JPH0193130A - 縦型炉 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、集積回路装置等の製造において使用する縦型
炉に関する。

（従来の技術とその問題点） 従来、集積回路装置の製造において、液相化学蒸着装置
として、第２図に示すような縦型炉が使用されていた。

図において、石英製のウェハ用支持台１の内側には、ウ
ェハを支持するようにウェハ支持用溝２が設けられてお
り、このウェハ用支持台１を収容するインナーチューブ
３は、反応ガス導入管４および反応ガス排出管５を備え
、反応ガス導入管４から蒸着用の反応ガスを導入し、反
応ガス排出管５から排出する。この装置ではウェハ支持
台１に回転装置６を取りつけ、ウェハ支持台１を回転さ
せる。これにより、ウェハ面内の膜厚分布の均一性を得
ることができるとしている。

しかし、この種の装置では、反応ガスがウェハの中心位
置で希薄になる傾向がある。そのため、ウェハの膜厚は
、ウェハの中心位置で最も薄、（なる問題があった。

本発明は、このような問題点を解消し、ウェハ面内の膜
厚分布の均一性を得ることができる縦型炉を提供するこ
とを目的とする。

（問題点を解決するための手段） 本発明は、ウェハ用支持台内部に冷却ガス用の通路を設
け、冷却ガスを炉内温度の低い方から高い方へ向けて流
すことによりウェハ面内に温度勾配をつけ、さらにウェ
ハ間の温度勾配を保持する機構を有する縦型炉である。

以下、図面により本発明を説明する。

第１図は、本発明の一実施例の縦型炉の断面図である。

石英製のウェハ用支持台１の内側にウェハ支持用溝２が
ウェハを支持するように設ける。

このウェハ用支持台１を収容するインナーチューブ３は
、反応ガス導入管４および反応ガス排出管５を備え、反
応ガス導入管４から蒸着用の反応ガスを導入し、反応ガ
ス排出管５から排出する。

ウェハ支持台１には、これを回転させてウェハ面内の膜
厚分布の均一性を保持する回転装置６を取りつける。

さらに、ウェハ用支持台１の周囲または壁内に冷却ガス
（例えば窒素等の不活性ガス）用通路７を設け、冷却ガ
ス導入管８から導入した冷却ガスを冷却ガス排出管９か
ら排出する。冷却ガスの導入管８および排出管９は、同
軸のセ重管構造になっており、それによって支持台１の
回転が可能になる。

冷却ガスは炉内温度の低い方から高い方へ向けて流すよ
うに、支持台１の下部から導入し、上部から排出するこ
とにより支持台１に設置されたウェハ面内に温度勾配を
つけ、さらにウェハ間の温度勾配を保持することができ
る。冷却ガスの流量は、反応条件等を予め設定した量で
コントロールする。支持台１に設置されたウェハは、冷
却ガスによりエツジ部分から冷却される。そのためウェ
ハのエツジから中心に向かって温度が高くなる。

このように生成膜の成膜速度をウェハのエツジから中心
に向けて大きくすることにより、反応ガス欠乏の補償を
行うことができる。

（実施例） 上記のような本発明の装置および従来の装置を用いて、
試料には配向平面（１００）Ｓｉウェハを用い、窒素ガ
スを反応ガスとして、炉温度６００〜７００℃にて、成
膜させた。

ＳｉＪ、膜の成膜状態を、第３図に示すような位置１．
　（２）、　（３）、　＋４）、、　（５））において
、その膜厚を測定した。

その結果を次表に示す。

この実施例から明らかなように、従来例よりも本発明実
施例による方が、膜厚が均一である。

（発明の効果） 本発明によれば、従来の縦型炉内に冷却ガス用の通路を
設は温度勾配をつけるようにしたので、ウェハ中心位置
での成膜速度の増加によって、ウェハ面内の膜厚が、−
層均一になった。これにより、ウェハの成膜の信幀性を
向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明による縦型炉の構成を示す概略断面図
、 第２図は、従来の縦型炉の構成を示す概略断面図であり
、 第３図は実施例における膜厚測定位置を示す説明図であ
る。 １・・・ウェハ用支持台　　２・・・ウェハ支持用溝３
・・・インナーチューブ　４・・・反応ガス導入管５・
・・反応ガス排出管　　６・・・回転装置７・・・冷却
ガス用通路　　８・・・冷却ガス導入管９・・・冷却ガ
ス排出管。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 　ウェハ用支持台内部に冷却ガス用の通路を設け、冷却
   ガスを炉内温度の低い方から高い方へ向けて流すことに
   よりウェハ面内に温度勾配をつけ、さらにウェハ間の温
   度勾配を保持する機構を有する縦型炉。