JPH10172978A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 コストの削減を図ることができる基板処理装
置を提供する。 【解決手段】 装置外部より扉３１を介して基板Ｗを格
納室３に一旦搬入し、搬送室２を介して処理室に基板Ｗ
を搬送して所定の処理を施す基板処理装置において、扉
３１の内側の面に多数の細孔を有するフィルタプレート
３１１を設け、ガス供給管６３から供給される不活性ガ
スをフィルタプレート３１１を介して一様に噴出させ
る。また、格納室３と搬送室２との間のゲート弁５３の
弁箱５３１下部に排気管７３を接続する。これにより、
フィルタプレート３１１から一様に噴出されたガスが複
数枚の基板Ｗの間を通り抜けて弁箱５３１から排気さ
れ、格納室３内部のガス置換が効率的に行われ、格納室
３を真空にすることなくガス置換が可能となる。その結
果、格納室３を真空に耐えうる構造にする必要はなく、
また、真空発生装置も不要となり、コストの削減を図る
ことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体基板や液
晶表示器製造用ガラス基板などの基板にＲＴＰ、ＣＶ
Ｄ、熱処理などの処理を施す基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板に所定の処理を施す基板処理装置の
中には、処理中の雰囲気を適正に維持するため、基板を
一旦格納室に搬入し、この格納室内部を所定の雰囲気に
してから基板を処理室に搬送するものがある。図９はこ
のような基板処理装置１０１の一例を示す側面図であ
る。この基板処理装置１０１では、格納室１０２と搬送
室１０３とは開閉自在なゲート弁１５１を介して接続さ
れており、搬送室１０３と処理室１０４もゲート弁１５
２を介して接続されている。

【０００３】基板Ｗは、まず、カセットＣに複数枚セッ
トされた状態で格納室１０２に搬入される。次に、搬送
室１０３内に設けられた搬送ロボット（図示省略）が基
板Ｗを１枚ずつ矢印Ｍ１およびＭ２に示すように処理室
１０４へと搬送し、処理が完了すると基板Ｗを格納室１
０２に戻す。そして、全ての基板Ｗについて処理が完了
するとカセットＣにセットされた状態のままで装置外部
へと搬出されるようになっている。

【０００４】また、このような基板処理装置では格納室
１０２や搬送室１０３を処理室１０４内部と同様の圧力
の雰囲気に維持する必要があり、このために格納室１０
２や搬送室１０３にはガス供給管１６１、１７１や排気
管１６２、１７２が接続されている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】また、基板処理装置１
０１では、格納室１０２には基板Ｗの搬出入の際に直接
外気が侵入するため、酸素などの活性ガスの処理室への
拡散を防止するために格納室１０２内部の活性ガスの除
去を行う必要がある。

【０００６】しかし、格納室内部の基板はカセット等に
より複数の基板が基板の大きさに比較して小さなピッチ
（基板の代表寸法の１／３０程度）で多段に積み重ねて
配置されているため基板に対して不活性なガス（所定の
ガス）を導入してもガスの置換が十分に行われず、活性
なガス濃度を所定濃度以上に出来なかったり、非常に長
い時間を要することになり、処理済基板に悪影響（主に
酸化）を与えたり、スループットの低下を招く。これら
を防止する手段として、活性ガスの除去のために格納室
１０２を一度真空にしてから不活性ガスを常圧となるま
で充填するようにする方法もあるが、格納室１０２は真
空に耐え得る構造としなければならず、また、排気管１
６２も真空発生装置に接続する必要がある。

【０００７】そこで、この発明は、上記課題に鑑みなさ
れたもので、格納室１０２内部を短時間に活性ガスを所
定濃度以下にし、処理済基板への悪影響やスループット
の低下を抑え、又、格納室１０２を真空にすることなく
格納室１０２内部の適切なガス置換を行うことにより、
格納室１０２を真空に耐えうる構造にする必要がなく、
また、真空発生装置も不要とし、その結果、コスト削減
を図ることができるを基板処理装置を提供することを目
的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
に所定の処理を施す基板処理装置であって、外部と前記
基板の受渡を行う受渡し部と、前記受渡し部に接続され
た本体部と、前記受渡し部に所定のガスを供給するガス
供給手段と、前記受渡し部内のガスを排気する排気手段
とを備え、前記受渡し部が、外部より受け入れた前記基
板を格納する格納室と、前記格納室と前記本体部との間
に介在する開閉自在なゲート弁とを有し、前記受渡し部
への前記所定のガスの供給と前記受渡し部内のガスの排
気とにより前記格納室内部に生じる気流の向きが、前記
格納室に格納される前記基板の主面にほぼ平行である。

【０００９】請求項２の発明は、請求項１記載の基板処
理装置であって、前記本体部が、前記格納室に前記ゲー
ト弁を介して接続されると共に、前記基板の搬送を行う
搬送手段を内部に有する搬送室と、前記搬送室に接続さ
れ、前記基板に前記所定の処理を施す処理室とを備えて
いる。

【００１０】請求項３の発明は、請求項１または２記載
の基板処理装置であって、前記格納室が、前記ゲート弁
に対向するように配置され、前記ガス供給手段に接続さ
れて前記所定のガスを前記ゲート弁へ向かう方向に所定
の領域から一様に噴出する開閉自在な扉を有する。

【００１１】請求項４の発明は、請求項３記載の基板処
理装置であって、前記所定の領域に複数の細孔を分布形
成した細孔板が取り付けられており、前記所定のガスが
前記細孔板の前記複数の細孔から噴出される。

【００１２】請求項５の発明は、請求項１ないし４のい
ずれかに記載の基板処理装置であって、前記排気手段が
前記ゲート弁の弁箱に接続されている。

【００１３】請求項６の発明は、請求項１ないし５のい
ずれかに記載の基板処理装置であって、前記排気手段
が、前記受渡し部に接続された第１排気管と、前記第１
排気管に取り付けられた開閉自在な弁と、前記本体部に
接続された第２排気管と、前記第１排気管と前記第２排
気管とに接続された主排気管と、前記主排気管内部のガ
スを排気する手段とを有し、前記主排気管に外気を流入
させる外気吸込部が設けられている。

【００１４】

【発明の実施の形態】

＜１． 第１の実施の形態＞図１はこの発明の第１の実
施の形態である基板処理装置１の構造の概略を示す平面
図である。

【００１５】この基板処理装置１は基板Ｗが搬送される
搬送室２の周囲に基板Ｗを一時的に格納しておく搬入出
用格納室３、４、および、基板Ｗに所定の処理を施す処
理室５がそれぞれ開閉自在なゲート弁５３、５４、５５
を介して接続されており、さらに、ガス供給系６および
排気系７が所定位置に接続される構成となっている。

【００１６】また、図２は搬入出用格納室３やゲート弁
５３を示す斜視図であり、図３は搬入出用格納室３やゲ
ート弁５３の縦断面図である。

【００１７】搬入出用格納室３は扉３１を介して装置外
部から搬出入される基板Ｗを一時的に格納しておく格納
室であり、このとき、基板Ｗは図３に示すようにカセッ
トＣに複数枚セットされた状態で装置外部から搬入され
る。なお、搬入出用格納室４も同様の構造となってい
る。

【００１８】搬送室２内部には図１に示すように基板Ｗ
を搬送する搬送ロボット２１が設けられており、搬入出
用格納室３、４、および、処理室５相互間において基板
Ｗを搬送するようになっている。

【００１９】また、ゲート弁５３は図３に示すように弁
箱５３１内部に弁体５３２を有しており、弁体５３２が
軸５３３を介してシリンダ５３４に連結されている。こ
れにより、シリンダ５３４が軸５３３を矢印Ｓ１に示す
ように上下に移動させると弁体５３２が搬送室２の開口
２３を開閉して、搬送室２内部と搬入出用格納室３内部
とを接続したり隔離したりするようになっている。な
お、図３においては弁体５３２を搬送室２側に押さえつ
ける機構を省略して図示している。また、他のゲート弁
５４や５５も同様の構造となっている。

【００２０】ガス供給系６は図１に示すように、流量調
整可能なガス供給装置６１およびこれに接続された供給
管６２、６３、６４を有しており、供給管６２、６３、
６４はそれぞれ搬送室２、搬入出用格納室３の扉３１、
および、搬入出用格納室４の扉４１に接続されている。
これらの供給管６２ないし６４を用いて搬送室２、搬入
出用格納室３、４には窒素ガスなどの不活性ガスが供給
されるようになっている。また、供給管６２ないし６４
にはそれぞれ開閉自在な弁７６が取り付けられている。

【００２１】排気系７は排気装置７１、排気管７２、７
３、７４、外気吸込管７７、これらに接続された主排気
管７８、および、圧力計７９から構成されており、排気
管７２、７３、７４はそれぞれ搬送室２、ゲート弁５
３、および、ゲート弁５４に接続されて搬送室２、搬入
出用格納室３、および、搬入出用格納室４を排気するよ
うになっている。また、排気管７３、７４には弁７６が
取り付けられており、さらに、排気装置７１の直前では
外気吸込管７７から調整ダンパで調整し、外気が主排気
管７８に流れ込むようにされているとともに、外気と合
流直前の主排気管７８の圧力が圧力計７９を用いて計測
されるようになっている。

【００２２】ガス供給系６および排気系７の接続形態を
一般的に換言するならば、搬入出用格納部３、４やゲー
ト弁５３、５４からなる受渡し部と、搬送室２や処理室
５などのその他の部分である本体部とのそれぞれにガス
供給系６および排気系７が接続されている形態となって
いる。

【００２３】以上がこの基板処理装置１の構成である
が、次に、この基板処理装置１の動作の概略について説
明する。

【００２４】まず、ゲート弁５３が閉じた状態で搬入出
用格納室３へのガスの供給および排気を停止し、扉３１
を開ける。そして、基板Ｗを複数枚カセットＣにセット
した状態で装置外部より搬入出用格納室３に搬入し、扉
３１を閉じる。この状態を示した図が図２および図３で
ある。

【００２５】次に、供給管６３および排気管７３の弁７
６を開け、不活性ガスを扉３１を介して供給し、搬入出
用格納室３内部のガスをゲート弁５３に取り付けられた
排気管７３から排気する。これにより搬入出用格納室３
内部が不活性ガスに置換される。なお、この置換動作の
詳細については後述する。

【００２６】搬入出用格納室３内部のガス置換が完了す
ると図３に示すようにシリンダ５３４を用いて弁体５３
２を下降させてゲート弁５３を開く。そして、開口２３
を介して図１に示す搬送ロボット２１が基板Ｗを１枚だ
け搬送室２へと取り出す。さらに、ゲート弁５５を開い
て搬送ロボット２１が基板Ｗを処理室５へと搬送し、ゲ
ート弁５５を閉じて基板Ｗに所定の処理が施される。

【００２７】基板Ｗへの処理が完了すると、ゲート弁５
５を開け、搬送室２に設けられた図示しないクーリング
ユニットで所定温度になるまで基板を冷却してから搬送
ロボット２１が基板Ｗを搬入出用格納室３へと搬送す
る。このような処理を繰り返し、格納室のすべての基板
の処理が終了するとゲート弁５３を閉じ、さらに搬入出
用格納室３へのガスの供給および排気を停止して扉３１
を開けて基板ＷをカセットＣにセットした状態で装置外
部へと取り出す。なお、基板Ｗの装置外部への搬出が完
了すると新たな基板を入れたカセットをセットし扉３１
を閉じて、内部のガス置換が行われ、不活性ガスが充填
される。

【００２８】以上が、この基板処理装置１の動作の概略
であるが、次に、この基板処理装置１の搬入出用格納室
３、４にて行われるガス置換動作について搬入出用格納
室３を例に詳説する。

【００２９】図４は搬入出用格納室３の扉３１を示す斜
視図であり、搬入出用格納室３内部側から見たものとな
っている。

【００３０】扉３１が閉じた状態では、Ｏリング３１２
を介して搬入出用格納室３を密閉するようになっている
が、Ｏリング３１２で囲まれる領域には多数の細孔を均
一に分布形成させたフィルタプレート３１１が取り付け
られており、フィルタプレート３１１の裏側（装置外部
側）には空間３１３が形成されている。この空間３１３
には供給管６３が接続されており、不活性ガスが供給さ
れるようになっている。空間３１３に不活性ガスが供給
されるとフィルタプレート３１１の多数の細孔から不活
性ガスが噴き出すこととなるが、この噴き出した不活性
ガスの気流は図３の矢印Ｇ１に示すようにフィルタプレ
ート３１１の面にほぼ垂直に（すなわち、ほぼ水平方向
に）一様に生じることとなる。

【００３１】一方、ゲート弁５３の弁箱５３１には排気
管７３が取り付けられており、ここから搬入出用格納室
３内部のガスを排気している。したがって、フィルタプ
レート３１１から水平に一様に生じる不活性ガスの気流
は、複数の基板Ｗの隙間を通り抜けて弁体５３２に向か
って流れ、その後、矢印Ｇ２およびＧ３に示すように弁
箱５３１内部を下降して排気管７３から排気されること
となる。なお、カセットＣは矢印Ｇ１の気流を乱さない
ように扉３１側および弁体５３側が開口しており、ま
た、このようなカセットＣの形状および載置姿勢は一般
的なものでもある。

【００３２】以上のように、搬入出用格納室３の扉３１
に供給管６３を接続し、フィルタプレート３１１を介し
て不活性ガスを搬入出用格納室３内部に供給し、また、
ゲート弁５３の弁箱５３１に排気管７３を接続して排気
を行うことにより、搬入出用格納室３内部ではほぼ水平
方向に層状の気流が発生し、複数の基板Ｗの隙間までガ
ス置換を行うことができる。さらに、図３に示すように
排気管７３を弁箱５３１の下部に接続することにより弁
箱５３１の内部も余すところなくガス置換が行われる。
これにより、搬入出用格納室３および弁箱５３１内部を
真空とすることなく適切なガス置換が実現される。その
結果、搬入出用格納室３を真空に耐えうる構造とする必
要がなく、また、高価な真空発生装置なども不要とな
り、コストの削減を図ることができる。また、短時間に
活性ガス濃度を所定濃度以下にできる。

【００３３】この基板処理装置１では、さらに、排気系
７においても簡易な構成にて排気処理を実現している。
次に、この排気系７の構成について詳説する。

【００３４】上述の通り、この基板処理装置１では高価
な真空発生装置を必要とせず、通常の排気設備７１を用
いて排気を実現しているが、さらに、簡易な構造にて搬
送室２の排気と搬入出用格納室３および４の排気とを１
つの排気設備７１を用いて行っている。

【００３５】図１に示すように搬送室２、搬入出用格納
室３、４はそれぞれ排気管７２、７３、７４に接続され
ているが、これらの排気管は途中で１つの主排気管７８
となって排気設備７１と接続されている。主排気管７８
にはさらに吸入量を可変できる手段をもった外気吸込管
７７が接続されており、所定の流量の外気が流れ込むよ
うになっている。そして、外気が流れ込む直前の主排気
管７８の圧力が圧力計７９において計測されて管理され
るようになっている。

【００３６】以上の構成により、排気管７３や７４に設
けられた弁７６を開閉しても排気設備７１が排気すべき
ガスの量は大きな変化を生じない。その結果、主排気管
７８内部の圧力の変動が抑えられることとなる。すなわ
ち、搬入出用格納室３や搬入出用格納室４における基板
Ｗの搬出入の際に排気管７３や７４の弁７６が閉じられ
ることとなるが、その際に主排気管７８の圧力は大きな
変化をすることはなく、搬送室２に接続された排気管７
２から急激にガスが排気されるということはない。

【００３７】以上のように、主排気管７８に外気吸込管
７７を設けることにより、簡単な構造にて搬送室２、搬
入出用格納室３、および、搬入出用格納室４の排気を１
つの排気設備７１にて実現することができ、搬送室、搬
入出用格納室を同じ圧力に保つことが可能でゲート弁５
３、５４開閉時の急激なガスの移動をなくし、パーティ
クルの巻き上げによるウエハへの付着を抑制できる。

【００３８】＜２． 第２の実施の形態＞図５はこの発
明の第２の実施の形態である基板処理装置の搬入出用格
納室３およびゲート弁５３を示す断面図であり、搬入出
用格納室３の構造が第１の実施の形態と異なる点を除い
てはほぼ第１の実施の形態と同様であり、同様の符号を
付している。

【００３９】この基板処理装置の搬入出用格納室３で
は、カセットＣが昇降台３２上に載置されるようになっ
ており、昇降軸３３が矢印Ｓ２に示すように昇降するこ
とによりカセットＣが昇降するようになっている。した
がって、搬入出用格納室３は第１の実施の形態に比べて
上下方向に大きくなっている。そこで、この基板処理装
置では、扉３１の上方の搬入出用格納室３内部壁面に扉
３１と同様の構造を設けて不活性ガスを供給するように
なっている。

【００４０】すなわち、扉３１の上方の搬入出用格納室
３内部壁面にフィルタプレート３１１ａを取り付け、フ
ィルタプレート３１１ａの背後に空間３１３ａを形成し
ている。そして、扉３１と同様にこの空間３１３ａに供
給管６３ａを接続して不活性ガスを供給するようにして
いる。

【００４１】このように、扉３１の上方にてフィルタプ
レート３１１ａを介して不活性ガスを供給することによ
り、搬入出用格納室３の扉３１側の壁面全面から水平を
向く一様な気流が矢印Ｇ４およびＧ５に示すように発生
する。したがって、第１の実施の形態と同様、搬入出用
格納室３内部を真空とすることなく適切なガス置換が可
能となり、コスト削減を図ることができ、さらに短時間
で活性ガス濃度を所定濃度以下にできる。

【００４２】なお、この基板処理装置では、さらに、搬
入出用格納室３下部の昇降軸３３近傍に供給管６３ｂを
接続し、昇降軸３３のガイドなどに滞留するガスも置換
されるようになっている。これにより、さらに適切なガ
ス置換を実現している。また、以上の構造は搬入出用格
納室４においても同様のものとすることができる。

【００４３】＜３． 変形例＞以上、この発明の実施の
形態について説明してきたが、この発明は上記実施の形
態に限定されるものではない。

【００４４】上記実施の形態では扉３１にフィルタプレ
ート３１１を設け、フィルタプレート３１１を介して不
活性ガスを供給するようにしているが、基板Ｗの主面に
平行に一様に不活性ガスが供給されるのであるならばど
のような形態であってもよい。

【００４５】例えば、図６に示すように、フィルタプレ
ート３１１に代えて複数の細孔３１４ａを設けた管３１
４を扉３１に張り巡らし、同様の効果を得るようにして
もよいし、図７に示すようフィルタプレートをフィルタ
プレート３１１ｂおよび３１１ｃのように２つ設け、こ
れらの背後の空間を接続管３１５を介して接続すること
により両フィルタプレート３１１ｂ、３１１ｃから水平
方向を向く一様な不活性ガスの気流を発生するようにし
てもよい。これにより、両フィルタプレート３１１ｂ、
３１１ｃの間に覗窓Ｅを設けることができるようにな
る。

【００４６】また、ゲート弁５３に取り付けられる排気
管７３も弁箱５３１の下部であればどこに取り付けても
よい。図８はその一例を示す図であり、搬送室２側から
ゲート弁５３を見た図である。図示するようにこの例で
は排気管７３をシリンダ５３４の側方に位置させ、弁箱
５３１の最下部に接続している。これにより、弁箱５３
１内のガスをより適切に排気するようにしている。

【００４７】なお、以上の例は搬入出用格納室４につい
てももちろん同様のことがいえる。

【００４８】また、上記実施の形態では、扉側からガス
を供給してゲート弁側からガスを排気しているが、基板
Ｗの主面に平行に気流を発生するのであるならば（搬入
出用）格納室の他の壁面からガスを供給し排気するよう
にしてもよいし、格納室内部にガスの供給口および排気
口を別途設けるようにしてもよい。

【００４９】また、上記実施の形態では、各格納室にて
複数の基板Ｗを格納するようにしているが、単数の基板
であってもよい。

【００５０】また、上記実施の形態では搬送室２を有す
る基板処理装置であるがこれは一例に過ぎず、処理室と
格納室のみを有する基板処理装置であっても格納室にお
いて同様の構造とすることにより同様の効果を得ること
ができる。

【００５１】また、上記実施の形態でのガスの供給にお
いてガスの供給を断続的に行う回分パージ操作をするよ
うにしてもよい。これにより、各格納室や弁箱に滞留す
るガスをさらに効率よく排気することができる。

【００５２】また、上記実施の形態における格納室の扉
をシリンダを用いた自動扉としてもよい。

【００５３】さらに、上記実施の形態における処理室は
常圧の雰囲気であるものに限定されるわけではなく、減
圧や真空の雰囲気であっても格納室が常圧で問題が生じ
ない装置であれば上記実施の形態と同様の格納室を用い
ることができる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１および２
記載の発明では、格納室内部において基板の主面にほぼ
平行に気流を生じさせるので、小さなピッチで多段に積
み重ねて配置された基板間や基板とカセットとそれを設
置する格納室の台の間も効率よくガスの入れ替えが可能
となり、短時間で存在ガスの濃度を十分に低くする事が
でき、又、ガスの乱れが少なく格納室底面にあるパーテ
ィクルを巻き上げ難い。

【００５５】請求項３記載の発明では、格納室の扉から
一様に所定のガスを噴出させるので、さらに効率的なガ
スの置換が格納室において可能となる。

【００５６】請求項４記載の発明では、格納室の扉に細
孔板を設け、細孔板より所定のガスを噴出させるので、
細孔板全面より一様に格納室内部へとガスを供給するこ
とができる。これにより効率的なガスの置換が格納室に
おいて可能となる。

【００５７】請求項５記載の発明では、排気手段がゲー
ト弁の弁箱に接続されているので、弁箱内部のガスの置
換も効率的に行うことができる。

【００５８】請求項６記載の発明では、本体部と受渡し
部とを排気手段に接続し、主排気管に外気吸込部を設け
ているので、受渡し部と外部との基板の受渡の際に受渡
し部の排気を停止しても本体部の排気流量が大きく変動
することはない。これにより、本体部と受渡し部とを１
つの排気手段により排気することが可能となり、効率の
よいガスの入替えが可能となり、さらに短時間でガスの
濃度を所定濃度以下にでき、コスト削減を図ることがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の第１の実施の形態の基板処理装置の
構造を示す平面図である。

【図２】搬入出用格納室およびゲート弁を示す斜視図で
ある。

【図３】搬入出用格納室およびゲート弁を示す縦断面図
である。

【図４】搬入出用格納室の扉を示す斜視図である。

【図５】この発明の第２の実施の形態の基板処理装置の
搬入出用格納室およびゲート弁を示す縦断面図である。

【図６】扉の他の形態を示す斜視図である。

【図７】扉の他の形態を示す斜視図である。

【図８】ゲート弁の他の形態を示す斜視図である。

【図９】従来の基板処理装置を示す側面図である。

【符号の説明】

１ 基板処理装置 ２ 搬送室 ３、４ 搬入出用格納室 ５ 処理室 ６ ガス供給系 ７ 排気系 ２１ 搬送ロボット ５３、５４ ゲート弁 ６１ ガス供給装置 ６３、６３ａ、６４ 供給管 ７１ 排気装置 ７２、７３、７４ 排気管 ７６ 弁 ７７ 外気吸込管 ７８ 主排気管 ３１１、３１１ａ、３１１ｂ、３１１ｃ フィルタプレ
ート ３１４ 管 ３１４ａ 細孔 ５３１ 弁箱 Ｇ１〜Ｇ５ 矢印 Ｗ 基板

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に所定の処理を施す基板処理装置で
   あって、 外部と前記基板の受渡を行う受渡し部と、 前記受渡し部に接続された本体部と、 前記受渡し部に所定のガスを供給するガス供給手段と、 前記受渡し部内のガスを排気する排気手段と、を備え、 前記受渡し部が、 外部より受け入れた前記基板を格納する格納室と、 前記格納室と前記本体部との間に介在する開閉自在なゲ
   ート弁と、を有し、 前記受渡し部への前記所定のガスの供給と前記受渡し部
   内のガスの排気とにより前記格納室内部に生じる気流の
   向きが、前記格納室に格納される前記基板の主面にほぼ
   平行であることを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の基板処理装置であって、 前記本体部が、 前記格納室に前記ゲート弁を介して接続されると共に、
   前記基板の搬送を行う搬送手段を内部に有する搬送室
   と、 前記搬送室に接続され、前記基板に前記所定の処理を施
   す処理室と、 を備えていることを特徴とする基板処理装置。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の基板処理装置で
   あって、 前記格納室が、 前記ゲート弁に対向するように配置され、前記ガス供給
   手段に接続されて前記所定のガスを前記ゲート弁へ向か
   う方向に所定の領域から一様に噴出する開閉自在な扉、
   を有することを特徴とする基板処理装置。
4. 【請求項４】 請求項３記載の基板処理装置であって、 前記所定の領域に複数の細孔を分布形成した細孔板が取
   り付けられており、 前記所定のガスが前記細孔板の前記複数の細孔から噴出
   されることを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の基
   板処理装置であって、 前記排気手段が前記ゲート弁の弁箱に接続されているこ
   とを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の基
   板処理装置であって、 前記排気手段が、 前記受渡し部に接続された第１排気管と、 前記第１排気管に取り付けられた開閉自在な弁と、 前記本体部に接続された第２排気管と、 前記第１排気管と前記第２排気管とに接続された主排気
   管と、 前記主排気管内部のガスを排気する手段と、を有し、 前記主排気管に外気を流入させる外気吸込部が設けられ
   ていることを特徴とする基板処理装置。