JPS61212014A - 化学的気相成長法による半導体ウエハ処理装置 - Google Patents
化学的気相成長法による半導体ウエハ処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の分野〕
本発明は、化学的気相成長（ＣＶＤ）法によるウェハ処
理装置に関し、詳しくは、減圧容器内に収納した半導体
ウェハ上に、ガス或いはプラズマにより薄膜を形成する
ウェハ処理装置に関する・ ［従来技術とその問題点］ 半導体製造装置の内、減圧容器内に収納した半導体ウェ
ハ上に、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜などを、化学
的或いはプラズマ的に気相成長させる装置は種々知られ
ている。従来のこの種の装置によるウェハ処理は、殆ど
がバッチ（一括）処理であり、このためウェハの処理効
率が良好でないという問題があった。即ち、バッチ処理
では。
理装置に関し、詳しくは、減圧容器内に収納した半導体
ウェハ上に、ガス或いはプラズマにより薄膜を形成する
ウェハ処理装置に関する・ ［従来技術とその問題点］ 半導体製造装置の内、減圧容器内に収納した半導体ウェ
ハ上に、シリコン酸化膜、窒化シリコン膜などを、化学
的或いはプラズマ的に気相成長させる装置は種々知られ
ている。従来のこの種の装置によるウェハ処理は、殆ど
がバッチ（一括）処理であり、このためウェハの処理効
率が良好でないという問題があった。即ち、バッチ処理
では。
減圧、パージ及び加熱に時間がかるため処理効率が悪く
、一方、処理効率を上げるため１回の処理ウェハ数を多
くすると、ウェハ（同時処理及びバッチ処理間）の成膜
の均一化が困難になるという問題があった。このため、
従来、反応容器（減圧容器）内に１回転ドラムを設け、
このドラムの外面にウェハを取り付け、上述の問題を解
決しようとする装置が提案されている（例えば、特開昭
５５−１４５１７２号公報）。
、一方、処理効率を上げるため１回の処理ウェハ数を多
くすると、ウェハ（同時処理及びバッチ処理間）の成膜
の均一化が困難になるという問題があった。このため、
従来、反応容器（減圧容器）内に１回転ドラムを設け、
このドラムの外面にウェハを取り付け、上述の問題を解
決しようとする装置が提案されている（例えば、特開昭
５５−１４５１７２号公報）。
しかし、上述の従来装置によっても、１回のウェハ処理
枚数を多くすることができず、依然として従来の問題は
未解決であった。
枚数を多くすることができず、依然として従来の問題は
未解決であった。
［発明の目的］
本発明の目的は、ＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ法を含む）
を利用してウェハをバッチ処理する装置において、１回
のバッチ処理で、多くのウェハを成膜の均一性を損なう
ことなく処理可能な装置を提供することである。
を利用してウェハをバッチ処理する装置において、１回
のバッチ処理で、多くのウェハを成膜の均一性を損なう
ことなく処理可能な装置を提供することである。
［発明の概要］
本発明は、複数の半導体ウェハを内部に収納する反応容
器と、該反応容器の中心軸の周囲に配置され、複数のウ
ェハを上下方向に間隔を置いて支持する複数のウェハ支
持手段と、複数のガス導入孔を周囲に有し前記中心軸に
沿って設けたガス導入手段と、前記複数のウェハ支持手
段の夫々を自転させる第１回転手段と、前記複数のウェ
ハ支持手段を公転させる第２回転手段と、前記複数のウ
ェハ支持手段と前記反応容器の内壁との間に設けられ、
ガス排出孔を複数個有するガス排出手段とを具え、前記
ガス導入手段から放射状にガスを流して前記半導体ウェ
ハ上に所定物質の気相成長を行なうことを特徴とする半
導体ウェハ処理装置に関する。
器と、該反応容器の中心軸の周囲に配置され、複数のウ
ェハを上下方向に間隔を置いて支持する複数のウェハ支
持手段と、複数のガス導入孔を周囲に有し前記中心軸に
沿って設けたガス導入手段と、前記複数のウェハ支持手
段の夫々を自転させる第１回転手段と、前記複数のウェ
ハ支持手段を公転させる第２回転手段と、前記複数のウ
ェハ支持手段と前記反応容器の内壁との間に設けられ、
