JP2683673B2 - 縦型熱処理装置 - Google Patents
縦型熱処理装置Info
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- JP2683673B2 JP2683673B2 JP63223930A JP22393088A JP2683673B2 JP 2683673 B2 JP2683673 B2 JP 2683673B2 JP 63223930 A JP63223930 A JP 63223930A JP 22393088 A JP22393088 A JP 22393088A JP 2683673 B2 JP2683673 B2 JP 2683673B2
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- heat treatment
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の目的］ （産業上の利用分野） 本発明は、縦型熱処理装置に関する。
（従来の技術） 従来、半導体ウエハ等の被処理基板を加熱して薄膜形
成、熱拡散等の処理を施す加熱処理装置としては、反応
管をほぼ水平に配設した横型熱処理装置が主に用いられ
ていたが、近年は、反応管をほぼ垂直に配設した縦型熱
処理装置が用いられるようになってきた。
成、熱拡散等の処理を施す加熱処理装置としては、反応
管をほぼ水平に配設した横型熱処理装置が主に用いられ
ていたが、近年は、反応管をほぼ垂直に配設した縦型熱
処理装置が用いられるようになってきた。
すなわち、このような縦型熱処理装置では、石英等か
らなる円筒状の反応管およびその周囲を囲繞する如く設
けられたヒータ、均熱管、断熱材等から構成された反応
炉本体はほぼ垂直に配設されている。そして、処理用基
板保持具、例えば石英製ウエハボートに間隔を設けて積
層する如く多数の半導体ウエハを配置して、例えば上下
動可能とされたボートエレベータによって、反応管内へ
下方から半導体ウエハをロード・アンロードするよう構
成されている。なお、半導体ウエハを搬送する場合、通
常樹脂製の搬送用基板保持具いわゆるウエハカセットを
用いる。このため、このウエハカセットから半導体ウエ
ハをウエハボート（処理用基板保持具）に移載する移載
装置も開発されている。
らなる円筒状の反応管およびその周囲を囲繞する如く設
けられたヒータ、均熱管、断熱材等から構成された反応
炉本体はほぼ垂直に配設されている。そして、処理用基
板保持具、例えば石英製ウエハボートに間隔を設けて積
層する如く多数の半導体ウエハを配置して、例えば上下
動可能とされたボートエレベータによって、反応管内へ
下方から半導体ウエハをロード・アンロードするよう構
成されている。なお、半導体ウエハを搬送する場合、通
常樹脂製の搬送用基板保持具いわゆるウエハカセットを
用いる。このため、このウエハカセットから半導体ウエ
ハをウエハボート（処理用基板保持具）に移載する移載
装置も開発されている。
このような縦型熱処理装置では、反応管内壁とウエハ
ボートとを非接触でロード・アンロード可能である、占
有面積が少ない、処理半導体ウエハの大口径比が容易で
ある等の利点を有する。
ボートとを非接触でロード・アンロード可能である、占
有面積が少ない、処理半導体ウエハの大口径比が容易で
ある等の利点を有する。
（発明が解決しようとする課題） しかしながら、このような縦型熱処理装置において
も、さらに設置面積の縮小化あるいは処理能力の向上等
が当然要求される。
も、さらに設置面積の縮小化あるいは処理能力の向上等
が当然要求される。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもの
で、従来に比べて設置面積の縮小化および設置コストの
低減を可能とし、生産性の向上を図ることのできる縦型
熱処理装置を提供しようとするものである。
で、従来に比べて設置面積の縮小化および設置コストの
低減を可能とし、生産性の向上を図ることのできる縦型
熱処理装置を提供しようとするものである。
［発明の構成］ （課題を解決するための手段） すなわち本発明は、ほぼ垂直に設けられた２つの反応
炉本体と、 前記反応炉本体に所定の原料ガスを流通させ該反応炉
本体内に設けられた被処理物に所定の処理を施す１つの
原料ガス流通機構と、 搬送用保持具から処理用保持具に前記被処理物を移載
する１つの移載機構と、 前記移載機構と前記２つの反応炉本体との間で前記処
理用保持具を搬送する１つの搬送機構とを有し、 前記移載機構によって被処理物が移載された前記処理
用保持具を、前記搬送機構によって交互に前記２つの反
応炉本体に搬送し、前記原料ガス流通機構からの前記原
料ガス流路を切替えて、前記２つの反応炉本体で交互に
前記処理を施すよう構成されたことを特徴とする。
炉本体と、 前記反応炉本体に所定の原料ガスを流通させ該反応炉
本体内に設けられた被処理物に所定の処理を施す１つの
原料ガス流通機構と、 搬送用保持具から処理用保持具に前記被処理物を移載
する１つの移載機構と、 前記移載機構と前記２つの反応炉本体との間で前記処
理用保持具を搬送する１つの搬送機構とを有し、 前記移載機構によって被処理物が移載された前記処理
用保持具を、前記搬送機構によって交互に前記２つの反
応炉本体に搬送し、前記原料ガス流通機構からの前記原
料ガス流路を切替えて、前記２つの反応炉本体で交互に
前記処理を施すよう構成されたことを特徴とする。
（作 用） 上記構成の本発明の縦型熱処理装置では、従来に比べ
て設置面積の縮小化および装置コストの低減を可能と
し、生産性の向上を図ることができる。
て設置面積の縮小化および装置コストの低減を可能と
し、生産性の向上を図ることができる。
（実施例） 以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
筐体１は、例えばクリーンルーム２とメンテナンスル
ーム３の境界に沿って水平方向に接続して設けられた３
つの筐体1a、1b、1cから構成されている。これらの筐体
1a〜1cのうち、両側に設けられた筐体1a、1c内には、そ
れぞれ例えば石英等から円筒状に構成された反応管およ
びその周囲を囲繞する如く設けられた抵抗加熱ヒータ、
均熱管、断熱材等から構成された２つの反応炉本体4a、
4bがほぼ垂直に配設されている。また、これらの反応炉
本体4a、4bの下部には、上下動可能に構成され、反応炉
本体4a、4b内に、処理用基板保持具に設けられた被処理
基板例えばウエハボート5a、5bに載置された多数の半導
体ウエハ６を、ロード・アンロードする機構としてボー
トエレベータ7a、7bがそれぞれ設けられている。
ーム３の境界に沿って水平方向に接続して設けられた３
つの筐体1a、1b、1cから構成されている。これらの筐体
1a〜1cのうち、両側に設けられた筐体1a、1c内には、そ
れぞれ例えば石英等から円筒状に構成された反応管およ
びその周囲を囲繞する如く設けられた抵抗加熱ヒータ、
均熱管、断熱材等から構成された２つの反応炉本体4a、
4bがほぼ垂直に配設されている。また、これらの反応炉
本体4a、4bの下部には、上下動可能に構成され、反応炉
本体4a、4b内に、処理用基板保持具に設けられた被処理
基板例えばウエハボート5a、5bに載置された多数の半導
体ウエハ６を、ロード・アンロードする機構としてボー
トエレベータ7a、7bがそれぞれ設けられている。
また、上記筐体1a〜1cのうち中央に設けられた筐体1b
には、複数の搬送用基板保持具、例えば４つのウエハカ
セット8a〜8dを載置可能に構成されたウエハカセット収
容部９が設けられている。そして、この筐体1b内には、
ウエハカセット8a〜8dから上記ウエハボート5a、5bに半
導体ウエハ６を移載する移載機構10と、この移載機構10
によって半導体ウエハ６を移載されたウエハボート5a、
5bを搬送してボートエレベータ7a、7b上に載置する搬送
機構11が設けられている。
には、複数の搬送用基板保持具、例えば４つのウエハカ
セット8a〜8dを載置可能に構成されたウエハカセット収
容部９が設けられている。そして、この筐体1b内には、
ウエハカセット8a〜8dから上記ウエハボート5a、5bに半
導体ウエハ６を移載する移載機構10と、この移載機構10
によって半導体ウエハ６を移載されたウエハボート5a、
5bを搬送してボートエレベータ7a、7b上に載置する搬送
機構11が設けられている。
一方、筐体１の後方、すなわちメンテナンスルーム３
内には、筐体１との間に所定距離を設け、これらの間か
ら作業員が筐体１内にアクセスしてメンテナンス可能と
する如くガス流通機構12が配設されている。
内には、筐体１との間に所定距離を設け、これらの間か
ら作業員が筐体１内にアクセスしてメンテナンス可能と
する如くガス流通機構12が配設されている。
このガス流通機構12は、第３図に示すように、原料ガ
ス供給系13、主真空排気系14、弁系15〜18から構成され
た原料ガス流通機構と、パージガス供給系19a、19bおよ
び予備真空排気系20a、20bから構成されたパージガス流
通機構とから構成されている。
ス供給系13、主真空排気系14、弁系15〜18から構成され
た原料ガス流通機構と、パージガス供給系19a、19bおよ
び予備真空排気系20a、20bから構成されたパージガス流
通機構とから構成されている。
すなわち、原料ガス流通機構は、弁系15〜18によって
反応炉本体4a、4bのどちらかに切替て、原料ガス供給系
13から供給される所定の原料ガス、例えばSiH2Cl2、
H2、HClを流通させ、主真空排気系14から排気すること
により、半導体ウエハ６の処理、例えばシリコンエピタ
キシャル成長を交互に行うよう構成されている。
反応炉本体4a、4bのどちらかに切替て、原料ガス供給系
13から供給される所定の原料ガス、例えばSiH2Cl2、
H2、HClを流通させ、主真空排気系14から排気すること
により、半導体ウエハ６の処理、例えばシリコンエピタ
キシャル成長を交互に行うよう構成されている。
また、パージガス流通機構は、反応炉本体4a、4bでそ
れぞれ独立に設けられており、例えば反応炉本体4aでシ
リコンエピタキシャル成長を行っている間に、パージガ
ス供給系19bおよび予備真空排気系20bによって例えばN2
ガス等のパージガスを反応炉本体4bに流通させ、原料ガ
ス流通前の準備を行うことができるよう構成されてい
る。
れぞれ独立に設けられており、例えば反応炉本体4aでシ
リコンエピタキシャル成長を行っている間に、パージガ
ス供給系19bおよび予備真空排気系20bによって例えばN2
ガス等のパージガスを反応炉本体4bに流通させ、原料ガ
ス流通前の準備を行うことができるよう構成されてい
る。
上記構成のこの実施例の縦型熱処理装置では、ウエハ
カセット収容部９に配置するウエハカセット8a〜8dのう
ち、例えばウエハカセット8aに反応炉本体4a用の処理用
ウエハ、ウエハカセット8bに反応炉本体4a用のダミーウ
エハを収容し、カセット8dに反応炉本体4b用の処理用ウ
エハ、ウエハカセット8cに反応炉本体4b用のダミーウエ
ハを収容しておく。
カセット収容部９に配置するウエハカセット8a〜8dのう
ち、例えばウエハカセット8aに反応炉本体4a用の処理用
ウエハ、ウエハカセット8bに反応炉本体4a用のダミーウ
エハを収容し、カセット8dに反応炉本体4b用の処理用ウ
エハ、ウエハカセット8cに反応炉本体4b用のダミーウエ
ハを収容しておく。
そして、移載機構10によって、これらのウエハカセッ
ト8a〜8dから搬送機構11に保持されたウエハボート5a、
5bに一枚ずつ移載する。なお、ウエハボート5a、5bの上
部および下部には、数枚ずつダミーウエハを配置し、こ
れらの間に処理用ウエハを複数枚配置するが、連続して
処理を行う場合には、ダミーウエハはウエハボート5a、
5bに載置したままとし、処理用ウエハのみロード・アン
ロードする。
ト8a〜8dから搬送機構11に保持されたウエハボート5a、
5bに一枚ずつ移載する。なお、ウエハボート5a、5bの上
部および下部には、数枚ずつダミーウエハを配置し、こ
れらの間に処理用ウエハを複数枚配置するが、連続して
処理を行う場合には、ダミーウエハはウエハボート5a、
5bに載置したままとし、処理用ウエハのみロード・アン
ロードする。
移載機構10による移載が終了すると、次に搬送機構11
によってウエハボート5a、5bを搬送してボートエレベー
タ7a、7b上に載置し、ボートエレベータ7a、7bにより反
応炉本体4a、4b内にロードする。この後、反応炉本体4
a、4b内を所定温度例えば1200度程度に加熱し、所定の
ガス例えばSiH2Cl2、H2、HClを流通させて半導体ウエハ
６の処理、例えばシリコンエピタキシャル成長を行う。
によってウエハボート5a、5bを搬送してボートエレベー
タ7a、7b上に載置し、ボートエレベータ7a、7bにより反
応炉本体4a、4b内にロードする。この後、反応炉本体4
a、4b内を所定温度例えば1200度程度に加熱し、所定の
ガス例えばSiH2Cl2、H2、HClを流通させて半導体ウエハ
６の処理、例えばシリコンエピタキシャル成長を行う。
この時、例えばシリコンエピタキシャル成長の場合、
昇温に例えば30分、処理に例えば60分、降温に例えば30
分程度の時間を要する。したがって、最初の処理を開始
する時刻にある程度のずれを設定しておけば、一台の移
載機構10および搬送機構11で順次反応炉本体4a、4bに半
導体ウエハ６をロード・アンロードし、原料ガス供給系
13、主真空排気系14、弁系15〜18から構成された原料ガ
ス流通機構によって交互に原料ガスを流通させ、この間
にもう一方の反応炉本体4b、4aにパージガス供給系19
b、19aおよび予備真空排気系20b、20aから構成されたパ
ージガス流通機構によりパージガスを流通させ、処理前
の準備を行うことにより、効率良く処理を行うことがで
きる。
昇温に例えば30分、処理に例えば60分、降温に例えば30
分程度の時間を要する。したがって、最初の処理を開始
する時刻にある程度のずれを設定しておけば、一台の移
載機構10および搬送機構11で順次反応炉本体4a、4bに半
導体ウエハ６をロード・アンロードし、原料ガス供給系
13、主真空排気系14、弁系15〜18から構成された原料ガ
ス流通機構によって交互に原料ガスを流通させ、この間
にもう一方の反応炉本体4b、4aにパージガス供給系19
b、19aおよび予備真空排気系20b、20aから構成されたパ
ージガス流通機構によりパージガスを流通させ、処理前
の準備を行うことにより、効率良く処理を行うことがで
きる。
また、これらの移載機構10および搬送機構11と、原料
ガス供給系13、主真空排気系14、弁系15〜18から構成さ
れた原料ガス流通機構とを２つの反応炉本体4a、4bで共
用することにより、従来の縦型熱処理装置を２台設ける
場合に較べて装置の製造コストを低減することができる
とともに、装置の設置面積の縮小化を図ることができ
る。
ガス供給系13、主真空排気系14、弁系15〜18から構成さ
れた原料ガス流通機構とを２つの反応炉本体4a、4bで共
用することにより、従来の縦型熱処理装置を２台設ける
場合に較べて装置の製造コストを低減することができる
とともに、装置の設置面積の縮小化を図ることができ
る。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の縦型熱処理装置によれ
ば、従来に較べて設置面積の縮小化および装置コストの
低減を可能とし、生産性の向上を図ることができる。
ば、従来に較べて設置面積の縮小化および装置コストの
低減を可能とし、生産性の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例の縦型熱処理装置の構成を示
す上面図、第２図は第１図の正面図、第３図はガス流通
機構の構成図である。 1a〜1c……筐体、２……クリーンルーム、３……メンテ
ナンスルーム、4a、4b……反応炉本体、5a、5b……ウエ
ハボート、６……半導体ウエハ、7a、7b……ボートエレ
ベータ、8a〜8d……ウエハカセット、９……ウエハカセ
ット収容部、10……移載機構、11……搬送機構、12……
ガス流通機構。
す上面図、第２図は第１図の正面図、第３図はガス流通
機構の構成図である。 1a〜1c……筐体、２……クリーンルーム、３……メンテ
ナンスルーム、4a、4b……反応炉本体、5a、5b……ウエ
ハボート、６……半導体ウエハ、7a、7b……ボートエレ
ベータ、8a〜8d……ウエハカセット、９……ウエハカセ
ット収容部、10……移載機構、11……搬送機構、12……
ガス流通機構。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中尾 賢 神奈川県津久井郡城山町川尻字本郷3210 番１ テル相模株式会社内 (72)発明者 田中 大輔 神奈川県津久井郡城山町川尻字本郷3210 番１ テル相模株式会社内 (56)参考文献 特開 昭62−117318（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】ほぼ垂直に設けられた２つの反応炉本体
と、 前記反応炉本体に所定の原料ガスを流通させ該反応炉本
体内に設けられた被処理物に所定の処理を施す１つの原
料ガス流通機構と、 搬送用保持具から処理用保持具に前記被処理物を移載す
る１つの移載機構と、 前記移載機構と前記２つの反応炉本体との間で前記処理
用保持具を搬送する１つの搬送機構とを有し、 前記移載機構によって被処理物が移載された前記処理用
保持具を、前記搬送機構によって交互に前記２つの反応
炉本体に搬送し、前記原料ガス流通機構からの前記原料
ガス流路を切替えて、前記２つの反応炉本体で交互に前
記処理を施すよう構成されたことを特徴とする縦型熱処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63223930A JP2683673B2 (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 縦型熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63223930A JP2683673B2 (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 縦型熱処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0272618A JPH0272618A (ja) | 1990-03-12 |
| JP2683673B2 true JP2683673B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=16805940
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63223930A Expired - Fee Related JP2683673B2 (ja) | 1988-09-07 | 1988-09-07 | 縦型熱処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2683673B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1036189A (ja) * | 1996-07-19 | 1998-02-10 | Sony Corp | 気相成長装置 |
| JP4871054B2 (ja) * | 2006-07-27 | 2012-02-08 | 因幡電機産業株式会社 | 配管用又は配線用化粧ダクト |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62117318A (ja) * | 1985-11-18 | 1987-05-28 | Toshiba Mach Co Ltd | 薄膜形成装置の冷却方法および冷却装置 |
-
1988
- 1988-09-07 JP JP63223930A patent/JP2683673B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0272618A (ja) | 1990-03-12 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |