CN104233231B - 气体处理装置 - Google Patents
气体处理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104233231B CN104233231B CN201410265319.7A CN201410265319A CN104233231B CN 104233231 B CN104233231 B CN 104233231B CN 201410265319 A CN201410265319 A CN 201410265319A CN 104233231 B CN104233231 B CN 104233231B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- mentioned
- pressed
- face
- gas
- process container
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 45
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 38
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 16
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 16
- 230000009471 action Effects 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 123
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 46
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 20
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 13
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 6
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 5
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45523—Pulsed gas flow or change of composition over time
- C23C16/45525—Atomic layer deposition [ALD]
- C23C16/45544—Atomic layer deposition [ALD] characterized by the apparatus
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45563—Gas nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68721—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by edge clamping, e.g. clamping ring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32513—Sealing means, e.g. sealing between different parts of the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
- H01L2021/60007—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
- H01L2021/60022—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
- H01L2021/60097—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
- H01L2021/60172—Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
- H01L2021/60187—Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明提供一种气体处理装置,其用于向被处理体供给气体来对被处理体进行处理,其特征在于,其包括:气密的处理容器;通孔;喷射器;套筒,其在通孔内嵌合于喷射器的外周面;环状的密封构件,其在通孔内位于比套筒靠处理容器的外侧的位置,并嵌合于喷射器的外周面;卡定面,其在比密封构件靠处理容器的外侧沿着通孔的壁面在周向上形成为环状,并与密封构件相对;按压部,其设于处理容器的内部,用于将套筒向处理容器的外侧按压,按压部为如下的结构:利用套筒的靠密封构件侧的端面将密封构件按压于卡定面并将密封构件压扁,从而对喷射器的内部进行气密地密封,而使喷射器的内部不与外部连通。
Description
技术领域
本发明涉及从被气密地插入到处理容器的喷射器向该处理容器内供给气体来进行被处理体的处理的气体处理装置。
背景技术
作为在半导体晶圆等基板(以下称为“晶圆”)上形成氧化硅膜(SiO2)等薄膜的方法,公知有例如使用了专利文献1(日本特开2010-135510)所记载的装置的ALD(AtomicLayer Deposition,原子层沉积)法。在该装置中,在设于真空容器(处理容器)内的旋转台上沿着周向排列5张晶圆,并且,以与该旋转台相对的方式配置有多个气体喷射器。并且,在该装置中,在将各气体喷射器安装于真空容器时,将所谓的挠性配管配置在该真空容器的外侧,该所谓的挠性配管是将金属制的气体管形成为例如波纹状而成的。
具体而言,采取如下结构:将比气体喷射器的外径大一圈的贯穿口形成于真空容器的侧壁面,将气体喷射器从例如真空容器的内侧插入该贯穿口内;另外,在贯穿口的内壁面和气体喷射器的外周面之间,从真空容器的内部区域侧按照环状的套筒和O形密封圈的顺序排列有环状的套筒和O形密封圈,并且,同样利用环状的构件将O形密封圈从真空容器的外侧朝向内侧推压。若这样利用贯穿口的内壁面(详细而言为从该内壁面朝向气体喷射器的外周面地在整个周向上伸出的立起面)限制套筒、O形密封圈的移动,则O形密封圈被压扁,贯穿口的内壁面和气体喷射器之间被气密地密封;然后,以与位于上述贯穿口的内部的气体喷射器的开口端相对的方式将上述挠性配管的一端侧气密地插入该贯穿口,从而,一边将真空容器的内部保持为气密状态,一边经由气体喷射器向该真空容器内供给气体。
在此,对于向真空容器内供给气体的结构,采用以上说明的方法时,需要在真空容器的外侧确保用于在装卸挠性配管时处理(日文:取り回す)该挠性配管的多余的作业区域,就导致装置的占有面积的增大。另外,气体喷射器的O形密封圈兼用作真空容器本身的密封部。即、在拆卸气体喷射器时,真空容器的密封部就向大气开放。因此,例如为了进行维护而拆卸气体喷射器时,产生由该维护引起的真空泄露的风险。
在已述的专利文献1中对这样的课题并没有记载。
发明内容
本发明是鉴于这样的情况而做成的,其目的在于提供一种在从气密地插入到处理容器内的气体喷射器向该处理容器内供给气体的情况下能够抑制装置的占有面积的气体处理装置。
本发明提供一种气体处理装置,其用于向被处理体供给气体来对被处理体进行处理,其特征在于,该气体处理装置包括:气密的处理容器,在其内部收容上述被处理体,并具有壁部;通孔,其形成于上述壁部,并与该处理容器的外侧的气体供给管气密地连通;喷射器,其从上述处理容器的内侧插入上述通孔,将自上述气体供给管输送的上述气体向上述处理容器内供给;套筒,其在上述通孔内嵌合于上述喷射器的外周面;环状的密封构件,其在上述通孔内位于比上述套筒靠上述处理容器的外侧的位置,并嵌合于上述喷射器的外周面;卡定面,其在比上述密封构件靠上述处理容器的外侧沿着上述通孔的壁面在周向上形成为环状,并与上述密封构件相对;按压部,其设于上述处理容器的内部,用于将上述套筒向上述处理容器的外侧按压,上述按压部为如下的结构:利用上述套筒的靠上述密封构件侧的端面将上述密封构件按压于上述卡定面并将上述密封构件压扁,从而对上述喷射器的内部进行气密地密封,而使上述喷射器的内部不与外部连通。
附图说明
图1是表示本发明的气体处理装置的应用例的成膜装置的纵剖视图。
图2是表示上述成膜装置的立体图。
图3是表示上述成膜装置的横剖俯视图。
图4是表示设于上述成膜装置的喷嘴的安装构造的纵剖视图。
图5是表示上述安装构造的立体图。
图6是表示上述安装构造的分解立体图。
图7是表示上述安装构造的纵剖面的立体图。
图8是表示使用上述安装构造而将喷嘴安装于真空容器的状况的作用图。
图9是表示使用上述安装构造而将喷嘴安装于真空容器的状况的作用图。
图10是表示使用上述安装构造而将喷嘴安装于真空容器的状况的作用图。
图11是表示使用上述安装构造而将喷嘴安装于真空容器的状况的作用图。
图12是表示以往的安装构造的纵剖视图。
图13是表示本发明的气体处理装置的应用例的热处理装置的纵剖视图。
图14是表示上述热处理装置中的气体喷射器的安装构造的纵剖视图。
图15是示意性地表示上述安装构造的另一例子的纵剖视图。
图16是示意性地表示上述安装构造的又一例子的纵剖视图。
图17是示意性地表示上述安装构造的另一例子的纵剖视图。
图18是示意性地表示上述安装构造的又一例子的纵剖视图。
图19是示意性地表示上述安装构造的其他例子的立体图。
图20是示意性地表示上述安装构造的其他例子的俯视图。
具体实施方式
参照图1~图7对将本发明的实施方式的气体处理装置应用于成膜装置的例子进行说明。如图1~图3所示,该装置包括:俯视形状呈大致圆形的真空容器(处理容器)1;在该真空容器1内以绕铅垂轴线旋转自如的方式构成的旋转台2,该装置构成为利用气体喷射器向旋转台2上的被处理体即晶圆W供给处理气体来对晶圆W进行成膜处理。并且,该成膜装置如后面详细论述那样构成为不必在真空容器1的外侧设置用于安装气体喷射器的多余的空间的,即采取省空间性优异的布局。接下来,以下对该成膜装置的具体结构进行说明。
如图1所示,在真空容器1的顶板11的中心部连接有用于使分离气体(N2气体)在该真空容器1内的流通的分离气体供给管51,以便将后述的处理区域P1、P2分隔开。在旋转台2的下侧设有加热部即加热器单元7,构成为隔着该旋转台2将晶圆W加热成成膜温度例如300℃~600℃的加热温度。图1中的附图标记7a是由例如石英等构成的罩构件,该罩构件以覆盖旋转台2的周围的方式配置成大致箱形,并且以避开后述的排气口61、62且沿着顶板11的下表面的方式形成。在真空容器1的底面侧连接有用于对设有加热器单元7的区域供给氮气的未图示的吹扫气体供给管。图1中的附图标记1a是配置在真空容器1的侧壁12的上端面的O形密封圈等密封构件。
旋转台2由例如石英等构成,其中心部固定于大致圆筒形状的芯部21。该旋转台2构成为利用连接于芯部21的下表面的旋转轴22而绕铅垂轴线、在本例中顺时针旋转自如。图1中的附图标记23为使旋转轴22绕铅垂轴线旋转的驱动部(旋转机构),附图标记20是用于收纳旋转轴22和驱动部23的壳体。在该壳体20上连接有未图示的吹扫气体供给管,未图示的吹扫气体供给管构成为对配置有旋转轴22的区域吹扫氮气等非活性气体。
如图2~图3所示,在旋转台2的表面部,沿着该旋转台2的旋转方向(周向)在多处例如5处形成有凹部24,该凹部24构成用于载置直径尺寸为例如300mm的晶圆W的基板载置区域。在与凹部24的通过区域分别相对的位置,沿着真空容器1的周向彼此隔开间隔地呈放射状配置有分别由例如石英构成的4根喷嘴(气体喷射器)31、32、41、42。上述喷嘴31、32、41、42分别以从例如真空容器1的外周壁朝向中心部与晶圆W相对并水平且呈直线状延伸的方式安装。在本例中,从后述的输送口15观察时顺时针地(旋转台2的旋转方向)按照第2处理气体喷嘴32、分离气体喷嘴41、第1处理气体喷嘴31和分离气体喷嘴42的顺序排列有第2处理气体喷嘴32、分离气体喷嘴41、第1处理气体喷嘴31和分离气体喷嘴42。在上述气体喷嘴31、32、41、42的例如下表面侧,沿着旋转台2的径向在多处分别形成有未图示的气体喷射孔。
在此,对于用于将各气体喷嘴31、32、41、42安装于真空容器1的结构和安装方法,以第1处理气体喷嘴31为代表来进行详细论述。即、如图1~图3所示,在喷嘴31的基端侧(靠真空容器1的侧壁12的一侧),以贯穿该侧壁12的方式从该真空容器1的外侧气密地安装有气体供给部70。具体而言,气体供给部70以成为沿着旋转台2的径向延伸的大致方筒形状的方式形成,该方筒状部分构成真空容器1的壁部的一部分。并且,如图4和图5所示,气体供给部70的处于真空容器1的外侧的端部沿着水平方向呈凸缘状伸出而构成凸缘部70a。
在真空容器1的外壁面上,以围绕气体供给部70所插入的部位的方式设有O形密封圈等密封构件71,凸缘部70a借助螺栓72而固定于该外壁面,从而气体供给部70气密地安装于真空容器1。图4等中的附图标记73是用于经由气体供给部70向真空容器1内供给处理气体的气体供给路径,该气体供给路径从凸缘部70a的背面侧向下方与凸缘部70a的背面垂直地伸出。如图6和图7所示,在气体供给部70中的靠真空容器1的内部区域侧的面上形成有供喷嘴31的基端侧插入的插入口(通孔)74,如在图4中也有所图示的那样,在该插入口74的内周面和喷嘴31的外周面之间以由例如O形密封圈等构成的密封构件75嵌合于该喷嘴31的外周面的方式配置有该密封构件75。并且,在插入口74的内周面上的靠上述凸缘部70a侧的部位缩径为该部位的尺寸小于喷嘴31的内径尺寸,该部位构成沿着该喷嘴31的外周面与密封构件75相对的环状的相对面(卡定面)。图6中的附图标记70b是用于固定后述的螺栓94的螺纹孔。此外,图4和图7表示在喷嘴31(气体供给部70)的长度方向上沿着纵向将真空容器1剖切的状况。
在比密封构件75靠旋转台2侧的位置,以用于将该密封构件75向凸缘部70a侧(上述相对面侧)推压(推挤)的环状的套筒76嵌合于喷嘴31的外周面的方式配置有该环状的套筒76。并且,上述密封构件75被套筒76推挤而沿着铅垂方向延伸时,喷嘴31在被收纳于上述密封构件75和套筒76的内部的状态下夹着该密封构件75与插入口74的内周面(上述相对面)气密地接触。
在本例中,由密封构件75和套筒76构成的结构在左右两处横向排列并彼此相邻地配置。将上述两个套筒76中的靠凸缘部70a侧的套筒76和靠旋转台2侧的套筒76分别称为“外侧套筒76”和“内侧套筒76”,内侧套筒76的靠该旋转台2侧的靠喷嘴31的部位在整个周向上向真空容器1的内部区域侧突出。并且,将该内侧套筒76的靠外周面侧的与上述突出的部位分开的位置处的靠旋转台2侧的面称为“滑动面76a”。该滑动面76a形成在比气体供给部70中的靠旋转台2侧的端面靠该旋转台2侧的位置,并且与铅垂面平行。该滑动面76a构成被后述的紧固构件81按压的被按压面。
在气体供给部70中的靠旋转台2侧的端面上,以从左右两侧(旋转台2的旋转方向上游侧和下游侧)夹持插入口74的开口端的方式分别设有向该旋转台2侧突出的突出部77、77。如在图6中也有所图示的那样,在上述突出部77、77中的靠插入口74侧的面上分别形成有以彼此相对的方式伸出的圆筒状的销78、78作为限制部。各销78、78以彼此平行且朝向水平方向的方式形成,构成被后述的倾斜面82b引导的被引导部。在突出部77、77的上表面上分别形成有供后述的固定构件(螺纹构件)81b、81b插入的作为螺纹孔的安装孔79。
在此,在比插入口74靠旋转台2侧的位置设有大致板状的紧固构件81作为按压构件,该紧固构件81的配置喷嘴31的下端侧的部位开口成大致圆状,该紧固构件81配置成通过拧动后述的固定构件81b、81b(紧固或者松动)而沿着上下方向移动自如。在紧固构件81的背面侧(靠气体供给部70侧)的面形成为用于按压密封构件75的按压面,以沿着铅垂方向延伸的方式,即以与滑动面76a平行的方式配置。利用上述紧固构件81和销78构成按压部。此外,在图6中,以在比气体供给部70靠上方侧的位置与气体供给部70分开的方式描绘紧固构件81。
在从喷嘴31观察时处于左右两侧的紧固构件81的下表面部分别形成有向下方侧伸出的臂部82、82。在各臂部82、82中的靠旋转台2侧的面上从上侧朝向下侧按照铅垂面82a和倾斜面82b的顺序配置有铅垂面82a和倾斜面82b,该铅垂面82a沿着滑动面76a向铅垂方向(紧固构件81的操作方向)延伸;该倾斜面82b沿着与喷嘴31的延伸的方向交叉的方向形成。倾斜面82b形成为用于沿着销78的外周面对紧固构件81进行引导的引导面,从上述铅垂面82a的下端位置朝向该紧固构件81的背面侧伸出。即、倾斜面82b采取如下结构:对于例如沿着真空容器1的侧壁铅垂地延伸的铅垂面,倾斜面82b的靠该铅垂面中的上端侧的部分倒向旋转台2侧地倾斜。在臂部82的处于倾斜面82b的下方侧的靠旋转台2侧的面上分别形成有与销78的外周面卡定的凹部83作为退避构件。另外,在紧固构件81中的靠左右两侧的上表面上形成有与该固定构件81b、81b间隙配合的开口部81a、81a,以便将已述的固定构件81b、81b安装于作为螺纹孔的安装孔79、79。以下对利用该紧固构件81使喷嘴31和气体供给部70气密地接触的方法进行说明。
即、如图8所示,将两组由密封构件75和套筒76构成的组配置在插入口74的内部并将喷嘴31插入上述密封构件75、套筒76的内部时,内侧套筒76的靠旋转台2侧的部位(滑动面76a)向比真空容器1的侧壁12靠该旋转台2的一侧突出。该内侧套筒76的突出尺寸被设定为与例如密封构件75、75被套筒76压扁的尺寸(例如1mm~2mm)相对应。然后,以紧固构件81中的处于倾斜面82b和凹部83之间的部位位于销78和内侧套筒76之间的方式设定紧固构件81的位置(参照图8)。此时,喷嘴31未与气体供给部70气密地接触。
