JPH04226048A - 二重カセット装填ロック装置 - Google Patents
二重カセット装填ロック装置Info
- Publication number
- JPH04226048A JPH04226048A JP3085141A JP8514191A JPH04226048A JP H04226048 A JPH04226048 A JP H04226048A JP 3085141 A JP3085141 A JP 3085141A JP 8514191 A JP8514191 A JP 8514191A JP H04226048 A JPH04226048 A JP H04226048A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- cassette
- processing system
- door
- material processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 58
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 57
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 3
- 238000005086 pumping Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000712 assembly Effects 0.000 description 1
- 238000000429 assembly Methods 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67754—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a batch of workpieces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67772—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving removal of lid, door, cover
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/14—Wafer cassette transporting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
材料を装填するために使用される正面端装填インタフェ
ースに関する。
数個の室を備えている場合が多い。一般にウェーハであ
る材料をウェーハ待機ステーションから処理用の種々の
室へと移動するため一般にアーム・アセンブリ又はその
他のロボット装置が使用される。処理が完了すると、ウ
ェーハは待機ステーションに戻される。従来型の処理装
置の例としてはメーヤー他の米国特許明細書第4,71
5,921 号「クォッド・プロセッサ」を参照された
い。
。従って、処理されるウェーハのカセットが配置される
ウェーハ待機ステーションはウェーハにアクセスする前
に排気されなければならない。そのため処理済みのウェ
ーハ・カセットが未処理のウェーハのカセットに交換さ
れるまでの待機中、及びその後のウェーハ待機ステーシ
ョンの排気中の半導体処理装置の休止時間が大幅に増大
する。
克服することを目的としている。
に従って、材料装填インタフェースを材料処理システム
内に包含させるものである。材料装填インタフェースは
2つの別個の室を備えている。各室は別個に排気するこ
とができる。従って、一般にウェーハである材料の第1
カセットを第1室からアクセス中に、ウェーハの第2カ
セットを第2室内に装填し、その後で第2室を排気する
ことができる。そのことによって材料処理システムによ
るウェーハの処理能力を大幅に増大することができる。
の侵入を最小限にするように設計されている。そのため
に各室へのドアは、ドアを開ける場合に先ずドアを室内
の開口部から僅かに離し、次にドアを室と平行に下方に
移動させるドア開閉機構を備えている。ドアが開いた後
、ウェーハのカセットは可動橋と類似した動作で開口部
を通って下降される。ウェーハのカセットはサイド・パ
ネルなしで支持体上に支持され、処理済みのウェーハは
未処理のウェーハとの交換は自動化された装置によって
促進される。カセットはウェーハがカセットからアクセ
スされる位置が、カセットが室から下降される位置と異
なっている場合は室内で揺動可能である。
導体処理装置1は例えばウェーハをエッチング処理する
ために使用できる。半導体処理装置1は例えば処理室3
と、処理室4と、処理室5と処理室6とを備えている。 中央の室2はウェーハが種々の処理室から出し入れする
場合にロボット装置7上にウェーハを一時的に保管する
ために利用できる。
ロックを備えている。室8内でウェーハ・カセット16
がウェーハ10を保持する。室9内でウェーハ・カセッ
ト17がウェーハ11を保持する。ウェーハ・トレー1
7は揺動支点15を中心に揺動する。トレー17からの
ウェーハ11が処理のために半導体処理装置1によって
アクセスされる際、ウェーハ・トレー17は図示のよう
にゲート13と平らになり、中央室2に移送するために
容易にアクセスできる。ウェーハ・トレー17が室9か
ら取り出される準備が完了すると、室9の開放及びウェ
ーハ・トレー17の取り出し準備のためにウェーハ・ト
レー17はゲート13から再度揺動する。
14を中心に揺動する。トレー16からのウェーハ10
が処理のために半導体処理装置1によってアクセスされ
る際、ウェーハ・トレー16はゲート12と平らになり
、中央室2に移送するために容易にアクセスできる。 ウェーハ・トレー16が室8から取り出される準備が完
了すると、室8の開放及びウェーハ・トレー16の取り
出し準備のためにウェーハ・トレー16は図示のように
ゲート12から角度18だけ再度揺動する。好ましい実
施例では角度18は約21°である。
1では、真空ポンプ19と20は概略的に図示してある
。一般にポンプ19及び20は半導体処理装置1内にあ
る。更に、図1は2個の別個のポンプを図示しているが
、室8と9を別個に、かつ単独で排気するために単一の
ポンプを使用することもできよう。
図を示している。好ましい実施例では、室8の容積は4
6リッターである。ドア21は閉位置で図示されている
。ドア21は観察窓22を備えている。ドア21は棒2
4内の空気圧作動装置を用いて開閉される。空気圧作動
装置インタフェース内の磁石が外部リング26を牽引す
る。外部リング26はアセンブリ23を介してドア21
と連結されている。
ている。開口部25は例えば高さ15インチ、幅10.
5インチの寸法でよい。下方に開くことによってドア2
1の汚染防止室への侵入を最小限にすることができる。 好ましい実施例では、全侵入距離は約1インチである。 ドア21が下降されると、次に支持構造43上のウェー
ハ・トレー16が城の入口の可動橋が下降するように室
8の外側へと下降される。そこでウェーハ・トレー16
が取り出され、新たなウェーハ・トレーが支持構造43
上に載置される。ドア21が開き、ウェーハ・トレー1
6が下降した時に空気の層流がウェーハ10を下方に掃
引するように、支持構造43の底は中空に設計されてい
る。
の詳細が補足的に図示されている。ドア21のサイド・
パネル31はバネ34とリンク36とリンク35とによ
ってキャリッジ30に連結されている。ドア21は棒2
4内の空気空く作動装置によって制御されて、レール5
0と平行に上下に移動する。ドア21が閉鎖中はドア2
1は迫台32によって支持される。しかし、キャリッジ
30はギャップ33が完全に閉じるまでは上方に移動し
続け、バネ34を伸張する。キャリッジ30が上方に移
動し続けている間、リンク36に連結されたピボット3
9とリンク35に連結されたピボット40は上方に移動
し続ける。しかし、リンク36に連結されたピボット3
7とリンク35に連結されたピボット38はドア21を
キャリッジ30の方向に移動し続ける。従って、ギャッ
プ33が閉じると、リンク35と36はキャリッジ30
の上方運動をドア21の水平運動へと交換する。このよ
うにしてドア21は室8と密着し、ひいては室8を密閉
する。
するためのアセンブリの一つの実施例の構成図である。 図5では、支持構造43及びカセット16は室8から外
側に下降された状態にある。支持構造43に連結された
ローラ44は室8内のスロット46を具備したカムの延
長部に載置されている。これも支持構造43に連結され
たローラ45はスロット・トラック46の第1端部に位
置している。
8内で直立位置にある状態が図示されている。この位置
では、ウェーハ10は水平であり、半導体処理装置1に
よてアクセスし易いように堆積される。支持構造43と
カセット16が直立位置にある時は、ローラ45はスロ
ット・トラック46の第2端部まで転がされ、ローラ4
4は止め49に対して停止する。止め49はスロット4
6を含むカムの延長部である。
室を備えており、各室は別個に排気することができる。 従って、一般にウェーハである材料の第1カセットを第
1室からアクセス中に、ウェーハの第2カセットを第2
室内に装填し、その後で第2室を排気することができる
ので、材料処理システムによるウェーハの処理能力を大
幅に増大することができる。
ト装填ロックを備えた半導体処理装置の上面概略図であ
る。
半導体処理装置の一部である装填ロックの構成図である
。
装填ロックの第2の構成図である。
装填ロックの別の構成図である。
装填ロックの外に出た位置のカセット・ウェーハ保持器
の構成図である。
装填ロック内の直立位置にある図5に示したカセット・
ウェーハの構成図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 真空内で材料を処理する材料処理シス
テムにおいて、材料装填インタフェースが、材料を受領
し、かつ材料を処理するために材料処理システムへと前
進させる第1室と、 材料を受領し、かつ材料を処理するために材料処理シス
テムへと前進させる第2室と、 第2室とは別に第1室で別個に真空を生成する第1ポン
プ装置と、 第1室とは別に第2室で別個に真空を生成する第2ポン
プ装置とから構成されたことを特徴とする材料処理シス
テム。 - 【請求項2】 材料がウェーハであり、第1室及び第
2室内でカセット内に保持されることを特徴とする請求
項1に記載の材料処理システム。 - 【請求項3】 材料装填インタフェースが更に、材料
の第1カセットを第1室の外部まで可動橋式動作で下降
させる第1カセット下降装置と、 材料の第2カセットを第2室の外部まで可動橋式動作で
下降させる第2カセット下降装置とを更に備えたことを
特徴とする請求項2に記載の材料処理システム。 - 【請求項4】 材料充填インタフェースが更に、第1
カセットを第1カセット下降装置によって下降させるこ
とができる第1位置と、第1カセットからのウェーハを
材料処理システムによってそこからアクセス可能である
第2位置との間で第1カセットを揺動可能である第1ピ
ボット装置と、 第2カセットを第2カセット下降装置によって下降させ
ることができる第1位置と、第2カセットからのウェー
ハを材料処理システムによってそこからアクセス可能で
ある第2位置との間で第2カセットを揺動可能である第
2ピボット装置とを更に備えたことを特徴とする請求項
3に記載の材料処理システム。 - 【請求項5】 第1室と第2室の各々が、それを通し
てカセットを下降できる開口部と、閉状態で開口部を覆
い、密閉するドアと、ドアを開ける場合に先ずドアを開
口部から僅かに離し、次にドアを室と平行に下方に移動
させるドア開閉機構とを備えたことを特徴とする請求項
3に記載の材料処理システム。 - 【請求項6】 真空内が材料を処理する材料処理シス
テムにおいて、材料を材料処理システムに装填する方法
が、材料処理システムによって実行される以下の各段階
、すなわち、 (a) 第1材料を第1室内に受領し、(b)
第1室を排気して第1室内に真空状態を生成し、(c
) 第1材料を処理し、 (d) 第2材料を大2室内に受領し、(e)
第2室を排気して第2室内に真空状態を生成し、(f
) 第2材料を処理する段階から成ることを特徴と
する方法。 - 【請求項7】 段階(c) と段階(f) が同時に
は実施されないことを特徴とする請求項6に記載の方法
。 - 【請求項8】 材料はウェーハであり、カセット内に
保持されることを特徴とする請求項6に記載の方法。 - 【請求項9】 段階(a) と段階(d) が、(i
) ウェーハのカセットを可動橋式動作で室内に上昇さ
せる副次段階を含むことを特徴とする請求項8に記載の
方法。 - 【請求項10】 段階(b) と段階(e) が、(
i) ドアを室と平行に上方に移動し、かつ、(i
i) ドアを室に対して密着するように移動し、室を
密閉する副次段階を含む事を特徴とする請求項6に記載
の方法。 - 【請求項11】 材料処理システムにおいて、材料装
填装置が、カセット内に保持された材料を受領し、かつ
材料を処理するために材料処理システムへと前進させる
室と、 材料のカセットを第1室の外部まで可動橋式動作で下降
させるカセット下降装置と、 カセットをカセット下降装置によって下降させることが
できる第1位置と、カセットからの材料を材料処理シス
テムによってそこからアクセス可能である第2位置との
間でカセットを揺動可能であるピボット装置とから構成
されたことを特徴とする材料処理システム。 - 【請求項12】 室が、 それを通してカセットを下降できる開口部と、閉状態で
開口部を覆い、密閉するドアと、ドアを開ける場合に先
ずドアを開口部から僅かに離し、次にドアを室と平行に
下方に移動させるドア開閉機構とを備えたことを特徴と
する請求項11に記載の材料処理システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/511,481 US5186594A (en) | 1990-04-19 | 1990-04-19 | Dual cassette load lock |
US511481 | 1990-04-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04226048A true JPH04226048A (ja) | 1992-08-14 |
JP3088123B2 JP3088123B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=24035085
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP03085141A Expired - Fee Related JP3088123B2 (ja) | 1990-04-19 | 1991-04-17 | 二重カセット装填ロック装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US5186594A (ja) |
EP (1) | EP0452939B1 (ja) |
JP (1) | JP3088123B2 (ja) |
KR (1) | KR100272890B1 (ja) |
DE (1) | DE69132457T2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000254480A (ja) * | 1998-12-23 | 2000-09-19 | Applied Materials Inc | 統合ポンプ装置を有する処理装置 |
JP2003536247A (ja) * | 2000-06-06 | 2003-12-02 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 材料搬送システム |
Families Citing this family (146)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5186594A (en) * | 1990-04-19 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dual cassette load lock |
KR0162102B1 (ko) * | 1991-05-29 | 1999-02-01 | 이노우에 아키라 | 반도체 제조장치 |
JP2598353B2 (ja) * | 1991-12-04 | 1997-04-09 | アネルバ株式会社 | 基板処理装置、基板搬送装置及び基板交換方法 |
JP2751975B2 (ja) * | 1991-12-20 | 1998-05-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体処理装置のロードロック室 |
US5372836A (en) * | 1992-03-27 | 1994-12-13 | Tokyo Electron Limited | Method of forming polycrystalling silicon film in process of manufacturing LCD |
US5395198A (en) * | 1992-06-19 | 1995-03-07 | International Business Machines Corporation | Vacuum loading chuck and fixture for flexible printed circuit panels |
US5534072A (en) * | 1992-06-24 | 1996-07-09 | Anelva Corporation | Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates |
US5482607A (en) * | 1992-09-21 | 1996-01-09 | Nissin Electric Co., Ltd. | Film forming apparatus |
MY109592A (en) * | 1992-11-16 | 1997-03-31 | Tokyo Electron Ltd | Method and apparatus for manufacturing a liquid crystal display substrate, and apparatus and method for evaluating semiconductor crystals. |
US5387067A (en) * | 1993-01-14 | 1995-02-07 | Applied Materials, Inc. | Direct load/unload semiconductor wafer cassette apparatus and transfer system |
KR100261532B1 (ko) * | 1993-03-14 | 2000-07-15 | 야마시타 히데나리 | 피처리체 반송장치를 가지는 멀티챔버 시스템 |
US5527390A (en) * | 1993-03-19 | 1996-06-18 | Tokyo Electron Kabushiki | Treatment system including a plurality of treatment apparatus |
US5478455A (en) * | 1993-09-17 | 1995-12-26 | Varian Associates, Inc. | Method for controlling a collimated sputtering source |
US6833035B1 (en) | 1994-04-28 | 2004-12-21 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing system with wafer container docking and loading station |
US5664337A (en) * | 1996-03-26 | 1997-09-09 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing systems |
US6712577B2 (en) * | 1994-04-28 | 2004-03-30 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing system |
EP0757843A1 (en) * | 1994-04-28 | 1997-02-12 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing system with wafer container docking and loading station |
US5544421A (en) * | 1994-04-28 | 1996-08-13 | Semitool, Inc. | Semiconductor wafer processing system |
US6447232B1 (en) | 1994-04-28 | 2002-09-10 | Semitool, Inc. | Semiconductor wafer processing apparatus having improved wafer input/output handling system |
US5538385A (en) * | 1994-06-24 | 1996-07-23 | Kensington Laboratories, Inc. | Specimen carrier holder and method of operating it |
US5486080A (en) * | 1994-06-30 | 1996-01-23 | Diamond Semiconductor Group, Inc. | High speed movement of workpieces in vacuum processing |
US5522955A (en) * | 1994-07-07 | 1996-06-04 | Brodd; Ralph J. | Process and apparatus for producing thin lithium coatings on electrically conductive foil for use in solid state rechargeable electrochemical cells |
US5525024A (en) * | 1994-08-17 | 1996-06-11 | Applied Materials, Inc. | Cassette loader having compound translational motion |
US5563095A (en) * | 1994-12-01 | 1996-10-08 | Frey; Jeffrey | Method for manufacturing semiconductor devices |
DE19542646C2 (de) * | 1995-03-28 | 2003-04-30 | Brooks Automation Gmbh | Be- und Entladestation für Halbleiterbearbeitungsanlagen |
ES2229247T3 (es) * | 1995-03-28 | 2005-04-16 | Brooks Automation Gmbh | Estacion de carga y descarga para instalaciones de tratamiento de semiconductores. |
KR0165484B1 (ko) * | 1995-11-28 | 1999-02-01 | 김광호 | 탄탈륨산화막 증착 형성방법 및 그 장치 |
US6555394B2 (en) | 1995-11-28 | 2003-04-29 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of fabricating capacitors including Ta2O5 layers in a chamber including changing a Ta2O5 layer to heater separation or chamber pressure |
US6723174B2 (en) | 1996-03-26 | 2004-04-20 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing system |
US6942738B1 (en) | 1996-07-15 | 2005-09-13 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing system |
US6279724B1 (en) | 1997-12-19 | 2001-08-28 | Semitoll Inc. | Automated semiconductor processing system |
EP0902962B1 (en) * | 1996-05-31 | 2001-09-26 | IPEC Precision, Inc. | Apparatus for plasma jet treatment of substrates |
US6091498A (en) | 1996-07-15 | 2000-07-18 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing apparatus having lift and tilt mechanism |
US6672820B1 (en) | 1996-07-15 | 2004-01-06 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing apparatus having linear conveyer system |
US6203582B1 (en) * | 1996-07-15 | 2001-03-20 | Semitool, Inc. | Modular semiconductor workpiece processing tool |
US6645355B2 (en) | 1996-07-15 | 2003-11-11 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing apparatus having lift and tilt mechanism |
TW331550B (en) * | 1996-08-14 | 1998-05-11 | Tokyo Electron Co Ltd | The cassette receiving room |
TW344847B (en) * | 1996-08-29 | 1998-11-11 | Tokyo Electron Co Ltd | Substrate treatment system, substrate transfer system, and substrate transfer method |
JPH10107122A (ja) * | 1996-10-01 | 1998-04-24 | Tokyo Electron Ltd | 被処理基板カセットの搬入装置 |
JPH10139159A (ja) * | 1996-11-13 | 1998-05-26 | Tokyo Electron Ltd | カセットチャンバ及びカセット搬入搬出機構 |
US5905302A (en) * | 1996-11-18 | 1999-05-18 | Applied Materials, Inc. | Loadlock cassette with wafer support rails |
US5961269A (en) | 1996-11-18 | 1999-10-05 | Applied Materials, Inc. | Three chamber load lock apparatus |
JPH10147432A (ja) * | 1996-11-20 | 1998-06-02 | Tokyo Electron Ltd | カセットチャンバ |
US6068668A (en) * | 1997-03-31 | 2000-05-30 | Motorola, Inc. | Process for forming a semiconductor device |
TW539918B (en) | 1997-05-27 | 2003-07-01 | Tokyo Electron Ltd | Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
US5837059A (en) * | 1997-07-11 | 1998-11-17 | Brooks Automation, Inc. | Automatic positive pressure seal access door |
US6152680A (en) * | 1997-08-26 | 2000-11-28 | Daitron, Inc. | Wafer cassette rotation mechanism |
US6106213A (en) * | 1998-02-27 | 2000-08-22 | Pri Automation, Inc. | Automated door assembly for use in semiconductor wafer manufacturing |
TW593731B (en) * | 1998-03-20 | 2004-06-21 | Semitool Inc | Apparatus for applying a metal structure to a workpiece |
US6565729B2 (en) * | 1998-03-20 | 2003-05-20 | Semitool, Inc. | Method for electrochemically depositing metal on a semiconductor workpiece |
US6375746B1 (en) | 1998-07-10 | 2002-04-23 | Novellus Systems, Inc. | Wafer processing architecture including load locks |
US6431807B1 (en) | 1998-07-10 | 2002-08-13 | Novellus Systems, Inc. | Wafer processing architecture including single-wafer load lock with cooling unit |
US6497801B1 (en) * | 1998-07-10 | 2002-12-24 | Semitool Inc | Electroplating apparatus with segmented anode array |
US6350321B1 (en) * | 1998-12-08 | 2002-02-26 | International Business Machines Corporation | UHV horizontal hot wall cluster CVD/growth design |
US6358128B1 (en) * | 1999-03-05 | 2002-03-19 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
US6042324A (en) * | 1999-03-26 | 2000-03-28 | Asm America, Inc. | Multi-stage single-drive FOUP door system |
US20030038035A1 (en) * | 2001-05-30 | 2003-02-27 | Wilson Gregory J. | Methods and systems for controlling current in electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US6916412B2 (en) * | 1999-04-13 | 2005-07-12 | Semitool, Inc. | Adaptable electrochemical processing chamber |
US7020537B2 (en) * | 1999-04-13 | 2006-03-28 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7585398B2 (en) * | 1999-04-13 | 2009-09-08 | Semitool, Inc. | Chambers, systems, and methods for electrochemically processing microfeature workpieces |
US7264698B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-09-04 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
TW527444B (en) * | 1999-04-13 | 2003-04-11 | Semitool Inc | System for electrochemically processing a workpiece |
US7189318B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-03-13 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US6368475B1 (en) * | 2000-03-21 | 2002-04-09 | Semitool, Inc. | Apparatus for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7160421B2 (en) * | 1999-04-13 | 2007-01-09 | Semitool, Inc. | Turning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US7438788B2 (en) * | 1999-04-13 | 2008-10-21 | Semitool, Inc. | Apparatus and methods for electrochemical processing of microelectronic workpieces |
US6763281B2 (en) | 1999-04-19 | 2004-07-13 | Applied Materials, Inc | Apparatus for alignment of automated workpiece handling systems |
TW469483B (en) * | 1999-04-19 | 2001-12-21 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for aligning a cassette |
US6612797B1 (en) * | 1999-05-18 | 2003-09-02 | Asyst Technologies, Inc. | Cassette buffering within a minienvironment |
WO2001010756A1 (en) * | 1999-08-11 | 2001-02-15 | Multilevel Metals, Inc. | Load lock system for foups |
US6318384B1 (en) * | 1999-09-24 | 2001-11-20 | Applied Materials, Inc. | Self cleaning method of forming deep trenches in silicon substrates |
US8348583B2 (en) * | 1999-10-19 | 2013-01-08 | Rorze Corporation | Container and loader for substrate |
KR100744888B1 (ko) | 1999-11-02 | 2007-08-01 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 소재를 초임계 처리하기 위한 장치 및 방법 |
US6748960B1 (en) * | 1999-11-02 | 2004-06-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces |
WO2001049894A1 (en) * | 2000-01-03 | 2001-07-12 | Skion Corporation | Multi wafer introduction/single wafer conveyor mode processing system and method of processing wafers using the same |
EP1126508A3 (en) * | 2000-02-16 | 2005-03-30 | Applied Materials, Inc. | Processing apparatus having integrated pumping system |
US20050183959A1 (en) * | 2000-04-13 | 2005-08-25 | Wilson Gregory J. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectric workpiece |
WO2001090434A2 (en) * | 2000-05-24 | 2001-11-29 | Semitool, Inc. | Tuning electrodes used in a reactor for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
US6977014B1 (en) | 2000-06-02 | 2005-12-20 | Novellus Systems, Inc. | Architecture for high throughput semiconductor processing applications |
US6860965B1 (en) | 2000-06-23 | 2005-03-01 | Novellus Systems, Inc. | High throughput architecture for semiconductor processing |
US7147424B2 (en) * | 2000-07-07 | 2006-12-12 | Applied Materials, Inc. | Automatic door opener |
JP2004524673A (ja) | 2000-07-07 | 2004-08-12 | セミトゥール・インコーポレイテッド | 自動処理システム |
EP1303870A2 (en) * | 2000-07-26 | 2003-04-23 | Tokyo Electron Limited | High pressure processing chamber for semiconductor substrate |
US6632068B2 (en) | 2000-09-27 | 2003-10-14 | Asm International N.V. | Wafer handling system |
US7001468B1 (en) | 2002-02-15 | 2006-02-21 | Tokyo Electron Limited | Pressure energized pressure vessel opening and closing device and method of providing therefor |
US7387868B2 (en) | 2002-03-04 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Treatment of a dielectric layer using supercritical CO2 |
US20030194673A1 (en) * | 2002-04-15 | 2003-10-16 | Yoo Woo Sik | Batch furnace isolation gate |
US7114903B2 (en) * | 2002-07-16 | 2006-10-03 | Semitool, Inc. | Apparatuses and method for transferring and/or pre-processing microelectronic workpieces |
US7677859B2 (en) | 2002-07-22 | 2010-03-16 | Brooks Automation, Inc. | Substrate loading and uploading station with buffer |
US6869263B2 (en) | 2002-07-22 | 2005-03-22 | Brooks Automation, Inc. | Substrate loading and unloading station with buffer |
DE10238165B3 (de) * | 2002-08-15 | 2004-03-25 | Hans-Heinz Helge | Langgestrecktes Rolladenprofil aus Kunststoff oder Metall für Schwimmbadabdeckungen |
US20040108212A1 (en) * | 2002-12-06 | 2004-06-10 | Lyndon Graham | Apparatus and methods for transferring heat during chemical processing of microelectronic workpieces |
US7021635B2 (en) * | 2003-02-06 | 2006-04-04 | Tokyo Electron Limited | Vacuum chuck utilizing sintered material and method of providing thereof |
US7077917B2 (en) | 2003-02-10 | 2006-07-18 | Tokyo Electric Limited | High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer |
US7225820B2 (en) * | 2003-02-10 | 2007-06-05 | Tokyo Electron Limited | High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer |
US6748293B1 (en) | 2003-03-24 | 2004-06-08 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Methods and apparatus for high speed object handling |
US7270137B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-09-18 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of securing a workpiece during high-pressure processing |
US7163380B2 (en) | 2003-07-29 | 2007-01-16 | Tokyo Electron Limited | Control of fluid flow in the processing of an object with a fluid |
US20050035514A1 (en) * | 2003-08-11 | 2005-02-17 | Supercritical Systems, Inc. | Vacuum chuck apparatus and method for holding a wafer during high pressure processing |
US20050067002A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | Supercritical Systems, Inc. | Processing chamber including a circulation loop integrally formed in a chamber housing |
US7186093B2 (en) * | 2004-10-05 | 2007-03-06 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for cooling motor bearings of a high pressure pump |
US7500822B2 (en) * | 2004-04-09 | 2009-03-10 | Edwards Vacuum, Inc. | Combined vacuum pump load-lock assembly |
US7611319B2 (en) | 2004-06-16 | 2009-11-03 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for identifying small lot size substrate carriers |
US7250374B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-07-31 | Tokyo Electron Limited | System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing |
TWI390102B (zh) * | 2004-08-13 | 2013-03-21 | Oc Oerlikon Balzers Ag | 真空閘 |
US7307019B2 (en) * | 2004-09-29 | 2007-12-11 | Tokyo Electron Limited | Method for supercritical carbon dioxide processing of fluoro-carbon films |
US20060065288A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Darko Babic | Supercritical fluid processing system having a coating on internal members and a method of using |
US20060065189A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Darko Babic | Method and system for homogenization of supercritical fluid in a high pressure processing system |
US20060102208A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Limited | System for removing a residue from a substrate using supercritical carbon dioxide processing |
US7491036B2 (en) * | 2004-11-12 | 2009-02-17 | Tokyo Electron Limited | Method and system for cooling a pump |
US20060102204A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Limited | Method for removing a residue from a substrate using supercritical carbon dioxide processing |
US20060102590A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Limited | Method for treating a substrate with a high pressure fluid using a preoxide-based process chemistry |
US20060102591A1 (en) * | 2004-11-12 | 2006-05-18 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a substrate using a supercritical fluid |
US20060130966A1 (en) * | 2004-12-20 | 2006-06-22 | Darko Babic | Method and system for flowing a supercritical fluid in a high pressure processing system |
US20060134332A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Darko Babic | Precompressed coating of internal members in a supercritical fluid processing system |
US7140393B2 (en) * | 2004-12-22 | 2006-11-28 | Tokyo Electron Limited | Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems |
US20060135047A1 (en) * | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Alexei Sheydayi | Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system |
US7434590B2 (en) * | 2004-12-22 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system |
US7291565B2 (en) * | 2005-02-15 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using fluorosilicic acid |
US20060180572A1 (en) * | 2005-02-15 | 2006-08-17 | Tokyo Electron Limited | Removal of post etch residue for a substrate with open metal surfaces |
US7435447B2 (en) * | 2005-02-15 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system |
US20060180174A1 (en) * | 2005-02-15 | 2006-08-17 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using a peroxide-based process chemistry in conjunction with an initiator |
US7380984B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-06-03 | Tokyo Electron Limited | Process flow thermocouple |
US7767145B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-08-03 | Toyko Electron Limited | High pressure fourier transform infrared cell |
US20060226117A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Bertram Ronald T | Phase change based heating element system and method |
US20060225772A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Jones William D | Controlled pressure differential in a high-pressure processing chamber |
US7494107B2 (en) | 2005-03-30 | 2009-02-24 | Supercritical Systems, Inc. | Gate valve for plus-atmospheric pressure semiconductor process vessels |
US20060255012A1 (en) * | 2005-05-10 | 2006-11-16 | Gunilla Jacobson | Removal of particles from substrate surfaces using supercritical processing |
US7789971B2 (en) * | 2005-05-13 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide |
US7524383B2 (en) * | 2005-05-25 | 2009-04-28 | Tokyo Electron Limited | Method and system for passivating a processing chamber |
US20070012337A1 (en) * | 2005-07-15 | 2007-01-18 | Tokyo Electron Limited | In-line metrology for supercritical fluid processing |
WO2007061604A2 (en) * | 2005-11-21 | 2007-05-31 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and methods for a substrate carrier having an inflatable seal |
KR100909494B1 (ko) * | 2006-05-11 | 2009-07-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 처리장치 |
KR101659733B1 (ko) * | 2009-12-28 | 2016-09-26 | 주식회사 테스 | 기판 처리 장치 |
US20120288355A1 (en) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | Ming-Teng Hsieh | Method for storing wafers |
CN103917466B (zh) * | 2011-09-14 | 2019-01-04 | 布鲁克斯自动化公司 | 装载工位 |
DE102011113563A1 (de) * | 2011-09-19 | 2013-03-21 | Oerlikon Trading Ag, Trübbach | Karussellschlitten für Vakuumbehandlungsanlage |
US9997384B2 (en) * | 2011-12-01 | 2018-06-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Methods for transporting wafers between wafer holders and chambers |
US9530675B2 (en) | 2012-09-19 | 2016-12-27 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Wafer handling station including cassette members with lateral wafer confining brackets and associated methods |
US10115616B2 (en) | 2013-07-18 | 2018-10-30 | Applied Materials, Inc. | Carrier adapter insert apparatus and carrier adapter insert detection methods |
CN105453246A (zh) | 2013-08-12 | 2016-03-30 | 应用材料公司 | 具有工厂接口环境控制的基板处理系统、装置和方法 |
WO2016085622A1 (en) | 2014-11-25 | 2016-06-02 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing systems, apparatus, and methods with substrate carrier and purge chamber environmental controls |
KR20180045316A (ko) * | 2016-10-25 | 2018-05-04 | 삼성전자주식회사 | 설비 전방 단부 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치 |
CN108538692B (zh) * | 2017-03-02 | 2020-06-19 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 升降门装置和晶片传输系统 |
DE102018102762B3 (de) | 2018-02-07 | 2019-08-01 | Uwe Beier | Ladeschleuse für einen Substratbehälter, Vorrichtung mit einer Ladeschleuse und Verfahren zum Betrieb einer Ladeschleuse |
KR20210118950A (ko) * | 2019-02-19 | 2021-10-01 | 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 | 자동화된 뱃치 생산 박막 증착 시스템 및 그 사용 방법 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5730341A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-18 | Anelva Corp | Substrate processing device |
JPS59191342A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-10-30 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JPS59200433A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-13 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Cvd装置の装填方法 |
JPS62139340A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-23 | Hitachi Ltd | ウエ−ハ搬送装置 |
JPS62154749A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
JPH01186621A (ja) * | 1987-07-16 | 1989-07-26 | Texas Instr Inc <Ti> | 処理装置及び方法 |
JPH01212755A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-25 | Nissin Electric Co Ltd | イオン処理装置 |
JPH01251734A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Teru Barian Kk | マルチチャンバ型cvd装置 |
JPH01253237A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
Family Cites Families (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2224479A (en) * | 1939-06-22 | 1940-12-10 | Marion S Jones | Ice handling apparatus |
US3656454A (en) * | 1970-11-23 | 1972-04-18 | Air Reduction | Vacuum coating apparatus |
US3749383A (en) * | 1971-04-29 | 1973-07-31 | Rca Corp | Apparatus for processing semiconductor devices |
EP0068060A1 (fr) * | 1981-06-25 | 1983-01-05 | S.A.R.L. Commodore International | Dispositif de commande d'ouverture et de fermeture de portes étanches, notamment d'autoclaves |
DE3224803A1 (de) * | 1982-07-02 | 1984-01-05 | Heckmann, Klaus, Prof. Dr., 8400 Regensburg | Verfahren zur selektiven trennung des plutoniums von uran und anderen metallen |
US4448149A (en) * | 1982-10-12 | 1984-05-15 | International Business Machines Corporation | Apparatus for removably mounting and supplying mechanical and electrical energy to a vacuum chamber substrate holder |
JPS60109218A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-14 | Hitachi Ltd | 分子線エピタキシャル成長装置 |
GB8332394D0 (en) * | 1983-12-05 | 1984-01-11 | Pilkington Brothers Plc | Coating apparatus |
US4640223A (en) * | 1984-07-24 | 1987-02-03 | Dozier Alfred R | Chemical vapor deposition reactor |
US4636128A (en) * | 1984-08-30 | 1987-01-13 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor slice cassette transport unit |
US4668365A (en) * | 1984-10-25 | 1987-05-26 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for magnetron-enhanced plasma-assisted chemical vapor deposition |
FR2573908B1 (fr) * | 1984-11-26 | 1986-12-26 | Cogema | Dispositif de transfert a double barriere etanche entre un conteneur et une enceinte de confinement |
JPS61129881A (ja) | 1984-11-28 | 1986-06-17 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JPS61282224A (ja) * | 1985-06-04 | 1986-12-12 | Mitsubishi Electric Corp | 搬送装置の出し入れ口装置 |
JPS61291032A (ja) * | 1985-06-17 | 1986-12-20 | Fujitsu Ltd | 真空装置 |
JPS6215479A (ja) * | 1985-07-15 | 1987-01-23 | Komatsu Ltd | オ−トトラツキング測距装置 |
US4765767A (en) * | 1985-08-01 | 1988-08-23 | Bic Corporation | Snap-on clip for elongated instruments |
US4776744A (en) * | 1985-09-09 | 1988-10-11 | Applied Materials, Inc. | Systems and methods for wafer handling in semiconductor process equipment |
US4966519A (en) * | 1985-10-24 | 1990-10-30 | Texas Instruments Incorporated | Integrated circuit processing system |
US4764076A (en) * | 1986-04-17 | 1988-08-16 | Varian Associates, Inc. | Valve incorporating wafer handling arm |
US4715921A (en) * | 1986-10-24 | 1987-12-29 | General Signal Corporation | Quad processor |
EP0267233B1 (en) * | 1986-04-28 | 1993-01-07 | Varian Associates, Inc. | Modular semiconductor wafer transport and processing system |
JPS62282224A (ja) | 1986-05-30 | 1987-12-08 | Tokyo Keiki Co Ltd | 回転検出装置 |
JPS62290616A (ja) * | 1986-06-05 | 1987-12-17 | Tokyo Electron Ltd | ウエハ搬送機構 |
US4747577A (en) * | 1986-07-23 | 1988-05-31 | The Boc Group, Inc. | Gate valve with magnetic closure for use with vacuum equipment |
DE3637880C2 (de) * | 1986-11-06 | 1994-09-01 | Meissner & Wurst | Transportierbares Behältnis zur Handhabung von Halbleiterelementen während ihrer Herstellung sowie Verfahren zur partikelfreien Übergabe von Produkten |
FR2620049B2 (fr) * | 1986-11-28 | 1989-11-24 | Commissariat Energie Atomique | Procede de traitement, stockage et/ou transfert d'un objet dans une atmosphere de haute proprete, et conteneur pour la mise en oeuvre de ce procede |
US4721282A (en) * | 1986-12-16 | 1988-01-26 | Lam Research Corporation | Vacuum chamber gate valve |
US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
DE3704505A1 (de) * | 1987-02-13 | 1988-08-25 | Leybold Ag | Einlegegeraet fuer vakuumanlagen |
US4891488A (en) * | 1987-07-16 | 1990-01-02 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus and method |
DE3827343A1 (de) * | 1988-08-12 | 1990-02-15 | Leybold Ag | Vorrichtung nach dem karussel-prinzip zum beschichten von substraten |
US4851101A (en) * | 1987-09-18 | 1989-07-25 | Varian Associates, Inc. | Sputter module for modular wafer processing machine |
US4832527A (en) * | 1987-09-29 | 1989-05-23 | Bachmann Company, Inc. | Vertically reciprocable gates for the control of a liquid media |
US4859137A (en) * | 1987-10-21 | 1989-08-22 | Asyst Technologies | Apparatus for transporting a holder between a port opening of a standardized mechanical interface system and a loading and unloading station |
JP2505011B2 (ja) * | 1987-12-23 | 1996-06-05 | 松下電工株式会社 | 回路遮断器の電磁装置 |
JP2539472B2 (ja) | 1987-12-23 | 1996-10-02 | 株式会社日立製作所 | 被処理物収納部支持機構 |
ATE208961T1 (de) * | 1988-05-24 | 2001-11-15 | Unaxis Balzers Ag | Vakuumanlage |
US5064337A (en) * | 1988-07-19 | 1991-11-12 | Tokyo Electron Limited | Handling apparatus for transferring carriers and a method of transferring carriers |
JPH0237742A (ja) * | 1988-07-28 | 1990-02-07 | Nec Corp | 半導体装置の製造装置 |
US5002255A (en) * | 1989-03-03 | 1991-03-26 | Irie Koken Kabushiki Kaisha | Non-sliding gate valve for high vacuum use |
US5186594A (en) * | 1990-04-19 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Dual cassette load lock |
KR960002534A (ko) * | 1994-06-07 | 1996-01-26 | 이노우에 아키라 | 감압·상압 처리장치 |
US6106213A (en) * | 1998-02-27 | 2000-08-22 | Pri Automation, Inc. | Automated door assembly for use in semiconductor wafer manufacturing |
US7147424B2 (en) * | 2000-07-07 | 2006-12-12 | Applied Materials, Inc. | Automatic door opener |
US6799394B2 (en) * | 2002-01-18 | 2004-10-05 | Shen Tsung-Lin | Apparatus for sealing a vacuum chamber |
-
1990
- 1990-04-19 US US07/511,481 patent/US5186594A/en not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-04-17 JP JP03085141A patent/JP3088123B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-18 EP EP91106247A patent/EP0452939B1/en not_active Revoked
- 1991-04-18 DE DE69132457T patent/DE69132457T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-04-19 KR KR1019910006261A patent/KR100272890B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1996
- 1996-08-20 US US08/700,267 patent/US5769588A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-03-07 US US08/813,480 patent/US6454519B1/en not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-01 US US09/070,854 patent/US6454508B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-08-19 US US10/223,539 patent/US6599076B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-08-19 US US10/223,540 patent/US20030002960A1/en not_active Abandoned
-
2006
- 2006-04-24 US US11/410,797 patent/US20060245854A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5730341A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-18 | Anelva Corp | Substrate processing device |
JPS59191342A (ja) * | 1983-04-15 | 1984-10-30 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JPS59200433A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-13 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | Cvd装置の装填方法 |
JPS62139340A (ja) * | 1985-12-13 | 1987-06-23 | Hitachi Ltd | ウエ−ハ搬送装置 |
JPS62154749A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
JPH01186621A (ja) * | 1987-07-16 | 1989-07-26 | Texas Instr Inc <Ti> | 処理装置及び方法 |
JPH01212755A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-25 | Nissin Electric Co Ltd | イオン処理装置 |
JPH01251734A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-06 | Teru Barian Kk | マルチチャンバ型cvd装置 |
JPH01253237A (ja) * | 1988-03-31 | 1989-10-09 | Anelva Corp | 真空処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000254480A (ja) * | 1998-12-23 | 2000-09-19 | Applied Materials Inc | 統合ポンプ装置を有する処理装置 |
JP2003536247A (ja) * | 2000-06-06 | 2003-12-02 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 材料搬送システム |
JP4729237B2 (ja) * | 2000-06-06 | 2011-07-20 | ブルックス オートメーション インコーポレイテッド | 材料搬送システム乃至方法、搬入ポートモジュール |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6454508B2 (en) | 2002-09-24 |
KR910019145A (ko) | 1991-11-30 |
JP3088123B2 (ja) | 2000-09-18 |
US20060245854A1 (en) | 2006-11-02 |
DE69132457D1 (de) | 2000-12-07 |
US5186594A (en) | 1993-02-16 |
US6454519B1 (en) | 2002-09-24 |
US20030002960A1 (en) | 2003-01-02 |
KR100272890B1 (ko) | 2000-12-01 |
EP0452939A1 (en) | 1991-10-23 |
EP0452939B1 (en) | 2000-11-02 |
US6599076B2 (en) | 2003-07-29 |
US20010014266A1 (en) | 2001-08-16 |
DE69132457T2 (de) | 2001-05-31 |
US5769588A (en) | 1998-06-23 |
US20030002959A1 (en) | 2003-01-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH04226048A (ja) | 二重カセット装填ロック装置 | |
US5215420A (en) | Substrate handling and processing system | |
US4584045A (en) | Apparatus for conveying a semiconductor wafer | |
EP1195795B1 (en) | Vacuum apparatus and method | |
US10043693B1 (en) | Method and apparatus for handling substrates in a processing system having a buffer chamber | |
US10679878B2 (en) | Substrate processing apparatus | |
KR100717990B1 (ko) | 반도체 자재 처리를 위한 이송 시스템 | |
JPS6350433B2 (ja) | ||
JPS62252128A (ja) | 半導体製造装置の基板導入装置 | |
JP2582578Y2 (ja) | 多室式半導体処理装置 | |
JP2689553B2 (ja) | イオン注入装置 | |
JPS61173445A (ja) | ウエハの真空処理装置 | |
JP2639093B2 (ja) | イオン処理装置 | |
JPH11307608A (ja) | 被処理物体搬送装置 | |
JPS58111315A (ja) | 蓋開閉装置 | |
JPH0883831A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
JPH0469917A (ja) | 多室構造型真空処理装置 | |
JP4539812B2 (ja) | ロードロックチャンバー及び半導体製造装置 | |
JPS6310521A (ja) | 真空処理室 | |
JPH0748364B2 (ja) | ウエハの真空処理装置 | |
JPH05106039A (ja) | 基板処理装置 | |
JPH04307733A (ja) | 半導体処理装置 | |
JPS6324633A (ja) | 真空室の材料交換装置 | |
JPH0385723A (ja) | 縦型cvd装置 | |
JPH1050623A (ja) | 化学気相成長装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19971020 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070714 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080714 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090714 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |