JP2584177Y2 - 薄膜気相成長装置 - Google Patents

薄膜気相成長装置

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JP2584177Y2
JP2584177Y2 JP6771793U JP6771793U JP2584177Y2 JP 2584177 Y2 JP2584177 Y2 JP 2584177Y2 JP 6771793 U JP6771793 U JP 6771793U JP 6771793 U JP6771793 U JP 6771793U JP 2584177 Y2 JP2584177 Y2 JP 2584177Y2
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JP
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flange
inner tube
gas
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concave portion
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徹 松浪
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Nissin Electric Co Ltd
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Nissin Electric Co Ltd
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Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この考案は、薄膜気相成長装置に
おける内管取付構造に関する。
【0002】
【従来の技術】図2は従来例に係る縦型気相成長装置の
概略断面図であり、1は処理室4を形成するリアクタ、
2は中央部にガス導入口5を設けるとともに、その内側
に凹部2aを形成したガス導入フランジ、3は原料ガス
を案内する内管である。
【0003】ガス導入口5から導入された原料ガスは、
内管3を通って、サセプタ6上に載置された試料7の表
面に達し、熱分解して薄膜を堆積する。ここで内管3
は、原料ガスを効率よく試料7上に導入するとともに、
導入された原料ガスがリアクタ1の内壁に付着して、内
壁が汚染されるを防止している。その結果、通常は、よ
り容易に取り外すことができる内管3の洗浄だけで済ま
すことができる。
【0004】この内管3は、円筒形または円錐形でその
上部にフランジ部3aが形成されており、フランジ部3
aの下端面3bにスペーサー8を介し、内管取付金具9
を用いて、ボルト10で締め付けてガス導入フランジ2
に取り付けられている。前記フランジ3aの上端面3c
と凹部2aの天井2bとの間にはOリング11が挿入さ
れ、この間の気密を保持するとともに、石英製の内管3
が金属製のガス導入フランジ2に直接接触して破損する
のを防止している。
【0005】リアクタ1とガス導入フランジ2とは、そ
の接面にOリング12を挿入して処理室4内の気密を保
持し、リアクタ1のフランジ部1aをリアクタ取付金具
13で押さえ、ボルト14で締め付けて固定されてい
る。
【0006】サセプタ6は回転軸15によって支持さ
れ、図示しない駆動源により中心線の回りに回転でき、
しかも上下に移動できるように構成されている。
【0007】なお、図中16は回転軸15の真空シール
部であり、17は導入した原料ガスを排出する排出口で
ある。
【0008】
【考案が解決しようとする課題】上述のような薄膜気相
成長装置では、内管3がOリング11を介してガス導入
フランジ2に接しているため、ボルト10の締め具合に
よってOリング11の潰し量が変化し、内管3が傾いて
取り付けられる恐れがある。内管3が傾くと、ガスの流
れる方向(流速、流量)が変化し、試料7の表面に堆積
する薄膜の膜厚が不均一になるという不都合が生じる。
【0009】また、そのような不都合を回避するために
は、ボルト14を締め付ける際にトルク管理が必要とな
り、内管3の取付に時間がかかるという弊害がある。
【0010】この考案は、簡単に再現性のある内管の取
付構造を提供することが目的である。
【0011】
【課題を解決するための手段】この考案の薄膜気相成長
装置は、内管の上部に設けられたフランジ部の外側面
と、ガス導入フランジの凹部の内側面との間にOリング
を設け、前記内管フランジ部の上端面とガス導入フラン
ジの凹部の天井との間に硬質性の上側スペーサーを介在
するとともに、前記内管フランジ部の下端面に硬質性の
下側スペーサーを介し、内管取付金具で下方から押さえ
て、前記内管をガス導入フランジに取り付けてなること
を特徴とする。
【0012】
【作用】内管のガス導入フランジへの取付状態は、硬質
性の上側スペーサーと下側スペーサーによって定めら
れ、Oリングの潰し量の変化による影響を受けなくな
る。よって、特別にボルトのトルク管理を行わなくて
も、通常の締め付け作業を行うだけで、常に決まった状
態で内管を取り付けることができる。
【0013】
【実施例】以下、この考案の一実施例に係る薄膜気相成
長装置を図1に示す概略断面図に基ずいて説明する。な
お、図1において図2と同じ符号を附した部分は、同一
または対応する部分を示す。
【0014】図1は、円筒形の内管3を設けた薄膜気相
成長装置を示している。中央部にガス導入口5を設けた
ガス導入フランジ2は、金属、例えばステンレス製で、
ガス導入口5の内側には内管3を取り付けるための凹部
2aが設けられている。
【0015】上側スペーサー18は、硬質性樹脂例えば
フッ素樹脂であるポリテトフロロエチレンや、ポリイミ
ド樹脂を主成分とするベスペル(デュポン社:登録商
標)等からなり、断面逆L字型に形成され、内管3のフ
ランジ部3aの上側の一部を被装するように設けられて
いる。したがって、その上片部18aは、ガス導入フラ
ンジ2の凹部2aの天井2bと内管3のフランジ部3a
の上端面3cとの間に介在されている。下側スペーサー
19は断面L字型で、上側スペーサー18と同じ部材で
形成され、同じく内管3のフランジ部3aの下側の一部
を被装するように設けられている。したがって、内管3
は、そのフランジ部3aの下端面3b側に、前記下側ス
ペーサー19の下片部19aを介して、内管取付金具9
を用いてボルト10により下方から押さえて、前記ガス
導入フランジ2に取り付けられている。
【0016】Oリング11は、ガス導入フランジ2の凹
部2aの内側面2cと内管フランジ部3aの外側面3d
との間に設けられ、上側スペーサー18の側片部18b
と下側スペーサー19の側片部19bとで潰されること
により、ガス導入フランジ2の凹部2aの内側面2cと
内管フランジ部3aの外側面3dに密着してこの間の気
密性を保持し、原料ガスが内管3外に流れるのを防止し
ている。
【0017】前記内管取付金具9は、中心に内管3より
若干の大きい孔を設けたドーナツ状の板で、周囲にボル
ト10を挿入するための小孔が複数個設けてある。
【0018】上記のように、内管3はフランジ部3aが
両スペーサー18、19で被装された状態にあり、その
位置決めがなされ、ガス導入フランジ2の凹部2a内で
動く余地がなくなる。すなわち、内管3をガス導入フラ
ンジ2に取り付けるためにボルト10を締め付けていく
と、内管取付金具9に押さえられた両スペーサー18、
19の両側片部18b、19bによりOリング11を潰
すが、最終的には下側スペーサー19が内管3のフラン
ジ部3aの下端面3bに当たってそれ以上に締め付ける
ことはできなくなる。したがって、内管3がガス導入フ
ランジ2に傾いて取り付けられる恐れがなくなり、ボル
ト締め付けの際のトルク管理が不要になる。
【0019】なお、Oリング11の内径を内管フランジ
部3aの外径より若干小さくし、Oリング11の外径を
ガス導入フランジ2の内径より若干大きくし、Oリング
11の弾性力で内管3のフランジ部3aに装着すると、
上記実施例のようにOリング11を両スペーサー18、
19の側片部18b、19bによって押し潰すことな
く、気密を保持するとともに、内管3が抜け落ちるのを
防止することもでき都合がよい。
【0020】また、内管3が末広がりの円錐形状である
場合には、下側スペーサー19、内管取付金具9を2〜
3個に分割して形成すれば都合がよい。
【0021】
【考案の効果】この考案によれば、内管の取付位置が上
側スペーサーと下側スペーサーとによって定められ、そ
の取付状態に再現性がある。その結果、成長室内のガス
の流れが周方向に対して一定となり、試料の表面に堆積
する膜厚の均一性が向上する。
【0022】また、ボルト締め付け時のトルク管理が不
要になり、内管取付にかかる時間が短縮される。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の一実施例に係る薄膜気相成長装置の
概略断面図である。
【図2】従来例に係る薄膜気相成長装置の概略断面図で
ある。
【符号の説明】
1:リアクタ 2:ガス導入フランジ 2a:凹部 2b:凹部天井 2c:内側面 3:内管 3a:フランジ部 3b:下端面 3c:上端面 3d:外側面 4:処理室 5:ガス導入口 9:内管取付金具 11:Oリング 18:上側スペーサー 19:下側スペーサー

Claims (1)

    (57)【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】処理室を形成するリアクタと、このリアク
    タの蓋を兼ねて上部に位置しその中央部にガス導入口を
    設けるとともに、このガス導入口の内側に凹部を形成し
    たガス導入フランジと、このガス導入フランジの前記凹
    部にその一部が挿入され、前記ガス導入口から導入され
    た原料ガスを案内する内管とを備えた薄膜気相成長装置
    において、 前記内管の上部に設けられたフランジ部の外側面と、ガ
    ス導入フランジの凹部の内側面との間にOリングを設
    け、前記内管フランジ部の上端面とガス導入フランジの
    凹部の天井との間に硬質性の上側スペーサーを介在する
    とともに、前記内管フランジ部の下端面に硬質性の下側
    スペーサーを介し、内管取付金具で下方から押さえて、
    前記内管をガス導入フランジに取り付けてなることを特
    徴とする薄膜気相成長装置。
JP6771793U 1993-12-20 1993-12-20 薄膜気相成長装置 Expired - Lifetime JP2584177Y2 (ja)

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JP6771793U JP2584177Y2 (ja) 1993-12-20 1993-12-20 薄膜気相成長装置

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JP6771793U JP2584177Y2 (ja) 1993-12-20 1993-12-20 薄膜気相成長装置

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JPH0736439U JPH0736439U (ja) 1995-07-04
JP2584177Y2 true JP2584177Y2 (ja) 1998-10-30

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ID=13352993

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JP6056673B2 (ja) * 2013-06-14 2017-01-11 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置

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JPH0736439U (ja) 1995-07-04

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