JPH01251734A - マルチチャンバ型cvd装置 - Google Patents
マルチチャンバ型cvd装置Info
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- JPH01251734A JPH01251734A JP63079061A JP7906188A JPH01251734A JP H01251734 A JPH01251734 A JP H01251734A JP 63079061 A JP63079061 A JP 63079061A JP 7906188 A JP7906188 A JP 7906188A JP H01251734 A JPH01251734 A JP H01251734A
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- Japan
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- conveyance
- chamber
- semiconductor
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 22
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 83
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 claims description 23
- 230000032258 transport Effects 0.000 claims description 22
- 239000000969 carrier Substances 0.000 abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 241000609816 Pantholops hodgsonii Species 0.000 description 1
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- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の目的]
(産業上の利用分野)
本発明は、半導体製造装置に関する。
(従来の技術)
近年の半導体製造工程で使用する半導体の製造装置例え
ばCVD装置等では、多品種・少量生産化に対応するた
めに、各半導体ウェハ毎に生産管理が可能な枚葉処理方
式の製造装置が普及して−おり、このような枚葉処理方
式の半導体製造装置では、予備真空室となるロードロッ
ク室にウェハキャリアを収容し、このウェハキャリアか
ら所定の半導体ウェハを搬送装置により取出して、所定
の処理室へと搬送するような構成となっている。
ばCVD装置等では、多品種・少量生産化に対応するた
めに、各半導体ウェハ毎に生産管理が可能な枚葉処理方
式の製造装置が普及して−おり、このような枚葉処理方
式の半導体製造装置では、予備真空室となるロードロッ
ク室にウェハキャリアを収容し、このウェハキャリアか
ら所定の半導体ウェハを搬送装置により取出して、所定
の処理室へと搬送するような構成となっている。
このような半導体製造装置の搬送装置は、ロードロック
室から半導体ウェハを取出して装置内に搬送するロード
ロック室側搬送系と、このロードロック室側搬送系によ
り搬送された半導体ウェハを移載して所定の処理室まで
これを搬送する処理室側搬送系とから構成されており、
処理室側搬送系により所望の処理室へと半導体ウェハを
搬送して一連の処理が可能となっている。
室から半導体ウェハを取出して装置内に搬送するロード
ロック室側搬送系と、このロードロック室側搬送系によ
り搬送された半導体ウェハを移載して所定の処理室まで
これを搬送する処理室側搬送系とから構成されており、
処理室側搬送系により所望の処理室へと半導体ウェハを
搬送して一連の処理が可能となっている。
(発明が解決しようとする課題)
しかしながら、上述した従来の半導体製造装置では、ロ
ードロック室側の搬送系と処理室側の搬送系に処理能力
差がある場合には、全体の搬送処理能力が処理能力の低
い搬送系の処理能力となり、さらに処理能力の低い搬送
系に待ち時間を生じた時等、装置全体の処理能力を低下
させる原因となっていた。
ードロック室側の搬送系と処理室側の搬送系に処理能力
差がある場合には、全体の搬送処理能力が処理能力の低
い搬送系の処理能力となり、さらに処理能力の低い搬送
系に待ち時間を生じた時等、装置全体の処理能力を低下
させる原因となっていた。
例えば、処理室側搬送系が半導体ウェハを各処理室に搬
送している間は、ロードロック室側の搬送系は、次処理
の半導体ウェハを保持したまま処理室側搬送系への移載
場所で待機していなければならず、逆に処理室側搬送系
の処理が早い場合には、ロードロック室側搬送系か次処
理の半導体ウェハを移載場所まで搬送するまで待機しな
ければならなくなる。
送している間は、ロードロック室側の搬送系は、次処理
の半導体ウェハを保持したまま処理室側搬送系への移載
場所で待機していなければならず、逆に処理室側搬送系
の処理が早い場合には、ロードロック室側搬送系か次処
理の半導体ウェハを移載場所まで搬送するまで待機しな
ければならなくなる。
本発明は、上述した従来の問題点を解決するためになさ
れたもので、処理室側搬送系とロードロック室側搬送系
間に半導体ウェハの一時収容機構を設けることで、各搬
送系の待機時間がなくなり、ウェハ搬送効率を向上させ
、装置全体の処理能力が向上する半導体の製造装置に関
する。
れたもので、処理室側搬送系とロードロック室側搬送系
間に半導体ウェハの一時収容機構を設けることで、各搬
送系の待機時間がなくなり、ウェハ搬送効率を向上させ
、装置全体の処理能力が向上する半導体の製造装置に関
する。
[発明の構成]
(課題を解決するための手段)
本発明の半導体製造装置は、ウェハキャリアに収容され
た半導体ウェハを取出す第1のウェハ搬送機構と、前記
第1のウェハ搬送機構により搬送された半導体ウェハを
処理室内に搬送する第2のウェハ搬送機構とを備えた半
導体製造装置において、前記第1のウェハ搬送機構と、
第2のウェハ搬送機構間に、これら両ウェハ搬送機構に
より搬送された半導体ウェハを複数枚−時保管するため
のウェハ収容機構を設けたことを特徴とするものである
。
た半導体ウェハを取出す第1のウェハ搬送機構と、前記
第1のウェハ搬送機構により搬送された半導体ウェハを
処理室内に搬送する第2のウェハ搬送機構とを備えた半
導体製造装置において、前記第1のウェハ搬送機構と、
第2のウェハ搬送機構間に、これら両ウェハ搬送機構に
より搬送された半導体ウェハを複数枚−時保管するため
のウェハ収容機構を設けたことを特徴とするものである
。
(作 用)
第1のウェハ搬送機構と、第2のウェハ搬送機構間に、
半導体ウェハを一時保管するためのウェハ収容機構を設
けることで、両ウェハ搬送機構の待機時間がなくなり、
ウェハ搬送効率が向上し、装置全体の処理能力を向上さ
せることができる。
半導体ウェハを一時保管するためのウェハ収容機構を設
けることで、両ウェハ搬送機構の待機時間がなくなり、
ウェハ搬送効率が向上し、装置全体の処理能力を向上さ
せることができる。
(実施例)
以下、本発明をマルチチャンバ型CVD装置に適用した
一実施例について図を参照して説明する。
一実施例について図を参照して説明する。
中央部に配置されたウェハ搬送室1の一方には、これを
挟んで両側に夫々ウェハキャリア2を収容するロードロ
ツタ室3が配設されており、また、ウェハ搬送室1の他
方には、ウェハ搬送室1を中心としてほぼ90°の角度
間隔をおいて3つのチャンバ4a、4b、4cが同心円
上に配設されている。
挟んで両側に夫々ウェハキャリア2を収容するロードロ
ツタ室3が配設されており、また、ウェハ搬送室1の他
方には、ウェハ搬送室1を中心としてほぼ90°の角度
間隔をおいて3つのチャンバ4a、4b、4cが同心円
上に配設されている。
ウェハ搬送室1内には、各ロードロック室3内のウェハ
キャリア2とウェハ搬送室1間で、半導体ウェハ5の搬
送を行うためのロードロック室側搬送機構6と、このロ
ードロック室側搬、送機構6により搬送室1に搬送され
た半導体ウェハ5を各処理室4a、4b、4cの所定の
処理室へと搬送するための処理室側搬送機構7、そして
、これら両様送機構6.7の間に設けられ、両様送機構
6.7により搬送された半導体ウェハ5を一時収容する
ためのバッファ棚8が設けられている。
キャリア2とウェハ搬送室1間で、半導体ウェハ5の搬
送を行うためのロードロック室側搬送機構6と、このロ
ードロック室側搬、送機構6により搬送室1に搬送され
た半導体ウェハ5を各処理室4a、4b、4cの所定の
処理室へと搬送するための処理室側搬送機構7、そして
、これら両様送機構6.7の間に設けられ、両様送機構
6.7により搬送された半導体ウェハ5を一時収容する
ためのバッファ棚8が設けられている。
このようなCVD装置における半導体ウェハの処理は、
まず、ロードロック室側搬送機構6のウェハ保持部例え
ば搬送アーム6a等により、ウェハキャリア2から所定
の半導体ウェハ5を取出して、これを搬送室1内のバッ
ファ棚8へ移載する。
まず、ロードロック室側搬送機構6のウェハ保持部例え
ば搬送アーム6a等により、ウェハキャリア2から所定
の半導体ウェハ5を取出して、これを搬送室1内のバッ
ファ棚8へ移載する。
そして、処理室側搬送機構7のウェハ保持部例えば搬送
アーム7aにより、このバッファ棚8から所定の半導体
ウェハを取出し、所定のチャンバへと搬送し、一連の処
理を行う。処理終了後の半導体ウェハは、上記動作と逆
の動作で搬送して所定のウェハキャリアへ収容する。
アーム7aにより、このバッファ棚8から所定の半導体
ウェハを取出し、所定のチャンバへと搬送し、一連の処
理を行う。処理終了後の半導体ウェハは、上記動作と逆
の動作で搬送して所定のウェハキャリアへ収容する。
ところで、バッファ棚8は、多数の半導体ウェハを収容
できるように、例えば第2図に示すように、多段式の棚
とし、各欄(以下、スロット)8aに夫々半導体ウェハ
5を収容するように構成されている。
できるように、例えば第2図に示すように、多段式の棚
とし、各欄(以下、スロット)8aに夫々半導体ウェハ
5を収容するように構成されている。
このバッファ棚8は、昇降台8上に搭載されており、こ
の昇降台9を駆動させて所定のスロット8aをウェハ搬
送機構6.7の搬送アーム6a。
の昇降台9を駆動させて所定のスロット8aをウェハ搬
送機構6.7の搬送アーム6a。
7aと同レベルの高さにし、半導体ウェハ5の移載を行
う。
う。
また、バッファ棚8の昇降路に沿って、例えばフォトセ
ンサ等のスロット位置検出機構10がバッファ棚8の昇
降路を水平に横切るように対向して配設されており、こ
のスロット位置検出機構10により何段口のスロットが
半導体ウェハの移載を行ったかを知ることができ、該位
置情報をこのときの半導体ウェハの品種情報とともに装
置制御部11の記憶機構12に記憶させておくことで、
バッファ棚8の各スロットに収容された半導体ウェハの
収容管理を行うことができる。そして、この記憶情報に
基づいて搬送系制御機構13が各ウェハ搬送系6.7の
動作を制御することで、バッファ棚8と各ウェハ搬送系
6.7間のウェハ移載動作を予め定められたプログラム
に基づいて行うことができる。
ンサ等のスロット位置検出機構10がバッファ棚8の昇
降路を水平に横切るように対向して配設されており、こ
のスロット位置検出機構10により何段口のスロットが
半導体ウェハの移載を行ったかを知ることができ、該位
置情報をこのときの半導体ウェハの品種情報とともに装
置制御部11の記憶機構12に記憶させておくことで、
バッファ棚8の各スロットに収容された半導体ウェハの
収容管理を行うことができる。そして、この記憶情報に
基づいて搬送系制御機構13が各ウェハ搬送系6.7の
動作を制御することで、バッファ棚8と各ウェハ搬送系
6.7間のウェハ移載動作を予め定められたプログラム
に基づいて行うことができる。
このように、各ウェハ搬送機構6.7間にバッファ棚8
を設け、このバッファ棚8に半導体ウェハを一時収容す
る構成とすることで、各ウェハ搬送機構6.7の処理能
力の差により生じるウェハ搬送系の待機時間がなくなり
、装置全体の処理能力が向上する。
を設け、このバッファ棚8に半導体ウェハを一時収容す
る構成とすることで、各ウェハ搬送機構6.7の処理能
力の差により生じるウェハ搬送系の待機時間がなくなり
、装置全体の処理能力が向上する。
ところで上述実施例では、バッファ棚8の設置数を1つ
としたが、特に設置数に限定されるものではなく、例え
ば、未処理の半導体ウェハを収容するバッファ棚と処理
済の半導体ウェハを収容するバッファ棚とを別々に設け
れば、各ウェハ搬送系の待機時間をさらに短縮すること
ができる。
としたが、特に設置数に限定されるものではなく、例え
ば、未処理の半導体ウェハを収容するバッファ棚と処理
済の半導体ウェハを収容するバッファ棚とを別々に設け
れば、各ウェハ搬送系の待機時間をさらに短縮すること
ができる。
また、バッファ棚近傍にウェハ冷却媒体を配設すれば、
処理プロセス中でウェハの冷却を行うこともできる。
処理プロセス中でウェハの冷却を行うこともできる。
〔発明の効果コ
以上説明したように、本発明の半導体製造装置によれば
、半導体ウェハの搬送系の搬送効率が向上し、装置全体
の処理能力の向上が図れる。
、半導体ウェハの搬送系の搬送効率が向上し、装置全体
の処理能力の向上が図れる。
第1図は本発明をマルチチャンバ型CVD装置に適用し
た実施例の装置構成を示す図、第2図(a)は第1図の
バッファ棚の構成を示す平面図であり、第2図(b)は
第2図(a)の側面図である。 1・・・・・・搬送室、3・・・・・・ロードロック室
、4a。 4bs4c・・・・・・チャンバ、5・・・・・・半導
体ウェハ、6.7・・・・・・ウェハ搬送機構、8・・
・・・・バッファ棚、9・・・・・・昇降台、10.・
・・・・・スロット位置検出機構、11・・・・・・装
置制御部、12・・・・・・記憶機構。 出願人 チル・パリアン株式会社代理人 弁理
士 須 山 佐 − h
た実施例の装置構成を示す図、第2図(a)は第1図の
バッファ棚の構成を示す平面図であり、第2図(b)は
第2図(a)の側面図である。 1・・・・・・搬送室、3・・・・・・ロードロック室
、4a。 4bs4c・・・・・・チャンバ、5・・・・・・半導
体ウェハ、6.7・・・・・・ウェハ搬送機構、8・・
・・・・バッファ棚、9・・・・・・昇降台、10.・
・・・・・スロット位置検出機構、11・・・・・・装
置制御部、12・・・・・・記憶機構。 出願人 チル・パリアン株式会社代理人 弁理
士 須 山 佐 − h
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ウェハキャリアに収容された半導体ウェハを取出す第
1のウェハ搬送機構と、前記第1のウェハ搬送機構によ
り搬送された半導体ウェハを処理室内に搬送する第2の
ウェハ搬送機構とを備えた半導体製造装置において、 前記第1のウェハ搬送機構と、第2のウェハ搬送機構間
に、これら両ウェハ搬送機構により搬送された半導体ウ
ェハを一時保管するための複数枚のウェハ収容機構を設
けたことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7906188A JP2628335B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | マルチチャンバ型cvd装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP7906188A JP2628335B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | マルチチャンバ型cvd装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01251734A true JPH01251734A (ja) | 1989-10-06 |
JP2628335B2 JP2628335B2 (ja) | 1997-07-09 |
Family
ID=13679374
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP7906188A Expired - Lifetime JP2628335B2 (ja) | 1988-03-31 | 1988-03-31 | マルチチャンバ型cvd装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2628335B2 (ja) |
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-
1988
- 1988-03-31 JP JP7906188A patent/JP2628335B2/ja not_active Expired - Lifetime
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