JPS63186422A - ウエハサセプタ装置 - Google Patents
ウエハサセプタ装置Info
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- JPS63186422A JPS63186422A JP62019348A JP1934887A JPS63186422A JP S63186422 A JPS63186422 A JP S63186422A JP 62019348 A JP62019348 A JP 62019348A JP 1934887 A JP1934887 A JP 1934887A JP S63186422 A JPS63186422 A JP S63186422A
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S148/00—Metal treatment
- Y10S148/006—Apparatus
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は、半導体製造装置等の反応室に設けられる半導
体ウェハ設置加熱用ウェハサセプタ装置に関する。
体ウェハ設置加熱用ウェハサセプタ装置に関する。
［従来の技術］
ＣＶ Ｄ （Ｃｈｅｓ＋１ｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ ）技術、プラズマＣｖＤ技術、光ＣＶ
Ｄ技術、エピタキシャル成長技術等に基づく各種材料の
ｇ膜の成膜装置には、こうした処理を受ける時に、ウェ
ハを高周波（以後ＲＦと称す）：ｉｓ導導熱熱方式るい
は光励起加熱方式によう、て加熱する各種ウェハ設置加
熱技術が使用されている。すなわち、ウェハの支持体を
ＲＦ誘導あるいは光励起によって加熱し。
ｏｓｉｔｉｏｎ ）技術、プラズマＣｖＤ技術、光ＣＶ
Ｄ技術、エピタキシャル成長技術等に基づく各種材料の
ｇ膜の成膜装置には、こうした処理を受ける時に、ウェ
ハを高周波（以後ＲＦと称す）：ｉｓ導導熱熱方式るい
は光励起加熱方式によう、て加熱する各種ウェハ設置加
熱技術が使用されている。すなわち、ウェハの支持体を
ＲＦ誘導あるいは光励起によって加熱し。
支持体に接触して支持体に保持されたウェハを熱伝導及
び熱輻射によって加熱する技術が使用されている。従来
のサセプタは、発熱性支持体からの放出ガスが多いため
に、発熱性支持体からの放出ガスを透過させにくい緻密
性皮膜を発熱性支持体の全面に被着させた構造である。
び熱輻射によって加熱する技術が使用されている。従来
のサセプタは、発熱性支持体からの放出ガスが多いため
に、発熱性支持体からの放出ガスを透過させにくい緻密
性皮膜を発熱性支持体の全面に被着させた構造である。
したがって、発熱性支持体の製造工程で発熱性支持体中
に混入した不純物ガスは緻密性皮膜のために、ウェハ上
への成膜処理の前に行う脱ガス処理によっても十分に除
去されず、不純物ガスの発生源として反応室を汚染する
というのが通常であった。こうした構造では、反応室が
汚染を大きく受けていて、到底クリーンプロセスを実現
できない状態にあった。
に混入した不純物ガスは緻密性皮膜のために、ウェハ上
への成膜処理の前に行う脱ガス処理によっても十分に除
去されず、不純物ガスの発生源として反応室を汚染する
というのが通常であった。こうした構造では、反応室が
汚染を大きく受けていて、到底クリーンプロセスを実現
できない状態にあった。
将来のサブミクロンパターン実用化におけるクリーンプ
ロセスの重要性は既に本発明者等による出願明細書（特
願昭６０−２１１６４３号、ウニへ取り扱い装置）に詳
述されている。ここでは、シリコンのエピタキシャルＪ
ｌ＆、長を例にとってクリーンプロセスの重要性を述べ
る。
ロセスの重要性は既に本発明者等による出願明細書（特
願昭６０−２１１６４３号、ウニへ取り扱い装置）に詳
述されている。ここでは、シリコンのエピタキシャルＪ
ｌ＆、長を例にとってクリーンプロセスの重要性を述べ
る。
イメージセンシング技術及びＬＳＩ技術の進歩発展は極
めて急速であり、イメージセンシング技術においては高
感度イメージセンサ−が、ＬＳＩ技術においてはＩＭｂ
ｉｔ以上のＤＲＡＭが作られている。こうした高性能電
子デバイスを製造するためには、当然のことながら不確
定要素に影響されることの少ない、より調御性のよい高
性能な製造プロセスが必要となる。
めて急速であり、イメージセンシング技術においては高
感度イメージセンサ−が、ＬＳＩ技術においてはＩＭｂ
ｉｔ以上のＤＲＡＭが作られている。こうした高性能電
子デバイスを製造するためには、当然のことながら不確
定要素に影響されることの少ない、より調御性のよい高
性能な製造プロセスが必要となる。
この−例として、シリコンのエピタキシャル成長の高清
浄プロセスが挙げられる。主としてエピタキシャル成長
の高清浄化は、少数キャリアの生成ライフタイムが長い
半導体デバイスを実現するために必要である。特に、プ
ロセスの高清浄化は、エピタキシャル膜中の種々な結晶
欠陥を低減するためにも有効である。
浄プロセスが挙げられる。主としてエピタキシャル成長
の高清浄化は、少数キャリアの生成ライフタイムが長い
半導体デバイスを実現するために必要である。特に、プ
ロセスの高清浄化は、エピタキシャル膜中の種々な結晶
欠陥を低減するためにも有効である。
高性１近半導体デバイス製造のための高清浄エビキャシ
タル成長プロセスを実現する最大の要件は、反応に必要
なガス成分以外の不要ガス成分が、プロセスが進行する
反応室の雰囲気から殆ど完全に除去されていることであ
る。すなわち、ウルトラクリーンプロセスは、高感度イ
メージセンサ−及び超微細化ＬＳＩ製造に必須の高清浄
エピタキシャル成長プロセスの実現に不可欠である。
タル成長プロセスを実現する最大の要件は、反応に必要
なガス成分以外の不要ガス成分が、プロセスが進行する
反応室の雰囲気から殆ど完全に除去されていることであ
る。すなわち、ウルトラクリーンプロセスは、高感度イ
メージセンサ−及び超微細化ＬＳＩ製造に必須の高清浄
エピタキシャル成長プロセスの実現に不可欠である。
シリコンのエピタキシャル成長は、例えば、５ｉｎ４→
Ｓｉ＋２Ｈ２・・・・・・（１）Ｓ ｆ Ｈ２ＣｆＬ２
＋Ｈ２→Ｓ ｉ ＋２ＨＣ１Ｌ＋Ｈ２・・・・・・（
２） で表現されるように、シラン（Ｓ ｉ Ｈ４）の熱分解
（式（１））やジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃ又２）の水
素還元反応（式（２））により行われる。
Ｓｉ＋２Ｈ２・・・・・・（１）Ｓ ｆ Ｈ２ＣｆＬ２
＋Ｈ２→Ｓ ｉ ＋２ＨＣ１Ｌ＋Ｈ２・・・・・・（
２） で表現されるように、シラン（Ｓ ｉ Ｈ４）の熱分解
（式（１））やジクロルシラン（ＳｉＨ２Ｃ又２）の水
素還元反応（式（２））により行われる。
しかし、反応雰囲気中に水分（Ｈ２０）、窒素（Ｎ２
） 、酸素（０２） 、−酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭
素（ＣＯ２）、塩素（Ｃｔｉ）、塩化水素（ＨＣｌ）、
炭化水素（Ｃ３Ｈ３等）、重金属（Ａｕ等）が存在する
とエピタキシャル膜中に窒素、酸素、炭素、塩素１重金
属（Ａｕ等）等が混入し、電気的に深い準位が生成され
る。この深い準位の生成を抑止するために反応雰囲気の
高清浄化が必要となる。
） 、酸素（０２） 、−酸化炭素（ＣＯ）、二酸化炭
素（ＣＯ２）、塩素（Ｃｔｉ）、塩化水素（ＨＣｌ）、
炭化水素（Ｃ３Ｈ３等）、重金属（Ａｕ等）が存在する
とエピタキシャル膜中に窒素、酸素、炭素、塩素１重金
属（Ａｕ等）等が混入し、電気的に深い準位が生成され
る。この深い準位の生成を抑止するために反応雰囲気の
高清浄化が必要となる。
反応雰囲気が極めてクリーンであれば、エピタキシャル
膜中への不要な不純物の混入を抑止できる。不要な不純
物が少ない半導体中では深い準位の密度が少なく、半導
体デバイスにおいて少数キャリアの生成ライフタイムが
長いエピタキシャル膜が得られることになる。
膜中への不要な不純物の混入を抑止できる。不要な不純
物が少ない半導体中では深い準位の密度が少なく、半導
体デバイスにおいて少数キャリアの生成ライフタイムが
長いエピタキシャル膜が得られることになる。
反応雰囲気がクリーンであることが、少数キャリアの生
成ライフタイムが長いエピタキシャル膜の成長を可能に
することは、上述した通りである。
成ライフタイムが長いエピタキシャル膜の成長を可能に
することは、上述した通りである。
反応雰囲気をクリーンにするためには、原料ガスボンベ
（あるいは液化ガス容器）から反応室までのガス供給系
、反応室自体及びガス排気系のすべてがクリーンでなけ
ればならない。
（あるいは液化ガス容器）から反応室までのガス供給系
、反応室自体及びガス排気系のすべてがクリーンでなけ
ればならない。
その主な条件を列記すると、
■原料ガスが回旋な限り高純度であること。
■ガス供給系１反店家及び排気系に関して、（ａ）外部
リーク量が極限まで少なく、大気汚染が無いこと。
リーク量が極限まで少なく、大気汚染が無いこと。
（ｂ）配管系及び反応室管壁からの放出ガスが十分に少
ないこと。
ないこと。
すなわち、配管系や反応室を構成する材料自体がガス成
分を含んでいないこと、同時に、管壁表面が十分に平坦
で加工変質層を持たずに吸着ガスが十分少ないこと、さ
らに、反応室内部やガス供給配管系内部が大気にさらさ
れることのないような配慮に基づく装置を備えているこ
と。
分を含んでいないこと、同時に、管壁表面が十分に平坦
で加工変質層を持たずに吸着ガスが十分少ないこと、さ
らに、反応室内部やガス供給配管系内部が大気にさらさ
れることのないような配慮に基づく装置を備えているこ
と。
（Ｃ）ガスが停留するデッドゾーンを持たないこと。
（ｄ）パーティクル（粒子）の発生がなるべく少ないこ
と。
と。
可動機構を備えるにしてもガス供給系内部や反応系内部
に摺動部分をなるべく持たせないこと。
に摺動部分をなるべく持たせないこと。
以上の条件のうち管理とか、操作により必要な条件を達
成できるものもあるが、反応室を構成する装置からの不
純物ガスの発生は、反応室内の装置のａ成上の問題であ
り、その構造が重要である。
成できるものもあるが、反応室を構成する装置からの不
純物ガスの発生は、反応室内の装置のａ成上の問題であ
り、その構造が重要である。
この場合、特に、重要なものは、反応室で成長時にウェ
ハを保持し、かつウェハを加熱するサセプタであって、
これには成長前にサセプタの脱ガス処理を完全に行える
構造が必要となる。
ハを保持し、かつウェハを加熱するサセプタであって、
これには成長前にサセプタの脱ガス処理を完全に行える
構造が必要となる。
従来、成長時にサセプタからの放出ガスを低減するため
、含まれている不純物量が多いサセプタの発熱性支持体
（例えばカーボンの焼結体）の全面に、緻密性皮膜（例
えばＳｉＣ膜）を被着させている。しかし、この方法だ
けでは成長時の高温状態において緻密性皮膜によって発
熱性支持体からの不純物の放出を完全になくすことは困
難である。そこで、通常成膜前に高真空中あるいは高純
度ガス中【例えば水素（Ｈｚ ）ガス）でサセプタを加
熱して、サセプタの脱ガス処理を行っている。しかし、
サセプタの発熱性支持体に緻密性皮膜を全面に被着させ
た構造では、成膜前の脱ガス処理によって発熱性支持体
中の不純物を除去することが難しい欠点を有していた。
、含まれている不純物量が多いサセプタの発熱性支持体
（例えばカーボンの焼結体）の全面に、緻密性皮膜（例
えばＳｉＣ膜）を被着させている。しかし、この方法だ
けでは成長時の高温状態において緻密性皮膜によって発
熱性支持体からの不純物の放出を完全になくすことは困
難である。そこで、通常成膜前に高真空中あるいは高純
度ガス中【例えば水素（Ｈｚ ）ガス）でサセプタを加
熱して、サセプタの脱ガス処理を行っている。しかし、
サセプタの発熱性支持体に緻密性皮膜を全面に被着させ
た構造では、成膜前の脱ガス処理によって発熱性支持体
中の不純物を除去することが難しい欠点を有していた。
［発明の目的］
本発明は、従来のウェハサセプタが備えていた欠点を克
服するガス放出部により発熱性支持体中の不純物ガスを
除去することのできるウェハサセプタ装置を提供するこ
とを目的とする。
服するガス放出部により発熱性支持体中の不純物ガスを
除去することのできるウェハサセプタ装置を提供するこ
とを目的とする。
ｒ問題点を解決するための手段］
このような目的は、ウェハを保持しかつ加熱する発熱性
支持体と、前記発熱性支持体に被着した緻密性皮膜を備
え、前記発熱性支持体には、前記発熱性支持体中の不純
物ガスを除去するために前記緻密性皮膜が一部皮膜され
ていないガス放出部が設′けられていることを特徴とす
るウェハサセプタ装置によって達成される。
支持体と、前記発熱性支持体に被着した緻密性皮膜を備
え、前記発熱性支持体には、前記発熱性支持体中の不純
物ガスを除去するために前記緻密性皮膜が一部皮膜され
ていないガス放出部が設′けられていることを特徴とす
るウェハサセプタ装置によって達成される。
［作用］
このように構成することにより、ウェハサセプタの発熱
性支持体中の不純物ガスをサセプタの真空中あるいは精
製ガス中での加熱により十分除去することができ、成膜
時のサセプタからの不純物ガスの放出を抑止することが
できる０発熱性支持体として、吸着活性な材料（例えば
カーボンやモリブデン（ＭＯ）等の高融点金属）を使用
する場合があるが、そうした時には、脱ガス処理を十分
に行った後サセプタのガス放出部へ皮膜（例えばシリコ
ン薄膜等）を被着させることによって、吸着によるエピ
タキシャル成長機構への影響を抑止できる。
性支持体中の不純物ガスをサセプタの真空中あるいは精
製ガス中での加熱により十分除去することができ、成膜
時のサセプタからの不純物ガスの放出を抑止することが
できる０発熱性支持体として、吸着活性な材料（例えば
カーボンやモリブデン（ＭＯ）等の高融点金属）を使用
する場合があるが、そうした時には、脱ガス処理を十分
に行った後サセプタのガス放出部へ皮膜（例えばシリコ
ン薄膜等）を被着させることによって、吸着によるエピ
タキシャル成長機構への影響を抑止できる。
［発明の実施例］
以下本発明を、実施例の図面を用いながら説明する。
第１図は、本発明のウェハサセプタ装置の構造図である
。（ａ）は、ウェハサセプタ装置の平面図である。（ｂ
）は（ａ）図のＡ−Ａ ′線に沿う断面構造図である。
。（ａ）は、ウェハサセプタ装置の平面図である。（ｂ
）は（ａ）図のＡ−Ａ ′線に沿う断面構造図である。
ｌはカーボンの焼結体で作られた発熱性支持体、２は発
熱性支持体表面の一部を皮膜するＳｉＣ薄膜、３はＳｔ
Ｃ皮膜のないガス放出部である。４はウェハサセプタ装
置表面に設置したウェハである。
熱性支持体表面の一部を皮膜するＳｉＣ薄膜、３はＳｔ
Ｃ皮膜のないガス放出部である。４はウェハサセプタ装
置表面に設置したウェハである。
第１図（ａ）で、ウェハサセプタの形状が直方体の例を
示したが、形状は円板や平板ドーナツ形状でもまたその
他の形状でもかまわない、用途に応じて決めればよいの
である。また、ガス放出部４は、第１図では直方体の一
面全面に設けたが、どのような形状に設けてもよい０例
えば、直方体の一面の一部分に設けてもよい、あるいは
、第１図のように一面のみでなく、複数個表面の所定の
箇所に分散させてもよい。
示したが、形状は円板や平板ドーナツ形状でもまたその
他の形状でもかまわない、用途に応じて決めればよいの
である。また、ガス放出部４は、第１図では直方体の一
面全面に設けたが、どのような形状に設けてもよい０例
えば、直方体の一面の一部分に設けてもよい、あるいは
、第１図のように一面のみでなく、複数個表面の所定の
箇所に分散させてもよい。
ウェハサセプタのガス放出部は、成膜時にウェハを支持
する支持部より、成膜時のガスの流れに対して下流に位
置するところに設けるのが望ましい、成膜前のサセプタ
の脱ガス処理を精製ガス中で行う場合において、ガス放
出部から放出される不純物がウェハ支持部に吸着するの
を抑止するためである。
する支持部より、成膜時のガスの流れに対して下流に位
置するところに設けるのが望ましい、成膜前のサセプタ
の脱ガス処理を精製ガス中で行う場合において、ガス放
出部から放出される不純物がウェハ支持部に吸着するの
を抑止するためである。
第２図は、真空排気装Ｒ（３４０ｆＬ／Ｓ）の真空チャ
ンバー内に第１図に示したサセプタ装置を収納し、真空
チャンバーを外側からヒーターによリ加熱したときの放
出ガス量に対応する真空度の推移に関するデータである
。真空度は電離真空計を用いて測定した。第２図中の横
軸は加熱時間を表わし、縦軸はチャンバー内の真空度を
表わす。
ンバー内に第１図に示したサセプタ装置を収納し、真空
チャンバーを外側からヒーターによリ加熱したときの放
出ガス量に対応する真空度の推移に関するデータである
。真空度は電離真空計を用いて測定した。第２図中の横
軸は加熱時間を表わし、縦軸はチャンバー内の真空度を
表わす。
第２図中の上部の数値は各時間での加熱温度を表わす０
本発明の比較例として、第２図中に、第１図の３のガス
放出部をＳｉＣ皮膜で皮類した以外は第１図に示される
構造と同じ構造の全面ＳｉＣ膜皮覆皮膜プタを加熱した
ときの真空度の推移を示す、ガス放出部を有するサセプ
タは、ガス放出部のないサセプタと比べて、真空排気初
期では放出ガス量が多く、２時間後では放出ガス量が少
ない、さらに２００℃から２３０℃に加熱した場合、放
出ガス量が温度に対応して増加する。したがって、本発
明では、ウェハサセプタ装置にガス放出部を設けると、
真空中での加熱によってサセプタからの脱ガス処理を効
率よく行えることが明らかになった。
本発明の比較例として、第２図中に、第１図の３のガス
放出部をＳｉＣ皮膜で皮類した以外は第１図に示される
構造と同じ構造の全面ＳｉＣ膜皮覆皮膜プタを加熱した
ときの真空度の推移を示す、ガス放出部を有するサセプ
タは、ガス放出部のないサセプタと比べて、真空排気初
期では放出ガス量が多く、２時間後では放出ガス量が少
ない、さらに２００℃から２３０℃に加熱した場合、放
出ガス量が温度に対応して増加する。したがって、本発
明では、ウェハサセプタ装置にガス放出部を設けると、
真空中での加熱によってサセプタからの脱ガス処理を効
率よく行えることが明らかになった。
脱ガス処理を行ったウェハサセプタを設置する石英反応
管は、ＳＵＳフランジと接続し、５ＵＳ７ランジとの接
続部の外部リーク量を２×１０−” ａｔｍ ｃｃ／ｓ
ｅｃ以下にして、反応室の機密性によって設置したウェ
ハサセプタを大気にさらさないようにする０石英反応管
の高清浄化処理は、石英反応管にＳＵＳフランジを介し
て接続された真空排気装ｚ（３ａｏｉ／ｓ）によって反
応室内の真空排気を行い、反応管を抵抗加熱と赤外線加
熱の併用炉によって最大温度５５０℃で加熱したところ
、室温まで冷却した後の反応室内の真空度は７．２Ｘ１
０−１０ Ｔｏｒｒであった。ＲＦ加熱によって、ウェ
ハサセプタを加熱する場合、石英管は石英管に備わって
いる水冷シャットによって水冷されるため、石英管の温
度上昇を抑止でき、石英管からの不純物ガスの放出を抑
止できて清浄な反応雰囲気を維持できる。
管は、ＳＵＳフランジと接続し、５ＵＳ７ランジとの接
続部の外部リーク量を２×１０−” ａｔｍ ｃｃ／ｓ
ｅｃ以下にして、反応室の機密性によって設置したウェ
ハサセプタを大気にさらさないようにする０石英反応管
の高清浄化処理は、石英反応管にＳＵＳフランジを介し
て接続された真空排気装ｚ（３ａｏｉ／ｓ）によって反
応室内の真空排気を行い、反応管を抵抗加熱と赤外線加
熱の併用炉によって最大温度５５０℃で加熱したところ
、室温まで冷却した後の反応室内の真空度は７．２Ｘ１
０−１０ Ｔｏｒｒであった。ＲＦ加熱によって、ウェ
ハサセプタを加熱する場合、石英管は石英管に備わって
いる水冷シャットによって水冷されるため、石英管の温
度上昇を抑止でき、石英管からの不純物ガスの放出を抑
止できて清浄な反応雰囲気を維持できる。
放出ガス部が設けられているウェハサセプタの脱ガス処
理を十分に行った後、ウェハサセプタのガス放出部を緻
密性皮膜で皮類することによって、サセプタからの不純
物ガスの放出をより完全に抑止することができる。第１
図に示すウェハサセプタを高清浄化処理がなされた反応
室に設置した後、真空排気装置（３４０ＪＬ／ｓ）によ
って真空排気されている反応室内でサセプタを最大温度
９０８℃で加熱したところ反応室の真空度は、３．２Ｘ
１０−８であった。続いてサセプタを８００℃に加熱し
、シランガスの熱分解によってサセプタのガス放出部を
含む表面に多結晶シリコンを皮類した後、サセプタを設
置した反応室を真空排気装置（３４０１７Ｓ）で真空排
気し、サセプタを９１１”Ｃに加熱したときの反応室内
の真空度は９．０Ｘ１０−９Ｔｏｒｒであった。
理を十分に行った後、ウェハサセプタのガス放出部を緻
密性皮膜で皮類することによって、サセプタからの不純
物ガスの放出をより完全に抑止することができる。第１
図に示すウェハサセプタを高清浄化処理がなされた反応
室に設置した後、真空排気装置（３４０ＪＬ／ｓ）によ
って真空排気されている反応室内でサセプタを最大温度
９０８℃で加熱したところ反応室の真空度は、３．２Ｘ
１０−８であった。続いてサセプタを８００℃に加熱し
、シランガスの熱分解によってサセプタのガス放出部を
含む表面に多結晶シリコンを皮類した後、サセプタを設
置した反応室を真空排気装置（３４０１７Ｓ）で真空排
気し、サセプタを９１１”Ｃに加熱したときの反応室内
の真空度は９．０Ｘ１０−９Ｔｏｒｒであった。
ウェハの反応室内への設置は、ウェハのみの搬送を静電
チャック方式ウェハ搬送ロードロック装置によって行う
ため、脱ガス処理がなされたウェハサセプタは大気にさ
らされることがなく、清浄な状態を維持できる。
チャック方式ウェハ搬送ロードロック装置によって行う
ため、脱ガス処理がなされたウェハサセプタは大気にさ
らされることがなく、清浄な状態を維持できる。
以上述べてきた本発明のウェハサセプタ装置を備えたシ
リコンエピタキシャル成長装置に、清浄及び乾燥された
ウェハを静電チャック方式ロードロック装置によって設
置し、圧カフ６０Ｔｏｒｒの精製水素ガス雰囲気中でウ
ェハをＲＦ加熱によって１２０２℃で１０分間加熱した
後、圧力８０Ｔｏ ｒ ｒの精製シランガスと精製水素
ガスの混合ガス雰囲気中でウェハを８９０℃で１５０分
の間加熱し、シリコンのエピタキシャル成長を行った。
リコンエピタキシャル成長装置に、清浄及び乾燥された
ウェハを静電チャック方式ロードロック装置によって設
置し、圧カフ６０Ｔｏｒｒの精製水素ガス雰囲気中でウ
ェハをＲＦ加熱によって１２０２℃で１０分間加熱した
後、圧力８０Ｔｏ ｒ ｒの精製シランガスと精製水素
ガスの混合ガス雰囲気中でウェハを８９０℃で１５０分
の間加熱し、シリコンのエピタキシャル成長を行った。
この成膜したシリコンのエピタキシャル膜を半導体とす
る金属−酸化膜一半導体（シリコン）ダイオードを製作
し、不純物濃度を測定したところ６．０ｍ５ｅｃであっ
た０本発明のウェハサセプタ装置を備えたシリコンエピ
タキシャル成長装置によって、高性能デバイスが実現さ
れた。
る金属−酸化膜一半導体（シリコン）ダイオードを製作
し、不純物濃度を測定したところ６．０ｍ５ｅｃであっ
た０本発明のウェハサセプタ装置を備えたシリコンエピ
タキシャル成長装置によって、高性能デバイスが実現さ
れた。
以上発熱性支持体としてカーボンを使用し、かつ緻密性
皮膜としてＳｉＣ膜を使用した例を説明したが、本発明
のウェハサセプタ装置の発熱性支持体はカーボンだけで
なく、モリブデン（ＭＯ）等の高融点金属の他にＲＦ誘
導及び光励起によって発熱する材料であれば如何なる発
熱性支持体にも適用でき、緻密性皮膜はＳｆＣだけでな
く、シリコン膜、シリコン窒化［（Ｓｉ３Ｎ４）、シリ
コン酸化１１！２（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム膜（
Ａ文Ｎ）、アルミナ膜（Ａ見２０３）の他に種々の発熱
性支持体に皮膜したとき緻密な材料であれば如何なる緻
密性皮膜にも適用できる。
皮膜としてＳｉＣ膜を使用した例を説明したが、本発明
のウェハサセプタ装置の発熱性支持体はカーボンだけで
なく、モリブデン（ＭＯ）等の高融点金属の他にＲＦ誘
導及び光励起によって発熱する材料であれば如何なる発
熱性支持体にも適用でき、緻密性皮膜はＳｆＣだけでな
く、シリコン膜、シリコン窒化［（Ｓｉ３Ｎ４）、シリ
コン酸化１１！２（ＳｉＯ２）、窒化アルミニウム膜（
Ａ文Ｎ）、アルミナ膜（Ａ見２０３）の他に種々の発熱
性支持体に皮膜したとき緻密な材料であれば如何なる緻
密性皮膜にも適用できる。
［発明の効果］
本発明のウェハサセプタ装置は、ガス放出部を設けであ
るため、ウェハサセプタの発熱性支持体中の不純物ガス
をサセプタの真空中あるいは精製ガス中での加熱により
十分除去することができ。
るため、ウェハサセプタの発熱性支持体中の不純物ガス
をサセプタの真空中あるいは精製ガス中での加熱により
十分除去することができ。
成膜時のサセプタからの不純物ガスの放出を抑止するこ
とができる。こうした特徴を持つ本発明のウェハサセプ
タ装置は、半導体製造装置の性能を一挙に向上させる。
とができる。こうした特徴を持つ本発明のウェハサセプ
タ装置は、半導体製造装置の性能を一挙に向上させる。
また、本発明のウェハサセプタは、サセプタ製造工程に
おいて緻密性皮膜を発熱性支持体に被着する場合、ガス
放出部表面を緻密性皮膜被着装置の支持体に接触保持す
ることによって一回の被着工程で緻密性皮膜を形成でき
、全面被着の場合二回以上の工程が必要であることと比
較すると、工程総数を少なくでき、安価で高性ず指手導
体製造装置を生産できる。
おいて緻密性皮膜を発熱性支持体に被着する場合、ガス
放出部表面を緻密性皮膜被着装置の支持体に接触保持す
ることによって一回の被着工程で緻密性皮膜を形成でき
、全面被着の場合二回以上の工程が必要であることと比
較すると、工程総数を少なくでき、安価で高性ず指手導
体製造装置を生産できる。
これまで半導体ウェハを主として対象に取り上げて説明
したが、本発明のウェハサセプタ装置は半導体ウェハだ
けでなく、金属ウェハ及び絶縁体ウェハ等如何なるウェ
ハにも適用できる。
したが、本発明のウェハサセプタ装置は半導体ウェハだ
けでなく、金属ウェハ及び絶縁体ウェハ等如何なるウェ
ハにも適用できる。
第１図は、本発明の実施例に係るウェハサセプタ装置の
構造図であり、（ａ）図はウェハが保持加熱されるウェ
ハサセプタ装置の平面図である。 （ｂ）図は（ａ）図のＡ−Ａ ’線に沿う断面図である
。第２図は本発明の実施例の加熱時間と真空チャンバー
の真空度との関係を示す図である。 第１図（ａ） 第１図（１）） 第２図 時間（ｈｒｓ）
構造図であり、（ａ）図はウェハが保持加熱されるウェ
ハサセプタ装置の平面図である。 （ｂ）図は（ａ）図のＡ−Ａ ’線に沿う断面図である
。第２図は本発明の実施例の加熱時間と真空チャンバー
の真空度との関係を示す図である。 第１図（ａ） 第１図（１）） 第２図 時間（ｈｒｓ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、ウェハを保持し、かつ加熱する発熱性支持体と、前
記発熱性支持体に被着した緻密性皮膜を備え、前記発熱
性支持体には、前記発熱性支持体中の不純物ガスを除去
するために前記緻密性皮膜が一部被膜されていないガス
放出部が設けられていることを特徴とするウェハサセプ
タ装置。 ２、ガス放出部は、ウェハ支持部より使用されるガスの
流れに対して下流に位置するところに形成されているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のウェハサセ
プタ装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62019348A JPS63186422A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | ウエハサセプタ装置 |
| PCT/JP1988/000067 WO1993013548A1 (en) | 1987-01-28 | 1988-01-28 | Wafer susceptor |
| US07/391,556 US5119541A (en) | 1987-01-28 | 1988-01-28 | Wafer succeptor apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62019348A JPS63186422A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | ウエハサセプタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63186422A true JPS63186422A (ja) | 1988-08-02 |
| JPH0530299B2 JPH0530299B2 (ja) | 1993-05-07 |
Family
ID=11996885
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62019348A Granted JPS63186422A (ja) | 1987-01-28 | 1987-01-28 | ウエハサセプタ装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5119541A (ja) |
| JP (1) | JPS63186422A (ja) |
| WO (1) | WO1993013548A1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| JPH02174114A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
| JP2021050366A (ja) * | 2019-09-20 | 2021-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置及びエッチング方法 |
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| US6090706A (en) * | 1993-06-28 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Preconditioning process for treating deposition chamber prior to deposition of tungsten silicide coating on active substrates therein |
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| JP2001522142A (ja) | 1997-11-03 | 2001-11-13 | エーエスエム アメリカ インコーポレイテッド | 改良された低質量ウェハ支持システム |
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1988
- 1988-01-28 US US07/391,556 patent/US5119541A/en not_active Expired - Fee Related
- 1988-01-28 WO PCT/JP1988/000067 patent/WO1993013548A1/ja unknown
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02174114A (ja) * | 1988-12-26 | 1990-07-05 | Toshiba Ceramics Co Ltd | サセプタ |
| JPH07118466B2 (ja) * | 1988-12-26 | 1995-12-18 | 東芝セラミックス株式会社 | サセプタ |
| JP2021050366A (ja) * | 2019-09-20 | 2021-04-01 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング装置及びエッチング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5119541A (en) | 1992-06-09 |
| WO1993013548A1 (en) | 1993-07-08 |
| JPH0530299B2 (ja) | 1993-05-07 |
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