JPH09115896A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
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- JPH09115896A JPH09115896A JP26571295A JP26571295A JPH09115896A JP H09115896 A JPH09115896 A JP H09115896A JP 26571295 A JP26571295 A JP 26571295A JP 26571295 A JP26571295 A JP 26571295A JP H09115896 A JPH09115896 A JP H09115896A
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- Japan
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- support shaft
- rotary support
- chamber
- wafer
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＣＶＤ装置において、簡単な構成により、供給
ガスがより均等にチャンバ内に拡散して、ウエハ上によ
り均一な成長膜を形成することができるようにする。 【解決手段】チャンバ11と、このチャンバ11の底壁にこ
れを垂直方向に貫通するようにして支持されるガス導管
を兼ねた回転支軸13と、この回転支軸13の上端部に取付
けられるウエハ支持部材19と、上記回転支軸13の上端に
同軸状に連結され、回転支軸を通ってチャンバ内に導入
される供給ガスの流れを放射状流れに変更する整流部材
30と、を備えるＣＶＤ装置において、上記整流部材30
は、所定の大きさの貫通孔32をもつ下部板33と、この下
部板33の上面に下端が接続されて垂直方向上方に延び、
中心から複数枚の整流板34a,34b,34c,34d が放射状に延
びる形態をもつ支柱34と、この支柱34の上端に接続され
た天板35とを有する。
ガスがより均等にチャンバ内に拡散して、ウエハ上によ
り均一な成長膜を形成することができるようにする。 【解決手段】チャンバ11と、このチャンバ11の底壁にこ
れを垂直方向に貫通するようにして支持されるガス導管
を兼ねた回転支軸13と、この回転支軸13の上端部に取付
けられるウエハ支持部材19と、上記回転支軸13の上端に
同軸状に連結され、回転支軸を通ってチャンバ内に導入
される供給ガスの流れを放射状流れに変更する整流部材
30と、を備えるＣＶＤ装置において、上記整流部材30
は、所定の大きさの貫通孔32をもつ下部板33と、この下
部板33の上面に下端が接続されて垂直方向上方に延び、
中心から複数枚の整流板34a,34b,34c,34d が放射状に延
びる形態をもつ支柱34と、この支柱34の上端に接続され
た天板35とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本願発明は、化学的気相成長法
（Chemical Vapour Deposition) によって半導体ウエハ
表面に絶縁膜、あるいは窒化膜等を形成するための装置
（以下、ＣＶＤ装置という。）に関し、供給ガスをチャ
ンバ内に導入するにあたり、この供給ガスがチャンバ内
により均等に行き渡るように改良したものに関する。
（Chemical Vapour Deposition) によって半導体ウエハ
表面に絶縁膜、あるいは窒化膜等を形成するための装置
（以下、ＣＶＤ装置という。）に関し、供給ガスをチャ
ンバ内に導入するにあたり、この供給ガスがチャンバ内
により均等に行き渡るように改良したものに関する。
【０００２】
【発明の背景】本願発明は、水平回転式のＣＶＤ装置を
前提とし、その概要は本願の図１に示されている。チャ
ンバ１１は、上に開放する有底円筒状の下容器１１ａ
と、下に開放する有底円筒状上容器１１ｂとを上下対向
状に組み合わせて構成されている。下容器１１ａの底壁
１２には、ガス導管を兼ねた回転支軸１３が垂直方向に
貫通支持され、その上端がチャンバ１１内に至ってい
る。回転支軸１３の上端部には、一方の高周波電極１４
を兼ねたドーナツ円板状のウエハ支持板１９が、その中
心部において支持されている。このウエハ支持板１９
は、上記下容器１１ａの底壁１２に配置したヒータ１５
によって加熱され、これにより、ウエハ支持板１９上に
載置されるウエハ１６が所定の温度に加熱される。上記
ガス導管を兼ねた回転支軸１３の上端部にはまた、回転
支持軸１３内を上昇してチャンバ内に導入されるガスの
流れを水平方向の放射状流れに変更するためのインジェ
クト・シールドと呼ばれるガス整流部材２０が取付けら
れている。また、チャンバ１１内上方には、もう一方の
高周波電極板１７が固定状に配置されている。図１にお
いて符号１８は、排気ポートを示しており、これは、図
外の真空ポンプに接続されている。また、パージガスと
しての窒素ガスの導入ポート（図示略）が、チャンバ１
１の適部に設けられる。
前提とし、その概要は本願の図１に示されている。チャ
ンバ１１は、上に開放する有底円筒状の下容器１１ａ
と、下に開放する有底円筒状上容器１１ｂとを上下対向
状に組み合わせて構成されている。下容器１１ａの底壁
１２には、ガス導管を兼ねた回転支軸１３が垂直方向に
貫通支持され、その上端がチャンバ１１内に至ってい
る。回転支軸１３の上端部には、一方の高周波電極１４
を兼ねたドーナツ円板状のウエハ支持板１９が、その中
心部において支持されている。このウエハ支持板１９
は、上記下容器１１ａの底壁１２に配置したヒータ１５
によって加熱され、これにより、ウエハ支持板１９上に
載置されるウエハ１６が所定の温度に加熱される。上記
ガス導管を兼ねた回転支軸１３の上端部にはまた、回転
支持軸１３内を上昇してチャンバ内に導入されるガスの
流れを水平方向の放射状流れに変更するためのインジェ
クト・シールドと呼ばれるガス整流部材２０が取付けら
れている。また、チャンバ１１内上方には、もう一方の
高周波電極板１７が固定状に配置されている。図１にお
いて符号１８は、排気ポートを示しており、これは、図
外の真空ポンプに接続されている。また、パージガスと
しての窒素ガスの導入ポート（図示略）が、チャンバ１
１の適部に設けられる。
【０００３】常圧状態において上容器１１ｂを開け、ウ
エハ支持板１９上に処理するべきウエハ１６をセットす
る。上容器１１ｂを下容器１１ａに対して閉じ、真空ポ
ンプを作動させてチャンバ１１内を所定の真空状態とす
る。ウエハ１６の表面にたとえば窒化膜を成長させる場
合、ＳｉＨ4 とＮＨ3 との混合ガスを上記ガス導管を兼
ねた回転支軸１３を介してチャンバ１１内に導入し、両
高周波電極１４内に高周波電圧を印加する。上記混合ガ
スはプラズマ化され、ウエハ表面には窒化膜が化学的気
相成長によって形成される。この窒化膜成長過程の間、
回転支軸１３ないしウエハ支持板１９は、回転させられ
る。所定の窒化膜の成長が達成されると、上記混合ガス
の導入を停止するとともに、このガスをパージし、チャ
ンバ内を常圧に戻して上容器１１ｂを開け、処理後のウ
エハを取り出す。
エハ支持板１９上に処理するべきウエハ１６をセットす
る。上容器１１ｂを下容器１１ａに対して閉じ、真空ポ
ンプを作動させてチャンバ１１内を所定の真空状態とす
る。ウエハ１６の表面にたとえば窒化膜を成長させる場
合、ＳｉＨ4 とＮＨ3 との混合ガスを上記ガス導管を兼
ねた回転支軸１３を介してチャンバ１１内に導入し、両
高周波電極１４内に高周波電圧を印加する。上記混合ガ
スはプラズマ化され、ウエハ表面には窒化膜が化学的気
相成長によって形成される。この窒化膜成長過程の間、
回転支軸１３ないしウエハ支持板１９は、回転させられ
る。所定の窒化膜の成長が達成されると、上記混合ガス
の導入を停止するとともに、このガスをパージし、チャ
ンバ内を常圧に戻して上容器１１ｂを開け、処理後のウ
エハを取り出す。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記整流部
材２０は、たとえば、次のように構成されている。すな
わち、この整流部材２０は、図２および図３に示すよう
に、パイプ状をした上記回転支軸１３の上端部内に挿入
嵌合される円筒状ボス部２１と、このボス部２１の上端
に接続されるフランジ部２２と、このフランジ部２２の
上に垂直方向に立設される複数本の支柱２３と、各支柱
２３の上端に接続される天板２４とを備えている。供給
ガスに対する耐腐食性を担保するため、少なくとも上記
ボス部２１、フランジ部２２、支柱２３は、石英ガラス
によって作成される。天板２４は、石英ガラスまたはア
ルミニウムで作られる。
材２０は、たとえば、次のように構成されている。すな
わち、この整流部材２０は、図２および図３に示すよう
に、パイプ状をした上記回転支軸１３の上端部内に挿入
嵌合される円筒状ボス部２１と、このボス部２１の上端
に接続されるフランジ部２２と、このフランジ部２２の
上に垂直方向に立設される複数本の支柱２３と、各支柱
２３の上端に接続される天板２４とを備えている。供給
ガスに対する耐腐食性を担保するため、少なくとも上記
ボス部２１、フランジ部２２、支柱２３は、石英ガラス
によって作成される。天板２４は、石英ガラスまたはア
ルミニウムで作られる。
【０００５】上記の構成の整流部材２０を用いる場合、
次のような問題が発生する。第１に、ボス部２１から上
向きに出たガスは、天板２４に当たって流れの方向が変
えられ、拡散させられるだけであるため、この整流部材
２０を中心として、かならずしも放射方向に均等に拡散
させられるとは限らない。第２に、天板２４にあたって
水平方向に方向を変えられたガス流れの途中に上記支柱
２３が存在するため、この支柱２３により、ガス流に乱
れ（うず）が生じる。その結果、この整流部材２０を通
過してチャンバ１１内に導入されるガスが上記ウエハ支
持板１９上に載置される複数枚のウエハ１６に対して均
等に作用せず、ウエハに成長させられる膜厚にバラツキ
が生じる。この膜厚のバラツキは、ウエハごとにも生じ
るし、単一のウエハ上の領域においても生じる。
次のような問題が発生する。第１に、ボス部２１から上
向きに出たガスは、天板２４に当たって流れの方向が変
えられ、拡散させられるだけであるため、この整流部材
２０を中心として、かならずしも放射方向に均等に拡散
させられるとは限らない。第２に、天板２４にあたって
水平方向に方向を変えられたガス流れの途中に上記支柱
２３が存在するため、この支柱２３により、ガス流に乱
れ（うず）が生じる。その結果、この整流部材２０を通
過してチャンバ１１内に導入されるガスが上記ウエハ支
持板１９上に載置される複数枚のウエハ１６に対して均
等に作用せず、ウエハに成長させられる膜厚にバラツキ
が生じる。この膜厚のバラツキは、ウエハごとにも生じ
るし、単一のウエハ上の領域においても生じる。
【０００６】本願発明は、このような事情のもとで考え
出されたものであって、ＣＶＤ装置において、簡単な構
成により、供給ガスがより均等にチャンバ内に拡散し
て、ウエハ上により均一な成長膜を形成することができ
るようにすることをその課題とする。
出されたものであって、ＣＶＤ装置において、簡単な構
成により、供給ガスがより均等にチャンバ内に拡散し
て、ウエハ上により均一な成長膜を形成することができ
るようにすることをその課題とする。
【０００７】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の各技術的手段を採用した。
は、次の各技術的手段を採用した。
【０００８】すなわち、本願発明のＣＶＤ装置は、チャ
ンバと、このチャンバの底壁にこれを垂直方向に貫通す
るようにして支持されるガス導管を兼ねた回転支軸と、
この回転支軸の上端部に取付けられるウエハ支持部材
と、上記回転支軸の上端に同軸状に連結され、回転支軸
を通ってチャンバ内に導入される供給ガスの流れを放射
状流れに変更する整流部材と、を備えるＣＶＤ装置にお
いて、上記整流部材は、所定の大きさの貫通孔をもつ下
部板と、この下部板の上面に下端が接続されて垂直方向
上方に延び、中心から複数枚の整流板が放射状に延びる
形態をもつ支柱と、この支柱の上端に接続された天板と
を有して構成されている。
ンバと、このチャンバの底壁にこれを垂直方向に貫通す
るようにして支持されるガス導管を兼ねた回転支軸と、
この回転支軸の上端部に取付けられるウエハ支持部材
と、上記回転支軸の上端に同軸状に連結され、回転支軸
を通ってチャンバ内に導入される供給ガスの流れを放射
状流れに変更する整流部材と、を備えるＣＶＤ装置にお
いて、上記整流部材は、所定の大きさの貫通孔をもつ下
部板と、この下部板の上面に下端が接続されて垂直方向
上方に延び、中心から複数枚の整流板が放射状に延びる
形態をもつ支柱と、この支柱の上端に接続された天板と
を有して構成されている。
【０００９】たとえば、上記支柱を構成する整流板を４
枚とする場合、この支柱の横断面は十字形となる。回転
支軸から上記下部板の貫通孔を通過したガス流れは、こ
の十字形で区切られる４つの横断面扇形空間に分流され
る。こうして分流されたガス流れは、天板によって方向
を変えられ、放射方向に拡散してゆく。一つの扇形空間
に入りこんだガス流れは、他の扇形空間に流れることは
ないので、この整流部材により、まず、ガス流れが放射
方向に均等に拡散する傾向が与えられる。そして、上記
扇形空間内には、放射状に拡散するガス流れを遮るもの
が存在しないので、ガス流れに乱れ（うず）が生じるこ
ともない。その結果、上記ガス導管を兼ねた垂直状回転
支軸を介してチャンバ内に導入されるガスが、水平方向
に均等に放射拡散し、ウエハ支持部材上に載置されるウ
エハには、均等な厚みの成長膜が形成されることにな
る。
枚とする場合、この支柱の横断面は十字形となる。回転
支軸から上記下部板の貫通孔を通過したガス流れは、こ
の十字形で区切られる４つの横断面扇形空間に分流され
る。こうして分流されたガス流れは、天板によって方向
を変えられ、放射方向に拡散してゆく。一つの扇形空間
に入りこんだガス流れは、他の扇形空間に流れることは
ないので、この整流部材により、まず、ガス流れが放射
方向に均等に拡散する傾向が与えられる。そして、上記
扇形空間内には、放射状に拡散するガス流れを遮るもの
が存在しないので、ガス流れに乱れ（うず）が生じるこ
ともない。その結果、上記ガス導管を兼ねた垂直状回転
支軸を介してチャンバ内に導入されるガスが、水平方向
に均等に放射拡散し、ウエハ支持部材上に載置されるウ
エハには、均等な厚みの成長膜が形成されることにな
る。
【００１０】本願発明のＣＶＤ装置の好ましい実施形態
においては、上記整流部材の上記下部板の下端にはボス
部が連設されており、このボス部を上記回転支軸の上端
に挿入して上記回転支軸に連結するようになっている。
においては、上記整流部材の上記下部板の下端にはボス
部が連設されており、このボス部を上記回転支軸の上端
に挿入して上記回転支軸に連結するようになっている。
【００１１】このように構成すれば、整流部材を回転支
軸に対して、たとえば溶接や接着といった手段を採用す
ることなく簡易に取付けることができる。また、溶接部
材や接着部材による不純物の拡散をなくし、純度の高い
成長膜をウエハ上に形成することができる。このこと
は、このようなＣＶＤ装置による膜形成工程を経て製造
される製品の品質性能を高めることに大きく寄与する。
軸に対して、たとえば溶接や接着といった手段を採用す
ることなく簡易に取付けることができる。また、溶接部
材や接着部材による不純物の拡散をなくし、純度の高い
成長膜をウエハ上に形成することができる。このこと
は、このようなＣＶＤ装置による膜形成工程を経て製造
される製品の品質性能を高めることに大きく寄与する。
【００１２】本願発明のＣＶＤ装置の好ましい実施形態
においてはまた、上記整流部材は、石英ガラスのみによ
って形成されている。
においてはまた、上記整流部材は、石英ガラスのみによ
って形成されている。
【００１３】このように構成すれば、供給ガスに対する
整流部材の耐腐食性能が高まり、装置の長期間にわたる
連続運転が可能となる。
整流部材の耐腐食性能が高まり、装置の長期間にわたる
連続運転が可能となる。
【００１４】本願発明のＣＶＤ装置の好ましい実施形態
においてはさらに、上記整流部材の表面の一部または全
部には、微小な凹凸が形成されている。
においてはさらに、上記整流部材の表面の一部または全
部には、微小な凹凸が形成されている。
【００１５】上記の凹凸は、たとえば、ブラスト処理に
よって形成することができる。ＣＶＤ装置の作動を繰り
返すにしたがい、整流部材の表面にもウエハに形成する
べき膜が堆積することがあるが、上記のように表面に微
小な凹凸を形成することにより、この膜を整流部材に対
して高い付着力をもって付着させておくことができる。
その結果、運転を長期間継続しても、不用意にこの整流
部材に堆積した物質が剥離して、これがウエハを汚染し
たり、ウエハに形成される膜の表面を荒らしたりすると
いった不具合を回避することができる。このことも、こ
のようなＣＶＤ装置による膜形成工程を経て製造される
製品の品質性能を高めることに大きく寄与する。
よって形成することができる。ＣＶＤ装置の作動を繰り
返すにしたがい、整流部材の表面にもウエハに形成する
べき膜が堆積することがあるが、上記のように表面に微
小な凹凸を形成することにより、この膜を整流部材に対
して高い付着力をもって付着させておくことができる。
その結果、運転を長期間継続しても、不用意にこの整流
部材に堆積した物質が剥離して、これがウエハを汚染し
たり、ウエハに形成される膜の表面を荒らしたりすると
いった不具合を回避することができる。このことも、こ
のようなＣＶＤ装置による膜形成工程を経て製造される
製品の品質性能を高めることに大きく寄与する。
【００１６】本願発明のその他の特徴および利点は、添
付図面を参照して以下に行う詳細な説明より、さらに明
らかとなろう。
付図面を参照して以下に行う詳細な説明より、さらに明
らかとなろう。
【００１７】
【発明の実施の形態】本願発明は、図１に概要を示され
る水平回転式ＣＶＤ装置１０において、チャンバ１１の
底壁１２を垂直方向に貫通するように取付けられる回転
支軸１３の上端に取付けられる整流部材３０の形態に特
徴づけられるものである。ＣＶＤ装置１０の全体構成お
よびその作動についてはすでに説明を行ったので、ここ
での説明は省略する。
る水平回転式ＣＶＤ装置１０において、チャンバ１１の
底壁１２を垂直方向に貫通するように取付けられる回転
支軸１３の上端に取付けられる整流部材３０の形態に特
徴づけられるものである。ＣＶＤ装置１０の全体構成お
よびその作動についてはすでに説明を行ったので、ここ
での説明は省略する。
【００１８】本願発明に係る整流部材３０の一形態を図
４ないし図６に示す。この整流部材３０は、上記したガ
ス導管を兼ねた垂直回転支軸１３の上端に挿入嵌合され
る円筒状ボス部３１と、この円筒状ボス部３１の上端に
連結され、中心に円形貫通孔３２を有するドーナツ円板
状の下部板３３と、この下部板３３の上面に下端が接続
されて垂直方向上方に延び、中心から４枚の整流板３４
ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄが等間隔放射状に延びる形
態をもつ支柱３４と、この支柱３４の上端に接続された
円板状の天板３５とを備える。上記円筒状ボス部３１、
下部板３３、支柱３４ないし天板３５は、すべて垂直方
向の同一軸線Ｌ1 上に配列され、この軸線Ｌ1 は、回転
支軸１３の軸線Ｌ2 と一致させられる。本実施形態にお
いては、上記支柱３４は４枚の整流板３４ａ，３４ｂ，
３４ｃ，３４ｄが等間隔放射状に延びるように形成され
ているため、横断面は十字状となっている。
４ないし図６に示す。この整流部材３０は、上記したガ
ス導管を兼ねた垂直回転支軸１３の上端に挿入嵌合され
る円筒状ボス部３１と、この円筒状ボス部３１の上端に
連結され、中心に円形貫通孔３２を有するドーナツ円板
状の下部板３３と、この下部板３３の上面に下端が接続
されて垂直方向上方に延び、中心から４枚の整流板３４
ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄが等間隔放射状に延びる形
態をもつ支柱３４と、この支柱３４の上端に接続された
円板状の天板３５とを備える。上記円筒状ボス部３１、
下部板３３、支柱３４ないし天板３５は、すべて垂直方
向の同一軸線Ｌ1 上に配列され、この軸線Ｌ1 は、回転
支軸１３の軸線Ｌ2 と一致させられる。本実施形態にお
いては、上記支柱３４は４枚の整流板３４ａ，３４ｂ，
３４ｃ，３４ｄが等間隔放射状に延びるように形成され
ているため、横断面は十字状となっている。
【００１９】上記整流部材３０は、上記円筒状ボス部３
１、下部板３３、支柱３４および天板３５をそれぞれ透
明石英によって作成し、これらを互いに溶接することに
よって作製することができる。ここでの溶接とは、各部
材を形成する石英の一部を溶かして溶接する意であり、
したがって、本実施形態の整流部材３４は、石英のみで
作製されることになる。
１、下部板３３、支柱３４および天板３５をそれぞれ透
明石英によって作成し、これらを互いに溶接することに
よって作製することができる。ここでの溶接とは、各部
材を形成する石英の一部を溶かして溶接する意であり、
したがって、本実施形態の整流部材３４は、石英のみで
作製されることになる。
【００２０】さらに、上記実施形態に係る整流部材３０
においては、少なくとも円筒状ボス部３１を除く部位の
表面に、図６に示すような微小な凹凸３６を形成してあ
る。このような凹凸３６は、たとえばサンドブラスト法
によって簡易に形成することができる。
においては、少なくとも円筒状ボス部３１を除く部位の
表面に、図６に示すような微小な凹凸３６を形成してあ
る。このような凹凸３６は、たとえばサンドブラスト法
によって簡易に形成することができる。
【００２１】次に、上記実施形態に係る整流部材３０を
上記回転支軸１３の上端に装着した場合の作用について
説明する。
上記回転支軸１３の上端に装着した場合の作用について
説明する。
【００２２】供給ガス導管を兼ねた回転支軸１３中から
整流部材３０の円筒状ボス部３１内を上昇する供給ガス
は、下部板３３の貫通孔３２を通った後、上記十字状支
柱３４における各整流板３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４
ｄによって仕切られる４つの断面扇形空間に分流され
る。こうして分流されたガス流れは、天板３５によって
方向を変えられ、放射方向に拡散してゆく。一つの扇形
空間に入りこんだガス流れは、他の扇形空間に流れるこ
とはないので、この整流部材３０により、ガス流れが放
射方向に均等に拡散する傾向が与えられる。そして、上
記扇形空間内には、放射状に拡散するガス流れを遮るも
のが存在しないので、ガス流れに乱れ（うず）が生じる
こともない。その結果、上記ガス導管を兼ねた垂直状回
転支軸１３を介してチャンバ１１内に導入されるガス
が、水平方向に均等に放射拡散し、ウエハ支持部材１９
上に載置されるウエハ１６には、均等な厚みの成長膜が
形成されることになる。
整流部材３０の円筒状ボス部３１内を上昇する供給ガス
は、下部板３３の貫通孔３２を通った後、上記十字状支
柱３４における各整流板３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４
ｄによって仕切られる４つの断面扇形空間に分流され
る。こうして分流されたガス流れは、天板３５によって
方向を変えられ、放射方向に拡散してゆく。一つの扇形
空間に入りこんだガス流れは、他の扇形空間に流れるこ
とはないので、この整流部材３０により、ガス流れが放
射方向に均等に拡散する傾向が与えられる。そして、上
記扇形空間内には、放射状に拡散するガス流れを遮るも
のが存在しないので、ガス流れに乱れ（うず）が生じる
こともない。その結果、上記ガス導管を兼ねた垂直状回
転支軸１３を介してチャンバ１１内に導入されるガス
が、水平方向に均等に放射拡散し、ウエハ支持部材１９
上に載置されるウエハ１６には、均等な厚みの成長膜が
形成されることになる。
【００２３】また、上記整流部材３０は石英のみで形成
されており、かつ、円筒状ボス部３１を挿着することに
よって回転支軸１３に取付けることができるように構成
されているので、組み付けが簡単になり、また、溶接部
材や接着部材による不純物の拡散をなくし、純度の高い
成長膜をウエハ上に形成することができる。このこと
は、このようなＣＶＤ装置による膜形成工程を経て製造
される製品の品質性能を高めることに大きく寄与する。
されており、かつ、円筒状ボス部３１を挿着することに
よって回転支軸１３に取付けることができるように構成
されているので、組み付けが簡単になり、また、溶接部
材や接着部材による不純物の拡散をなくし、純度の高い
成長膜をウエハ上に形成することができる。このこと
は、このようなＣＶＤ装置による膜形成工程を経て製造
される製品の品質性能を高めることに大きく寄与する。
【００２４】さらに、上記整流部材３０の表面には微小
な凹凸３６が形成されているので、ＣＶＤ装置の作動を
繰り返すにしたがい、整流部材３０の表面にもウエハに
形成するべき膜が堆積することがあるが、この膜を整流
部材３０の表面に対して高い付着力をもって付着させて
おくことができる。その結果、運転を長期間継続して
も、不用意にこの整流部材３０に堆積した物質が剥離し
て、これがウエハ１６を汚染したり、ウエハ１６に形成
される膜の表面を荒らしたりするといった不具合を回避
することができる。このことも、このようなＣＶＤ装置
による膜形成工程を経て製造される製品の品質性能を高
めることに大きく寄与する。
な凹凸３６が形成されているので、ＣＶＤ装置の作動を
繰り返すにしたがい、整流部材３０の表面にもウエハに
形成するべき膜が堆積することがあるが、この膜を整流
部材３０の表面に対して高い付着力をもって付着させて
おくことができる。その結果、運転を長期間継続して
も、不用意にこの整流部材３０に堆積した物質が剥離し
て、これがウエハ１６を汚染したり、ウエハ１６に形成
される膜の表面を荒らしたりするといった不具合を回避
することができる。このことも、このようなＣＶＤ装置
による膜形成工程を経て製造される製品の品質性能を高
めることに大きく寄与する。
【００２５】もちろん、この発明の範囲は上述した実施
形態に限定されるものではない。たとえば、上述した実
施形態における整流部材３０は、その支柱３４が横断面
十字状になっているが、この支柱３４を構成する整流板
３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄの枚数は、４枚以外
の、たとえば３枚、あるいは５枚以上としても、もちろ
んよい。
形態に限定されるものではない。たとえば、上述した実
施形態における整流部材３０は、その支柱３４が横断面
十字状になっているが、この支柱３４を構成する整流板
３４ａ，３４ｂ，３４ｃ，３４ｄの枚数は、４枚以外
の、たとえば３枚、あるいは５枚以上としても、もちろ
んよい。
【００２６】また、本願発明のＣＶＤ装置１０は、Ｓｉ
Ｈ4 とＮＨ3 との混合ガスを供給してウエハ表面に窒化
膜を形成する場合に限らず、供給ガスが垂直導管を介し
てチャンバに導入されるものであれば、どのようなＣＶ
Ｄ装置にも適用可能であることはいうまでもない。
Ｈ4 とＮＨ3 との混合ガスを供給してウエハ表面に窒化
膜を形成する場合に限らず、供給ガスが垂直導管を介し
てチャンバに導入されるものであれば、どのようなＣＶ
Ｄ装置にも適用可能であることはいうまでもない。
【図１】本願発明が前提とするＣＶＤ装置の全体構成の
説明図である。
説明図である。
【図２】従来の整流部材を示す側面図である。
【図３】図２のIII −III 線に沿う断面図である。
【図４】本願発明に係るＣＶＤ装置の整流部材の一実施
形態を示す側面図である。
形態を示す側面図である。
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。
【図６】整流部材の表面状態を説明するための断面図で
ある。
ある。
１０ ＣＶＤ装置 １１ チャンバ １２ （チャンバ）の底壁 １３ 回転支軸 １９ ウエハ支持板 ３０ 整流部材 ３１ 円筒状ボス部 ３２ 貫通孔 ３３ 下部板 ３４ 支柱 ３４ａ〜３４ｄ 整流板 ３５ 天板 ３６ 凹凸
Claims (4)
- 【請求項１】 チャンバと、このチャンバの底壁にこれ
を垂直方向に貫通するようにして支持されるガス導管を
兼ねた回転支軸と、この回転支軸の上端部に取付けられ
るウエハ支持部材と、上記回転支軸の上端に同軸状に連
結され、回転支軸を通ってチャンバ内に導入される供給
ガスの流れを放射状流れに変更する整流部材と、を備え
るＣＶＤ装置において、 上記整流部材は、所定の大きさの貫通孔をもつ下部板
と、この下部板の上面に下端が接続されて垂直方向上方
