JPH02139948A - 基板の移載方法 - Google Patents

基板の移載方法

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JPH02139948A
JPH02139948A JP63293327A JP29332788A JPH02139948A JP H02139948 A JPH02139948 A JP H02139948A JP 63293327 A JP63293327 A JP 63293327A JP 29332788 A JP29332788 A JP 29332788A JP H02139948 A JPH02139948 A JP H02139948A
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wafer
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wafer boat
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Mitsuo Kato
加藤 充男
Daisuke Tanaka
大輔 田中
Hirobumi Kitayama
博文 北山
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の目的1 (産業上の利用分野) 本発明は、基板の移載方法に関する。
(従来の技術) 一般に、半導体製造工程では、半導体ウェハ等の基板を
搬送する場合、ウェハカセットあるい−はウェハキャリ
ヤ等と称される搬送用基板保持具を用いることが多い。
すなわち、この搬送用基板保持具は、軽量で安価な樹脂
等からなり、半導体ウェハを複数枚例えば25枚収容可
能に構成されている。
一方、例えば熱処理装置等によって多数の半導体ウェハ
をバッチ処理するような場合、上述したような樹脂製の
搬送用基板保持具をそのまま用いることができないため
、化学的安定性および耐熱性に優れた石英等からなり、
複数枚例えば百数十枚の半導体ウェハを収容可能に構成
された処理用基板保持具いわゆるウェハボートを用いる
ことが多い。
このため、上述したウェハカセットとウェハボートとの
間で半導体ウェハの移載を行う必要があり、従来からこ
のような移載を行うための移載装置が、例えば特開昭8
0−231337号公報、特開昭61−54839号公
報等で提案されている。このような移載装置では、通常
ウェハボートをほぼ水平に支持し、ウニ八カセット内に
収容された複数例えば25枚の半導体ウェハを、下方か
らつき上げ例えば複数のアームで一度に握持し、移載を
行う。
(発明が解決しようとする課題) 上述したように従来の移載装置による方法では、ウェハ
ボートをほぼ水平に支持し、この状態で移載を行う。一
方、近年は、クリーンルームの有効利用、ボートローデ
ィング性から設置面積が少ない、反応管内壁に非接触で
容易にウェハボートをロード・アンロード可能である等
の利点を有する縦型熱処理装置が多く用いられるように
なってきた。このため、縦型熱処理装置によって処理を
行う場合は、半導体ウェハの移載を行った後、ウェハボ
ートを水平−垂直に変換するための装置および空間が必
要になり、装置が大型化するという問題があった。また
、このような問題を解決するため、ウェハボートをほぼ
垂直に支持して移載を行う方法も考えられるが、この場
合、半導体ウェハがほぼ水平になるため、移載時に半導
体ウェハ上に塵埃が落下、付着し易いという問題が生じ
る。
本発明は、かかる従来の事情に対処してなされたもので
、従来に較べて縦型熱処理装置を小形化することができ
るとともに、移載時に半導体ウニ八等の基板に塵埃が付
着することを減少することのできる基板の移載方法を提
供しようとするものである。
[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明は、複数枚の基板を保持可能に構成され
た基板保持具で上記基板の搬出搬入操作して前記基板の
移載を行うにあたり、前記基板保持具をほぼ垂直に支持
し、基板の搬出は前記基板保持具の下側から順に一また
は複数の前記基板を取り出し、搬入は前記基板保持具の
上側から順に配置することを特徴とする。
(作 用) 上記構成の本発明の基板の移載方法では、移載に際して
の基板の保持具への搬出は下から順に取り出し、搬入は
上から順に配置することによりロード・アンロード操作
時の既装置半導体ウェハ上への塵埃の落下を防止したこ
とを特徴とする。
(実施例) 以下、本発明の一実施例を図面を参照して説明する。
第2図および第3図に示すように、縦型熱処理装置の筐
体1の上部前面には、コントロールパネル2が設けられ
ており、その後方には、例えば石英等からなる反応管お
よびこの反応管の周囲を囲繞する如く設けられた均熱管
、ヒータ、断熱材等からなる熱処理炉3がほぼ垂直に設
けられている。
また、上記熱処理炉3の下方には、上下動可能に構成さ
れたボートエレベータ4が設けられており、このボート
エレベータ4により、例えば石英等からなり、複数例え
ば百数十枚の半導体ウェハ5を保持可能に構成された処
理用基板保持具(ウェハボート)6を保温筒7上にほぼ
垂直に載置した状態で、熱処理炉3に下方からロード・
アンロードする如く構成されている。
さらに、筺体1の前方下部には、例えば複数25枚の半
導体ウェハ5を収容可能に構成された複数例えば5つの
搬送用基板保持具(ウェハカセット)8a〜8eを載置
可能とする如くウェハカセット収容部9が設けられてお
り、このウェハカセット収容部9の側方には、ウェハカ
セット88〜8eとウェハボート6との間で半導体ウェ
ハ5の移載を行う移載装置10が設けられている。
そして、上記構成の縦型熱処理装置では、第5図に矢印
で示すように、ウェハカセット収容部9に収容されたウ
ェハカセット88〜8eを回転させ、移載装置10の方
向に向けるとともに、ボートエレベータ4によりウェハ
ボート6を移載装置10の方向に移動させ、この状態で
移載装置10により次のようにして半導体ウェハ5の移
載を行う。
すなわち、第1図に示すように、移載装置10は、一ま
たは複数、例えば5つのウニ八支持用アーム10aを備
えており、これらのウェハ支持用アーム10a上に半導
体ウェハ5を支持し、図示「、θ、2方向に移動させて
半導体ウェハ5を5枚ずつ移載可能に構成されている。
そして、ウェハカセット8a〜8e内に収容された未処
理の半導体ウェハ5をウェハボート6に移載する際は、
まず、ウェハカセット8a〜8eの中の一つ例えば最上
部に配置されたウェハカセット8aに収容されている半
導体ウェハ5のうち最も下側に収容されている5枚の半
導体ウェハ5aを取り出し、これらの半導体ウェハ5a
をウェハボート6の窓部分の最上部に配置する。なお、
例えばCVD処理等を行う場合は、ウェハボート6の上
下にダミーウェハ(図示せず)を数枚配置することが多
い。この場合は、上記5枚の半導体ウェハ5aは、上部
に配置されたダミーウェハの下に配置されることになる
そして、次にウェハカセット8aに収容されている半導
体ウェハ5のうち上記5枚の半導体ウェハ5aが配置さ
れていた部位の上部(この時点で最下部)に配置されて
いる5枚の半導体ウェハ5bを取り出し、ウェハボート
6の半導体ウェハ5aの下に配置する。
このように、ウニへカセット8a内の半導体ウェハ5を
下側から順次5枚ずつ取り出し、これらの半導体ウェハ
5をウェハボート6の上部から順次配置する。そして、
ウェハカセット8a内の半導体ウェハ5を全て(例えば
25枚)移載すると、同様にして、例えばウェハカセッ
ト8b〜8e内に収容された半導体ウェハ5をウェハボ
ート6に移載する。なお、この時、例えばウェハカセッ
ト80等にテスト用ウェハを収容しておき、適宜処理用
半導体ウェハ5の間に配置することもできる。
また、移載を行う順番は、例えば最下部に設けられたウ
ェハカセット8dからとしてもよい。
上記移載が終了すると、ウェハボート6を熱処理炉3の
下方へ搬送し、熱処理炉3内にロードして所定の処理例
えばCVD膜の形成を行う。そして、処理が終了すると
、ウェハボート6を熱処理炉3内からアンロードし、上
記手順とは逆の手順でウェハボート6からウェハカセッ
ト8a〜8eへの半導体ウェハ5の移載を行う。
すなわち、第2図に示すように、まず、ウェハボート6
の最下部あるいは最下部にダミーウェハが装置されてい
る場合はその上部に配置された5枚の半導体ウェハ5t
を取り出し、ウェハカセット8a〜8eの中の一つ例え
ば最上部に配置されたウェハカセット8eの最上部に配
置する。
そして、ウェハボート6の下側から順次半導体ウェハ5
を取り出し、ウェハカセット8eの上部から順次半導体
ウェハ5を配置する。そして、ウェハカセット8eへの
移載が終了すると、同様にして他のウェハカセット8a
〜8dへの移載を行う。なお、移載を行うウェハカセッ
ト8a〜8eの順序は、例えば最上部に配置されたウェ
ハカセット8aからとしてもよい。
上述したように、この実施例では、ウェハボート6とウ
ェハカセット8a〜8eをほぼ垂直に支持した状態で移
載を行うので、従来のようなウェハボート6を水平−垂
直に変換するための装置および空間が不要となり、縦型
熱処理装置を小形化することができる。また、これらの
ウェハボート6およびウェハカセット8a〜8eの下側
から順に半導体ウェハ5を取り出し、これらの半導体つ
1(己禮91パボート6お1びつ1パフゞツ18a〜8
eの上側から順に配置するので、半導体ウェハ5の取り
出しおよび配置の際に、常に下側に他の半導体ウェハ5
が存在しない状態でこれらの操作を行うことになり、こ
れらの操作に伴って発生する塵埃が落下して他の半導体
ウェハ5へ付着することを防止することができる。
なお、上記実施例では、半導体ウェハ5を5枚ずつ移載
する例について説明したが、半導体ウェハ5は、1枚ず
つ移載しても何枚ずつ移載してもよい。
[発明の効果] 上述のように、本発明の基板の移載方法によれば、従来
に較べて縦型熱処理装置を小形化することができるとと
もに、移載時に半導体ウェハ等の基板に塵埃が付着する
ことを減少することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図および第2図は本発明の一実施例の基板の移載方
法を説明するための図、第3図は本発明の7実、砕料の
基板の移載方法を説明するための縦型熱処理装置の正面
図、第4図は第3図に示す縦型熱処理装置の側面図、第
5図は第3図に示す縦型熱処理装置の上面図である。 1・・・・・・筐体、2・・・・・・コントロールパネ
ル、3・・・・・・熱処理炉、4・・・・・・ボートエ
レベータ、5・・・・・・半導体ウェハ、6・・・・・
・ウェハボート、7・・・・・・保温筒、8a〜8e・
・・・・・ウェハカセット、9・・・・・・カセット収
容部、10・・・・・・移載装置。 出願人      チル相摸株式会社 代理人 弁理士  須 山 佐 − (ほか1名) 第2■ 第3■ 第4図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)複数枚の基板を保持可能に構成された基板保持具
    で上記基板の搬出搬入操作して前記基板の移載を行うに
    あたり、 前記基板保持具をほぼ垂直に支持し、基板の搬出は前記
    基板保持具の下側から順に一または複数の前記基板を取
    り出し、搬入は前記基板保持具の上側から順に配置する
    ことを特徴とする基板の移載方法。
JP63293327A 1988-11-18 1988-11-18 縦型熱処理装置における基板の移載方法 Expired - Lifetime JP2995479B2 (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997017728A1 (fr) * 1995-11-06 1997-05-15 Tokyo Electron Limited Dispositif de transfert, procede de transfert, dispositif de traitement et procede de traitement
KR100220817B1 (ko) * 1996-05-22 1999-10-01 윤종용 화학기상증착장치
JP2003031563A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Fujitsu Ltd 縦型炉
JP2005277126A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Hitachi Kiden Kogyo Ltd 基板の複数枚バッチ搬送装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5594041U (ja) * 1978-12-25 1980-06-30
JPS5860553A (ja) * 1981-10-05 1983-04-11 Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki 縦型自動プラズマ処理装置
JPS6359329U (ja) * 1986-10-03 1988-04-20
JPH0252449A (ja) * 1988-08-16 1990-02-22 Teru Barian Kk 基板のロード・アンロード方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5594041U (ja) * 1978-12-25 1980-06-30
JPS5860553A (ja) * 1981-10-05 1983-04-11 Tokyo Denshi Kagaku Kabushiki 縦型自動プラズマ処理装置
JPS6359329U (ja) * 1986-10-03 1988-04-20
JPH0252449A (ja) * 1988-08-16 1990-02-22 Teru Barian Kk 基板のロード・アンロード方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1997017728A1 (fr) * 1995-11-06 1997-05-15 Tokyo Electron Limited Dispositif de transfert, procede de transfert, dispositif de traitement et procede de traitement
US5984607A (en) * 1995-11-06 1999-11-16 Tokyo Electron Limited Transfer apparatus, transfer method, treatment apparatus and treatment method
KR100431389B1 (ko) * 1995-11-06 2004-09-18 동경 엘렉트론 주식회사 반송장치,반송방법,처리장치및처리방법
KR100220817B1 (ko) * 1996-05-22 1999-10-01 윤종용 화학기상증착장치
JP2003031563A (ja) * 2001-07-17 2003-01-31 Fujitsu Ltd 縦型炉
JP4668471B2 (ja) * 2001-07-17 2011-04-13 富士通セミコンダクター株式会社 縦型炉
JP2005277126A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Hitachi Kiden Kogyo Ltd 基板の複数枚バッチ搬送装置

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