KR102564196B1 - 시료 유지구 - Google Patents

시료 유지구 Download PDF

Info

Publication number
KR102564196B1
KR102564196B1 KR1020217015771A KR20217015771A KR102564196B1 KR 102564196 B1 KR102564196 B1 KR 102564196B1 KR 1020217015771 A KR1020217015771 A KR 1020217015771A KR 20217015771 A KR20217015771 A KR 20217015771A KR 102564196 B1 KR102564196 B1 KR 102564196B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
hole
circumferential surface
sleeve
sample holder
support
Prior art date
Application number
KR1020217015771A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20210082217A (ko
Inventor
히로마사 타케모리
Original Assignee
교세라 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 교세라 가부시키가이샤 filed Critical 교세라 가부시키가이샤
Publication of KR20210082217A publication Critical patent/KR20210082217A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102564196B1 publication Critical patent/KR102564196B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23Q—DETAILS, COMPONENTS, OR ACCESSORIES FOR MACHINE TOOLS, e.g. ARRANGEMENTS FOR COPYING OR CONTROLLING; MACHINE TOOLS IN GENERAL CHARACTERISED BY THE CONSTRUCTION OF PARTICULAR DETAILS OR COMPONENTS; COMBINATIONS OR ASSOCIATIONS OF METAL-WORKING MACHINES, NOT DIRECTED TO A PARTICULAR RESULT
    • B23Q3/00—Devices holding, supporting, or positioning work or tools, of a kind normally removable from the machine
    • B23Q3/15—Devices for holding work using magnetic or electric force acting directly on the work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2007—Holding mechanisms
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

절연 슬리브와 금속 지지체 사이에 발생하는 열응력을 저감할 수 있는 시료 유지구를 제공하는 것. 시료 유지구는 시료 유지면을 갖는 절연 기체(1)과, 절연 기체(1)에 접합된 지지체(2)를 구비하고 있고, 절연 기체(1)에 형성된 관통 구멍(9)과 지지체(2)에 형성된 구멍부(7)가 연통해서 가스 유입 구멍을 구성하고 있다. 구멍부(7) 내에는 통형상의 슬리브(10)가 배치되어 있고, 슬리브(10)의 외주면(10a)과 구멍부(7)의 내주면(7a) 사이에 위치하는 환형상 부재(4)를 설치하고 있다. 환형상 부재(4)는 슬리브(10)를 둘러싸고, 슬리브(10)를 지지체(2)에 고정하고 있다.

Description

시료 유지구
본 개시는 반도체 집적 회로의 제조 공정 또는 액정 표시 장치의 제조 공정 등에 있어서 사용되는, 반도체 웨이퍼 등의 시료를 유지하는 시료 유지구에 관한 것이다.
반도체 제조 장치 등에 사용되는 시료 유지구로서, 예를 들면, 특허문헌 1에 기재된 정전 척이 알려져 있다. 특허문헌 1에 기재된 정전 척은 절연체와 금속 베이스를 구비하고, 절연체와 금속 베이스를 관통하는 관통 구멍이 형성되어 있고, 관통 구멍에는 절연체와 금속 베이스의 경계선 부분을 덮는 절연 슬리브가 배치되어 있다.
일본특허공개 2004-31665호 공보
본 개시의 시료 유지구는 일방의 주면이 시료 유지면이고, 상기 일방의 주면으로부터 타방의 주면까지 이어지는 유로를 갖는 판형상의 기체와,
일방의 주면이 상기 기체의 상기 타방의 주면에 접합되어서, 상기 일방의 주면에 개구하는 구멍부를 갖는 지지체와,
상기 구멍부에 위치하고, 상기 유로에 연속하는 관통 구멍을 갖는 통형상 부재와,
상기 통형상 부재의 외주면과 상기 구멍부의 내주면 사이에 위치하는 환형상 부재를 구비하고 있고,
상기 환형상 부재는 상기 통형상 부재를 둘러싸고, 상기 통형상 부재를 상기지지체에 고정하고 있다.
본 발명의 목적, 특색 및 이점은 하기의 상세한 설명과 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.
도 1은 시료 유지구의 단면도이다.
도 2는 시료 유지구의 영역 A를 확대한 부분 확대 단면도이다.
도 3은 시료 유지구의 다른 실시형태를 나타내는 부분 확대 단면도이다.
도 4는 시료 유지구의 다른 실시형태를 나타내는 부분 확대 단면도이다.
이하, 시료 유지구(100)에 대해서, 도면을 참조해서 설명한다. 도 1은 본 개시의 시료 유지구의 일실시형태를 나타내는 단면도이다. 시료 유지구(100)는 절연 기체(1)과, 지지체(2)와, 접합재(3)와, 환형상 부재(4)와, 다공질 부재(5)와, 슬리브(10)를 구비한다.
절연 기체(1)는, 제 1 면(일방의 주면)(1a) 및 상기 제 1 면(1a)과 반대측의 제 2 면(타방의 주면)(1b)을 갖는 세라믹체이고, 제 1 면(1a)이 시료를 유지하는 시료 유지면이다. 절연 기체(1)는 판형상의 부재이고, 외형상은 한정되지 않고, 예를 들면 원판형상 또는 각판형상이어도 된다.
절연 기체(1)는 예를 들면, 세라믹 재료로 구성된다. 세라믹 재료로서는 예를 들면, 알루미나, 질화 알루미늄, 질화 규소 또는 산화 이트륨 등으로 할 수 있다. 절연 기체(1)의 외형 치수는 예를 들면, 직경(또는 변길이)을 200∼500mm, 두께를 2∼15mm로 할 수 있다.
절연 기체(1)를 사용해서 시료를 유지하는 방법으로서는 여러가지 방법을 사용할 수 있다. 본 예의 시료 유지구(100)는 정전기력에 의해 시료를 유지하는 정전 척이다. 그 때문에 시료 유지구(100)는 절연 기체(1)의 내부에 흡착 전극(6)을 구비하고 있다. 흡착 전극(6)은 2개의 전극을 갖고 있다. 2개의 전극은 일방이 전원의 정극에 접속되고, 타방이 부극에 접속된다. 2개의 전극은 각각 대략 반원 판형상이고, 반원의 현끼리가 대향하도록 절연 기체(1)의 내부에 위치하고 있다. 이들 2개의 전극이 합쳐져 흡착 전극(6) 전체의 외형이 원형상이 되고 있다. 이 흡착 전극(6)의 전체에 의한 원형상의 외형의 중심은 마찬가지로 원형상의 세라믹체의 외형의 중심과 동일하게 설정할 수 있다. 흡착 전극(6)은 예를 들면, 금속 재료를 갖는다. 금속 재료로서는 예를 들면 백금, 텅스텐 또는 몰리브덴 등의 금속 재료를 갖는다.
시료 유지구(100)는 예를 들면, 시료 유지면인 절연 기체(1)의 제 1 면(1a)보다 상방에 있어서 플라즈마를 발생시켜 사용된다. 플라즈마는 예를 들면, 외부에 설치된 복수의 전극 사이에 고주파를 인가함으로써, 전극 사이에 위치하는 가스를 여기시켜 발생시킬 수 있다.
지지체(2)는 금속제이고, 절연 기체(1)를 지지하기 위한 부재이다. 금속 재료로서는 예를 들면, 알루미늄을 사용할 수 있다. 지지체(2)의 외형상은 특별하게 한정되지 않고, 원형상 또는 사각형상이어도 된다. 지지체(2)의 외형 치수는 예를 들면, 직경(또는 변길이)을 200∼500mm로, 두께를 10∼100mm로 할 수 있다. 지지체(2)는 절연 기체(1)와 같은 외형상이어도 되고, 다른 외형상이어도 되고, 같은 외형 치수이어도 되고, 다른 외형 치수이어도 된다.
지지체(2)와 절연 기체(1)는 접합재(3)를 통해서 접합되어 있다. 구체적으로는 지지체(2)의 제 1 면(2a)과 절연 기체(1)의 제 2 면(1b)이 접합재(3)에 의해 접합되어 있다. 접합재(3)로서는 예를 들면, 수지 재료의 접착제를 사용할 수 있다. 수지 재료로서는 예를 들면, 실리콘 수지 등을 사용할 수 있다.
도 2, 3에 나타내는 바와 같이, 지지체(2)에는 제 1 면(일방의 주면)(2a)으로부터 상기 제 1 면(2a)과 반대측의 제 2 면(타방의 주면)(2b)까지 관통하는 구멍부(7)가 형성되어 있다. 또한, 절연 기체(1)에는 제 1 면(1a)으로부터 제 2 면(1b)까지 관통하는 관통 구멍(9)이 형성되어 있다. 구멍부(7)와 관통 구멍(9)은 연통하고 있고, 절연 기체(1)의 제 1 면(1a)으로부터 접합재(3)를 통해서 지지체(2)의 제 2 면(2b)까지 연속한 구멍으로 되어 있다. 구멍부(7) 및 관통 구멍(9)은 예를 들면, 헬륨 등의 가스를, 지지체(2)의 제 2 면(2b)측으로부터 시료 유지면인 절연 기체(1)의 제 1 면(1a)측에 도입시키기 위한 가스 유입 구멍으로서 형성되어 있다.
관통 구멍(9)은 절연 기체(1)의 적어도 일부에 있어서 지지체(2)의 구멍부(7)의 구멍 지름보다 구멍 지름이 작게 되어 있다. 본 예의 시료 유지구(100)에 있어서는 구멍부(7)는 지지체(2)의 제 2 면(2b)으로부터 제 1 면(2a)에 걸쳐서 구멍 지름이 일정한 원기둥 형상이다. 또한, 관통 구멍(9)은 절연 기체(1) 중에 있어서는 절연 기체(1)의 제 2 면(1b)으로부터 제 1 면(1a)에 걸쳐서 구멍 지름이 일정한 원기둥 형상이다. 또한, 본 실시형태에서는 절연 기체(1)의 제 2 면(1b)에 있어서, 지지체(2)의 구멍부(7)와의 연통을 위해, 구멍부(7)와 동일한 지름의 원기둥 형상이며, 제 1 면(1a)측에 오목한 오목한 부분(8)을 형성하고 있다.
시료 유지구(100)는 구멍부(7)에 위치하는 슬리브(10)를 구비한다. 슬리브(10)는 구멍부(7)의 중심 축선을 따라 연장되는 원통형상을 갖고 있고, 절연성 재료로 이루어지는 통형상 부재이다. 슬리브(10)는 구멍부(7)의 내부 공간에 있어서, 금속 재료가 노출되는 내주면을 덮고 있다. 슬리브(10)를 구멍부(7) 내에 설치함으로써 슬리브(10)의 내부 공간과 관통 구멍(9)이 연통하는 것이 되어 상기의 가스 유입 구멍을 구성하고 있다.
슬리브(10)를 구성하는 절연성 재료로서는 예를 들면, 세라믹 재료를 사용할 수 있다. 세라믹 재료로서는 예를 들면, 알루미나 또는 질화 알루미늄이 열거된다.
다공질 부재(5)는 시료 유지면인 제 1 면(1a)보다 상방에 있어서 플라즈마를 발생시켰을 때에, 플라즈마가 관통 구멍(9)을 통해서 지지체(2)측으로까지 들어가지 않도록 하기 위해서 설치되어 있다. 다공질 부재(5)로서는 예를 들면 알루미나 등의 세라믹 다공질 재료를 사용할 수 있다. 다공질 부재(5)는 구멍부(7)의 내부에 위치하고 있다. 다공질 부재(5)는 상면으로부터 하면으로 기체를 흐르게 하는 것이 가능한 정도의 기공률을 갖고 있다. 그 때문에 구멍부(7)의 내부에 다공질 부재(5)를 위치시킴으로써 관통 구멍(9)에 기체를 흘리면서도, 플라즈마가 지지체(2)측에 도달해버릴 우려를 저감한다. 다공질 부재(5)의 기공률로서는 예를 들면, 40∼60%로 설정할 수 있다.
또한, 슬리브(10)는 하단의 내경보다 상단의 내경이 커도 된다. 이것에 의해 슬리브(10)의 상단측에, 다공질 부재(5)를 슬리브(10)로 둘러싸도록 위치시킬 수 있다. 플라즈마가 다공질 부재(5)까지 도달해도 슬리브(10)에 의해 지지체(2)와의 단락을 방지할 수 있다.
시험이나 처리를 위해 유지한 시료를 가열하는 경우가 있지만, 종래의 정전 척에서는 절연 슬리브와 금속 베이스에서는 열팽창률이 다르기 때문에, 절연 슬리브와 금속 지지체 사이에 발생하는 열응력에 의해 절연 슬리브의 파손 등이 생기고 있었다.
본 실시형태에서는 슬리브(10)의 외주면(10a)과 구멍부(7)의 내주면(7a) 사이에 위치하는 환형상 부재(4)를 설치하고 있다. 환형상 부재(4)는 슬리브(10)를 둘러싸고, 슬리브(10)를 지지체(2)에 고정하고 있다. 이 환형상 부재(4)는 환의 중심 축선이 관통 구멍(9) 및 슬리브(10)의 중심 축선과 평행 또는 일치하도록 슬리브(10)에 외측으로 끼워져 있다. 슬리브(10)에 외측으로 끼워진 상태의 환형상 부재(4)는 그 외경이, 구멍부(7)의 내경보다 약간 크게 되어 있다. 구멍부(7) 내에 끼워 넣어진 상태에서, 환형상 부재(4)에 의해 구멍부(7)의 내주면(7a)에 슬리브(10)가 고정된다. 슬리브(10)의 외주면(10a)과 구멍부(7)의 내주면(7a) 사이에는 간극이 있고, 외주면(10a)과 내주면(7a)이 비접촉으로 유지된다. 이것에 의해 시험 시나 시료의 처리 시에 지지체(2)가 가열된 경우에도, 환형상 부재(4)에 의해, 슬리브(10)의 외주면(10a)과 구멍부(7)의 내주면(7a) 사이에 발생하는 열응력을 저감할 수 있다.
환형상 부재(4)를 구성하는 절연 재료로서는 탄성률이 슬리브(10) 및 지지체(2)보다 탄성률이 작고, 플라즈마에 내성을 갖는 것이면 사용할 수 있고, 예를 들면 불소성 수지이다. 환형상 부재(4)의 형상은 환형상이고, 예를 들면 중심 축선에 평행한 절단면에 있어서의 단면형상이 원형상이다. 또한, 단면형상은 원형에 한정되지 않고, 직사각형상이나 다각형상이어도 된다.
환형상 부재(4)는 상기의 열응력 저감 효과에 더해서, 플라즈마 발생용 가스가 슬리브(10)의 외주면(10a)과 구멍부(7)의 내주면(7a) 사이에 누출되었을 때의 시일 효과도 갖고 있다. 상기한 바와 같이, 지지체(2)가 금속제이고, 슬리브(10)가 세라믹스제이면, 외주면(10a)과 내주면(7a) 사이에는 미소한 간극이 쉽게 생겨 가스의 누출이 생길 경우가 있다. 환형상 부재(4)를 설치함으로써, 외주면(10a)과 내주면(7a) 사이를 시일할 수 있다.
슬리브(10)는 외주면(10a)에 오목부(11)를 갖고 있고, 환형상 부재(4)는 이 오목부(11)에 위치하고 있다. 슬리브(10)에 외측으로 끼워진 환형상 부재(4)는 외주면(10a) 상에서 축선 방향으로 위치 어긋나는 경우가 있다. 슬리브(10)에 오목부(11)를 형성함으로써 오목부(11)의 위치에 환형상 부재(4)가 고정되어 위치 어긋남이 방지된다.
구멍부(7)는 지지체(2)의 전면에 걸쳐 형성되어 있고, 플라즈마 발생용 가스를, 절연 기체(1)의 제 1 면(1a)에 균일하게 공급할 수 있다. 환형상 부재(4)는 시일 기능을 갖고 있어 누출되려고 하는 가스를 머물게 할 수 있다. 환형상 부재(4)의 위치가 각각의 구멍부(7)에 있어서 어긋나 있는 경우에, 누출되는 가스의 양이 불규칙하여 제 1 면(1a)에 공급되는 가스의 양이 구멍부(7)마다 불규칙해져 버린다. 슬리브(10)에 오목부(11)를 형성해 두고, 복수의 슬리브(10)에 있어서, 모든 오목부(11)의 위치를 동일하게 한다. 이것에 의해 환형상 부재(4)의 위치를 나란하게 해서 각 구멍부(7)로부터 제 1 면(1a)에 공급되는 가스의 양을 균일하게 할 수 있다.
도 3, 4는 시료 유지구의 다른 실시형태를 나타내는 부분 확대 단면도이다. 이하의 각 실시형태에서는 슬리브(10)의 외주면(10a)과 구멍부(7)의 내주면(7a) 사이에 수지 부재(12)가 설치되어 있다. 수지 부재(12) 이외의 구성에 대해서는 도 1, 2에 나타낸 상기 실시형태의 시료 유지구(100)와 같으므로, 설명은 생략한다.
도 3에 나타내는 실시형태에서는 구멍부(7)의 내주면(7a)이 절연 기체(1)에 개구하는 부위로부터 환형상 부재(4)에 접하는 부위까지, 수지 부재(12)로 덮여 있다. 플라즈마 발생용 가스는 슬리브(10)의 외주면(10a)과 구멍부(7)의 내주면(7a) 사이에 누출되는 경우, 다공질 부재(5) 부근으로부터 누출될 가능성이 높다. 이러한 가스의 누출에 의해, 발생한 플라즈마에 의해 구멍부(7)의 내주면(7a)과 단락되어버린다. 구멍부(7)의 내주면(7a) 중 상부측을 수지 부재(12)로 덮음으로써 단락을 저감할 수 있다.
슬리브(10)의 외주면(10a)과 구멍부(7)의 내주면(7a) 사이가 메워져 있었다고 하여도, 수지 부재(12)는 슬리브(10) 및 지지체(2)보다 탄성률이 작으므로, 열응력의 저감 효과가 방해되는 경우는 없다.
도 4에 나타내는 실시형태에서는 구멍부(7)의 내주면(7a) 전체가 수지 부재(12)로 덮여 있다. 플라즈마 발생용 가스의 누출은 반드시 상부측에 발생한다고는 할 수 없으므로, 구멍부(7)의 내주면(7a)의 전체를 수지 부재(12)로 덮음으로써 단락을 저감할 수 있다. 상기와 동일하게, 슬리브(10)의 외주면(10a)과 구멍부(7)의 내주면(7a) 사이가 메워져 있었다고 하여도, 수지 부재(12)는 슬리브(10) 및 지지체(2)보다 탄성률이 작으므로, 열응력의 저감 효과가 방해되는 경우는 없다.
수지 부재(12)는 슬리브(10)와 지지체(2)를 접합하는 것이 가능한 수지 재료이면 사용할 수 있다. 또한, 수지 부재(12)의 수지 재료를, 지지체(2)와 절연 기체(1)를 접합하는 접합재(3)와 같은 수지 재료로 할 수도 있다. 수지 재료로서는 예를 들면, 실리콘 수지 등을 사용할 수 있다. 같은 수지 재료로 함으로써 수지 부재(12)와 접합재(3)의 계면에서의 박리 등의 발생을 억제할 수 있다.
슬리브(10)의 외주면(10a)과 구멍부(7)의 내주면(7a) 사이에 수지 부재(12)가 설치됨으로써 슬리브(10)와 환형상 부재(4)는 수지 부재(12)에 의해 고정되는 것이 된다. 수지 부재(12)는 상기한 바와 같이 예를 들면, 실리콘 수지 등이고, 환형상 부재(4)는 불소성 수지이고, 수지 부재(12)가 환형상 부재(4)보다 탄성률이 작다. 이것에 의해 환형상 부재(4)에 의한 열응력의 완화 효과를 방해하는 경우가 없다.
본 개시는 그 정신 또는 주요한 특징으로부터 벗어남이 없이 다른 여러가지의 형태로 실시할 수 있다. 따라서, 상술의 실시형태는 모든 점에서 단순한 예시 에 지나지 않고, 본 발명의 범위는 특허청구범위에 나타내는 것이고, 명세서 본문에는 전혀 구속되지 않는다. 또한, 특허청구범위에 속하는 변형이나 변경은 모두 본 발명의 범위 내의 것이다.
1 절연 기체
1a 제 1 면
1b 제 2 면
2 지지체
2a 제 1 면
2b 제 2 면
3 접합재
4 환형상 부재
5 다공질 부재
6 흡착 전극
7 구멍부
7a 내주면
8 오목한 부분
9 관통 구멍
10 슬리브
10a 외주면
11 오목부
12 수지 부재
100 시료 유지구

Claims (8)

  1. 일방의 주면이 시료 유지면이고, 상기 일방의 주면으로부터 타방의 주면까지 이어지는 유로를 갖는 판형상의 기체와,
    일방의 주면이 상기 기체의 상기 타방의 주면에 접합되어서, 상기 일방의 주면에 개구하는 구멍부를 갖는 지지체와,
    상기 구멍부에 위치하고, 상기 유로에 연속하는 관통 구멍을 갖는 통형상 부재와,
    상기 통형상 부재의 외주면과 상기 구멍부의 내주면 사이에 위치하는 환형상 부재를 구비하고 있고,
    상기 환형상 부재는 상기 통형상 부재를 둘러싸고, 상기 통형상 부재를 상기 지지체에 고정하고,
    상기 구멍부의 상기 내주면은 상기 지지체의 상기 일방의 주면에 개구하는 부위로부터 상기 환형상 부재에 접하는 부위까지, 수지 부재로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 시료 유지구.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 환형상 부재는 상기 통형상 부재 및 상기 지지체보다 탄성률이 작은 것을 특징으로 하는 시료 유지구.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 통형상 부재는 상기 외주면에 오목부를 갖고,
    상기 환형상 부재는 상기 오목부에 위치하고 있는 것을 특징으로 하는 시료 유지구.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 구멍부의 상기 내주면과 상기 통형상 부재의 상기 외주면 사이에는 간극이 있는 것을 특징으로 하는 시료 유지구.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 구멍부의 상기 내주면은 전체가 상기 수지 부재로 덮여 있는 것을 특징으로 하는 시료 유지구.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 기체와 상기 지지체는 상기 수지 부재와 같은 재료로 이루어지는 접합재에 의해 접합되어 있는 것을 특징으로 하는 시료 유지구.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 통형상 부재 및 상기 환형상 부재는 상기 수지 부재에 의해 고정되어 있고,
    상기 수지 부재는 상기 통형상 부재 및 상기 환형상 부재보다 탄성률이 작은 것을 특징으로 하는 시료 유지구.
  8. 삭제
KR1020217015771A 2018-11-30 2019-11-28 시료 유지구 KR102564196B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018225129 2018-11-30
JPJP-P-2018-225129 2018-11-30
PCT/JP2019/046640 WO2020111194A1 (ja) 2018-11-30 2019-11-28 試料保持具