ガス排出孔を複数個有するガス排出手段とを具え、前記
ガス導入手段から放射状にガスを流して前記半導体ウェ
ハ上に所定物質の気相成長を行なうことを特徴とする半
導体ウェハ処理装置に関する。
［実施例の説明］
以下、添付の図面を参照し、本発明の好適実施例を説明
する。
する。
第１図は本発明に係る装置の一部切欠いた斜視図、第２
図は第１ｒｇＪに示した反応容器内の平面図、第３図は
ウェハ支持手段の部分斜視図である。
図は第１ｒｇＪに示した反応容器内の平面図、第３図は
ウェハ支持手段の部分斜視図である。
第１図において、反応容器（例えば１円筒状の石英ガラ
ス製）１０内の下部に、ウェハ公転用の回転台１２があ
り、この回転台１２上に複数（図示の例では４個）のウ
ェハ自転用の回転台１４が設けられている０回転台１２
及び１４は、下部の容器１６に収納された公知の駆動手
段（図示せず）により駆動される１回転台１４には、垂
直方向に設けた複数（図示の例では３本）のウェハ支持
棒（例えば石英ガラス製）１８からなるウェハ支持手段
（ポート）２０があり、夫々のウェハ支持手段２０は、
例えば約３５教程度のウェハ（Ｗで示す）を支持する。
ス製）１０内の下部に、ウェハ公転用の回転台１２があ
り、この回転台１２上に複数（図示の例では４個）のウ
ェハ自転用の回転台１４が設けられている０回転台１２
及び１４は、下部の容器１６に収納された公知の駆動手
段（図示せず）により駆動される１回転台１４には、垂
直方向に設けた複数（図示の例では３本）のウェハ支持
棒（例えば石英ガラス製）１８からなるウェハ支持手段
（ポート）２０があり、夫々のウェハ支持手段２０は、
例えば約３５教程度のウェハ（Ｗで示す）を支持する。
ウェハ支持手段２０の棒１８は、第２図及び第３図から
明らかなように、３本で一組となり（実施例の場合であ
って、例えば４本以上でもよい）、一定の間隔を置いて
斜めに設けた溝にウェハの端部を挿入してウェハを支持
する。ウェハ支持手段（ポート）は、必要であれば１回
転台１４から取外し可能としてもよい。
明らかなように、３本で一組となり（実施例の場合であ
って、例えば４本以上でもよい）、一定の間隔を置いて
斜めに設けた溝にウェハの端部を挿入してウェハを支持
する。ウェハ支持手段（ポート）は、必要であれば１回
転台１４から取外し可能としてもよい。
尚、ウェハを加熱する手段は、反応容器１０の外部にあ
り、本発明には直接関係ないため図示を省略しである。
り、本発明には直接関係ないため図示を省略しである。
反応容器１０の内部には、更に、略中心軸に沿って設け
た反応ガス導入手段３０と、反応容器の中心軸に間し同
心円状に設けたガス排出手段３２がある。この反応ガス
導入手段３０の上端はガス供給手段に通じ、下端は閉じ
られている０反応ガス導入手段３０の周囲にはガス導入
用の小孔が多数設けられ、一方、ガス排出手段３２には
ガス排出用の小孔が多数設けられている０反応ガスは、
ガス導入手段３０の上端から供給され、多数のガス導入
孔から反応容器内に導かれ、略放射状にウェハ間を流れ
、ガス排出手段３２を介して外部に排出される０反応容
器１０の上部、反応ガス導入手段３０の上部１円筒電極
３２の上部（共に図示せず）は、適当な密閉部材に固定
されている。したがって、ウェハの取付及び取外は、容
器１６を下方に下げるか、或いは反応容器１０等を上方
に上げて行なわれる。第１図では１反応容器から空気及
びガスを排出する排気口等は５本発明に直接関係を有し
ないため図示を省略しである。尚、反応ガスの導入・排
出時の放射方向の流量を軸方向に関し均一にするため、
穴の形状及び位置を工夫する必要があることは勿論であ
る。しかし、この問題は本発明と直接関係を有さないの
で、説明を省略する。
た反応ガス導入手段３０と、反応容器の中心軸に間し同
心円状に設けたガス排出手段３２がある。この反応ガス
導入手段３０の上端はガス供給手段に通じ、下端は閉じ
られている０反応ガス導入手段３０の周囲にはガス導入
用の小孔が多数設けられ、一方、ガス排出手段３２には
ガス排出用の小孔が多数設けられている０反応ガスは、
ガス導入手段３０の上端から供給され、多数のガス導入
孔から反応容器内に導かれ、略放射状にウェハ間を流れ
、ガス排出手段３２を介して外部に排出される０反応容
器１０の上部、反応ガス導入手段３０の上部１円筒電極
３２の上部（共に図示せず）は、適当な密閉部材に固定
されている。したがって、ウェハの取付及び取外は、容
器１６を下方に下げるか、或いは反応容器１０等を上方
に上げて行なわれる。第１図では１反応容器から空気及
びガスを排出する排気口等は５本発明に直接関係を有し
ないため図示を省略しである。尚、反応ガスの導入・排
出時の放射方向の流量を軸方向に関し均一にするため、
穴の形状及び位置を工夫する必要があることは勿論であ
る。しかし、この問題は本発明と直接関係を有さないの
で、説明を省略する。
第２図に示した矢印Ａは回転台１２の回転方向（公転方
向）の−例を示し、一方、矢印Ｂは回転台１４の回転方
向（自転方向）の−例を示す、第２図では、回転台１４
の回転方向は全て同一であるが、例えば、反応ガス導入
手段３０を挟んで相対する回転台のみを同一方向に回転
させてもよい。
向）の−例を示し、一方、矢印Ｂは回転台１４の回転方
向（自転方向）の−例を示す、第２図では、回転台１４
の回転方向は全て同一であるが、例えば、反応ガス導入
手段３０を挟んで相対する回転台のみを同一方向に回転
させてもよい。
処理済の半導体ウェハを取り出すには、容器１６を下げ
、この容器１６に回転可能に取り付けた回転台１２．１
４、及びウェハ支持手段２０を下げて反応容器１０の外
部に出し、ウェハ支持手段２０を回転台１４から外す、
或いは、反応容器１０、反応ガス導入手段３０、反応ガ
ス排出手段３２を、上方に上げてウェハ支持手段２０を
取り外してもよい、一方、ウェハ支持手段に取り付けた
ウェハを、反応容器内に収納するには、上述の操作の逆
を行なえばよい。
、この容器１６に回転可能に取り付けた回転台１２．１
４、及びウェハ支持手段２０を下げて反応容器１０の外
部に出し、ウェハ支持手段２０を回転台１４から外す、
或いは、反応容器１０、反応ガス導入手段３０、反応ガ
ス排出手段３２を、上方に上げてウェハ支持手段２０を
取り外してもよい、一方、ウェハ支持手段に取り付けた
ウェハを、反応容器内に収納するには、上述の操作の逆
を行なえばよい。
上述したように、複数のウェハ支持手段２０の夫々に、
略水平で且つ一定の間隔を置いて垂直方向に戴置された
ウェハは、回転台１４によって自転しつつ、回転台１２
によって公転する。この間に、ガス導入手段３０から略
放射状に流れる反応ガスによって、ウェハ上には、所定
の薄膜が形成される。尚、自転回転数は、公転回転数よ
り大きくても或いは小さくてもよいが、ウェハの特定部
が、反応容器の特定部に周期的に位置するのを避けるた
め、回転手段１２及び１４の回転数は、夫ましい、更に
、ウェハの所望面に塵の付着を少なくするために、ウェ
ハの所望面を下側にしてウェハ支持手段に取り付けるの
が望ましい。
略水平で且つ一定の間隔を置いて垂直方向に戴置された
ウェハは、回転台１４によって自転しつつ、回転台１２
によって公転する。この間に、ガス導入手段３０から略
放射状に流れる反応ガスによって、ウェハ上には、所定
の薄膜が形成される。尚、自転回転数は、公転回転数よ
り大きくても或いは小さくてもよいが、ウェハの特定部
が、反応容器の特定部に周期的に位置するのを避けるた
め、回転手段１２及び１４の回転数は、夫ましい、更に
、ウェハの所望面に塵の付着を少なくするために、ウェ
ハの所望面を下側にしてウェハ支持手段に取り付けるの
が望ましい。
第２図及び第３図では、ウェハ支持棒（３本）に設けた
斜めの溝にウェハの端部を挿入してウェハを取り付けて
いる。しかし、これに限らず、ウェハ支持棒の数を増し
、水平の溝を設けたウェハ支持棒により、例えば等間隔
にウェハの端部を支持するようにしてもよい。
斜めの溝にウェハの端部を挿入してウェハを取り付けて
いる。しかし、これに限らず、ウェハ支持棒の数を増し
、水平の溝を設けたウェハ支持棒により、例えば等間隔
にウェハの端部を支持するようにしてもよい。
このように、複数のウェハ支持手段２０の夫々に、略水
平で且つ一定の間隔を置いて垂直方向にウェハを戴置す
ることにより、１回の処理により大量のウェハ処理がで
きると共に１反応ガスを放射状に流し、ウェハを自転及
び公転させることにより、大量のウェハ上に均一の薄膜
を形成することができる。
平で且つ一定の間隔を置いて垂直方向にウェハを戴置す
ることにより、１回の処理により大量のウェハ処理がで
きると共に１反応ガスを放射状に流し、ウェハを自転及
び公転させることにより、大量のウェハ上に均一の薄膜
を形成することができる。
第１図に示した例では、ガス排出手段３２として、同心
円状のものを用いたが、これに限らず、小孔を設けた筒
状のガス排出手段（例えば、ガス反応容器１０の内壁近
傍に間隔を置いて設けてもよい。
円状のものを用いたが、これに限らず、小孔を設けた筒
状のガス排出手段（例えば、ガス反応容器１０の内壁近
傍に間隔を置いて設けてもよい。
次に、本発明をプラズマＣＶＤ装°置に応用する場合に
ついて説明する。プラズマＣＶＤ法とは、周知の如く、
反応ガスに高周波電界を印加し、その電気的エネルギー
を利用してガスを活性化し、プラズマ反応により例えば
２００〜３５０℃の範囲の低温でウェハ表面に薄膜（例
えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等）を形成する
方法である０本発明をプラズマＣＶＤ装置に応用するに
は、プラズマ発生用の電極（高周波電源に接続）・ を
設ける必要がある。
ついて説明する。プラズマＣＶＤ法とは、周知の如く、
反応ガスに高周波電界を印加し、その電気的エネルギー
を利用してガスを活性化し、プラズマ反応により例えば
２００〜３５０℃の範囲の低温でウェハ表面に薄膜（例
えば、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等）を形成する
方法である０本発明をプラズマＣＶＤ装置に応用するに
は、プラズマ発生用の電極（高周波電源に接続）・ を
設ける必要がある。
プラズマ発生用の電極を設ける方法は種々考えられる。
例えば、一方の電極を反応ガス導入手段３０の内部に設
け、他方の電極を反応容器ｌＯの外部に設ける。この場
合、ガス導入手段３０内の電極は柱状とし、外部電極を
円筒状とする。或いは、一方の電極を上述と同じように
反応ガス導入手段３０の内部に設け、円筒状の電極を反
応容器１０の内壁と反応ガス排出手段３２との間に設け
てもよい、更に、一方の電極を上述と同じように反応ガ
ス導入手段３０の内部に設け、他方の電極をガス導入手
段３０の近傍に設けてもよい。
け、他方の電極を反応容器ｌＯの外部に設ける。この場
合、ガス導入手段３０内の電極は柱状とし、外部電極を
円筒状とする。或いは、一方の電極を上述と同じように
反応ガス導入手段３０の内部に設け、円筒状の電極を反
応容器１０の内壁と反応ガス排出手段３２との間に設け
てもよい、更に、一方の電極を上述と同じように反応ガ
ス導入手段３０の内部に設け、他方の電極をガス導入手
段３０の近傍に設けてもよい。
更にまた、反応ガス導入手段３０自体を一方の電極とし
１反応容器１０の内壁とガス排出手段３２との間に円筒
状の電極を設けてもよい、或いは、第１図に示した反応
容器を導電性材料（例えばステンレス）で製作し、反応
容器を一方の電極としてもよい、更に、ガス導入及びガ
ス排出手段３０．３２を電極として利用してもよい。
１反応容器１０の内壁とガス排出手段３２との間に円筒
状の電極を設けてもよい、或いは、第１図に示した反応
容器を導電性材料（例えばステンレス）で製作し、反応
容器を一方の電極としてもよい、更に、ガス導入及びガ
ス排出手段３０．３２を電極として利用してもよい。
本発明をプラズマＣＶＤ装置に応用した場合であっても
、上述のウェハの大量処理、及び生成膜の均一性という
効果を維持することができることは勿論である。尚、ウ
ェハが存在する空間の電界を略一定にするため、ウェハ
を挟むように、同電位を印加した網目状の電極を配置す
れば電界による所謂プラズマ・ダメージを減少させるこ
とができる。
、上述のウェハの大量処理、及び生成膜の均一性という
効果を維持することができることは勿論である。尚、ウ
ェハが存在する空間の電界を略一定にするため、ウェハ
を挟むように、同電位を印加した網目状の電極を配置す
れば電界による所謂プラズマ・ダメージを減少させるこ
とができる。
［発明の効果］
以上説明したように１本発明に係る装置によれば、上下
方向に略水平に間隔を置いて設けたウェハ群を自転と共
に公転させ、且つ反応容器の中心軸方向から放射状に反
応ガスを流し、１回のバッチ処理で、生成膜の均一性を
損なうことなく、大量のウェハに薄膜を形成することが
可能である。
方向に略水平に間隔を置いて設けたウェハ群を自転と共
に公転させ、且つ反応容器の中心軸方向から放射状に反
応ガスを流し、１回のバッチ処理で、生成膜の均一性を
損なうことなく、大量のウェハに薄膜を形成することが
可能である。
更に、本発明をプラズマＣＶＤ装置に応用した場合には
、上述の効果に加えて、プラズマＣＶＤ法特有の種々の
特徴（処理温度が低温のため、熱的損傷の減少、非耐熱
性基板への薄膜形成可能等）を利用することができる。
、上述の効果に加えて、プラズマＣＶＤ法特有の種々の
特徴（処理温度が低温のため、熱的損傷の減少、非耐熱
性基板への薄膜形成可能等）を利用することができる。
第１図は本発明に係る装置の一部切欠いた斜視図、第２
図は第１図に示した反応容器内の平面図、第３図はウェ
ハ支持手段の部分斜視図である。 ｌＯ：反応容器 １２：回転台（第１回転手段） １４：回転台（第２回転手段） ２０：ウェハ支持手段 ３０：反応ガス導入手段 ３２：反応ガス排出手段 Ｗ：ウェハ
図は第１図に示した反応容器内の平面図、第３図はウェ
ハ支持手段の部分斜視図である。 ｌＯ：反応容器 １２：回転台（第１回転手段） １４：回転台（第２回転手段） ２０：ウェハ支持手段 ３０：反応ガス導入手段 ３２：反応ガス排出手段 Ｗ：ウェハ
Claims (9)
- （１）複数の半導体ウェハを内部に収納する反応容器と
、該反応容器の中心軸の周囲に配置され、複数のウェハ
を上下方向に間隔を置いて支持する複数のウェハ支持手
段と、複数のガス導入孔を周囲に有し前記中心軸に沿つ
て設けたガス導入手段と、前記複数のウェハ支持手段の
夫々を自転させる第１回転手段と、前記複数のウェハ支
持手段を公転させる第２回転手段と、前記複数のウェハ
支持手段と前記反応容器の内壁との間に設けられ、ガス
排出孔を複数個有するガス排出手段とを具え、前記ガス
導入手段から放射状にガスを流して前記半導体ウェハ上
に所定物質の気相成長を行なうことを特徴とする半導体
ウェハ処理装置。 - （２）前記第１及び第２回転手段の回転数は、夫々他方
の回転数の整数倍でない特許請求の範囲第１項記載の半
導体ウェハ処理装置。 - （３）前記反応容器の内部及び外部に夫々電極を設け、
プラズマ化学的気相成長装置として使用する特許請求の
範囲第１項または第２項記載の半導体ウエハ処理装置。 - （４）前記反応容器の内部にのみ電極を設け、プラズマ
化学的気相成長装置として使用する特許請求の範囲第１
項または第２項記載の半導体ウェハ処理装置。 - （５）前記反応容器は導電性であり、該反応容器を電極
兼用とし、前記反応容器の内部に電極を設け、プラズマ
化学的気相成長装置として使用する特許請求の範囲第１
項または第２項記載の半導体ウェハ処理装置。 - （６）前記ガス導入手段及び前記ガス排出手段を夫々電
極兼用とし、プラズマ化学的気相成長装置として使用す
る特許請求の範囲第１項または第２項記載の半導体ウェ
ハ処理装置。 - （７）前記ガス導入手段を電極兼用とし、更に前記反応
容器の内壁と前記ガス排出手段との間に円筒状電極を設
け、プラズマ化学的気相成長装置として使用する特許請
求の範囲第１項または第２項記載の半導体ウェハ処理装
置。 - （８）夫々同電位に保持された網目状の電極を少なくと
も２個設け、該２個の電極の間に前記複数のウェハ支持
手段を設けた特許請求の範囲第３項乃至第７項記載のい
ずれかの半導体ウェハ処理装置。 - （９）前記複数のウェハ支持手段の夫々は複数の棒状部
材を有し、該棒状部材はウェハの端部を受け入れてウェ
ハを支持する溝を有する特許請求の範囲第１項乃至第８
項記載のいずれかの半導体ウェハ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5239285A JPS61212014A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 化学的気相成長法による半導体ウエハ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5239285A JPS61212014A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 化学的気相成長法による半導体ウエハ処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61212014A true JPS61212014A (ja) | 1986-09-20 |
Family
ID=12913529
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5239285A Pending JPS61212014A (ja) | 1985-03-18 | 1985-03-18 | 化学的気相成長法による半導体ウエハ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61212014A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320426U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-10 | ||
| JPS6335776A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Matsushita Electronics Corp | 気相化学蒸着装置 |
| JPS6370142U (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-11 | ||
| JPH0277117A (ja) * | 1988-06-27 | 1990-03-16 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| JPH02152224A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Toshiba Corp | 気相成長装置 |
| US4955649A (en) * | 1988-02-29 | 1990-09-11 | Tel Sagami Limited | Apparatus for holding plates |
| JPH02149769U (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-21 | ||
| CN105990082A (zh) * | 2015-02-15 | 2016-10-05 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 半导体刻蚀装置 |
-
1985
- 1985-03-18 JP JP5239285A patent/JPS61212014A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6320426U (ja) * | 1986-07-25 | 1988-02-10 | ||
| JPH0528756Y2 (ja) * | 1986-07-25 | 1993-07-23 | ||
| JPS6335776A (ja) * | 1986-07-30 | 1988-02-16 | Matsushita Electronics Corp | 気相化学蒸着装置 |
| JPS6370142U (ja) * | 1986-10-24 | 1988-05-11 | ||
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| JPH02152224A (ja) * | 1988-12-02 | 1990-06-12 | Toshiba Corp | 気相成長装置 |
| JPH02149769U (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-21 | ||
| CN105990082A (zh) * | 2015-02-15 | 2016-10-05 | 盛美半导体设备（上海）有限公司 | 半导体刻蚀装置 |
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