に延び、中心から複数枚の整流板が放射状に延びる形態
をもつ支柱と、この支柱の上端に接続された天板とを有
して構成されていることを特徴とする、ＣＶＤ装置。 - 【請求項２】 上記整流部材の上記下部板の下端にはボ
ス部が連設されており、このボス部を上記回転支軸の上
端に挿入して上記回転支軸に連結するようになってい
る、請求項１に記載のＣＶＤ装置。 - 【請求項３】 上記整流部材は、石英ガラスのみによっ
て形成されている、請求項１または２に記載のＣＶＤ装
置。 - 【請求項４】 上記整流部材の表面の一部または全部に
は、微小な凹凸が形成されている、請求項３に記載のＣ
ＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26571295A JPH09115896A (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26571295A JPH09115896A (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115896A true JPH09115896A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17420969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26571295A Pending JPH09115896A (ja) | 1995-10-13 | 1995-10-13 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09115896A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980064221A (ko) * | 1996-12-18 | 1998-10-07 | 로더리히네테부쉬 | 디바이스층에서의 반응물의 균일한 분포 |
| JP2005331065A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Yazaki Corp | ボス構造及びこれを有する板状部材を成形するための金型 |
| TWI418649B (zh) * | 2009-01-16 | 2013-12-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 化學氣相沈積系統 |
| CN112513325A (zh) * | 2018-08-31 | 2021-03-16 | 应用材料公司 | 减少粒子产生的气体扩散器支撑结构 |
-
1995
- 1995-10-13 JP JP26571295A patent/JPH09115896A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19980064221A (ko) * | 1996-12-18 | 1998-10-07 | 로더리히네테부쉬 | 디바이스층에서의 반응물의 균일한 분포 |
| JP2005331065A (ja) * | 2004-05-21 | 2005-12-02 | Yazaki Corp | ボス構造及びこれを有する板状部材を成形するための金型 |
| JP4568026B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2010-10-27 | 矢崎総業株式会社 | ボス構造及びこれを有する板状部材を成形するための金型 |
| TWI418649B (zh) * | 2009-01-16 | 2013-12-11 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 化學氣相沈積系統 |
| CN112513325A (zh) * | 2018-08-31 | 2021-03-16 | 应用材料公司 | 减少粒子产生的气体扩散器支撑结构 |
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