JP3176153B2

JP3176153B2 - 半導体製造装置

Info

Publication number: JP3176153B2
Application number: JP30817792A
Authority: JP
Inventors: 智柿崎; 利一狩野; 昭一郎泉; 幹夫小泉; 英二保坂; 誠治渡辺; 重夫福田
Original assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Current assignee: Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date: 1991-10-29
Filing date: 1992-10-22
Publication date: 2001-06-11
Anticipated expiration: 2016-06-11
Also published as: JPH05267432A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はシリコン等のウェーハよ
りＩＣ等の半導体素子を製造する半導体製造装置に関す
るものである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ等の半導体素子を製造する工程の１
つに、シリコンウェーハの表面に各種の薄膜を生成する
化学気相成長工程（ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｒＤ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：以下ＣＶＤと略称する）、或は
拡散工程がある。

【０００３】以下、従来の半導体製造装置を、縦型炉を
有する縦型ＣＶＤ装置を例にとって説明する。

【０００４】一般にウェーハの取扱、搬送は、所定数
（例えば２５枚）のウェーハをウェーハカセットに装填
し、該ウェーハカセットを搬送している。従来の半導体
製造装置は、装置内に１つのカセットストッカを具備
し、該カセットストッカに１バッチ分の前記ウェーハカ
セットを収納し、収納したウェーハカセットからウェー
ハを取出し処理している。

【０００５】図１１、図１２に於いて従来の縦型ＣＶＤ
装置を説明する。

【０００６】筐体１内には反応炉２が設けられ、又反応
炉２の下方にはボート昇降機構３が設けられている。
又、該ボート昇降機構３と並列にウェーハ移載機構４が
設けられ、該ウェーハ移載機構４に近接してカセットス
トッカ５が設けられ、更に該カセットストッカ５の真上
に配設されたバッファカセットストッカ２１、該バッフ
ァカセットストッカ２１、前記カセットストッカ５に隣
接し、且掛渡り設けられたウェーハカセット授受機構２
２を具備している。

【０００７】前記ボート昇降機構３はウェーハが水平姿
勢で多段に装填されたボート６を前記反応炉２に装入、
引出すものであり、前記ボート６が載置されるボート受
け（図示せず）をガイドロッド７で昇降自在に支持し、
更に前記ボート受けはスクリューロッド８に連結され、
モータによるスクリューロッド８の回転で前記ボート６
を昇降させ得る様になっている。

【０００８】前記カセットストッカ５は、ウェーハ９が
装填されたウェーハカセット１０を授受し、且一時保管
する為のものであり、本例では２列、５段にウェーハカ
セットを収納可能となっており、該カセットストッカ５
は水平方向に移動可能となっている。

【０００９】前記ウェーハ移載機構４は、ガイドロッド
１１に昇降自在に支持された昇降ブロック１２と、該昇
降ブロック１２に螺合し、モータ１３によって回転され
るスクリューロッド１４と、前記昇降ブロック１２に設
けられたウェーハハンドリングヘッド１５とから成る。
該ウェーハ移載機構４は、前記ウェーハハンドリングヘ
ッド１５のウェーハハンドリングと前記昇降ブロック１
２の昇降により、前記カセットストッカ５のウェーハカ
セット１０からウェーハ９を前記ボート６に移載し、又
逆に該ボート６から前記カセットストッカ５にウェーハ
９を移載する。

【００１０】前記バッファカセットストッカ２１は、前
記カセットストッカ５と同様な構成を有し、次バッチの
ウェーハを装填したウェーハカセット（以下、特に説明
のない場合は未処理ウェーハを装填したウェーハカセッ
トを未処理ウェーハカセットと略称する）がバッファカ
セットストッカ２１内の収納箇所全てに、或いは一部に
収納される。

【００１１】前記バッファカセットストッカ２１と前記
反応炉２との間にはクリーンユニット２９が配設され
る。尚、図中３０は排気ファンである。

【００１２】前記ウェーハカセット授受機構２２は、半
導体製造装置外部から搬送された未処理ウェーハカセッ
ト１０を受取り、前記カセットストッカ５とバッファカ
セットストッカ２１に未処理ウェーハカセット１０を移
載し、更にバッファカセットストッカ２１の未処理ウェ
ーハカセット１０を前記カセットストッカ５に移載する
機能を有する。

【００１３】該ウェーハカセット授受機構２２について
説明する。

【００１４】前記カセットストッカ５、前記バッファカ
セットストッカ２１は縦型ＣＶＤ装置の内部前面に臨む
位置に設けられている。

【００１５】２本のガイドロッド２３は前記カセットス
トッカ５、前記バッファカセットストッカ２１の側方に
位置し、且両カセットストッカ５、バッファカセットス
トッカ２１に掛渡り、平行に立設され、又、該２本のガ
イドロッド２３の間にはスクリューロッド２４が回転自
在に設けられ、該スクリューロッド２４は、該スクリュ
ーロッド２４の上端に設けられた昇降モータ２５と連結
してある。

【００１６】前記カセットストッカ５、前記バッファカ
セットストッカ２１と縦型ＣＶＤ装置前面との間に位置
する様に、昇降ベース２６を配設し、該昇降ベース２６
を前記ガイドロッド２３に摺動自在に設け、更に該昇降
ベース２６を前記スクリューロッド２４に連結する。

【００１７】前記昇降ベース２６上には前記カセットス
トッカ５、前記バッファカセットストッカ２１のウェー
ハカセット収納列の各列に対応する様、２組のカセット
移載ユニット２７が設けられている。

【００１８】該カセット移載ユニット２７はＬ字状に構
成したカセット受台２８を有し、該カセット受台２８は
水平な回転軸を中心に９０°回転可能になっていると共
にリンク機構に支持され、前記カセットストッカ５、前
記バッファカセットストッカ２１に対して前進後退可能
になっている。

【００１９】以下、図１３を参照してウェーハ処理の流
れを説明する。尚、ウェーハ処理の流れは、前記カセッ
トストッカ５、前記バッファカセットストッカ２１が共
に空の状態からスタートしたとする。

【００２０】ウェーハ９を装填したウェーハカセット１
０は、成膜処理を実施する迄、酸化防止ガスが充填され
た箱等に収納、保管されており、実際に成膜処理をする
際に前記箱から取出される。

【００２１】未処理ウェーハカセット１０が前記ウェー
ハカセット授受機構２２を介して前記カセットストッカ
５、前記バッファカセットストッカ２１に収納される。

【００２２】前記カセットストッカ５への未処理ウェー
ハカセット１０の収納が完了した時点で、前記ウェーハ
移載機構４によりカセットストッカ５からボート６への
ウェーハ９の移載が開始される。

【００２３】前記ボート６に所定数のウェーハ９が移載
し終わると、前記ボート昇降機構３がボート６を前記反
応炉２に挿入する。尚、前記カセットストッカ５には空
のウェーハカセット１０が残置される。

【００２４】前記反応炉２内でのウェーハ９の成膜が完
了すると、前記ボート昇降機構３によってボート６が下
方に引出される。前記ウェーハ移載機構４はボート６の
ウェーハ９を前記空のウェーハカセット１０に移載す
る。

【００２５】処理済みのウェーハ９が空のウェーハカセ
ット１０に移載し終わると、前記カセットストッカ５は
水平方向に移動する。該カセットストッカ５の水平方向
の移動で、該カセットストッカ５内の未処理ウェーハカ
セット１０が収納されている列と前記ウェーハハンドリ
ングヘッド１５が対峙し、未処理ウェーハ９の前記ボー
ト６への移載が可能となる。

【００２６】カセットストッカ５の未処理ウェーハ９の
移載作動と併行して、処理済みのウェーハ９が装填され
たウェーハカセット１０（以下、処理済みのウェーハ９
が装填されたウェーハカセット１０を処理済みウェーハ
カセット１０と略記する）が前記ウェーハカセット授受
機構２２によって搬出される。

【００２７】処理済みウェーハカセット１０の搬出によ
り、前記カセットストッカ５に空き収納箇所が生じる。

【００２８】前記ウェーハカセット授受機構２２は、こ
の空き収納箇所に前記バッファカセットストッカ２１か
ら未処理ウェーハカセット１０を移載する。更に、この
移載作動で生じたバッファカセットストッカ２１の空き
収納箇所には、前記ウェーハカセット授受機構２２が外
部から未処理ウェーハカセット１０を受取り、順次収納
していく。

【００２９】而して、ウェーハ９の処理が進むと、未処
理ウェーハカセット１０は外部より前記バッファカセッ
トストッカ２１に搬入され、処理済みウェーハカセット
１０は前記カセットストッカ５から外部へ搬出され、更
に、未処理ウェーハカセット１０がバッファカセットス
トッカ２１からカセットストッカ５へ移載され、連続的
な未処理ウェーハカセット１０の搬入、連続的な処理済
みウェーハカセット１０の搬出が行われる。

【００３０】

【発明が解決しようとする課題】上記した様に、従来の
半導体製造装置では、バッファカセットストッカを設
け、処理済みのウェーハが装填されたウェーハカセット
と未処理のウェーハが装填されたウェーハカセットを入
替える間もウェーハの処理が休止しない様にすることに
より、ウェーハ処理効率の向上が実現する。しかし、成
膜処理待機時間は、通常少なくとも１時間以上であり、
バッファカセットストッカ内のウェーハカセットに収納
されているウェーハは、この間大気雰囲気中の酸素に晒
されることとなり、ウェーハ表面には自然酸化膜が形成
されてしまう。ウェーハ表面に形成された自然酸化膜は
成膜処理の精度を著しく低下させ、製品品質に悪影響を
与える。

【００３１】本発明は斯かる実情に鑑み、従来の半導体
製造装置と同等、若しくはそれ以上のスループットを得
られると共に、待機中の未処理ウェーハが大気雰囲気中
の酸素の影響を受けることなく目的の生成膜、酸化膜を
高品質で生成し得る様にするものである。

【００３２】

【課題を解決するための手段】本発明は、ウェーハを収
納するウェーハカセットを搭載するカセットストッカ
と、加熱手段を備えた反応炉と、反応炉に反応ガスを導
入する反応ガス導入手段と、反応炉内の排気ガスを排気
するガス排気手段と、ウェーハを支持するボートと、未
処理ウェーハを保管するバッファカセットストッカと、
ボートを反応炉に装入・引出すボート昇降手段と、ボー
トとカセットストッカに搭載したウェーハカセットの間
でウェーハの移載を行うウェーハ移載手段と、バッファ
カセットストッカとカセットストッカの間でウェーハカ
セットを移載するウェーハカセット移載手段と、バッフ
ァカセットストッカを収納し開閉自在な蓋を有し、蓋が
閉じた場合には酸化防止領域を形成する酸化防止手段を
備えたものである。

【００３３】

【作用】待機中の未処理ウェーハが収納されたウェーハ
カセットを搭載したバッファカセットストッカに於い
て、該バッファカセットストッカを酸化防止手段の内部
に入れ、該酸化防止手段の内部を酸化防止ガスで置換
し、ウェーハ表面に自然酸化膜が形成されるのを防止す
る。

【００３４】

【実施例】以下、図１に於いて本発明の実施例を説明す
る。

【００３５】尚、図１中図１１、図１２中で示したもの
と同一のものには同符号を付し、その説明は省略する。

【００３６】本実施例では、上記した従来例の構成に前
記バッファカセットストッカ２１を収納し、密閉な酸化
防止領域を形成するバッファカセットストッカ収納機構
３１を設ける。該バッファカセットストッカ収納機構３
１は、ウェーハカセットが出入れ可能な様に開閉可能に
なっている。

【００３７】図１に於いて示す筐体１、反応炉２、ボー
ト昇降機構３、ウェーハ移載機構４、カセットストッカ
５、ウェーハハンドリングヘッド１５、ウェーハカセッ
ト授受機構２２等は同様な構成であるので詳細な説明を
省略し、以下は図２〜図６を参照して前記バッファカセ
ットストッカ収納機構３１及びバッファカセットストッ
カ２１を説明する。

【００３８】前記バッファカセットストッカ２１はフレ
ーム４０に支柱４１を複数立設し、該支柱４１に所要段
の棚板４２を掛渡すことにより構成される。前記バッフ
ァカセットストッカ２１の両側の側面と上面を覆うカバ
ー４３を設ける。前記バッファカセットストッカ２１の
背面にクリーンユニット４４を設ける。該クリーンユニ
ット４４は、清浄な空気を供給することもできるが、こ
こではバッファカセットストッカ２１の内部に酸化防止
ガスを給排する機能を有し、図示しないが、酸化防止ガ
ス供給手段と、ガス排気手段を有している。

【００３９】前記フレーム４０と前記カバー４３と前記
クリーンユニット４４とで構成される箱体の前面を全て
覆い、且開閉可能な蓋４９を設ける。よって前記フレー
ム４０と、前記カバー４３と、前記クリーンユニット４
４と前記蓋４９によって前記バッファカセットストッカ
２１を密閉する領域が形成される。この領域に該クリー
ンユニット４４を介して酸化防止ガスが送込まれること
で、酸化防止領域が形成される。

【００４０】前記カバー４３の上面に矩形の支持枠４５
を前方に向って突出する様に設ける。該支持枠４５に２
本のガイドロッド４６を前後方向に掛渡して設け、該２
本のガイドロッド４６に前記蓋４９を摺動自在に設け
る。該蓋４９によって前記酸化防止領域の前面開口部を
閉塞、開放可能とする。

【００４１】前記蓋４９は、前記ガイドロッド４６にそ
れぞれ摺動自在に嵌合したスライドブロック４７と、該
スライドブロック４７に懸架した矩形形状の吊枠４８
と、該吊枠４８に設けられた蓋板５９から構成されてい
る。

【００４２】前記蓋４９の周縁と、前記カバー４３の周
縁の当接する部分に、シリコンチューブ等のシール手段
５０を貼設する。

【００４３】前記２つのスライドブロック４７の間に開
閉シリンダ５１を設ける。該開閉シリンダ５１のシリン
ダチューブ５２を前記支持枠４５に固着し、シリンダロ
ッド５３を前記吊枠４８に連結し、該開閉シリンダ５１
を伸縮することで、前記蓋４９を前記カバー４３に対し
て開閉可能とする。

【００４４】前記支持枠４５の前記吊枠４８と当たる場
所には緩衝器５５を設ける。

【００４５】前記フレーム４０に、スイングシリンダ５
４を設ける。該スイングシリンダ５４のロッド５６は伸
縮すると共に回転するものであり、該ロッド５６の先端
にはロックプレート５７が固着されている。

【００４６】前記吊枠４８の下部の水平な部分、且前記
ロックプレート５７と対峙する位置に鉤座５８を設け、
該鉤座５８と前記ロックプレート５７とを係合可能とす
る。

【００４７】又、前記カバー４３の酸化防止領域の適宜
な位置に酸素濃度検出手段（図示せず）を設け、該酸素
濃度検出手段で検出した酸素の濃度に応じ、図示しない
酸化防止ガス流量制御手段によって前記酸化防止領域に
供給する酸化防止ガスの流量を制御する。

【００４８】以下作動を説明する。

【００４９】図１〜図４及び図６は、前記蓋４９が開い
た状態を示している。

【００５０】前記昇降モータ２５が駆動され、昇降ベー
ス２６を介してカセット移載ユニット２７を下降させ、
該カセット移載ユニット２７を前記カセットストッカ５
の最上段の棚に対峙させる。

【００５１】前記開閉シリンダ５１を伸長させ、図示の
様に蓋４９を前記カバー４３から離反させ前記酸化防止
領域を開放する。

【００５２】搬送機、或いは操作者によって未処理ウェ
ーハ９が装填されたウェーハカセット１０が前記カセッ
ト移載ユニット２７のカセット受台２８に載置される。
該カセット受台２８に載置される未処理ウェーハカセッ
ト１０の姿勢は垂直であり、装填されたウェーハ９が脱
落することが防止される。次に前記カセット受台２８が
９０°未満の回転角度で回転する。回転角度が９０°未
満であるので、前記ウェーハ９が滑り落ちることが防止
される。

【００５３】前記カセット受台２８が前記リンク機構の
作動で前記カセットストッカ５内に前進し、前記カセッ
ト受台２８の回転角度が９０°となる様に追加の回転を
する。前記昇降ベース２６を若干下降させることで、未
処理ウェーハカセット１０をカセットストッカ５の棚に
移載する。前記カセット受台２８を後退させて、カセッ
トストッカ５の１段目に対する未処理ウェーハカセット
１０の収納作業が完了する。

【００５４】前記昇降モータ２５が駆動して前記カセッ
ト移載ユニット２７をカセットストッカ５の２段目の位
置迄下降させる。而して２段目に対するウェーハカセッ
ト１０の収納作業を開始する。

【００５５】斯かる収納作業を繰返し、カセットストッ
カ５の予定した収納場所全てに対して行い、更に前記バ
ッファカセットストッカ２１に対しても収納作業を同様
に行う。尚、作業の状況によってはカセットストッカ
５、バッファカセットストッカ２１に空き収納箇所を残
しておくことは言う迄もない。

【００５６】バッファカセットストッカ２１に未処理ウ
ェーハカセット１０が収納し終わると前記開閉シリンダ
５１が縮短し、前記スライドブロック４７を引寄せる。
該スライドブロック４７の移動により、前記蓋４９が開
いた状態から、閉じた状態へと移動する。

【００５７】前記蓋４９が、前記フレーム４０と前記カ
バー４３と前記クリーンユニット４４とで構成する前記
酸化防止領域の開口部を閉塞する場合に、まず、前記吊
枠４８が前記緩衝器５５に当たることによって、前記吊
枠４８と該蓋４９の衝撃が和らげられる。

【００５８】又、該蓋４９が前記酸化防止領域の開口部
を閉塞すると、前記スイングシリンダ５４が作動し、前
記ロッド５６が回転し、その先端にある前記ロックプレ
ート５７が前記鉤座５８に係合し、蓋４９を前記カバー
４３に押圧した状態でロックする。その結果、前記シー
ル手段５０が変形し、前記酸化防止領域は密閉される。

【００５９】密閉された前記酸化防止領域に該クリーン
ユニット４４の、前記酸化防止ガス供給手段から酸化防
止ガスが供給され、もとよりあった酸素を含む大気は、
該クリーンユニット４４の前記ガス排気手段により他へ
排気される。而して、該酸化防止領域は酸化防止ガスに
置換されることになる。

【００６０】前記酸化防止領域の酸素濃度は、前記酸素
濃度検出手段によって検出されており、その検出した酸
素濃度によって供給する酸化防止ガスの流量を前記酸化
防止ガス流量制御手段によって制御している。

【００６１】前記カセットストッカ５に未処理ウェーハ
カセット１０が収納し終わると、前記ウェーハ移載機構
４によってカセットストッカ５のウェーハ９が前記ボー
ト６に移載され、更にボート６はボート昇降機構３によ
って前記反応炉２に装入される。

【００６２】該反応炉２の炉内は加熱手段２０によって
所定の温度に加熱されており、更に炉内の大気成分は排
気手段１８によって排気され、更に反応ガス導入手段１
７によって、目的の成膜に用いる反応ガス１６を炉内に
導入する。

【００６３】更に反応ガスはウェーハ９処理中所定の流
量で、前記反応炉２内に導入され、前記排気手段１８よ
り処理後のガスが排気される。

【００６４】前記反応炉２内に導入された反応ガスは、
炉内の熱によって反応、分解し、ウェーハ９の表面に堆
積し、所定の薄膜が成膜される。

【００６５】成膜処理が完了すると、ボート６がボート
昇降機構３によって引出され、更に処理済みのウェーハ
９は前記ウェーハ移載機構４により前記カセットストッ
カ５の空のウェーハカセット１０に移載される。処理済
みのウェーハ９が空のウェーハカセット１０に移載し終
わると、前記カセットストッカ５は水平方向に移動す
る。該カセットストッカ５の水平方向の移動で、該カセ
ットストッカ５内の未処理ウェーハカセット１０が収納
されている列と前記ウェーハハンドリングヘッド１５が
対峙し、未処理ウェーハ９の前記ボート６への移載が可
能となる。

【００６６】カセットストッカ５の未処理ウェーハ９の
移載作動と併行して、処理済みのウェーハ９が装填され
た処理済みウェーハカセット１０は、前記ウェーハカセ
ット授受機構２２によって縦型ＣＶＤ装置外に取出さ
れ、更に次工程以後の処理に送られる。

【００６７】処理済みウェーハカセット１０がカセット
ストッカ５より取出され、該カセットストッカ５に空の
収納箇所が生じると、前記ウェーハカセット授受機構２
２によって前記バッファカセットストッカ２１からカセ
ットストッカ５への未処理ウェーハカセット１０の移載
が行われる。更に、この移載作動で生じたバッファカセ
ットストッカ２１の空き収納箇所には、前記ウェーハカ
セット授受機構２２が外部から未処理ウェーハカセット
１０を受取り、順次収納していく。

【００６８】前記酸化防止ガス供給手段からの酸化防止
ガスの供給、及びガス排気手段からのガス排気を止め、
前記スイングシリンダ５４の回転により前記ロックプレ
ート５７が前記鉤座５８から離脱され、前記開閉シリン
ダ５１が伸長して前記蓋４９が開かれる。前記緩衝器５
５は該蓋４９が開く際の衝撃を抑えている。

【００６９】前記バッファカセットストッカ２１から前
記ウェーハカセット授受機構２２によって前記未処理ウ
ェーハカセット１０は、空になった前記カセットストッ
カ５に移載される。以後同様の処理が繰返される。

【００７０】尚、前記バッファカセットストッカ２１は
縦型ＣＶＤ装置が成膜処理中であっても、縦型ＣＶＤ装
置の外部から未処理ウェーハカセット１０を装置内に搬
入することができ、装置の外での待ち時間を無くし、若
しくは待ち時間を大幅に短縮する。又、該バッファカセ
ットストッカ２１に待機中のウェーハも、大気中の酸素
の影響を受けることがなくなり、ウェーハの自然酸化に
よる自然酸化膜が生成されない。

【００７１】図７に他のバッファカセットストッカ収納
機構６０の例を示す。

【００７２】該バッファカセットストッカ収納機構６０
では前記バッファカセットストッカ収納機構３１で示し
たクリーンユニット４４を用いることなく前記カバー４
３によってバッファカセットストッカ２１の背面も覆っ
たものであり、該カバー４３の背面の上部に酸化防止ガ
ス供給手段６１を設け、又前記カバー４３の下部にガス
排気手段を６２を設けたものである。

【００７３】本バッファカセットストッカ収納機構６０
に於いても、前記カバー４３、蓋４９によって密閉な酸
化防止領域が形成され、前記酸化防止ガス供給手段６１
により酸化防止ガスを供給し、該酸化防止領域を酸化防
止ガスに置換することで、バッファカセットストッカ２
１内のウェーハ９の自然酸化を防止する。

【００７４】バッファカセットストッカ２１、蓋４９の
開閉機構についての具体的構成は、前記図２〜図５で示
したものと同様であるので、同一の構成要素には同一の
符号を付してその説明を省略する。

【００７５】先の２つの実施例は蓋４９がバッファカセ
ットストッカ２１に対し垂直を保ったまま水平方向に開
閉するスライド方式としたが、他に図８に示す様に蓋４
９のいずれか一辺を中心に回転可能としてもよく、又、
図９に示す様にバッファカセットストッカ２１に対し垂
直方向に移動して開閉をしてもよく、図１０に示す様に
蓋４９を分割し、分割したそれぞれを回転可能としても
よい。更に、上記した実施例では自然酸化の防止に酸化
防止ガスを用いていたが、他に不活性ガスを利用しても
よい。

【００７６】尚、上記実施例ではバッファカセットスト
ッカ２１は、カセットストッカ５と同様な構成である
が、勿論カセットストッカ５と異なる構成であってもよ
い。

【００７７】

【発明の効果】以上述べた如く本発明によれば、未処理
ウェーハカセットと処理済みウェーハカセットとの変換
作業を効率よく行うことができると共に待機中にウェー
ハが大気中の酸素によって自然酸化するのが抑制され、
無用の自然酸化膜の生成を防止することができ、半導体
素子の製造に於ける品質、歩留まりの向上を図ることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の斜視図である。

【図２】同前実施例に於けるバッファカセット収納機構
の斜視図である。

【図３】該バッファカセット収納機構の側面図である。

【図４】該バッファカセット収納機構の平面図である。

【図５】第３図のＡ−Ａ矢視図である。

【図６】同前実施例の作動説明図である。

【図７】他のバッファカセット収納機構の斜視図であ
る。

【図８】更に他のバッファカセット収納機構の説明図で
ある。

【図９】更に又他のバッファカセット収納機構の説明図
である。

【図１０】更に他のバッファカセット収納機構の説明図
である。

【図１１】従来例の左上方より見た斜視図である。

【図１２】従来例の右上方より見た斜視図である。

【図１３】従来例の作動説明図である。

【符号の説明】

２反応炉３ボート昇降機構４ウェーハ移載機構５カセットストッカ６ボート９ウェーハ１０ウェーハカセット１７反応ガス導入手段１８排気手段２０加熱手段２１バッファカセットストッカ４９蓋６１酸化防止ガス供給手段

フロントページの続き (72)発明者小泉幹夫東京都港区虎ノ門二丁目３番13号国際電気株式会社内 (72)発明者保坂英二東京都港区虎ノ門二丁目３番13号国際電気株式会社内 (72)発明者渡辺誠治東京都港区虎ノ門二丁目３番13号国際電気株式会社内 (72)発明者福田重夫東京都港区虎ノ門二丁目３番13号国際電気株式会社内 (56)参考文献特開平５−41446（ＪＰ，Ａ) 特開平５−226454（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】ウェーハを収納するウェーハカセットを
搭載するカセットストッカと、加熱手段を備えた反応炉
と、反応炉に反応ガスを導入する反応ガス導入手段と、
反応炉内の排気ガスを排気するガス排気手段と、ウェー
ハを支持するボートと、未処理ウェーハを保管するバッ
ファカセットストッカと、ボートを反応炉に装入・引出
すボート昇降手段と、ボートとカセットストッカに搭載
したウェーハカセットの間でウェーハの移載を行うウェ
ーハ移載手段と、バッファカセットストッカとカセット
ストッカの間でウェーハカセットを移載するウェーハカ
セット移載手段と、バッファカセットストッカを収納し
開閉自在な蓋を有し、蓋が閉じた場合には酸化防止領域
を形成する酸化防止手段を備えたことを特徴とする半導
体製造装置。
【請求項２】酸化防止領域に酸化防止ガス供給手段と
ガス排気手段を有した請求項１の半導体製造装置。
【請求項３】酸化防止領域に酸素濃度検出手段を備え
た請求項１の半導体製造装置。
【請求項４】酸素濃度検出手段の検出結果に基づき、
酸化防止ガスの流量を決定する制御手段を備えた請求項
３の半導体製造装置。
【請求項５】バッファカセットストッカを収納する前
記酸化防止手段の少なくとも一部をクリーンユニットと
した請求項１の半導体製造装置。