JPH0519352U - マイクロ波プラズマcvd装置 - Google Patents

マイクロ波プラズマcvd装置

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Publication number
JPH0519352U
JPH0519352U JP7458491U JP7458491U JPH0519352U JP H0519352 U JPH0519352 U JP H0519352U JP 7458491 U JP7458491 U JP 7458491U JP 7458491 U JP7458491 U JP 7458491U JP H0519352 U JPH0519352 U JP H0519352U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
gas
bell jar
reaction gas
plasma cvd
Prior art date
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Pending
Application number
JP7458491U
Other languages
English (en)
Inventor
恒 平間
文雄 高村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
New Japan Radio Co Ltd
Original Assignee
New Japan Radio Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by New Japan Radio Co Ltd filed Critical New Japan Radio Co Ltd
Priority to JP7458491U priority Critical patent/JPH0519352U/ja
Publication of JPH0519352U publication Critical patent/JPH0519352U/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 1バッチ当りの処理数を増やすことによって
生ずる品質のばらつきを解消することを目的とする。 【構成】 ベルジャー内に複数の基板台をガス放出管に
取付けて設置し、上記ガス放出管の管壁に設けた複数の
穴から各基板台に反応ガスを均等に供給できる構成とし
た。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は、アプリケータのベルジャー内にマイクロ波を導入し、反応ガス(例 えば、水素と炭化水素の混合ガス、シランと窒素の混合ガスなど)のプラズマを 発生させ、該プラズマの雰囲気中に基板を長時間さらすことで、基板の表面にダ イヤモンドなどの物質を析出させるマイクロ波プラズマCVD装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図3は従来のこの種のマイクロ波プラズマCVD装置の一例の構成を示す。図 において1は左右の両方向からマイクロ波を導入できるアプリケータ、2はアプ リケータ1内に設置した石英製のベルジャー、3は基板台、4は回転軸、6はベ ルジャー汚染防止用の天板、7は円柱の支柱、9は基板である。下段の円盤形状 の基板台3は回転軸4に取付けられており、上段の円盤形状の基板台3とベルジ ャー汚染防止用の天板6は数本の円柱の支柱7によって下段の円盤形状の基板台 3に固定されていて、下段目の基板台3と一緒に回転する構造になっている。
【0003】 ベルジャー2内を10-5Torr程度に排気した後、ベルジャー2内に反応ガ スをベルジャー上部の反応ガス供給口から供給し、管内圧力を10〜40Tor r程度に調整する。そして、アプリケータ1を介してベルジャー2内にマイクロ 波を導入し、反応ガスのプラズマを発生させ、このプラズマの雰囲気中に基板9 を長時間さらすと、基板9の表面にダイヤモンドなどの物質が析出する。図に示 す装置は、1回の操作で複数の基板を処理するためにベルジャー2内に複数の基 板台3を配置し、プラズマの発生領域の局在によって生ずる析出物質の膜厚のば らつきを抑えるため、基板台3を回転できる構造とした例である。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
上記のような従来のマイクロ波プラズマCVD装置では、ベルジャー上部の反 応ガス供給口から供給される反応ガスは基板台3が複数のため各基板台に均等に は供給されない。そのために、各基板台に載置した基板9の表面に析出する物質 の品質には各基板台によるばらつきが生ずるという問題があった。本考案は上記 の問題を解消することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本考案のマイクロ波プラズマCVD装置は、ベルジャー内に複数の基板台をガ ス放出管に取付けて設置し、上記ガス放出管内に反応ガスを導入するガス導入管 を取付け、反応ガスを上記ガス放出管を経て上記複数の各基板台に均等に供給で きる構成としたものである。
【0006】
【作用】
上記の構造にすると、ガス放出管の管壁に設ける開口の位置と数及び大きさを 調整することによって、各基板台表面へ供給される反応ガスの分布状態と量を調 整することができる。
【0007】
【実施例】
図1は本考案の一実施例の構成を示す。図において1,2,3,6,9は図3 の同一符号と同一または相当するものを示し、5は複数の基板台3を取付けたガ ス放出管、8はガス放出管5内に反応ガスを導入するためのガス導入管である。
【0008】 図1の左右の両方向からマイクロ波を投入できる空胴共振器のアプリケータ1 内に真空気密構造にされたベルジャー2が設置され、ベルジャー2内に複数の基 板台3をガス導入管5に取付けて設置され、ガス導入管5の管壁に複数の穴10 が設けられており、回転軸4に取付けられて設置され、基板台3が回転軸4の回 転とともに回転する構造になっている。
【0009】 ベルジャー2内を10-5Torr程度に排気した後、ベルジャー2の反応ガス 供給口から反応ガスをガス導入管8を経てガス放出管5の穴10からベルジャー 2内に供給し、管内圧力を10〜40Torr程度に調整する。そして、各基板 台を4〜20r.p.m.程度の回転速度で回転させながら、アプリケータ1内に左右 の両方向からマイクロ波を導入し、ベルジャー2内の反応ガスのプラズマを発生 させ、基板台3に載置した複数の基板9の表面に物質を析出させる。
【0010】 図2は本考案のマイクロCVD装置に用いたガス放出管の説明図であり、ガス 放出管5の穴10の位置と数および大きさを具体的に示す。ガス放出管5の内径 はφ12mmであり、穴10はおよそ1/10として本実施例では、φ1.2m mを採用した。各基板台に反応ガスを均等に供給するため、上段の穴数を14ケ 、下段の穴数を28ケとした。このような構造をもつ基板台を用いて、一例とし て、ダイヤモンド膜の析出を実施したところ、上段,下段に配置された全ての基 板9表面に析出されるダイヤモンドの品質のばらつきが1〜2%以内に改善され た。
【0011】
【考案の効果】
以上説明したように、本考案によれば、ベルジャー内に設置した複数の各基板 台に反応ガスを均一な分布で供給することができ、1バッチ当りの処理数を増や すことによって生ずる品質のばらつきを解消できるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案の一実施例の構成を示す説明図である。
【図2】図1におけるガス放出管の一実施例の構成を示
す説明図である。
【図3】従来のこの種のマイクロ波プラズマCVD装置
の一例の構成を示す説明図である。
【符号の説明】
1 アプリケータ 2 ベルジャー 3 基板台 5 ガス放出管 6 天板 8 ガス導入管 9 基板 10 穴

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 アプリケータのベルジャー内に複数の基
    板台を回転軸で回転できる構造に設置し、上記複数の基
    板台に複数の基板を載置し、上記ベルジャー内にマイク
    ロ波を導入し、反応ガスのプラズマを発生させ、上記基
    板台を回転させながら該基板台に載置した複数の基板の
    表面に物質を析出させるマイクロ波プラズマCVD装置
    において、 ベルジャー内に複数の基板台をガス放出管に取付けて設
    置し、上記ガス放出管内に反応ガスを導入するガス導入
    管を取付け、反応ガスを上記ガス放出管を経て上記複数
    の各基板台に均等に供給できる構成としたことを特徴と
    するマイクロ波プラズマCVD装置。
JP7458491U 1991-08-26 1991-08-26 マイクロ波プラズマcvd装置 Pending JPH0519352U (ja)

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JPH0519352U true JPH0519352U (ja) 1993-03-09

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JP7458491U Pending JPH0519352U (ja) 1991-08-26 1991-08-26 マイクロ波プラズマcvd装置

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002025047A (ja) * 2000-07-12 2002-01-25 Anelva Corp 情報記録ディスク用成膜装置
JP2012533876A (ja) * 2009-07-16 2012-12-27 ウォニク アイピーエス カンパニ リミテッド 半導体製造装置
JP2014500626A (ja) * 2010-12-01 2014-01-09 北京北方▲微▼▲電▼子基地▲設▼▲備▼工▲芸▼研究中心有限▲責▼任公司 トレイデバイスおよび結晶膜成長装置
KR101505183B1 (ko) * 2013-07-26 2015-03-23 주식회사 티지오테크 회전 부재를 포함하는 증착막 형성 장치

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JP2012533876A (ja) * 2009-07-16 2012-12-27 ウォニク アイピーエス カンパニ リミテッド 半導体製造装置
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