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20210082217A KR20210082217A (ko) 2021-07-02
KR102564196B1 true KR102564196B1 (ko) 2023-08-07

Family

ID=70853847

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217015771A KR102564196B1 (ko) 2018-11-30 2019-11-28 시료 유지구

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220028719A1 (ko)
JP (1) JP7157822B2 (ko)
KR (1) KR102564196B1 (ko)
CN (1) CN113169108A (ko)
WO (1) WO2020111194A1 (ko)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230170241A1 (en) * 2021-11-29 2023-06-01 Applied Materials, Inc. Porous plug for electrostatic chuck gas delivery
WO2023189954A1 (ja) * 2022-03-29 2023-10-05 京セラ株式会社 試料保持具
WO2024034127A1 (ja) * 2022-08-12 2024-02-15 日本碍子株式会社 半導体製造装置用部材

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270721A (ja) 2007-03-27 2008-11-06 Tokyo Electron Ltd 基板載置台及び基板処理装置
WO2013118781A1 (ja) 2012-02-08 2013-08-15 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002313781A (ja) * 2001-04-11 2002-10-25 Sumitomo Electric Ind Ltd 基板処理装置
JP4095842B2 (ja) 2002-06-26 2008-06-04 日本特殊陶業株式会社 静電チャック
KR101132632B1 (ko) * 2004-12-07 2012-04-02 주성엔지니어링(주) 정전척
CN2912837Y (zh) * 2005-12-19 2007-06-20 林珍如 晶片清洗设备的清洗刷夹持装置
JP3155802U (ja) * 2009-09-17 2009-12-03 日本碍子株式会社 ウエハー載置装置
JP5734173B2 (ja) * 2011-12-16 2015-06-10 株式会社コスメック クランプ装置
JP5829509B2 (ja) * 2011-12-20 2015-12-09 東京エレクトロン株式会社 載置台及びプラズマ処理装置
JP6006972B2 (ja) * 2012-04-26 2016-10-12 新光電気工業株式会社 静電チャック
JP6056673B2 (ja) * 2013-06-14 2017-01-11 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置
JP6584832B2 (ja) * 2014-06-27 2019-10-02 株式会社堀場製作所 グロー放電発光分析装置、試料ホルダ及びグロー放電発生方法
JP6658509B2 (ja) 2015-02-18 2020-03-04 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置及び半導体製造装置
JP6026620B2 (ja) * 2015-10-22 2016-11-16 東京エレクトロン株式会社 載置台、プラズマ処理装置及び載置台の製造方法
WO2017126534A1 (ja) * 2016-01-19 2017-07-27 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008270721A (ja) 2007-03-27 2008-11-06 Tokyo Electron Ltd 基板載置台及び基板処理装置
WO2013118781A1 (ja) 2012-02-08 2013-08-15 東京エレクトロン株式会社 静電チャック装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2020111194A1 (ja) 2020-06-04
US20220028719A1 (en) 2022-01-27
JPWO2020111194A1 (ja) 2021-10-07
JP7157822B2 (ja) 2022-10-20
CN113169108A (zh) 2021-07-23
KR20210082217A (ko) 2021-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102564196B1 (ko) 시료 유지구
KR102394687B1 (ko) 시료 유지구
KR102618849B1 (ko) 정전 척
KR102474583B1 (ko) 시료 유지구
CN117099194A (zh) 静电吸盘
JP7175773B2 (ja) 試料保持具
KR102611059B1 (ko) 시료 유지구
KR20230028219A (ko) 정전 척 장치
JP7303899B2 (ja) 試料保持具
JP2021044303A (ja) 保持装置
JP2020072176A (ja) 試料保持具
JP6280012B2 (ja) 試料保持具
KR102175990B1 (ko) 포커스링 및 그를 포함하는 플라즈마 장치
JP2021044307A (ja) 保持装置

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant