21 | 2016-11-03 | Applied Materials, Inc. | Thin film encapsulation processing system and process kit permitting low-pressure tool replacement |
JP6307318B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2018-04-04 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
-
2013
- 2013-06-14 JP JP2013125668A patent/JP6056673B2/ja active Active
-
2014
- 2014-06-11 KR KR1020140070806A patent/KR101755074B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-12 TW TW103120280A patent/TWI585234B/zh active
- 2014-06-12 US US14/302,523 patent/US9598767B2/en active Active
- 2014-06-13 CN CN201410265319.7A patent/CN104233231B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201520370A (zh) | 2015-06-01 |
KR101755074B1 (ko) | 2017-07-06 |
JP2015001009A (ja) | 2015-01-05 |
CN104233231B (zh) | 2017-08-08 |
CN104233231A (zh) | 2014-12-24 |
KR20140145992A (ko) | 2014-12-24 |
US20140366808A1 (en) | 2014-12-18 |
US9598767B2 (en) | 2017-03-21 |
TWI585234B (zh) | 2017-06-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6056673B2 (ja) | ガス処理装置 | |
US9435026B2 (en) | Film deposition apparatus | |
US10475641B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
TWI694496B (zh) | 基板處理裝置、噴射器、及基板處理方法 | |
US8033771B1 (en) | Minimum contact area wafer clamping with gas flow for rapid wafer cooling | |
JP6398761B2 (ja) | 基板処理装置 | |
JP6504017B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US10837110B2 (en) | Substrate processing apparatus and method for processing a substrate | |
TWI407494B (zh) | 半導體處理裝置 | |
WO2006041169A1 (ja) | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP5093078B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP2010084230A (ja) | 成膜装置、基板処理装置及び回転テーブル | |
TWI677940B (zh) | 基板保持機構及使用其之基板處理裝置 | |
TW200920871A (en) | Vacuum processing apparatus | |
JP6710149B2 (ja) | 基板処理装置 | |
WO2012153591A1 (ja) | 成膜装置 | |
CN111058015B (zh) | 基板处理装置、基板的输入方法以及基板处理方法 | |
KR101924675B1 (ko) | 종형 열처리 장치 | |
JP6096588B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2024029422A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151224 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151224 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20160729 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160802 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160929 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6056673 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |