JPH05211122A - 縦型減圧化学気相成長装置 - Google Patents
縦型減圧化学気相成長装置Info
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- JPH05211122A JPH05211122A JP3318759A JP31875991A JPH05211122A JP H05211122 A JPH05211122 A JP H05211122A JP 3318759 A JP3318759 A JP 3318759A JP 31875991 A JP31875991 A JP 31875991A JP H05211122 A JPH05211122 A JP H05211122A
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- Japan
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- gas
- vapor deposition
- chemical vapor
- boat
- gas supply
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Abstract
(57)【要約】
【目的】炉芯管９内の反応ガス濃度を一様にし、ボート
１０に収納されるウェーハの膜質を均一にする。 【構成】比重の重いガスを供給するガス供給管１と、こ
れに対応するガス排気管２とをボート１０を挾んで配置
し、ガス供給口５及びガス排気口６を上側に行く程大き
くしてより大きいコンダクタンスをもたせ、供給される
ガスの流量を上部より多くし、ガスの降下による濃度不
均一を抑えている。
１０に収納されるウェーハの膜質を均一にする。 【構成】比重の重いガスを供給するガス供給管１と、こ
れに対応するガス排気管２とをボート１０を挾んで配置
し、ガス供給口５及びガス排気口６を上側に行く程大き
くしてより大きいコンダクタンスをもたせ、供給される
ガスの流量を上部より多くし、ガスの降下による濃度不
均一を抑えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は化学気相成長装置に関
し、特に減圧下における縦型減圧化学気相成長装置に関
する。
し、特に減圧下における縦型減圧化学気相成長装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の縦型減圧化学気相成長装置
の例を示す模式断面図である。従来、この種の縦型減圧
化学気相成長装置は、例えば、図２に示すように下部に
ガス供給口７を有し、複数枚のウェーハを積載するポー
ト１０の周囲を囲む内側の炉芯管９ｂと、この炉芯管９
ｂを囲み被せるとともに下方にガスを排出するガス排気
口８を有する炉芯管９ａとで構成されていた。
の例を示す模式断面図である。従来、この種の縦型減圧
化学気相成長装置は、例えば、図２に示すように下部に
ガス供給口７を有し、複数枚のウェーハを積載するポー
ト１０の周囲を囲む内側の炉芯管９ｂと、この炉芯管９
ｂを囲み被せるとともに下方にガスを排出するガス排気
口８を有する炉芯管９ａとで構成されていた。
【０００３】このような縦型減圧化学気相成長装置を用
いてウェーハに薄膜を形成するには、まず、図示してい
ない真空ポンプにより炉芯管内の空気を排出し、所定の
真空度に対するまで真空排気する。次に、ガス供給口７
から各種反応ガスを高温に保持された炉芯管に供給され
ることにより、各種気相成長膜の成長が行なわれる。こ
のように反応ガスが導入された炉芯管９ａ，９ｂ内は真
空ポンプに接続されているガス排気口８から排気され、
炉芯管内のガス圧が一定の圧力になるようにあらかじめ
排気調整を行っていた。
いてウェーハに薄膜を形成するには、まず、図示してい
ない真空ポンプにより炉芯管内の空気を排出し、所定の
真空度に対するまで真空排気する。次に、ガス供給口７
から各種反応ガスを高温に保持された炉芯管に供給され
ることにより、各種気相成長膜の成長が行なわれる。こ
のように反応ガスが導入された炉芯管９ａ，９ｂ内は真
空ポンプに接続されているガス排気口８から排気され、
炉芯管内のガス圧が一定の圧力になるようにあらかじめ
排気調整を行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の縦
型化学気相成長装置では、予めガス供給圧及び排気圧を
設定していても、実際は炉芯管内の反応ガス濃度及び圧
力が、炉内の上部と下部で違い、下部の濃度が密で上部
の粗になることがあった。この違いによりボートに収納
されるウェーハの膜質が上部に収納されたものと下部収
納されたものとでは異なるという問題点があった。この
対策として成長温度に勾配をつける等によって膜厚を合
わせ込んではいるが根本的に解決するまでには至らなか
った。
型化学気相成長装置では、予めガス供給圧及び排気圧を
設定していても、実際は炉芯管内の反応ガス濃度及び圧
力が、炉内の上部と下部で違い、下部の濃度が密で上部
の粗になることがあった。この違いによりボートに収納
されるウェーハの膜質が上部に収納されたものと下部収
納されたものとでは異なるという問題点があった。この
対策として成長温度に勾配をつける等によって膜厚を合
わせ込んではいるが根本的に解決するまでには至らなか
った。
【０００５】本発明の目的は、かかる問題を解消すべく
炉芯管内の反応ガス濃度を均一にし、ボートの収納され
る位置によらず一様な膜質が得られる縦型化学気相成長
装置を提供することである。
炉芯管内の反応ガス濃度を均一にし、ボートの収納され
る位置によらず一様な膜質が得られる縦型化学気相成長
装置を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の縦型減圧化学気
相成長装置は、ウェーハを並べて収納するボートと、こ
のボートを包む炉芯管とを有する縦型減圧化学気相成長
装置において、前記ボートを挾み配置されるとともに上
下に複数の大きさの異なるガス供給口及びガス排気口を
それぞれもつガス供給管及びガス排気管とを備えてい
る。
相成長装置は、ウェーハを並べて収納するボートと、こ
のボートを包む炉芯管とを有する縦型減圧化学気相成長
装置において、前記ボートを挾み配置されるとともに上
下に複数の大きさの異なるガス供給口及びガス排気口を
それぞれもつガス供給管及びガス排気管とを備えてい
る。
【０００７】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００８】図１（ａ）〜（ｃ）は本発明の一実施例に
おける縦型減圧化学気相成長を示し（ａ）は装置の模式
断面図、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれガス供給管及びガ
ス排気管の一側面図である。この縦型減圧化学気相成長
装置は、図１に示すように、炉芯管を一つの炉芯管９と
し、この炉芯管９内のボート１０の周囲にガス供給管１
及びガス排気管２を立てたことである。また、このガス
供給管１及びガス排気管２には高い順にその穴径が大き
くなるガス供給口５及びガス排気口６を設けている。そ
れ以外は従来例と同じである。
おける縦型減圧化学気相成長を示し（ａ）は装置の模式
断面図、（ｂ）及び（ｃ）はそれぞれガス供給管及びガ
ス排気管の一側面図である。この縦型減圧化学気相成長
装置は、図１に示すように、炉芯管を一つの炉芯管９と
し、この炉芯管９内のボート１０の周囲にガス供給管１
及びガス排気管２を立てたことである。また、このガス
供給管１及びガス排気管２には高い順にその穴径が大き
くなるガス供給口５及びガス排気口６を設けている。そ
れ以外は従来例と同じである。
【０００９】このように炉芯管９内の下部側のガス供給
口５及びガス排気口６を小さくしてコンダクタンスを小
さくし、上部側のガス供給口５及びガス排気口６を大き
くしてコンダクタンスを大きくすることによって、ガス
の流量を上部に密に下部を粗にすることである。また、
ガスの比重によりガス供給口５及びガス排出口６の間隔
を変えると、さらに効果的に作用する。すなわち、比重
の重い反応ガスの場合は上側に行く程、ガス供給口５及
びガス排出口の間隔を狭くすることである。この炉芯管
９内のガス濃度はガス供給当初は上側に密に下側が粗に
なっているが時間の経過に伴い、ほぼ均一の濃度にな
る。
口５及びガス排気口６を小さくしてコンダクタンスを小
さくし、上部側のガス供給口５及びガス排気口６を大き
くしてコンダクタンスを大きくすることによって、ガス
の流量を上部に密に下部を粗にすることである。また、
ガスの比重によりガス供給口５及びガス排出口６の間隔
を変えると、さらに効果的に作用する。すなわち、比重
の重い反応ガスの場合は上側に行く程、ガス供給口５及
びガス排出口の間隔を狭くすることである。この炉芯管
９内のガス濃度はガス供給当初は上側に密に下側が粗に
なっているが時間の経過に伴い、ほぼ均一の濃度にな
る。
【００１０】また、図面に示さないが、炉芯管内に複数
のガス供給管及び排気管を設け、それらのガス供給口及
び排気口の高さ位置を変えて配置させ、ガス供給管のそ
れぞれに流量を制御するマスフロメータを排気管のそれ
ぞれ排気能力の違う真空排気装置を接続してやれば同様
の効果が得られる。さらに、逆に空気より軽いガスの場
合は、逆に炉芯管の上部の供給量を少なくすれば良い。
このためにガス供給管及びガス排気管のガス供給口及び
ガス排気口は下側に行く程大きくすることである。
のガス供給管及び排気管を設け、それらのガス供給口及
び排気口の高さ位置を変えて配置させ、ガス供給管のそ
れぞれに流量を制御するマスフロメータを排気管のそれ
ぞれ排気能力の違う真空排気装置を接続してやれば同様
の効果が得られる。さらに、逆に空気より軽いガスの場
合は、逆に炉芯管の上部の供給量を少なくすれば良い。
このためにガス供給管及びガス排気管のガス供給口及び
ガス排気口は下側に行く程大きくすることである。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、反応用の
ガスの比重によって炉芯管へのガス供給量及びガス排出
量を上部側および下部側のいずれかの側を多くすること
によって、反応ガスは時間の経過に伴い炉芯管内を上昇
あるいは下降し、炉芯管内のガス濃度は均一になり、ポ
ート内の上下に収納されたウェーハに一様な膜質を成長
させることが出来るという効果がある。
ガスの比重によって炉芯管へのガス供給量及びガス排出
量を上部側および下部側のいずれかの側を多くすること
によって、反応ガスは時間の経過に伴い炉芯管内を上昇
あるいは下降し、炉芯管内のガス濃度は均一になり、ポ
ート内の上下に収納されたウェーハに一様な膜質を成長
させることが出来るという効果がある。
【図１】本発明の一実施例における縦型減圧化学気相成
長装置を示し、（ａ）は装置の模式断面図、（ｂ）及び
（ｃ）はそれぞれガス供給管及びガス排気管の一側面図
である。
長装置を示し、（ａ）は装置の模式断面図、（ｂ）及び
（ｃ）はそれぞれガス供給管及びガス排気管の一側面図
である。
【図２】従来の一例を示す縦型減圧化学気相成長装置を
示す模式断面図である。
示す模式断面図である。
１ ガス供給管 ２ ガス排気管 ５，７ ガス供給口 ６，８ ガス排気口 ９，９ａ，９ｂ 炉芯管 １０ ボート
Claims (1)
- 【請求項１】 ウェーハを並べて収納するボートと、こ
のボートを包む炉芯管とを有する縦型減圧化学気相成長
装置において、前記ボートを挾み配置されるとともに上
下に複数の大きさの異なるガス供給口及びガス排気口を
それぞれもつガス供給管及びガス排気管とを備えること
を特徴とする縦型減圧化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318759A JP3067350B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 縦型減圧化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3318759A JP3067350B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 縦型減圧化学気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05211122A true JPH05211122A (ja) | 1993-08-20 |
| JP3067350B2 JP3067350B2 (ja) | 2000-07-17 |
Family
ID=18102624
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3318759A Expired - Fee Related JP3067350B2 (ja) | 1991-12-03 | 1991-12-03 | 縦型減圧化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3067350B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100604019B1 (ko) * | 1999-04-14 | 2006-07-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 성막처리방법, 열처리 방법 및 열처리 장치 |
| JP2008028409A (ja) * | 2007-08-21 | 2008-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
| JP2008258207A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| JP2013149728A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| JP2014063959A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
| US10224185B2 (en) | 2014-09-01 | 2019-03-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| CN116479406A (zh) * | 2023-06-20 | 2023-07-25 | 长鑫存储技术有限公司 | 化学气相沉积设备与方法 |
-
1991
- 1991-12-03 JP JP3318759A patent/JP3067350B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100604019B1 (ko) * | 1999-04-14 | 2006-07-24 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 성막처리방법, 열처리 방법 및 열처리 장치 |
| JP2008258207A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-23 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| JP4645616B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2011-03-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜装置 |
| JP2008028409A (ja) * | 2007-08-21 | 2008-02-07 | Tokyo Electron Ltd | 熱処理方法 |
| JP4561793B2 (ja) * | 2007-08-21 | 2010-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理方法 |
| JP2013149728A (ja) * | 2012-01-18 | 2013-08-01 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置 |
| JP2014063959A (ja) * | 2012-09-24 | 2014-04-10 | Tokyo Electron Ltd | 縦型熱処理装置 |
| US10224185B2 (en) | 2014-09-01 | 2019-03-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
| CN116479406A (zh) * | 2023-06-20 | 2023-07-25 | 长鑫存储技术有限公司 | 化学气相沉积设备与方法 |
| CN116479406B (zh) * | 2023-06-20 | 2023-11-10 | 长鑫存储技术有限公司 | 化学气相沉积设备与方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3067350B2 (ja) | 2000-07-17 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20000418 |
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