JPH11154670A - 化学的気相成長成膜装置 - Google Patents
化学的気相成長成膜装置Info
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- JPH11154670A JPH11154670A JP9319594A JP31959497A JPH11154670A JP H11154670 A JPH11154670 A JP H11154670A JP 9319594 A JP9319594 A JP 9319594A JP 31959497 A JP31959497 A JP 31959497A JP H11154670 A JPH11154670 A JP H11154670A
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- Japan
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- wafer
- vapor deposition
- film
- wafers
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ３枚以上のウエハに膜厚及び膜質が同じＣＶ
Ｄ膜を成膜するようにした化学的気相成長成膜装置を提
供する。 【解決手段】 本発明に係るＬＰＣＶＤ装置は、３枚以
上のウエハをウエハ周縁部で平行かつ水平に保持して、
搭載する縦型の石英ボート４０と、石英ボート４０を収
容するプロセスチャンバと、原料ガスをプロセスチャン
バの下部に導入するガス導入インジェクタ２０とを備
え、石英ボート４０の下端から上端に向けプロセスチャ
ンバ内で原料ガスを流して、化学的気相成長法によりＣ
ＶＤ膜をウエハ面に成膜する縦型の化学的気相成長成膜
装置である。石英ボート４０は、ウエハ同士の間隔が石
英ボート４０の下端から上端にかけて段階的に大きくな
るようにウエハを保持するようにされている。これによ
り、ウエハに供給される原料ガス分子の量を均一にする
ことができ、よって、石英ボート４０に搭載されるウエ
ハ同士の膜厚及び膜質の均一性を向上させることができ
る。
Ｄ膜を成膜するようにした化学的気相成長成膜装置を提
供する。 【解決手段】 本発明に係るＬＰＣＶＤ装置は、３枚以
上のウエハをウエハ周縁部で平行かつ水平に保持して、
搭載する縦型の石英ボート４０と、石英ボート４０を収
容するプロセスチャンバと、原料ガスをプロセスチャン
バの下部に導入するガス導入インジェクタ２０とを備
え、石英ボート４０の下端から上端に向けプロセスチャ
ンバ内で原料ガスを流して、化学的気相成長法によりＣ
ＶＤ膜をウエハ面に成膜する縦型の化学的気相成長成膜
装置である。石英ボート４０は、ウエハ同士の間隔が石
英ボート４０の下端から上端にかけて段階的に大きくな
るようにウエハを保持するようにされている。これによ
り、ウエハに供給される原料ガス分子の量を均一にする
ことができ、よって、石英ボート４０に搭載されるウエ
ハ同士の膜厚及び膜質の均一性を向上させることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハのよ
うな半導体基板表面に、化学的気相成長法を用いてＣＶ
Ｄ膜の成膜を行う化学的気相成長成膜装置に関し、更に
詳細には、３枚以上のウエハ上に互いに均一な膜厚、膜
質のＣＶＤ膜、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜
等を成膜する化学的気相成長成膜装置に関するものであ
る。
うな半導体基板表面に、化学的気相成長法を用いてＣＶ
Ｄ膜の成膜を行う化学的気相成長成膜装置に関し、更に
詳細には、３枚以上のウエハ上に互いに均一な膜厚、膜
質のＣＶＤ膜、例えばシリコン酸化膜やシリコン窒化膜
等を成膜する化学的気相成長成膜装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程では、化学的気相
成長法（Chemical Vapor Deposition)を使って、種々の
ＣＶＤ膜を基板上に成膜している。化学的気相成長法を
実施する化学的気相成長成膜装置には、例えば、常圧Ｃ
ＶＤ装置、減圧ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置等の種
類がある。
成長法（Chemical Vapor Deposition)を使って、種々の
ＣＶＤ膜を基板上に成膜している。化学的気相成長法を
実施する化学的気相成長成膜装置には、例えば、常圧Ｃ
ＶＤ装置、減圧ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置等の種
類がある。
【０００３】ここで、図２を参照して、減圧化学的気相
成長法の実施に使用する従来の縦型減圧式の化学的気相
成長装置（以下、ＬＰＣＶＤ装置）の構成を説明する。
図２は、ＬＰＣＶＤ装置の構成を示す模式的縦断面側面
図である。従来のＬＰＣＶＤ装置１０は、石英製の円筒
状インナーチューブ１２を内部に収容する縦型の石英製
のアウターチューブ１４と、石英アウターチューブ１４
の周囲に設けられ、石英アウターチューブ１４を加熱す
るヒータ１６と、アウターチューブ１４から反応ガスの
残りを排気して所定の真空圧に維持する真空ポンプ１８
と備えている。更に、アウターチューブ１４は、側壁下
部に、反応ガスをインナーチューブ１２に送入するガス
導入インジェクタ２０及び真空ポンプ１６に接続する排
気口２２を備えている。アウターチューブ１４の下端部
には着脱自在なマニホールド２４が装着されており、マ
ニホールド２４を取り外して、被成膜物である多数枚の
ウエハＷを水平に保持する石英ボート２６をインナーチ
ューブ１２内に送入するようになっている。石英ボート
２６は、キャップ２８を介してマニホールド２４上に支
持されている。ヒータ１６は、上から下に、順次、設け
られた、上部ヒーターユニット１６Ａ、中部ヒーターユ
ニット１６Ｂ、及び下部ヒーターユニット１６Ｃからな
る。
成長法の実施に使用する従来の縦型減圧式の化学的気相
成長装置（以下、ＬＰＣＶＤ装置）の構成を説明する。
図２は、ＬＰＣＶＤ装置の構成を示す模式的縦断面側面
図である。従来のＬＰＣＶＤ装置１０は、石英製の円筒
状インナーチューブ１２を内部に収容する縦型の石英製
のアウターチューブ１４と、石英アウターチューブ１４
の周囲に設けられ、石英アウターチューブ１４を加熱す
るヒータ１６と、アウターチューブ１４から反応ガスの
残りを排気して所定の真空圧に維持する真空ポンプ１８
と備えている。更に、アウターチューブ１４は、側壁下
部に、反応ガスをインナーチューブ１２に送入するガス
導入インジェクタ２０及び真空ポンプ１６に接続する排
気口２２を備えている。アウターチューブ１４の下端部
には着脱自在なマニホールド２４が装着されており、マ
ニホールド２４を取り外して、被成膜物である多数枚の
ウエハＷを水平に保持する石英ボート２６をインナーチ
ューブ１２内に送入するようになっている。石英ボート
２６は、キャップ２８を介してマニホールド２４上に支
持されている。ヒータ１６は、上から下に、順次、設け
られた、上部ヒーターユニット１６Ａ、中部ヒーターユ
ニット１６Ｂ、及び下部ヒーターユニット１６Ｃからな
る。
【０００４】石英ボート２６は、図３に示すように、ウ
エハ周縁部を取り囲むようにほぼ等間隔で配置された複
数本の石英柱３２と、石英柱３２を連結するリング状の
連結輪３４とを備えている。各石英柱３２の内側には、
ウエハ周縁部を支持するために、水平方向に延びる支持
溝３６が、図３（ａ）及び（ｃ）に示すように、設けて
ある。ＣＶＤ膜を成膜する際に、石英ボート２６に収容
されたウエハＷは、図３（ｂ）及び（ｃ）に示すよう
に、ウエハ周縁部を支持溝３６に挿入して保持されてい
る。ここで、図３（ａ）は従来の化学的気相成長成膜装
置に備える石英ボートの構成を示す斜視図、図３（ｂ）
は石英ボートの平面図、及び図３（ｃ）は石英ボートの
石英柱のウエハ支持溝を示す断面図である。また、図４
は、石英ボートの部分断面拡大側面図である。
エハ周縁部を取り囲むようにほぼ等間隔で配置された複
数本の石英柱３２と、石英柱３２を連結するリング状の
連結輪３４とを備えている。各石英柱３２の内側には、
ウエハ周縁部を支持するために、水平方向に延びる支持
溝３６が、図３（ａ）及び（ｃ）に示すように、設けて
ある。ＣＶＤ膜を成膜する際に、石英ボート２６に収容
されたウエハＷは、図３（ｂ）及び（ｃ）に示すよう
に、ウエハ周縁部を支持溝３６に挿入して保持されてい
る。ここで、図３（ａ）は従来の化学的気相成長成膜装
置に備える石英ボートの構成を示す斜視図、図３（ｂ）
は石英ボートの平面図、及び図３（ｃ）は石英ボートの
石英柱のウエハ支持溝を示す断面図である。また、図４
は、石英ボートの部分断面拡大側面図である。
【０００５】ウエハ上にＣＶＤ膜を成膜する際には、石
英ボート２６にウエハＷを水平に収容して、ヒータ１６
で加熱したインナーチューブ１２内に送入し、次いで真
空ポンプ１６により吸引して減圧状態にして材料ガスを
導入する。これにより、化学的気相成長が、ウエハＷ上
で起こり、ＣＶＤ膜がウエハＷ上に形成される。
英ボート２６にウエハＷを水平に収容して、ヒータ１６
で加熱したインナーチューブ１２内に送入し、次いで真
空ポンプ１６により吸引して減圧状態にして材料ガスを
導入する。これにより、化学的気相成長が、ウエハＷ上
で起こり、ＣＶＤ膜がウエハＷ上に形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＣＶＤ膜の
成膜で重要なことは、ウエハ全面にわたり均一な膜厚で
均質な膜を成膜することである。例えば、ＣＶＤ膜のウ
エハ面内均一性が悪いと、後工程で実施される露光作業
が制約され、膜の光学定数の均一化などの要求を満たす
ことが難しくなる。しかし、従来のＬＰＣＶＤ装置で
は、ウエハ上に成膜されるＣＶＤ膜は、石英ボートの下
部２６Ａのウエハでは厚く、石英ボートの上部２６Ｂの
ウエハでは薄いという問題があった。以上の説明では、
ＬＰＣＶＤ装置を例にして説明したが、ＬＰＣＶＤ装置
以外の常圧ＣＶＤ装置でも同じような問題があった。こ
の問題の対策として、各ウエハに均一に成膜されるよう
に、炉内、すなわちインナーチューブ内のゾーンが所定
の温度勾配を有するようにコントロールする方法もある
が、各ウエハでの反応温度が異なると成膜されるＣＶＤ
膜の膜質がウエハ毎に異なるため、一定の膜質のＣＶＤ
膜を成膜することができないという別の問題が生じる。
以上のような事情に照らして、本発明の目的は、３枚以
上のウエハに膜厚及び膜質が同じＣＶＤ膜を成膜するよ
うにした化学的気相成長成膜装置を提供することであ
る。
成膜で重要なことは、ウエハ全面にわたり均一な膜厚で
均質な膜を成膜することである。例えば、ＣＶＤ膜のウ
エハ面内均一性が悪いと、後工程で実施される露光作業
が制約され、膜の光学定数の均一化などの要求を満たす
ことが難しくなる。しかし、従来のＬＰＣＶＤ装置で
は、ウエハ上に成膜されるＣＶＤ膜は、石英ボートの下
部２６Ａのウエハでは厚く、石英ボートの上部２６Ｂの
ウエハでは薄いという問題があった。以上の説明では、
ＬＰＣＶＤ装置を例にして説明したが、ＬＰＣＶＤ装置
以外の常圧ＣＶＤ装置でも同じような問題があった。こ
の問題の対策として、各ウエハに均一に成膜されるよう
に、炉内、すなわちインナーチューブ内のゾーンが所定
の温度勾配を有するようにコントロールする方法もある
が、各ウエハでの反応温度が異なると成膜されるＣＶＤ
膜の膜質がウエハ毎に異なるため、一定の膜質のＣＶＤ
膜を成膜することができないという別の問題が生じる。
以上のような事情に照らして、本発明の目的は、３枚以
上のウエハに膜厚及び膜質が同じＣＶＤ膜を成膜するよ
うにした化学的気相成長成膜装置を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は、ＣＶＤ膜の
成膜に際し、従来のＬＰＣＶＤ装置では、ウエハ上に成
膜されるＣＶＤ膜の膜厚が上記のようにばらつく原因を
調べ、次のことを見い出した。従来の石英ボート２６で
は、成膜の時に、石英ボートの下部２６Ａ、すなわちガ
ス導入インジェクタ２０の近傍では、ウエハに到達する
原料ガス分子の量が多く、ウエハ面に充分に原料ガスが
供給されている。従って、ＣＶＤ膜の成長の律速はＣＶ
Ｄ反応速度によって決められ、このため、ＣＶＤ膜の成
長速度は比較的速い。一方、石英ボートの上部２６Ｂ、
すなわちガス導入インジェクタから遠いゾーンでは、ウ
エハに到達する原料ガス分子の量が石英ボートの上部２
６Ａに比べ少なく、ウエハ面に供給される原料ガスが充
分でない。従って、ＣＶＤ膜の成長の律速は原料ガスの
供給速度によって決められ、このため、ＣＶＤ膜の成長
速度は比較的遅い。そこで、本発明者は、ウエハに供給
される原料ガスの供給速度を石英ボートに搭載された全
てのウエハで均一にすることを検討し、ウエハ同士の間
隔（以下、ウエハピッチと言う）を下端から上端にかけ
て段階的に変化させることを考え付き、実験を重ねて本
発明を完成するに到った。
成膜に際し、従来のＬＰＣＶＤ装置では、ウエハ上に成
膜されるＣＶＤ膜の膜厚が上記のようにばらつく原因を
調べ、次のことを見い出した。従来の石英ボート２６で
は、成膜の時に、石英ボートの下部２６Ａ、すなわちガ
ス導入インジェクタ２０の近傍では、ウエハに到達する
原料ガス分子の量が多く、ウエハ面に充分に原料ガスが
供給されている。従って、ＣＶＤ膜の成長の律速はＣＶ
Ｄ反応速度によって決められ、このため、ＣＶＤ膜の成
長速度は比較的速い。一方、石英ボートの上部２６Ｂ、
すなわちガス導入インジェクタから遠いゾーンでは、ウ
エハに到達する原料ガス分子の量が石英ボートの上部２
６Ａに比べ少なく、ウエハ面に供給される原料ガスが充
分でない。従って、ＣＶＤ膜の成長の律速は原料ガスの
供給速度によって決められ、このため、ＣＶＤ膜の成長
速度は比較的遅い。そこで、本発明者は、ウエハに供給
される原料ガスの供給速度を石英ボートに搭載された全
てのウエハで均一にすることを検討し、ウエハ同士の間
隔（以下、ウエハピッチと言う）を下端から上端にかけ
て段階的に変化させることを考え付き、実験を重ねて本
発明を完成するに到った。
【０００８】上記目的を達成するために、本発明に係る
化学的気相成長成膜装置は、３枚以上のウエハをウエハ
周縁部で平行かつ水平に保持して、搭載する縦型の石英
ボートと、石英ボートを収容するプロセスチャンバと、
原料ガスをプロセスチャンバの下部に導入するガス導入
インジェクタとを備え、石英ボートの下端から上端に向
けプロセスチャンバ内で原料ガスを流して、化学的気相
成長法によりＣＶＤ膜をウエハ面に成膜する縦型の化学
的気相成長成膜装置において、石英ボートは、ウエハ同
士の間隔が石英ボートの下端から上端にかけて段階的に
大きくなるようにウエハを保持するようにしたことを特
徴としている。
化学的気相成長成膜装置は、３枚以上のウエハをウエハ
周縁部で平行かつ水平に保持して、搭載する縦型の石英
ボートと、石英ボートを収容するプロセスチャンバと、
原料ガスをプロセスチャンバの下部に導入するガス導入
インジェクタとを備え、石英ボートの下端から上端に向
けプロセスチャンバ内で原料ガスを流して、化学的気相
成長法によりＣＶＤ膜をウエハ面に成膜する縦型の化学
的気相成長成膜装置において、石英ボートは、ウエハ同
士の間隔が石英ボートの下端から上端にかけて段階的に
大きくなるようにウエハを保持するようにしたことを特
徴としている。
【０００９】本発明の好適な実施態様では、石英ボート
が、ウエハ周縁部を取り囲むように離隔、配置された複
数本の縦石英柱と、縦石英柱の内側に設けられた水平方
向に延在する支持溝とを有し、支持溝の上下の間隔が石
英ボートの下端から上端にかけて段階的に大きくなって
おり、支持溝にウエハ周縁部を挿入してウエハを支持す
るように構成されている。
が、ウエハ周縁部を取り囲むように離隔、配置された複
数本の縦石英柱と、縦石英柱の内側に設けられた水平方
向に延在する支持溝とを有し、支持溝の上下の間隔が石
英ボートの下端から上端にかけて段階的に大きくなって
おり、支持溝にウエハ周縁部を挿入してウエハを支持す
るように構成されている。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、実施形態例を挙げ、添付
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る化学的気相成長成膜装置
の実施形態の例であって、図１は、本実施形態例の化学
的気相成長成膜装置に設けられた、ウエハを保持してい
る石英ボートの部分断面拡大側面図である。本実施形態
例の化学的気相成長成膜装置は、石英ボートを除いて、
図２に示す従来のＬＰＣＶＤ装置と同じ構成のＬＰＣＶ
Ｄ装置である。本ＬＰＣＶＤ装置に設けられた石英ボー
ト４０は、ウエハの半周より短い長さにわたりウエハ周
縁部を取り囲むように離隔してほぼ等間隔で配置された
複数本の縦石英柱４２と、縦石英柱４２を連結するリン
グ状の連結輪４４とを備えていて、各縦石英柱４２の内
側には、ウエハ周縁部を支持するために、水平方向に延
びる支持溝（図示せず）が形成されている。支持溝は、
各ウエハ面に供給される原料ガス分子の量が均一になる
ように、ウエハピッチが石英ボート４０の下端から上端
にかけて段階的に大きくなるような位置に形成されてい
る。
図面を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつ詳細
に説明する。実施形態例 本実施形態例は、本発明に係る化学的気相成長成膜装置
の実施形態の例であって、図１は、本実施形態例の化学
的気相成長成膜装置に設けられた、ウエハを保持してい
る石英ボートの部分断面拡大側面図である。本実施形態
例の化学的気相成長成膜装置は、石英ボートを除いて、
図２に示す従来のＬＰＣＶＤ装置と同じ構成のＬＰＣＶ
Ｄ装置である。本ＬＰＣＶＤ装置に設けられた石英ボー
ト４０は、ウエハの半周より短い長さにわたりウエハ周
縁部を取り囲むように離隔してほぼ等間隔で配置された
複数本の縦石英柱４２と、縦石英柱４２を連結するリン
グ状の連結輪４４とを備えていて、各縦石英柱４２の内
側には、ウエハ周縁部を支持するために、水平方向に延
びる支持溝（図示せず）が形成されている。支持溝は、
各ウエハ面に供給される原料ガス分子の量が均一になる
ように、ウエハピッチが石英ボート４０の下端から上端
にかけて段階的に大きくなるような位置に形成されてい
る。
【００１１】本実施形態例では、以上の構成により石英
ボート４０のウエハピッチを段階的に変化させており、
これにより、各ウエハ面に供給される原料ガス分子の量
がコントロールされるので、従来のように温度勾配を形
成することなく、石英ボート４０に搭載された各ウエハ
に成膜される成膜速度を均一にすることができ、各ウエ
ハＷに、膜厚及び膜質が同じであるＣＶＤ膜を成膜する
ことができる。よって、本実施形態例は、図７に示す従
来のＬＰＣＶＤ装置に比べて、石英ボート４０に搭載す
るウエハ同士の膜厚及び膜質の均一性に優れたＣＶＤ膜
をウエハ上に成膜することができる。
ボート４０のウエハピッチを段階的に変化させており、
これにより、各ウエハ面に供給される原料ガス分子の量
がコントロールされるので、従来のように温度勾配を形
成することなく、石英ボート４０に搭載された各ウエハ
に成膜される成膜速度を均一にすることができ、各ウエ
ハＷに、膜厚及び膜質が同じであるＣＶＤ膜を成膜する
ことができる。よって、本実施形態例は、図７に示す従
来のＬＰＣＶＤ装置に比べて、石英ボート４０に搭載す
るウエハ同士の膜厚及び膜質の均一性に優れたＣＶＤ膜
をウエハ上に成膜することができる。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、化学的気相成長成膜装
置の石英ボートは、ウエハ同士の間隔が石英ボートの下
端から上端にかけて段階的に大きくなるようにウエハを
保持するようにされている。これにより、成膜時にウエ
ハに供給される原料ガス分子の量を均一にすることがで
き、よって、石英ボートに搭載されるウエハ同士の膜厚
及び膜質の均一性を向上させることができる。本発明
は、特に後工程である露光作業の制約からくる膜の光学
定数の均一化などの成膜に対する要求規格が更に厳しく
なる際、非常に有効な手段である。
置の石英ボートは、ウエハ同士の間隔が石英ボートの下
端から上端にかけて段階的に大きくなるようにウエハを
保持するようにされている。これにより、成膜時にウエ
ハに供給される原料ガス分子の量を均一にすることがで
き、よって、石英ボートに搭載されるウエハ同士の膜厚
及び膜質の均一性を向上させることができる。本発明
は、特に後工程である露光作業の制約からくる膜の光学
定数の均一化などの成膜に対する要求規格が更に厳しく
なる際、非常に有効な手段である。
【図１】実施形態例の化学的気相成長成膜装置に設けら
れた、ウエハを保持している石英ボートの部分断面拡大
側面図である。
れた、ウエハを保持している石英ボートの部分断面拡大
側面図である。
【図２】従来のＬＰＣＶＤ装置の構成を示す模式的断面
縦側面図である。
縦側面図である。
【図３】図３（ａ）は従来の化学的気相成長成膜装置に
備える石英ボートの構成を示す斜視図、図３（ｂ）は石
英ボートの平面図、及び図３（ｃ）は石英ボートの縦石
英柱のウエハ支持溝である。
備える石英ボートの構成を示す斜視図、図３（ｂ）は石
英ボートの平面図、及び図３（ｃ）は石英ボートの縦石
英柱のウエハ支持溝である。
【図４】従来の石英ボートの部分断面拡大側面図であ
る。
る。
１０……ＬＰＣＶＤ装置、１２……石英製のインナーチ
ューブ、１４……石英製のアウターチューブ、１６……
ヒータ、１６Ａ……上部ヒーターユニット、１６Ｂ……
中部ヒーターユニット、１６Ｃ……下部ヒーターユニッ
ト、１８……真空ポンプ、２０……ガス導入インジェク
タ、２２……排気口、２４……マニホールド、２６……
石英ボート、２６Ａ……石英ボートの上部、２６Ｂ……
石英ボートの下部、２８……キャップ、３２……石英
柱、３４……連結輪、３６……支持溝、４０……石英ボ
ート、４２……縦石英柱、４４……連結輪。
ューブ、１４……石英製のアウターチューブ、１６……
ヒータ、１６Ａ……上部ヒーターユニット、１６Ｂ……
中部ヒーターユニット、１６Ｃ……下部ヒーターユニッ
ト、１８……真空ポンプ、２０……ガス導入インジェク
タ、２２……排気口、２４……マニホールド、２６……
石英ボート、２６Ａ……石英ボートの上部、２６Ｂ……
石英ボートの下部、２８……キャップ、３２……石英
柱、３４……連結輪、３６……支持溝、４０……石英ボ
ート、４２……縦石英柱、４４……連結輪。
Claims (2)
- 【請求項１】 ３枚以上のウエハをウエハ周縁部で平行
かつ水平に保持して、搭載する縦型の石英ボートと、石
英ボートを収容するプロセスチャンバと、原料ガスをプ
ロセスチャンバの下部に導入するガス導入インジェクタ
とを備え、石英ボートの下端から上端に向けプロセスチ
ャンバ内で原料ガスを流して、化学的気相成長法により
ＣＶＤ膜をウエハ面に成膜する縦型の化学的気相成長成
膜装置において、 石英ボートは、ウエハ同士の間隔が石英ボートの下端か
ら上端にかけて段階的に大きくなるようにウエハを保持
するようにしたことを特徴とする化学的気相成長成膜装
置。 - 【請求項２】 石英ボートが、ウエハ周縁部を取り囲む
ように離隔、配置された複数本の縦石英柱と、縦石英柱
の内側に設けられた水平方向に延在する支持溝とを有
し、支持溝の上下の間隔が石英ボートの下端から上端に
かけて段階的に大きくなっており、支持溝にウエハ周縁
部を挿入してウエハを支持するようにしたことを特徴と
する請求項１に記載の化学的気相成長成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9319594A JPH11154670A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 化学的気相成長成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9319594A JPH11154670A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 化学的気相成長成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11154670A true JPH11154670A (ja) | 1999-06-08 |
Family
ID=18112018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9319594A Pending JPH11154670A (ja) | 1997-11-20 | 1997-11-20 | 化学的気相成長成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11154670A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102290366A (zh) * | 2010-06-18 | 2011-12-21 | 东京毅力科创株式会社 | 支承体构造及处理装置 |
| CN104733360A (zh) * | 2013-12-24 | 2015-06-24 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 步进石英舟 |
| CN111987025A (zh) * | 2020-08-27 | 2020-11-24 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 立式热处理设备及其石英舟 |
-
1997
- 1997-11-20 JP JP9319594A patent/JPH11154670A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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