JPH0736439U - 薄膜気相成長装置 - Google Patents

薄膜気相成長装置

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JPH0736439U
JPH0736439U JP6771793U JP6771793U JPH0736439U JP H0736439 U JPH0736439 U JP H0736439U JP 6771793 U JP6771793 U JP 6771793U JP 6771793 U JP6771793 U JP 6771793U JP H0736439 U JPH0736439 U JP H0736439U
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徹 松浪
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 原料ガスを案内する内管をガス導入フランジ
に取り付ける際に、トルク管理をしなくても再現性のあ
る構造を提供すること。 【構成】 内管3の上部に設けられたフランジ部3aの
外側面3dと、ガス導入フランジ2の凹部2aの内側面
2cとの間にOリング11を設け、前記内管フランジ部
3aの上端面3cとガス導入フランジ2の凹部2aの天
井2bとの間に硬質性の上側スペーサー18を介在する
とともに、前記内管フランジ部3aの下端面3bに硬質
性の下側スペーサー19を介し、内管取付金具9で下方
から押さえて、前記内管3をガス導入フランジ2に取り
付ける。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
この考案は、薄膜気相成長装置における内管取付構造に関する。
【0002】
【従来の技術】
図2は従来例に係る縦型気相成長装置の概略断面図であり、1は処理室4を形 成するリアクタ、2は中央部にガス導入口5を設けるとともに、その内側に凹部 2aを形成したガス導入フランジ、3は原料ガスを案内する内管である。
【0003】 ガス導入口5から導入された原料ガスは、内管3を通って、サセプタ6上に載 置された試料7の表面に達し、熱分解して薄膜を堆積する。ここで内管3は、原 料ガスを効率よく試料7上に導入するとともに、導入された原料ガスがリアクタ 1の内壁に付着して、内壁が汚染されるを防止している。その結果、通常は、よ り容易に取り外すことができる内管3の洗浄だけで済ますことができる。
【0004】 この内管3は、円筒形または円錐形でその上部にフランジ部3aが形成されて おり、フランジ部3aの下端面3bにスペーサー8を介し、内管取付金具9を用 いて、ボルト10で締め付けてガス導入フランジ2に取り付けられている。前記 フランジ3aの上端面3cと凹部2aの天井2bとの間にはOリング11が挿入 され、この間の気密を保持するとともに、石英製の内管3が金属製のガス導入フ ランジ2に直接接触して破損するのを防止している。
【0005】 リアクタ1とガス導入フランジ2とは、その接面にOリング12を挿入して処 理室4内の気密を保持し、リアクタ1のフランジ部1aをリアクタ取付金具13 で押さえ、ボルト14で締め付けて固定されている。
【0006】 サセプタ6は回転軸15によって支持され、図示しない駆動源により中心線の 回りに回転でき、しかも上下に移動できるように構成されている。
【0007】 なお、図中16は回転軸15の真空シール部であり、17は導入した原料ガス を排出する排出口である。
【0008】
【考案が解決しようとする課題】
上述のような薄膜気相成長装置では、内管3がOリング11を介してガス導入 フランジ2に接しているため、ボルト10の締め具合によってOリング11の潰 し量が変化し、内管3が傾いて取り付けられる恐れがある。内管3が傾くと、ガ スの流れる方向(流速、流量)が変化し、試料7の表面に堆積する薄膜の膜厚が 不均一になるという不都合が生じる。
【0009】 また、そのような不都合を回避するためには、ボルト14を締め付ける際にト ルク管理が必要となり、内管3の取付に時間がかかるという弊害がある。
【0010】 この考案は、簡単に再現性のある内管の取付構造を提供することが目的である 。
【0011】
【課題を解決するための手段】
この考案の薄膜気相成長装置は、内管の上部に設けられたフランジ部の外側面 と、ガス導入フランジの凹部の内側面との間にOリングを設け、前記内管フラン ジ部の上端面とガス導入フランジの凹部の天井との間に硬質性の上側スペーサー を介在するとともに、前記内管フランジ部の下端面に硬質性の下側スペーサーを 介し、内管取付金具で下方から押さえて、前記内管をガス導入フランジに取り付 けてなることを特徴とする。
【0012】
【作用】
内管のガス導入フランジへの取付状態は、硬質性の上側スペーサーと下側スペ ーサーによって定められ、Oリングの潰し量の変化による影響を受けなくなる。 よって、特別にボルトのトルク管理を行わなくても、通常の締め付け作業を行う だけで、常に決まった状態で内管を取り付けることができる。
【0013】
【実施例】
以下、この考案の一実施例に係る薄膜気相成長装置を図1に示す概略断面図に 基ずいて説明する。なお、図1において図2と同じ符号を附した部分は、同一ま たは対応する部分を示す。
【0014】 図1は、円筒形の内管3を設けた薄膜気相成長装置を示している。中央部にガ ス導入口5を設けたガス導入フランジ2は、金属、例えばステンレス製で、ガス 導入口5の内側には内管3を取り付けるための凹部2aが設けられている。
【0015】 上側スペーサー18は、硬質性樹脂例えばフッ素樹脂であるポリテトフロロエ チレンや、ポリイミド樹脂を主成分とするベスペル(デュポン社:登録商標)等 からなり、断面逆L字型に形成され、内管3のフランジ部3aの上側の一部を被 装するように設けられている。したがって、その上片部18aは、ガス導入フラ ンジ2の凹部2aの天井2bと内管3のフランジ部3aの上端面3cとの間に介 在されている。下側スペーサー19は断面L字型で、上側スペーサー18と同じ 部材で形成され、同じく内管3のフランジ部3aの下側の一部を被装するように 設けられている。したがって、内管3は、そのフランジ部3aの下端面3b側に 、前記下側スペーサー19の下片部19aを介して、内管取付金具9を用いてボ ルト10により下方から押さえて、前記ガス導入フランジ2に取り付けられてい る。
【0016】 Oリング11は、ガス導入フランジ2の凹部2aの内側面2cと内管フランジ 部3aの外側面3dとの間に設けられ、上側スペーサー18の側片部18bと下 側スペーサー19の側片部19bとで潰されることにより、ガス導入フランジ2 の凹部2aの内側面2cと内管フランジ部3aの外側面3dに密着してこの間の 気密性を保持し、原料ガスが内管3外に流れるのを防止している。
【0017】 前記内管取付金具9は、中心に内管3より若干の大きい孔を設けたドーナツ状 の板で、周囲にボルト10を挿入するための小孔が複数個設けてある。
【0018】 上記のように、内管3はフランジ部3aが両スペーサー18、19で被装され た状態にあり、その位置決めがなされ、ガス導入フランジ2の凹部2a内で動く 余地がなくなる。すなわち、内管3をガス導入フランジ2に取り付けるためにボ ルト10を締め付けていくと、内管取付金具9に押さえられた両スペーサー18 、19の両側片部18b、19bによりOリング11を潰すが、最終的には下側 スペーサー19が内管3のフランジ部3aの下端面3bに当たってそれ以上に締 め付けることはできなくなる。したがって、内管3がガス導入フランジ2に傾い て取り付けられる恐れがなくなり、ボルト締め付けの際のトルク管理が不要にな る。
【0019】 なお、Oリング11の内径を内管フランジ部3aの外径より若干小さくし、O リング11の外径をガス導入フランジ2の内径より若干大きくし、Oリング11 の弾性力で内管3のフランジ部3aに装着すると、上記実施例のようにOリング 11を両スペーサー18、19の側片部18b、19bによって押し潰すことな く、気密を保持するとともに、内管3が抜け落ちるのを防止することもでき都合 がよい。
【0020】 また、内管3が末広がりの円錐形状である場合には、下側スペーサー19、内 管取付金具9を2〜3個に分割して形成すれば都合がよい。
【0021】
【考案の効果】
この考案によれば、内管の取付位置が上側スペーサーと下側スペーサーとによ って定められ、その取付状態に再現性がある。その結果、成長室内のガスの流れ が周方向に対して一定となり、試料の表面に堆積する膜厚の均一性が向上する。
【0022】 また、ボルト締め付け時のトルク管理が不要になり、内管取付にかかる時間が 短縮される。
【図面の簡単な説明】
【図1】この考案の一実施例に係る薄膜気相成長装置の
概略断面図である。
【図2】従来例に係る薄膜気相成長装置の概略断面図で
ある。
【符号の説明】
1:リアクタ 2:ガス導入フランジ 2a:凹部 2b:凹部天井 2c:内側面 3:内管 3a:フランジ部 3b:下端面 3c:上端面 3d:外側面 4:処理室 5:ガス導入口 9:内管取付金具 11:Oリング 18:上側スペーサー 19:下側スペーサー

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】処理室を形成するリアクタと、このリアク
    タの蓋を兼ねて上部に位置しその中央部にガス導入口を
    設けるとともに、このガス導入口の内側に凹部を形成し
    たガス導入フランジと、このガス導入フランジの前記凹
    部にその一部が挿入され、前記ガス導入口から導入され
    た原料ガスを案内する内管とを備えた薄膜気相成長装置
    において、 前記内管の上部に設けられたフランジ部の外側面と、ガ
    ス導入フランジの凹部の内側面との間にOリングを設
    け、前記内管フランジ部の上端面とガス導入フランジの
    凹部の天井との間に硬質性の上側スペーサーを介在する
    とともに、前記内管フランジ部の下端面に硬質性の下側
    スペーサーを介し、内管取付金具で下方から押さえて、
    前記内管をガス導入フランジに取り付けてなることを特
    徴とする薄膜気相成長装置。
JP6771793U 1993-12-20 1993-12-20 薄膜気相成長装置 Expired - Lifetime JP2584177Y2 (ja)

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JP6771793U JP2584177Y2 (ja) 1993-12-20 1993-12-20 薄膜気相成長装置

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JP6771793U JP2584177Y2 (ja) 1993-12-20 1993-12-20 薄膜気相成長装置

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JPH0736439U true JPH0736439U (ja) 1995-07-04
JP2584177Y2 JP2584177Y2 (ja) 1998-10-30

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015001009A (ja) * 2013-06-14 2015-01-05 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2015001009A (ja) * 2013-06-14 2015-01-05 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置

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JP2584177Y2 (ja) 1998-10-30

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