接着,如图9所示,若使紧固构件81下降,则倾斜面82b与销78的外周面接触,接着,紧固构件81的向下方的移动一边被该销78限制,一边该紧固构件81沿着滑动面76a下降且朝向气体供给部70移动。即、紧固构件81被压入销78和套筒76之间。因而,销78以搭上倾斜面82b的方式移动。因此,套筒76被向密封构件75侧推压,因此,该密封构件75在喷嘴31的长度方向上被压缩,向与该长度方向正交的方向膨胀。这样,如图10所示,紧固构件81进一步下降而销78搭上铅垂面82a时,滑动面76a与构成例如插入口74的开口端的面重合,喷嘴31和气体供给部70夹着密封构件75而气密地接触。另外,销78同与滑动面76a平行的铅垂面82a接触,因此,紧固构件81难以沿着上下方向移动,可以说该紧固构件81的移动被锁定。
以上说明的紧固构件81的下降动作通过紧固固定构件81b、81b来进行。因而,利用固定构件81b、81b使突出部77和紧固构件81彼此固定,从而紧固构件81除了使销78搭上铅垂面82a之外进一步妨碍销78向铅垂方向的移动(提高锁定的程度)。
之后,例如在拆卸喷嘴31时,使喷嘴31以与紧固构件81不干涉的方式退避时,如图11所示,使销78和凹部83彼此卡定。与以上说明的第1处理气体喷嘴31同样,其他的喷嘴32、41、42也构成为利用紧固构件81安装于真空容器1。
接着,回到成膜装置的其他结构的说明,在比内侧套筒76靠旋转台2侧的位置,配置有用于对喷嘴31相对于该旋转台2的倾斜角度进行调整的倾斜角度调整构件91。即、该倾斜角度调整构件91包括:以围绕喷嘴31的方式配置的主体部分92;设于该主体部分92的外侧的框构件93。主体部分92形成为利用螺栓94固定于已述的气体供给部70的螺纹孔70b。另一方面,框构件93构成为其相对于主体部分92的高度位置利用螺栓96调整自如。并且,在框构件93上形成有支承喷嘴31的下表面侧的支承面95,因而,构成为通过使框构件93相对于主体部分92升降,能够调整喷嘴31的倾斜角度。具体而言,使框构件93相对于主体部分92上升时,则喷嘴31的顶端侧上升,另一方面,使框构件93相对于主体部分92下降时,则喷嘴31的顶端侧下降。对于该倾斜角度调整构件91,也分别独立地设于喷嘴32、41、42。此外,对于倾斜角度调整构件91,在图5和图6以外省略描绘。
以上说明的第1处理气体喷嘴31与含Si(硅)的第1处理气体的供给源连接。第2处理气体喷嘴32与第2处理气体例如臭氧(O3)气体的供给源连接。处理气体喷嘴31、32的下方区域分别为用于使第1处理气体吸附于晶圆W的第1处理区域P1和用于使吸附于晶圆W的第1处理气体的成分与第2处理气体发生反应的第2处理区域P2。
分离气体喷嘴41、42分别用于形成使第1处理区域P1和第2处理区域P2分开的分离区域D,分别与分离气体即氮气的供给源连接。真空容器1的在分离区域D中的顶板11上配置有凸状部4的下表面即较低的顶面,以便阻止各处理气体之间的混合。即、在顶板11的下表面侧配置有以在俯视时呈大致扇形状的方式形成的凸状部4,分离气体喷嘴41、42分别收纳在该凸状部4的内部。
如已述的图1所示,在真空容器1的处于旋转台2的外周侧的底面部,以分别与第1处理区域P1和第2处理区域P2相对应的方式形成有排气口61、62。第1排气口61设于第1处理区域P1和位于该第1处理区域P1的靠旋转台2的旋转方向下游侧的分离区域D之间。第2排气口62设于第2处理区域P2和位于该第2处理区域P2的靠旋转台2的旋转方向下游侧的分离区域D之间。如图1所示,从上述第1排气口61和第2排气口62分别延伸的排气管63分别经由蝶阀等压力调整部65而与作为排气机构的例如真空泵64连接。
如图2和图3所示,在真空容器1的侧壁上形成有用于在外部的输送臂100与旋转台2之间进行晶圆W的交接的输送口15,该输送口15构成为利用闸阀G气密地开闭自如。另外,在旋转台2的下方侧的面临该输送口15的位置设有升降销(均未图示),该升降销用于穿过旋转台2的贯穿口而从背面侧抬起晶圆W。
另外,如图1所示,在该成膜装置中设有用于对整个装置的动作进行控制的由计算机构成的控制部200,该控制部200的存储器内储存有用于进行后述的成膜处理的程序。该程序编入有步骤组,以执行装置的动作,该程序从硬盘、光盘、光磁盘、存储卡、软盘等存储介质即存储部201安装到控制部200内。
接着,对上述实施方式的作用进行简单地说明。首先,如以上说明那样,针对真空容器1分别安装各喷嘴31、32、41、42,并且,调整上述喷嘴31、32、41、42的倾斜角度。然后,打开闸阀G,一边使旋转台2间歇地旋转,一边利用输送臂100经由输送口15将例如5张晶圆W依次载置在旋转台2上。接下来,关闭闸阀G,利用真空泵64使真空容器1内处于抽真空的状态,并且,使旋转台2例如顺时针旋转。然后,利用加热器单元7对晶圆W进行加热。
接下来,分别从处理气体喷嘴31、32喷射处理气体,并且以规定流量从分离气体喷嘴41、42喷射分离气体(氮气)。然后,利用压力调整部65将真空容器1内调整为预先设定的处理压力。在第1处理区域P1中,第1处理气体的成分吸附于晶圆W的表面而生成吸附层。另一方面,在第2处理区域P2中,发生该吸附层与第2处理气体的反应,形成反应产物(硅氧化物)。这样使旋转台2的旋转持续,从而按照吸附层的吸附和该吸附层的反应这样的顺序多次进行吸附层的吸附和该吸附层的反应,反应产物层叠多层而形成薄膜。
在进行以上的一系列的工艺期间,向第1处理区域P1和第2处理区域P2之间供给氮气作为分离气体,因此,以第1处理气体和第2处理气体不会彼此混合,以这种方式对各气体进行排气。另外,向旋转台2的下方侧供给吹扫气体,因此,欲向旋转台2的下方侧扩散的气体被上述吹扫气体推回至排气口61、62侧。
之后,例如在为了进行维护而拆卸各喷嘴31、32、41、42时,如在已述的图11中说明那样,使紧固构件81上升而将各密封构件75、套筒76等拆卸。此时,从图11可知,不需要拆卸气体供给部70。因此,不需要在真空容器1的外侧设置气体供给路径73的处理空间。
根据上述的实施方式,在利用密封构件75将喷嘴31气密地安装于真空容器1时,对于紧固该密封构件75的紧固构件81,配置在真空容器1的内部。并且,利用该紧固构件81紧固密封构件75时,对于该紧固构件81移动的方向,设定为与喷嘴31的延伸的方向交叉(正交)的方向。因此,即使是在配置有各喷嘴31、32、41、42、其他构件而难以确保多余的空间的真空容器1的内部,也能够以紧固构件81移动自如的方式收纳该紧固构件81。因而,在真空容器1的外部不必设置气体供给路径73的处理空间,因此,能够抑制装置的占有面积而谋求该装置的省空间化。另外,即使在为了进行维护而拆卸喷嘴31、32、41、42时,也不需要装卸气体供给部70。因此,能够抑制已附着于气体供给路径73的内部的附着物的飞扬,因此,能够抑制微粒的产生。另外,在进行上述维护时,对于密封构件75,不必向大气开放,因此,能够降低因该维护引起的真空泄露的产生。
在以上说明的成膜装置中,各喷嘴31、32、41、42在俯视观察时呈放射状配置。因而,在不采用本发明的方法的情况下,需要在该装置的外侧配置比装置大一圈的大致环状的空间(气体供给路径73的处理空间)。另一方面,通过将本发明应用于该成膜装置,能够节约与上述大一圈的空间相对应的占有面积,因此获得较大的效果。
在此,参照图12对将喷嘴31气密地安装于真空容器1的以往的结构进行简单地说明。气体供给部70中的靠旋转台2侧的部位以构成密封构件75的相对面的方式缩径。气体供给路径73构成为相对于气体供给部70装卸自如,以利用外侧套筒76紧固喷嘴31的周围的密封构件75的方式配置。因而,如以上说明那样,在装卸喷嘴31时,在真空容器1的外侧需要气体供给路径73的处理空间,因而,气体供给路径73构成为挠性的例如波纹管,因此,每次进行上述处理时附着于该气体供给路径73的内部的附着物有可能飞扬。
另外,在图12中,喷嘴31的周围的密封构件75除了对喷嘴31和真空容器1之间进行气密地密封的作用之外,还具有对真空容器1整体进行密封的功能。即、在更换喷嘴31时,拆卸喷嘴31和气体供给路径73时,密封构件75被向大气开放。因而,在进行维护时在该密封构件75上附着有附着物的状态下直接组装装置时,有可能真空密封经由该密封构件75而泄露。另一方面,在本发明的结构中,喷嘴31的周围的密封构件75不担负对真空容器1整体进行密封的作用,因而,即使在进行维护时更换喷嘴31,真空容器1的真空密封也不会泄露。
在已述的例中,将本发明应用于具有喷嘴31、32、41、42的半分批(日文:セミバッチ)式的成膜装置,但也可以应用于例如对150张左右的多张晶圆W统一进行热处理的分批式的热处理装置。具体而言,如图13所示,该热处理装置具有以架状装载多张晶圆W的晶圆舟皿110、收纳该晶圆舟皿110的反应管(处理容器)112。反应管112构成为具有外管113和内管114的所谓的双层管,具有从下方侧朝向内管114的内部伸出的气体喷射器115。图13中的附图标记116为加热器,附图标记117为排气口。
在这样的分批式的热处理装置中,如图14所示,在反应管112(内管114)的用于安装气体喷射器115的安装部即该反应管112的侧壁部也配置有具有已述的销78、紧固构件81的气体供给部70。在该装置中,在真空气氛下或者在大气环境下,一边向各晶圆W供给处理气体一边进行热处理。在这样的分批式的装置中也能够获得与已述的例子同样的作用和效果。此外,在图13和图14中,对与以上的例子相同的部位标注相同的附图标记而省略说明。
另外,以下列举以上说明的紧固构件81的其他例子。图15表示没有形成铅垂面82a而在紧固构件81上仅设有倾斜面82b的例子。即、如已述那样,紧固构件81被固定构件81b固定于突出部77。因而,作为锁定紧固构件81的升降的机构,也可以不设置铅垂面82a而仅由固定构件81b构成。因此,在将铅垂面82a形成于紧固构件81的情况下,也可以不设有固定构件81b。
图16表示将铅垂面82a和倾斜面82b设于突出部77侧并且将销78设于紧固构件81侧的例子。凹部83、倾斜面82b和铅垂面82a从上方侧朝向下方侧以凹部83、倾斜面82b和铅垂面82a的顺序配置。另外,销78配置在从紧固构件81的上下两端部偏向中央部侧的位置,在该例子中,销78形成在靠近下端部的位置。
在该例子中,也是销78沿着倾斜面82b向下方侧移动时,紧固构件81一边下降一边向气体供给部70侧移动,并且在铅垂面82a上,该紧固构件81的下降被锁定。另外,销78卡定于凹部83中而紧固构件81退避于退避位置。
图17表示使紧固构件81移动的方向与喷嘴31的延伸的方向交叉的例子。即、真空容器1的内壁面形成为随着上方侧朝向下方侧去而与旋转台2侧分开地相对于铅垂面倾斜。另外,对于内侧套筒76的滑动面76a,也沿着上述内壁面形成。在这样的结构中,紧固构件81沿着滑动面76a下降而如已述那样将喷嘴31和气体供给部70之间气密地连接。
另外,图18表示倾斜面82b形成为曲面状来替代形成为平面状的例子。即、倾斜面82b以沿着圆筒的外周面的方式形成,该圆筒以沿着例如旋转台2的外缘的切线延伸的轴线为中心。
另外,在以上的各例中,在使喷嘴31与真空容器1气密地接触时,使紧固构件81从上方侧向下方侧移动,但也可以使以上的各例的结构上下颠倒地配置,使紧固构件81从下方侧向上方侧移动。或者,也可以使该各例的结构绕沿着旋转台2的径向延伸的轴线旋转90°而使紧固构件81沿着该轴线在左右方向上移动。
另外,作为倾斜面82b,也可以形成为圆弧状来替代配置为直线状。具体而言,如图19和图20所示,紧固构件81形成为大致圆板状,在该紧固构件81中的靠旋转台2侧的表面上沿着该紧固构件81的外缘形成有铅垂面82a和倾斜面82b。铅垂面82a以与紧固构件81的操作方向(圆周方向)并行的方式形成。并且,在紧固构件81的外缘部上形成有用于使该紧固构件81绕水平方向轴线旋转的把手部120,在该把手部120上设有供已述的固定构件81b插入的开口部81a。即、首先,以使倾斜面82b的下端位置与销78接触的方式对紧固构件81进行定位。接着,使紧固构件81绕例如水平方向轴线例如顺时针旋转(转动),则销78上到倾斜面82b地行进,并且,紧固构件81被向密封构件75侧推压。之后,销78到达铅垂面82a,则喷嘴31和真空容器1气密地接触。此外,在图19和图20中,对于与已述的各例相同的构成标注相同的附图标记而省略说明。
在以上所述的各例中,将紧固构件81设于真空容器1的内部,但也可以将该紧固构件81配置在真空容器1的外侧,在该外侧进行喷嘴31的安装。即使在该情况下,与已述的以往例(图12)相比,气体供给路径73的处理空间较小即可。
另外,对于销78,也可以设于紧固构件81中的靠套筒76侧的面和套筒76中的靠旋转台2侧的面中的任一者上。在该情况下,倾斜面82b、铅垂面82a形成于上述紧固构件81中的靠套筒76侧的面和套筒76中的靠旋转台2侧的面中的另一者上。
在本发明中,对于在从夹着密封构件气密地插入到处理容器的喷射器向该处理容器内供给气体的情况下、为了使处理容器和喷射器之间气密地连接而紧固密封构件的按压部,其设于处理容器的内侧。因此,在处理容器的外侧不必配置按压部,因此能够抑制装置的占有面积。
一边参照上述实施方式一边说明了本发明,但本发明并不限定于所公开的实施方式,能够在本发明所请求保护的范围进行各种变形、变更。
本申请基于2013年6月14日提出申请的日本特许出愿2013-125668号主张优先权,并将其全部内容引用于此。
Claims (8)
1.一种气体处理装置,其用于向被处理体供给气体来对被处理体进行处理,其特征在于,
该气体处理装置包括:
气密的处理容器,在其内部收容上述被处理体,并具有壁部;
通孔,其形成于上述壁部,并与该处理容器的外侧的气体供给管气密地连通;
喷射器,其从上述处理容器的内侧插入上述通孔,将自上述气体供给管输送的上述气体向上述处理容器内供给;
套筒,其在上述通孔内嵌合于上述喷射器的外周面;
环状的密封构件,其在上述通孔内位于比上述套筒靠上述处理容器的外侧的位置,并嵌合于上述喷射器的外周面;
卡定面,其在比上述密封构件靠上述处理容器的外侧的位置沿着上述通孔的壁面在周向上形成为环状,并与上述密封构件相对;
按压部,其设于上述处理容器的内部,用于将上述套筒向上述处理容器的外侧按压,
上述按压部为如下的结构:利用上述套筒的靠上述密封构件侧的端面将上述密封构件按压于上述卡定面并将上述密封构件压扁,从而对上述喷射器的内部进行气密地密封,而使上述喷射器的内部不与外部连通。
2.根据权利要求1所述的气体处理装置,其特征在于,
上述套筒具有被形成于上述处理容器的内侧的被按压面,
上述按压部具有:限制部,其被固定于比上述被按压面靠上述处理容器的内侧的位置;按压构件,其被压入上述被按压面和上述限制部之间,
上述按压部构成为在上述按压构件被压入后的状态下固定。
3.根据权利要求2所述的气体处理装置,其特征在于,
该气体处理装置还具有在上述按压构件的压入动作中彼此接触的引导部和被引导部,
在上述被按压面与上述按压构件接触的部位和上述按压构件与上述限制部接触的部位中的至少一者形成有上述引导部和上述被引导部,
上述引导部具有倾斜面,
上述倾斜面以通过上述被引导部被该引导部相对地引导而使上述按压构件按压上述套筒的方式倾斜。
4.根据权利要求3所述的气体处理装置,其特征在于,
上述引导部具有与上述倾斜面相连并与上述按压构件的操作方向平行的面,
上述面为将上述按压构件维持在压入上述被按压面和上述限制部之间后的位置的结构。
5.根据权利要求2所述的气体处理装置,其特征在于,
上述按压构件构成为沿着与上述套筒的延伸的方向交叉的方向移动而被压入上述被按压面和上述限制部之间。
6.根据权利要求2所述的气体处理装置,其特征在于,
上述按压构件构成为沿着上述套筒的周向转动而被压入上述被按压面和上述限制部之间。
7.根据权利要求2所述的气体处理装置,其特征在于,
在上述按压构件上形成有供螺纹构件插入的孔部,通过拧动上述螺纹构件,上述按压构件被压入上述被按压面和上述限制部之间。
8.根据权利要求1所述的气体处理装置,其特征在于,
上述通孔形成于上述处理容器的侧壁部。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013125668A JP6056673B2 (ja) | 2013-06-14 | 2013-06-14 | ガス処理装置 |
JP2013-125668 | 2013-06-14 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104233231A CN104233231A (zh) | 2014-12-24 |
CN104233231B true CN104233231B (zh) | 2017-08-08 |
Family
ID=52018125
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410265319.7A Active CN104233231B (zh) | 2013-06-14 | 2014-06-13 | 气体处理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9598767B2 (zh) |
JP (1) | JP6056673B2 (zh) |
KR (1) | KR101755074B1 (zh) |
CN (1) | CN104233231B (zh) |
TW (1) | TWI585234B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6056673B2 (ja) * | 2013-06-14 | 2017-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置 |
JP6297509B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2018-03-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
KR101730147B1 (ko) * | 2015-07-23 | 2017-05-12 | 피에스케이 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP6504017B2 (ja) | 2015-10-21 | 2019-04-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
CN107195526A (zh) * | 2017-06-08 | 2017-09-22 | 上海华力微电子有限公司 | 一种减少机台的部件之间摩擦的方法 |
KR102564196B1 (ko) * | 2018-11-30 | 2023-08-07 | 교세라 가부시키가이샤 | 시료 유지구 |
TWI733342B (zh) * | 2019-03-20 | 2021-07-11 | 日商國際電氣股份有限公司 | 氣體供給部,基板處理裝置及半導體裝置的製造方法 |
US11923179B2 (en) * | 2021-03-26 | 2024-03-05 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Plasma processing apparatus and method |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1969375A (zh) * | 2004-08-13 | 2007-05-23 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置和气化器 |
US20090205783A1 (en) * | 2008-02-20 | 2009-08-20 | Hitachi-Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
CN101665919A (zh) * | 2008-09-04 | 2010-03-10 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置、基板处理装置、成膜方法 |
CN101748388A (zh) * | 2008-12-01 | 2010-06-23 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置 |
CN102086515A (zh) * | 2009-12-02 | 2011-06-08 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US929017A (en) * | 1906-02-14 | 1909-07-27 | James K Reynard | Metal-depositing apparatus. |
JPS59104118A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-15 | Agency Of Ind Science & Technol | プラズマ堆積装置 |
JPH0567717A (ja) * | 1991-09-06 | 1993-03-19 | Toshiba Corp | 樹脂封止型半導体装置 |
US5241819A (en) * | 1992-06-30 | 1993-09-07 | Westinghouse Air Brake Company | Tappet valve assembly for automatic railway vehicle couplers |
JP2584177Y2 (ja) * | 1993-12-20 | 1998-10-30 | 日新電機株式会社 | 薄膜気相成長装置 |
JP2000136813A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-05-16 | Nissin Electric Co Ltd | 真空処理装置における部品接続機構 |
DE10221461B4 (de) * | 2002-05-15 | 2004-05-06 | Schott Glas | Vorrichtung und Verwendung einer Vorrichtung zum Aufnehmen und Vakuumabdichten eines Behältnisses mit einer Öffnung |
US20090146380A1 (en) * | 2005-08-11 | 2009-06-11 | Eksigent Technologies, Llc | Methods and apparatuses for generating a seal between a conduit and a reservoir well |
JP2010087467A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-04-15 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
JP5093078B2 (ja) * | 2008-12-03 | 2012-12-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
JP5083193B2 (ja) * | 2008-12-12 | 2012-11-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置、成膜方法及び記憶媒体 |
JP6056673B2 (ja) * | 2013-06-14 | 2017-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置 |
US20160319422A1 (en) * | 2014-01-21 | 2016-11-03 | Applied Materials, Inc. | Thin film encapsulation processing system and process kit permitting low-pressure tool replacement |
JP6307318B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2018-04-04 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム |
-
2013
- 2013-06-14 JP JP2013125668A patent/JP6056673B2/ja active Active
-
2014
- 2014-06-11 KR KR1020140070806A patent/KR101755074B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-12 US US14/302,523 patent/US9598767B2/en active Active
- 2014-06-12 TW TW103120280A patent/TWI585234B/zh active
- 2014-06-13 CN CN201410265319.7A patent/CN104233231B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1969375A (zh) * | 2004-08-13 | 2007-05-23 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置和气化器 |
US20090205783A1 (en) * | 2008-02-20 | 2009-08-20 | Hitachi-Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus |
CN101665919A (zh) * | 2008-09-04 | 2010-03-10 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置、基板处理装置、成膜方法 |
CN101748388A (zh) * | 2008-12-01 | 2010-06-23 | 东京毅力科创株式会社 | 成膜装置 |
CN102086515A (zh) * | 2009-12-02 | 2011-06-08 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104233231A (zh) | 2014-12-24 |
KR101755074B1 (ko) | 2017-07-06 |
JP6056673B2 (ja) | 2017-01-11 |
US9598767B2 (en) | 2017-03-21 |
JP2015001009A (ja) | 2015-01-05 |
KR20140145992A (ko) | 2014-12-24 |
TW201520370A (zh) | 2015-06-01 |
TWI585234B (zh) | 2017-06-01 |
US20140366808A1 (en) | 2014-12-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104233231B (zh) | 气体处理装置 | |
US9748104B2 (en) | Method of depositing film | |
KR101691255B1 (ko) | 성막 장치 | |
CN106282966B (zh) | 含硅膜的成膜方法以及成膜装置 | |
KR101786167B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP6478847B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US11560628B2 (en) | Substrate processing method and substrate processing apparatus | |
US11214864B2 (en) | Method for reducing metal contamination and film deposition apparatus | |
CN105088185B (zh) | 成膜方法 | |
JP6456712B2 (ja) | 基板保持機構及びこれを用いた基板処理装置 | |
JP6971887B2 (ja) | 成膜方法及び成膜装置 | |
US20180258527A1 (en) | Film Forming Apparatus | |
TW201700772A (zh) | 排氣管無害化方法及成膜裝置 | |
US11373876B2 (en) | Film forming method and film forming apparatus | |
CN111058015A (zh) | 基板处理装置、基板的输入方法以及基板处理方法 | |
JP6441050B2 (ja) | 成膜方法 | |
KR102475800B1 (ko) | 매니폴드 유닛을 갖는 기판 처리 설비 | |
US20220301865A1 (en) | Substrate processing apparatus, reaction tube, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |