JPH1174205A - 半導体製造装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は、半導体ウェーハのバッチ処理を行
う縦型構造の半導体製造装置であって、地震等の揺れに
より、縦型のボートが転倒して破損したり、縦型のボー
トに装填された半導体ウェーハが位置ずれを起こした
り、落下したりすることを防止することができる半導体
製造装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 多数の半導体ウェーハ１０を水平に整列
装填する縦型のボート１２とその下のキャップ部２０の
保温筒２２とが、石英又はＳｉＣ等を材質とする第１の
締結器２８によって連結固定され、キャップ部２０の保
温筒２２とその下の保温筒ベース２４とが、石英又はＳ
ｉＣ等を材質とする第２の締結器３０によって連結固定
されている。このため、多数の半導体ウェーハ１０を装
填した縦型のボート１２を炉体内に挿入しているプロセ
スの途中において、たとえ地震等の揺れが多少生じて
も、縦型のボート１２の転倒が防止される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に係
り、特に半導体ウェーハのバッチ処理を行う縦型構造の
半導体製造装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に、半導体製造装置はバッジ処理方
式、枚葉処理方式、連続処理方式に分類される。そし
て、近年においては、ウェーハの大口径化等に伴い、半
導体製造装置は全般的に枚葉処理方式に移行しつつあ
る。しかし、例えば熱酸化、熱拡散、ＬＰ−ＣＶＤ（Lo
w Pressure Chemical Vapor Deposition；減圧気相成
長）などのプロセスチューブ（炉）タイプのプロセス
は、依然としてバッチ処理方式が採用されている。そし
て、こうしたプロセスにおいては、大量の半導体ウェー
ハを同時に処理する能力、バッチ内の高い均一性による
品質の安定性、コストの低減などの面から、将来的にも
バッチ処理方式が優位性をもつと考えられる。

【０００３】以下、従来の熱酸化、熱拡散、ＬＰ−ＣＶ
Ｄなどのプロセスに使用するバッチ処理方式の半導体製
造装置の基本構造を、図８及び図９に示す縦型構造の酸
化・拡散炉を例に用いて説明する。

【０００４】図８に示されるように、酸化・拡散炉の筐
体５０内部には、カセットを収納するカセットステーシ
ョン５２と、カセットを搬送するカセット搬送機５４
と、半導体ウェーハを移載するウェーハ移載機５６と、
酸化・拡散処理を行うプロセスチューブ５８と、半導体
ウェーハを整列装填する縦型のボート６０と、この縦型
のボート６０下部に設置され、プロセスチューブ５８底
部のシャッタとなるキャップ部６２等が配置されてい
る。

【０００５】また、図９に示されるように、縦型のボー
ト６０は、多数の半導体ウェーハ６４を水平に整列装填
するための多数の溝が切ってある、垂直方向に延びる複
数のバー６６と、これら複数のバー６６の両端面部をな
すボート上面６８及びボート下面７０とから構成されて
いる。また、キャップ部６２は、縦型のボート６０の下
に設置され、プロセスチューブ５８内の温度を保持する
ための保温筒７２と、この保温筒７２の下に設置され、
保温筒７２を支持する保温筒ベース７４と、この保温筒
ベース７４の下端をなし、プロセスチューブ５８底部の
シャッタとなるフランジ７６とから構成されている。

【０００６】次に、動作について述べる。カセットステ
ーション５２から、カセット搬送機５４を用いて、多数
の半導体ウェーハ６４を収納したカセットをウェーハ移
載機５６の近傍に搬送する。そして、ウェーハ移載機５
６を用いて、半導体ウェーハ６４をカセットから縦型の
ボート６０に移載し、垂直方向に延びる複数のバー６６
に切ってある多数の溝に多数の半導体ウェーハ６４を水
平に整列装填する。

【０００７】続いて、縦型のボート６０をその下のキャ
ップ部６２と共に上昇させ、縦型のボート６０に水平に
整列装填した多数の半導体ウェーハ６４をプロセスチュ
ーブ５８内に挿入する。そして、プロセスチューブ５８
底部をキャップ部６２のフランジ７６によって閉鎖す
る。その後、この閉鎖したプロセスチューブ５８内にガ
ス供給部（図示せず）から所定の反応ガス又は雰囲気ガ
スを導入し、半導体ウェーハ６４に熱酸化又は熱拡散等
の所望のトリートメン卜を行う。

【０００８】こうして所望のトリートメン卜が終了する
と、プロセスチューブ５８内のガスを排気部（図示せ
ず）からプロセスチューブ５８の外部に排出した後、多
数の半導体ウェーハ６４を水平に整列装填した縦型のボ
ート６０をその下のキャップ部６２と共に下降させ、プ
ロセスチューブ５８内から引き出す。

【０００９】続いて、ウェーハ移載機５６を用いて、縦
型のボート６０に水平に整列装填した多数の半導体ウェ
ーハ６４をカセットに移載する。そして、ウェーハ移載
機５６を用いて、所望のトリートメン卜が施された多数
の半導体ウェーハ６４を収納したカセットをカセットス
テーション５２に搬送し、収納する。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】上記のように、バッチ
処理方式の半導体製造装置を使用することにより、大量
の半導体ウェーハを同時に処理することができるが、そ
の反面、こうしたバッチ処理方式を用いると、一度のア
クシデン卜によって大量の不良を引き起こすというデメ
リットも有している。

【００１１】例えば、上記図８及び図９に示した縦型構
造の酸化・拡散炉においては、多数の半導体ウェーハ６
４を水平に整列装填した縦型のボート６０はキャップ部
６２上に設置されているが、この縦型のボート６０はキ
ャップ部６２の保温筒７２上に固定されることなく単に
載置されているだけであり、またこの保温筒７２は保温
筒ベース７４上に固定されることなく単に載置されてい
るだけである。即ち、これら縦型のボート６０、保温筒
７２、及び保温筒ベース７４は単に重ねられているだけ
で、何ら固定されてはいない。従って、地震等の揺れが
生じた場合には、多数の半導体ウェーハ６４を装填した
縦型のボート６０が容易に転倒するという問題があっ
た。

【００１２】また、この縦型のボート６０への多数の半
導体ウェーハ６４の整列装填も、縦型のボート６０の垂
直方向に延びる複数のバー６６に切ってある多数の溝に
半導体ウェーハ６４周辺部を僅かに乗せているに過ぎな
い。更に、縦型のボート６０に半導体ウェーハ６４を装
填するために、垂直方向に延びる複数のバー６６なす間
隔のうち、１つの間隔を広く開放して半導体ウェーハ挿
入口としているが、この縦型のボート６０の半導体ウェ
ーハ挿入口には、半導体ウェーハ６４を遮るバーが設け
られていない。従って、地震等の揺れが生じた場合に
は、縦型のボート６０に装填された多数の半導体ウェー
ハ６４が容易に位置ずれを起こしたり、落下したりする
という問題があった。

【００１３】しかも、バッチ処理方式を用いる熱酸化、
熱拡散、ＬＰ−ＣＶＤなどのプロセスにおいては４００
℃〜１２００℃の熱処理が行われることから、トランジ
スタの動作不良や信頼性低下につながる恐れのある重金
属等の汚染を極力防止する必要があるため、縦型のボー
ト６０等の材質として汚染源とならない石英やＳｉＣ
（シリコンカーバイト）等が多用されている。従って、
地震等の揺れによって縦型のボート６０等が転倒した場
合には、容易に破損してしまうという問題があった。

【００１４】そこで本発明は、上記問題点を鑑みてなさ
れたものであり、半導体ウェーハのバッチ処理を行う縦
型構造の半導体製造装置であって、地震等の揺れによ
り、縦型のボートが転倒して破損したり、縦型のボート
に装填された半導体ウェーハが位置ずれを起こしたり、
落下したりすることを防止することができる半導体製造
装置を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題は、以下の本発
明に係る半導体製造装置により達成される。即ち、請求
項１に係る半導体製造装置は、半導体ウェーハのバッチ
処理を行う縦型構造の半導体製造装置であって、半導体
ウェーハを装填する縦型のボートと、この縦型のボート
の下に設置され、プロセスチューブ内の温度を保持する
ための保温筒と、この保温筒の下に設置され、保温筒を
支持する保温筒ベースと、縦型のボートと保温筒とを連
結固定する第１の締結器と、保温筒と保温筒ベースとを
連結固定する第２の締結器とを有し、縦型のボートの転
倒を防止することを特徴とする。

【００１６】このように請求項１に係る半導体製造装置
においては、縦型のボートとその下の保温筒とが第１の
締結器によって連結固定され、保温筒とその下の保温筒
ベースとが第２の締結器によって連結固定されることに
より、地震等の揺れに対しても容易に転倒しない安定性
が強化される。このため、多数の半導体ウェーハを装填
した縦型のボートをプロセスチューブ内に挿入している
所謂プロセスの途中において、また多数の半導体ウェー
ハを装填した縦型のボートをプロセスチューブ内に挿入
する直前又はプロセスチューブ内から引き出した直後の
所謂プロセスの待機中において、たとえ地震等の揺れが
多少生じても、多数の半導体ウェーハを装填している縦
型のボートの転倒を防止することが可能になる。従っ
て、縦型のボートの転倒に伴い、多数の半導体ウェーハ
が落下して大量の不良を引き起こしたり、縦型のボート
が破損したりすることが防止される。

【００１７】また、請求項２に係る半導体製造装置は、
半導体ウェーハのバッチ処理を行う縦型構造の半導体製
造装置であって、半導体ウェーハを装填する縦型のボー
トと、この縦型のボートの下に設置され、プロセスチュ
ーブ内の温度を保持するための保温筒と、縦型のボート
及び保温筒を筐体に連結固定するアームとを有し、プロ
セスの待機中における、半導体ウェーハを装填した縦型
のボートの転倒を防止することを特徴とする。

【００１８】このように請求項２に係る半導体製造装置
においては、縦型のボート及びその下の保温筒がアーム
によって筐体に連結固定されることにより、地震等の揺
れに対しても容易に転倒しない安定性が強化される。こ
のため、多数の半導体ウェーハを装填した縦型のボート
をプロセスチューブ内に挿入する直前又はプロセスチュ
ーブ内から引き出した直後のプロセスの待機中におい
て、たとえ地震等の揺れが多少生じても、多数の半導体
ウェーハを装填している縦型のボートの転倒を防止する
ことが可能になる。従って、縦型のボートの転倒に伴
い、多数の半導体ウェーハが落下して大量の不良を引き
起こしたり、縦型のボートが破損したりすることが防止
される。

【００１９】また、請求項３に係る半導体製造装置は、
半導体ウェーハのバッチ処理を行う縦型構造の半導体製
造装置であって、半導体ウェーハを装填する縦型のボー
トの半導体ウェーハ挿入口側に垂設されているウェーハ
ガイドと、このウェーハガイドを筐体に連結固定する補
助アームとを有し、プロセスの待機中における、縦型の
ボートに装填した半導体ウェーハの位置ずれ又は落下を
防止することを特徴とする。

【００２０】このように請求項３に係る半導体製造装置
においては、縦型のボートの半導体ウェーハ挿入口側に
ウェーハガイドが垂設されており、このウェーハガイド
が補助アームによって筐体に連結固定されることによ
り、地震等の揺れに対しても縦型のボートに装填された
多数の半導体ウェーハの位置ずれや落下が容易に生じな
い安定性が強化される。このため、多数の半導体ウェー
ハを装填した縦型のボートをプロセスチューブ内に挿入
する直前又はプロセスチューブ内から引き出した直後の
プロセスの待機中において、たとえ地震等の揺れが多少
生じても、縦型のボートに装填された多数の半導体ウェ
ーハの位置ずれや落下を防止することが可能になる。従
って、多数の半導体ウェーハの位置ずれの防止によりプ
ロセスに対する精度が確保され、また落下による大量の
不良の発生が防止される。

【００２１】また、請求項４に係る半導体製造装置は、
上記請求項３に係る半導体製造装置において、補助アー
ムの途中に衝撃を吸収するためのダンパーが設置されて
いる構成とすることにより、地震等の揺れに対する安定
性が更に強化されるため、縦型のボートに装填された多
数の半導体ウェーハの位置ずれや落下がより効果的に防
止される。

【００２２】また、請求項５に係る半導体製造装置は、
半導体ウェーハのバッチ処理を行う縦型構造の半導体製
造装置であって、半導体ウェーハを装填する縦型のボー
トの半導体ウェーハ挿入口側に垂設されている補助バー
を有し、プロセスの途中における、縦型のボートに装填
した半導体ウェーハの位置ずれ又は落下を防止すること
を特徴とする。

【００２３】このように請求項５に係る半導体製造装置
においては、縦型のボートの半導体ウェーハ挿入口側に
補助バーが垂設されていることにより、地震等の揺れに
対しても縦型のボートに装填された多数の半導体ウェー
ハの位置ずれや落下が容易に生じない安定性が強化され
る。このため、多数の半導体ウェーハを装填した縦型の
ボートをプロセスチューブ内に挿入しているプロセスの
途中において、たとえ地震等の揺れが多少生じても、縦
型のボートに装填された多数の半導体ウェーハの位置ず
れや落下を防止することが可能になる。従って、多数の
半導体ウェーハの位置ずれの防止によりプロセスに対す
る精度が確保され、また落下による大量の不良の発生が
防止される。

【００２４】また、請求項６に係る半導体製造装置は、
上記請求項５に係る半導体製造装置において、補助バー
の両端が縦型のボートの両端面部に回動自在に連結され
ている構成とすることにより、半導体ウェーハを半導体
ウェーハ挿入口を介して縦型のボートに移載する際又は
縦型のボートから移載する際に、縦型のボートの半導体
ウェーハ挿入口側に垂設されている補助バーを脇に移動
することが可能になるため、補助バーを取り外すことな
く半導体ウェーハ挿入口が確保され、半導体ウェーハの
移載がスムーズに行われる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら、
本発明の実施の形態を説明する。なお、各実施形態にお
いて使用するバッチ処理方式の酸化・拡散炉の概要は、
上記図８に示した従来のバッチ処理方式の酸化・拡散炉
の場合と同様であるため、その図示及び説明は省略す
る。

【００２６】（第１の実施形態）図１は本発明の第１の
実施形態に係るバッチ処理方式の酸化・拡散炉の縦型の
ボート及びキャップ部を示す断面図、図２は図１の縦型
のボートとキャップ部の保温筒とを連結固定する第１の
締結器を示す拡大平面図、図３は図１のキャップ部の保
温筒と保温筒ベースとを連結固定する第２の締結器を示
す拡大斜視図である。

【００２７】図１に示されるように、多数の半導体ウェ
ーハ１０を水平に整列装填する縦型のボート１２は、垂
直方向に延びる複数のバー１４と、これら複数のバー１
４の両端面部をなすボート上面１６及びボート下面１８
とから構成されている。複数のバー１４には半導体ウェ
ーハ１０周辺部を乗せるための溝が多数切ってある。な
お、これらの複数のバー１４並びにボート上面１６及び
ボート下面１８は、重金属等の汚染を極力防止するため
に、汚染源とならない石英又はＳｉＣ等の材質を用いて
作製されている。

【００２８】また、縦型のボート１２の下に設置されて
いるキャップ部２０は、縦型のボート１２のボート下面
１８の下に設置され、プロセスチューブ（図示せず）内
の温度を保持するための保温筒２２と、この保温筒２２
の下に設置され、保温筒２２を支持する保温筒ベース２
４と、この保温筒ベース２４の下端をなし、プロセスチ
ューブ底部のシャッタとなるフランジ２６とから構成さ
れている。そして、縦型のボート１２とその下のキャッ
プ部２０の保温筒２２とが第１の締結器２８によって連
結固定され、キャップ部２０の保温筒２２とその下の保
温筒ベース２４とが第２の締結器３０によって連結固定
されている点に本実施形態の特徴がある。

【００２９】この縦型のボート１２と保温筒２２とを連
結固定する第１の締結器２８は、図２に示されるよう
に、縦型のボート１２のボート下面１８側面に設けたプ
ラブ２８ａと保温筒２２上面に設けたクランプ２８ｂと
から構成され、ボート下面１８を図中の矢印方向に回転
することにより、このボート下面１８側面のプラブ２８
ａを保温筒２２上面のクランプ２８ｂに差し込み、縦型
のボート１２とその下の保温筒２２とを安定的に連結固
定するようになっている。

【００３０】また、キャップ部２０の保温筒２２と保温
筒ベース２４とを連結固定する第２の締結器３０は、図
３に示されるように、保温筒２２側面に設けたプラブ３
０ａと保温筒ベース２４上面に設けたクランプ３０ｂと
から構成され、保温筒２２を図中の矢印方向に回転する
ことにより、この保温筒２２側面のプラブ３０ａを保温
筒ベース２４上面のクランプ３０ｂに差し込み、保温筒
２２とその下の保温筒ベース２４とを安定的に連結固定
するようになっている。

【００３１】なお、これら第１の締結器２８を構成する
プラブ２８ａ及びクランプ２８ｂ並びに第２の締結器３
０を構成するプラブ３０ａ及びクランプ３０ｂも、重金
属等の汚染を極力防止するために、汚染源とならない石
英又はＳｉＣ等の材質を用いて作製されている。

【００３２】以上のように本実施形態によれば、多数の
半導体ウェーハ１０を水平に整列装填している縦型のボ
ート１２とその下のキャップ部２０の保温筒２２とが第
１の締結器２８によって連結固定されており、キャップ
部２０の保温筒２２と保温筒ベース２４とが第２の締結
器３０によって連結固定されているにより、地震等の揺
れに対しても容易に転倒しない安定性が強化される。こ
のため、多数の半導体ウェーハ１０を装填した縦型のボ
ート１２をプロセスチューブ内に挿入しているプロセス
の途中において、たとえ地震等の揺れが多少生じても、
縦型のボート１２が転倒することを防止することができ
る。

【００３３】また、多数の半導体ウェーハ１０を装填し
た縦型のボート１２をプロセスチューブ内に挿入する直
前又はプロセスチューブ内から引き出した直後は、縦型
のボート１２をプロセスチューブ内に挿入している場合
よりも地震等の揺れに対していっそう不安定な状態であ
るが、こうしたプロセスの待機中においても、地震等の
揺れによって縦型のボート１２が転倒することを防止す
ることができる。

【００３４】従って、縦型のボート１２の転倒に伴い、
石英又はＳｉＣ等の衝撃に対して非常に脆い材質からな
る縦型のボート１２が破損したり、多数の半導体ウェー
ハ１０が落下して大量の不良を引き起こしたりすること
を防止することができる。また、プロセスの途中におけ
る縦型のボート１２の揺れによって縦型のボート１２が
プロセスチューブに接触し、温度制御用の内部熱電対
（Ｔ／Ｃ）が破損することを防止することもできる。

【００３５】（第２の実施形態）図４は本発明の第２の
実施形態に係るバッチ処理方式の酸化・拡散炉の縦型の
ボート及びキャップ部並びにその周辺部を示す断面図、
図５は図４の縦型のボート及びその周辺部を示す拡大平
面図である。なお、上記図１に示す酸化・拡散炉の構成
要素と同一の要素には同一の符号を付して説明を省略す
る。

【００３６】図４及び図５に示されるように、多数の半
導体ウェーハ１０を装填した縦型のボート１２をプロセ
スチューブ内に挿入する直前又はプロセスチューブ内か
ら引き出した直後のプロセスの待機中において、縦型の
ボート１２のボート上面１６は接続部３２を介してアー
ム３４に接続されており、またキャップ部２０の保温筒
２２も接続部３６を介して同じアーム３４に接続されて
いる。そしてこのアーム３４の他端は筐体３８に連結固
定されている。

【００３７】なお、重金属等の汚染を極力防止するため
に、このアーム３４は汚染源とならないＳＵＳ（ステン
レススチール）を用いて作製され、石英又はＳｉＣ等か
らなるボート上面１６に接触する接続部３２は同じ石英
又はＳｉＣ等の材質を用いて作製されている。

【００３８】また、縦型のボート１２の複数のバー１４
のなす間隔のうち、１つの間隔は半導体ウェーハ挿入口
として広く開放されているが、この縦型のボート１２の
半導体ウェーハ挿入口側にウェーハガイド４０が垂設さ
れている。そして、このウェーハガイド４０は、縦型の
ボート１２に水平に整列装填されている多数の半導体ウ
ェーハ１０に接するようになっている。また、このウェ
ーハガイド４０は、補助アーム４２を介してアーム３４
に接続されており、更にはこのアーム３４を介して筐体
３８に連結固定されている。また、補助アーム４２の途
中には、衝撃を吸収するためのダンパー４４が設置され
ている。

【００３９】なお、重金属等の汚染を極力防止するため
に、半導体ウェーハ１０に接触するウェーハガイド４０
は石英又はＳｉＣ等の材質を用いて作製され、補助アー
ム４２はＳＵＳを用いて作製されている。但し、縦型の
ボート１２をその下のキャップ部２０と共に上昇させて
プロセスチューブ内に挿入する際には、これらのアーム
３４やウェーハガイド４０を縦型のボート１２及びキャ
ップ部２０から解離する必要がある。

【００４０】以上のように本実施形態によれば、縦型の
ボート１２のボート上面１６及び保温筒２２が接続部３
２、３６及びアーム３４によって筐体３８に連結固定さ
れているにより、地震等の揺れに対しても容易に転倒し
ない安定性が強化される。このため、多数の半導体ウェ
ーハ１０を装填した縦型のボート１２をプロセスチュー
ブ内に挿入する直前又はプロセスチューブ内から引き出
した直後の不安定な状態にあるプロセスの待機中におい
て、たとえ地震等の揺れが多少生じても、縦型のボート
１２が転倒することを防止することができる。従って、
縦型のボート１２の転倒に伴い、石英又はＳｉＣ等の衝
撃に対して非常に脆い材質からなる縦型のボート１２が
破損したり、多数の半導体ウェーハ１０が落下して大量
の不良を引き起こしたりすることを防止することができ
る。

【００４１】また、縦型のボート１２の半導体ウェーハ
挿入口側に、ウェーハガイド４０が水平に整列装填され
ている多数の半導体ウェーハ１０に接触した状態で垂設
されており、このウェーハガイド４０が補助アーム４２
及びアーム３４によって筐体３８に連結固定されている
ことにより、地震等の揺れに対しても縦型のボート１２
に装填された多数の半導体ウェーハ１０の位置ずれや落
下が容易に生じない安定性が強化される。しかも、補助
アーム４２の途中には、衝撃を吸収するためのダンパー
４４が設置されていることにより、地震等の揺れに対す
る安定性は更に強化される。このため、多数の半導体ウ
ェーハ１０を装填した縦型のボート１２をプロセスチュ
ーブ内に挿入する直前又はプロセスチューブ内から引き
出した直後の不安定な状態であるプロセスの待機中にお
いて、たとえ地震等の揺れが多少生じても、縦型のボー
ト１２に装填された多数の半導体ウェーハ１０の位置ず
れや落下が生じることを防止することができる。従っ
て、多数の半導体ウェーハ１０の落下による大量の不良
の発生を防止することができると共に、多数の半導体ウ
ェーハ１０の位置ずれの防止により半導体ウェーハ１０
のプロセスに対する精度を確保して、安定稼働をするこ
とができる。

【００４２】（第３の実施形態）図６は本発明の第３の
実施形態に係るバッチ処理方式の酸化・拡散炉の縦型の
ボートを示す斜視図、図７は図６の縦型のボートを示す
平面図である。なお、上記図１に示す酸化・拡散炉の構
成要素と同一の要素には同一の符号を付して説明を省略
する。

【００４３】図６及び図７に示されるように、多数の半
導体ウェーハ１０を装填した縦型のボート１２をプロセ
スチューブ内に挿入しているプロセスの途中において、
この縦型のボート１２の半導体ウェーハ挿入口側に、複
数のバー１４に平行に補助バー４６が垂設されている。
そして、この補助バー４６は、縦型のボート１２に水平
に整列装填されている多数の半導体ウェーハ１０に接す
るようになっている。また、この補助バー４６の両端
は、縦型のボート１２の両端面部をなすボート上面１６
及びボート下面１８に回動自在に連結されている。な
お、重金属等の汚染を極力防止するために、半導体ウェ
ーハ１０に接触するこの補助バー４６は石英又はＳｉＣ
等の材質を用いて作製されている。

【００４４】以上のように本実施形態によれば、縦型の
ボート１２の半導体ウェーハ挿入口側に、補助バー４６
が縦型のボート１２に水平に整列装填されている多数の
半導体ウェーハ１０に接触した状態で垂設されているこ
とにより、地震等の揺れに対しても縦型のボート１２に
装填された多数の半導体ウェーハ１０の位置ずれや落下
が容易に生じない安定性が強化される。このため、多数
の半導体ウェーハ１０を装填した縦型のボート１２をプ
ロセスチューブ内に挿入しているプロセスの途中におい
て、たとえ地震等の揺れが多少生じても、縦型のボート
１２に装填された多数の半導体ウェーハ１０の位置ずれ
や落下が生じることを防止することができる。従って、
多数の半導体ウェーハ１０の落下による大量の不良の発
生を防止することができると共に、多数の半導体ウェー
ハ１０の位置ずれの防止により半導体ウェーハ１０のプ
ロセスに対する精度を確保して、安定稼働をすることが
できる。

【００４５】また、この補助バー４６の両端は縦型のボ
ート１２のボート上面１６及びボート下面１８に回動自
在に連結されていることにより、縦型のボート１２をプ
ロセスチューブ内に挿入する前に半導体ウェーハ１０を
半導体ウェーハ挿入口を介して縦型のボート１２に移載
する際、又は縦型のボート１２をプロセスチューブ内か
ら引き出した後に縦型のボート１２から移載する際に、
半導体ウェーハ挿入口側に垂設されている補助バー４６
を脇に移動することが可能になるため、補助バー４６を
わざわざ取り外すことなく、半導体ウェーハ挿入口が確
保され、半導体ウェーハ１０の移載をスムーズに行うこ
とができる。

【００４６】なお、上記第１〜第３の実施形態において
は、それぞれ、多数の半導体ウェーハ１０を装填した縦
型のボート１２がプロセスチューブ内に挿入されている
状態のプロセスの途中及び多数の半導体ウェーハ１０を
装填した縦型のボート１２がプロセスチューブ外に引き
出されているプロセスの待機中における縦型のボート１
２の転倒防止を目的とし（第１の実施形態）、上記プロ
セスの待機中における縦型のボート１２の転倒防止並び
に半導体ウェーハ１０の位置ずれ及び落下防止を目的と
し（第２の実施形態）、上記プロセスの途中における半
導体ウェーハ１０の位置ずれ及び落下防止を目的として
いるが（第３の実施形態）、これら第１〜第３の実施形
態を単独で実施するだけでなく、適宜組み合わせて実施
することが望ましい。その場合、上記プロセスの途中及
び待機中において、即ち半導体ウェーハ１０をカセット
から縦型のボート１２に移載してから所定のプロセスを
経て半導体ウェーハ１０を縦型のボート１２からカセッ
トに移載するまでの全工程において、より効果的に縦型
のボート１２の転倒を防止し、半導体ウェーハ１０の位
置ずれ及び落下を防止することができる。

【００４７】また、上記第１〜第３の実施形態において
は、バッチ処理方式の酸化・拡散炉を使用する場合につ
いて述べているが、こうした場合に限定される必要はな
く、例えばＬＰ−ＣＶＤ炉等の他のバッチ処理方式の半
導体製造装置を使用する場合においても、本発明を適用
することは可能である。

【００４８】

【発明の効果】以上、詳細に説明した通り、本発明に係
る半導体製造装置によれば、次のような効果を奏するこ
とができる。即ち、請求項１に係る半導体製造装置によ
れば、縦型のボートとその下の保温筒とが第１の締結器
によって連結固定され、保温筒とその下の保温筒ベース
とが第２の締結器によって連結固定されることにより、
地震等の揺れに対しても容易に転倒しない安定性が強化
されるため、プロセスの途中及び待機中において、たと
え地震等の揺れが多少生じても、多数の半導体ウェーハ
を装填している縦型のボートの転倒を防止することが可
能になる。従って、多数の半導体ウェーハが落下して大
量の不良を引き起こしたり、縦型のボートが破損したり
することを防止することができる。

【００４９】また、請求項２に係る半導体製造装置によ
れば、縦型のボート及びその下の保温筒がアームによっ
て筐体に連結固定されることにより、地震等の揺れに対
しても容易に転倒しない安定性が強化されるため、プロ
セスの待機中において、たとえ地震等の揺れが多少生じ
ても、多数の半導体ウェーハを装填している縦型のボー
トの転倒を防止することが可能になる。従って、多数の
半導体ウェーハが落下して大量の不良を引き起こした
り、縦型のボートが破損したりすることを防止すること
ができる。

【００５０】また、請求項３に係る半導体製造装置によ
れば、縦型のボートの半導体ウェーハ挿入口側にウェー
ハガイドが垂設されており、このウェーハガイドが補助
アームによって筐体に連結固定されることにより、地震
等の揺れに対しても縦型のボートに装填された多数の半
導体ウェーハの位置ずれや落下が容易に生じない安定性
が強化されるため、プロセスの待機中において、たとえ
地震等の揺れが多少生じても、縦型のボートに装填され
た多数の半導体ウェーハの位置ずれや落下を防止するこ
とが可能になる。従って、多数の半導体ウェーハの落下
による大量の不良の発生を防止することができ、また多
数の半導体ウェーハの位置ずれ防止によりプロセスに対
する精度を確保して、安定稼働をすることができる。

【００５１】また、請求項４に係る半導体製造装置によ
れば、上記請求項３に係る半導体製造装置において、補
助アームの途中に衝撃を吸収するためのダンパーが設置
されていることにより、地震等の揺れに対する安定性が
更にいっそう強化されるため、縦型のボートに装填され
た多数の半導体ウェーハの位置ずれや落下をより効果的
に防止することができる。

【００５２】また、請求項５に係る半導体製造装置によ
れば、縦型のボートの半導体ウェーハ挿入口側に、両端
が縦型のボートの上面及び底面に連結されている補助バ
ーが垂設されていることにより、地震等の揺れに対して
も縦型のボートに装填された多数の半導体ウェーハの位
置ずれや落下が容易に生じない安定性が強化されるた
め、プロセスの途中において、たとえ地震等の揺れが多
少生じても、縦型のボートに装填された多数の半導体ウ
ェーハの位置ずれや落下を防止することが可能になる。
従って、多数の半導体ウェーハの落下による大量の不良
の発生を防止することができ、また多数の半導体ウェー
ハの位置ずれ防止によりプロセスに対する精度を確保し
て、安定稼働をすることができる。

【００５３】また、請求項６に係る半導体製造装置によ
れば、上記請求項５に係る半導体製造装置において、補
助バーの両端が縦型のボートの両端面部に回動自在に連
結されていることにより、半導体ウェーハを半導体ウェ
ーハ挿入口を介して縦型のボートに移載する際又は縦型
のボートから移載する際に、縦型のボートの半導体ウェ
ーハ挿入口側に垂設されている補助バーを脇に移動する
ことが可能になるため、半導体ウェーハ挿入口が確保さ
れ、半導体ウェーハの移載をスムーズに行うことができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係るバッチ処理方式
の酸化・拡散炉の縦型のボート及びキャップ部を示す断
面図である。

【図２】図１の縦型のボートとキャップ部の保温筒とを
連結固定する第１の締結器を示す拡大平面図である。

【図３】図１のキャップ部の保温筒とキャップ部の保温
筒ベースとを連結固定する第２の締結器を示す拡大斜視
図である。

【図４】本発明の第２の実施形態に係るバッチ処理方式
の酸化・拡散炉の縦型のボート及びキャップ部並びにそ
の周辺部を示す断面図である。

【図５】図４の縦型のボート及びその周辺部を示す拡大
平面図である。

【図６】本発明の第３の実施形態に係るバッチ処理方式
の酸化・拡散炉の縦型のボートを示す斜視図である。

【図７】図６の縦型のボートを示す平面図である。

【図８】従来の縦型構造の酸化・拡散炉の基本構造を示
す概略斜視図である。

【図９】図８の酸化・拡散炉の縦型のボート及びキャッ
プ部を示す断面図である。

【符号の説明】

１０…半導体ウェーハ、１２…縦型のボート、１４…バ
ー、１６…ボート上面、１８…ボート下面、２０…キャ
ップ部、２２…保温筒、２４…保温筒ベース、２６…フ
ランジ、２８…第１の締結器、２８ａ…プラブ、２８ｂ
…クランプ、３０…第２の締結器、３０ａ…プラブ、３
０ｂ…クランプ、３２…接続部、３４…アーム、３６…
接続部、３８…筐体、４０…ウェーハガイド、４２…補
助アーム、４４…ダンパー、４６…補助バー、５０…筐
体、５２…カセットステーション、５４…カセット搬送
機、５６…ウェーハ移載機、５８…プロセスチューブ、
６０…縦型のボート、６２…キャップ部、６４…半導体
ウェーハ、６６…バー、６８…ボート上面、７０…ボー
ト下面、７２…保温筒７２、７４…保温筒ベース、７６
…フランジ。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体ウェーハのバッチ処理を行う縦型
   構造の半導体製造装置であって、 前記半導体ウェーハを装填する縦型のボートと、 前記縦型のボートの下に設置され、炉体内の温度を保持
   するための保温筒と、 前記保温筒の下に設置され、前記保温筒を支持する保温
   筒ベースと、 前記縦型のボートと前記保温筒とを連結固定する第１の
   締結器と、 前記保温筒と前記保温筒ベースとを連結固定する第２の
   締結器と、を有し、 プロセスの途中又は待機中における、前記半導体ウェー
   ハを装填した前記縦型のボートの転倒を防止することを
   特徴とする半導体製造装置。
2. 【請求項２】 半導体ウェーハのバッチ処理を行う縦型
   構造の半導体製造装置であって、 前記半導体ウェーハを装填する縦型のボートと、 前記縦型のボートの下に設置され、炉体内の温度を保持
   するための保温筒と、 前記縦型のボート及び前記保温筒を筐体に連結固定する
   アームと、を有し、 プロセスの待機中における、前記半導体ウェーハを装填
   した前記縦型のボートの転倒を防止することを特徴とす
   る半導体製造装置。
3. 【請求項３】 半導体ウェーハのバッチ処理を行う縦型
   構造の半導体製造装置であって、 前記半導体ウェーハを装填する縦型のボートの半導体ウ
   ェーハ挿入口側に垂設されているウェーハガイドと、 前記ウェーハガイドを筐体に連結固定する補助アーム
   と、を有し、 プロセスの待機中における、前記縦型のボートに装填し
   た前記半導体ウェーハの位置ずれ又は落下を防止するこ
   とを特徴とする半導体製造装置。
4. 【請求項４】 請求項３記載の半導体製造装置におい
   て、 前記補助アームの途中に、衝撃を吸収するためのダンパ
   ーが設置されていることを特徴とする半導体製造装置。
5. 【請求項５】 半導体ウェーハのバッチ処理を行う縦型
   構造の半導体製造装置であって、 前記半導体ウェーハを装填する縦型のボートの半導体ウ
   ェーハ挿入口側に垂設されている補助バーを有し、 プロセスの途中における、前記縦型のボートに装填した
   前記半導体ウェーハの位置ずれ又は落下を防止すること
   を特徴とする半導体製造装置。
6. 【請求項６】 請求項５記載の半導体製造装置におい
   て、 前記補助バーの両端が、前記縦型のボートの両端面部に
   回動自在に連結されていることを特徴とする半導体製造
   装置。