JPS61129881A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPS61129881A JPS61129881A JP59251391A JP25139184A JPS61129881A JP S61129881 A JPS61129881 A JP S61129881A JP 59251391 A JP59251391 A JP 59251391A JP 25139184 A JP25139184 A JP 25139184A JP S61129881 A JPS61129881 A JP S61129881A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(イ)m東上の利用分野
本尭明は光照射により起電力を鈍生する光起電力fk直
に−Tる。
に−Tる。
(ロ)従来の妖術
尤雇at″欠けると起電力を沌生する光起電カ貨l&1
#/c於ける文光面渕゛−倫は光電震換作用をな丁牛専
体活性層への光照射を招くぺ(透光性であることが好ま
しい、a!米、透光性を轟丁べ(5!光IfilI電a
はインジクム(xn)やスズ(51!L)の酸化物であ
ろXn@O@s BnO1s工τ時にエフ形成されてい
る。斯る透光性導電酸化物(Too)からなる4樵にあ
っては、そのシート抵抗は#10〜50Ω10であり1
1ルミ二クム等の*属材料に比して3N以上高い丸めに
、このi4極に於いて偽かなからも電力損失が殆生し、
巣電効軍を低下せしめる原因となる。
#/c於ける文光面渕゛−倫は光電震換作用をな丁牛専
体活性層への光照射を招くぺ(透光性であることが好ま
しい、a!米、透光性を轟丁べ(5!光IfilI電a
はインジクム(xn)やスズ(51!L)の酸化物であ
ろXn@O@s BnO1s工τ時にエフ形成されてい
る。斯る透光性導電酸化物(Too)からなる4樵にあ
っては、そのシート抵抗は#10〜50Ω10であり1
1ルミ二クム等の*属材料に比して3N以上高い丸めに
、このi4極に於いて偽かなからも電力損失が殆生し、
巣電効軍を低下せしめる原因となる。
この集電効単の低下に鑑み従来の単結晶型太陽電池中侍
囲昭59−50576号公報の如く受光向備に金属製の
格子状(グリッド状)の集電aを設ける2F&が多用さ
れて−る。
囲昭59−50576号公報の如く受光向備に金属製の
格子状(グリッド状)の集電aを設ける2F&が多用さ
れて−る。
然し乍ら、Mる構造によれば電力損失対策にりいては有
9hな手段となり侍るものO,上杷工n舅0ハ”0R1
ITO・等のTooからなる透明14極層上に格子状m
*樵を突出形式すると1該果電檎が肉薄な牛光 部体活性層をJ[jliiL受元圓か受光て背向の背圓
電へ 樵)−七直徴1M台したりt1重結合しないlでも光活
性ノー中の千4L坏償むを部分的に破壊する危惧を有し
ていた・ 本&ll出戚人はMる危惧に鑑み、透明電極層に溝部を
形尻し、その溝部に良導電性の集電極を埋め込み党光向
glII*一層の露出面を平坦化し次光起電力装置1を
特11111@57−231269号(特開昭59−1
17275号公報)として出願している。斯る燻造にL
れば受光面9a電極層の4出面の平坦化にLり果′it
aが牛等体党活性層【貰造する事故はなくなるものの、
平坦化するための41!i!遣方法は―しく1’lf業
性の欠如を招く。
9hな手段となり侍るものO,上杷工n舅0ハ”0R1
ITO・等のTooからなる透明14極層上に格子状m
*樵を突出形式すると1該果電檎が肉薄な牛光 部体活性層をJ[jliiL受元圓か受光て背向の背圓
電へ 樵)−七直徴1M台したりt1重結合しないlでも光活
性ノー中の千4L坏償むを部分的に破壊する危惧を有し
ていた・ 本&ll出戚人はMる危惧に鑑み、透明電極層に溝部を
形尻し、その溝部に良導電性の集電極を埋め込み党光向
glII*一層の露出面を平坦化し次光起電力装置1を
特11111@57−231269号(特開昭59−1
17275号公報)として出願している。斯る燻造にL
れば受光面9a電極層の4出面の平坦化にLり果′it
aが牛等体党活性層【貰造する事故はなくなるものの、
平坦化するための41!i!遣方法は―しく1’lf業
性の欠如を招く。
ト1 発明が解決しょうとする問題点
木発1jIIはm罐樵が牛辱体光活性層をX週する事故
を回避する上で惠要な受光向側竜樵増の平坦化か暖しく
n1補注の欠如を招く点を解決し−ク七するものである
。
を回避する上で惠要な受光向側竜樵増の平坦化か暖しく
n1補注の欠如を招く点を解決し−ク七するものである
。
に)問題点を解決する九めの手段
本発明に上述の如き間1111Aを解決すべく、千尋り
体石性層の受光面側に、その一部分を還元処理に八
1り5編化し7′e透光性辱゛喝曖化物からなろ欠元曲
噸樵鳩′fI:al装置し7を構成にbりt上記還元処
理は瀘元剤′#Ial気中でのレーザビームの照射、或
いは通訳プラズマ感層等により施さnる。
噸樵鳩′fI:al装置し7を構成にbりt上記還元処
理は瀘元剤′#Ial気中でのレーザビームの照射、或
いは通訳プラズマ感層等により施さnる。
(ホ)作用
上層の如く、通元注4電綬化物の一部分に逮元厖JMt
IM丁ことに1って、上紀瀘元凪理に上記萼電敵化物の
一部分を誠属化丁べ(ff用する。
IM丁ことに1って、上紀瀘元凪理に上記萼電敵化物の
一部分を誠属化丁べ(ff用する。
(へ)冥厖例
講1区は本艷明元起電力装置〇−夷處例を不丁折−凶、
第2凶にその装置O製造途中の状態を示す廚伐凶で、1
1Jは発゛罐に憂与する受光向を司どるべ(還元性の材
料例えばガクスからなる叉!9基板1121に該叉R&
板…の一万の3ErjIJに被層され等照性を付4する
Xn go Is l1nO!、ZTO、ZnO、Ti
01、金属シリナイド等の造元住辱゛鴫賊化II+(τ
”)VIIIs1!JtzaT、Oollitgloシ
ー)燃[ttF?L&>ルヘは例えば第2凶の即くマト
リックス状をなし、HbF !+10j!% Br !
%工虞、ハイドロキノ7などの道元性員体雰l気中、或
いaヨク索靜請求、−エム1■4静敵などの還元性液体
を塗布した状態でのレーザビームの照射iしくにマスク
を介した選択プラズマ錫層により上記還元処理が施され
る。こO集″4種Il+は叉持基板111の一主面に一
様1c被着され7tTOO層+21を品分的に金属化す
るものであるkめに、この集電@(3)は700層(!
1から突出するに至らずこの鉤者からなる受光血電楓層
(41の旙出面は平坦となる・ シクン、7]化シリコンなどのシリコン化合物ガスを主
反応ガス七する周知OグクズマCvD決によEffef
R,された1モル7アスシリコン系の牛萼体かうなり、
光照射がある5几及び電子を9@生丁べ八 く膜面に平行なPxM接合の如き牛辱体接合を備えてい
る。
第2凶にその装置O製造途中の状態を示す廚伐凶で、1
1Jは発゛罐に憂与する受光向を司どるべ(還元性の材
料例えばガクスからなる叉!9基板1121に該叉R&
板…の一万の3ErjIJに被層され等照性を付4する
Xn go Is l1nO!、ZTO、ZnO、Ti
01、金属シリナイド等の造元住辱゛鴫賊化II+(τ
”)VIIIs1!JtzaT、Oollitgloシ
ー)燃[ttF?L&>ルヘは例えば第2凶の即くマト
リックス状をなし、HbF !+10j!% Br !
%工虞、ハイドロキノ7などの道元性員体雰l気中、或
いaヨク索靜請求、−エム1■4静敵などの還元性液体
を塗布した状態でのレーザビームの照射iしくにマスク
を介した選択プラズマ錫層により上記還元処理が施され
る。こO集″4種Il+は叉持基板111の一主面に一
様1c被着され7tTOO層+21を品分的に金属化す
るものであるkめに、この集電@(3)は700層(!
1から突出するに至らずこの鉤者からなる受光血電楓層
(41の旙出面は平坦となる・ シクン、7]化シリコンなどのシリコン化合物ガスを主
反応ガス七する周知OグクズマCvD決によEffef
R,された1モル7アスシリコン系の牛萼体かうなり、
光照射がある5几及び電子を9@生丁べ八 く膜面に平行なPxM接合の如き牛辱体接合を備えてい
る。
+61に上記半導体光活性層(61の受光面側から背面
背面にオーミック接触し九オーミック並属製の背面電極
層である。
背面にオーミック接触し九オーミック並属製の背面電極
層である。
上記レーザビームによる還元感層は第3凶に示す苅(パ
ルス出力型のレーデ賃11t71を用意し、達元剤雰囲
気中でそのレーザビーム(TJB)(Djl[ff方向
1cT00/ill!Jをiigzぜた状態で叉持基板
11J t″配置7を彼、#X基板+11をI輔及びI
軸方向に移鯛町絽なX’lステージによ!J憂鯛さぜな
がら上記レーザビーム(Li2)を照射するこ七により
仁のレーザビーム(IIB)が照射さr′L友部分のみ
局部的にXI熟される給米、斯る刃烈部分のT O01
112+か社元剤と作用することによって還元され世抵
仇な金属に直換される。
ルス出力型のレーデ賃11t71を用意し、達元剤雰囲
気中でそのレーザビーム(TJB)(Djl[ff方向
1cT00/ill!Jをiigzぜた状態で叉持基板
11J t″配置7を彼、#X基板+11をI輔及びI
軸方向に移鯛町絽なX’lステージによ!J憂鯛さぜな
がら上記レーザビーム(Li2)を照射するこ七により
仁のレーザビーム(IIB)が照射さr′L友部分のみ
局部的にXI熟される給米、斯る刃烈部分のT O01
112+か社元剤と作用することによって還元され世抵
仇な金属に直換される。
儒兄ば使用されるレーデgt111B(+71に技民4
880ムのムrレーデや、lρ6μ−YムGレーデ、そ
の1llKrレーデ、エキシマレーザ、CO!レーデ嘩
が過当でめり、上記技炎4880ムのムrレーデに焚け
る還元条件に下記のJ1m!:Iである。
880ムのムrレーデや、lρ6μ−YムGレーデ、そ
の1llKrレーデ、エキシマレーザ、CO!レーデ嘩
が過当でめり、上記技炎4880ムのムrレーデに焚け
る還元条件に下記のJ1m!:Iである。
0レーデパワー 10W
Oレーデスポット 100μm
O&板−反 100〜200″COR元剤
H冨 0ガス圧 1気圧 0走豊速度 約1〜2017 B°5a17C還元
処理の旭の実施例である通釈プクズマ処理rz21&元
剤で膚さtUt平行平板容瀘結台型グクズマtstb波
ばの平行平板′−樵同に、マスクを弁してT OO1w
+21の還元丁べき部分のみを成田せしめた叉神i板1
11を配直し、該基板(1−を100〜2020分間付
与することにLD還元処理が施される。
H冨 0ガス圧 1気圧 0走豊速度 約1〜2017 B°5a17C還元
処理の旭の実施例である通釈プクズマ処理rz21&元
剤で膚さtUt平行平板容瀘結台型グクズマtstb波
ばの平行平板′−樵同に、マスクを弁してT OO1w
+21の還元丁べき部分のみを成田せしめた叉神i板1
11を配直し、該基板(1−を100〜2020分間付
与することにLD還元処理が施される。
尚、使用される遁元剤はH,ガスでろり、そのガス圧u
0.5〜2 TorrKi定される。
0.5〜2 TorrKi定される。
(ト)兄明の効果
本光明光起電力![は以上の説明から明らかな餌(、透
光g、尋電酸化物の一部分に逓ぢれた濾光も理はその一
部分を戴属化丁べく作用するので、その址絢化した品分
は低尻櫃O諷小に1り績゛4楓としてl1lltlfす
る給米、覚尤圓電樵層に集電樵を配り 直したにも殉らず、該文尤lIO嘔樵層の牛導体古性へ 膚と償する側の圓を製造圀単にして平坦化することかで
きる。
光g、尋電酸化物の一部分に逓ぢれた濾光も理はその一
部分を戴属化丁べく作用するので、その址絢化した品分
は低尻櫃O諷小に1り績゛4楓としてl1lltlfす
る給米、覚尤圓電樵層に集電樵を配り 直したにも殉らず、該文尤lIO嘔樵層の牛導体古性へ 膚と償する側の圓を製造圀単にして平坦化することかで
きる。
第2凶はその製造途中の状mをボ丁廚伐凶、第3凶は本
発明の瀘元処理の具体例を説明するkめの模式図、を大
々示している。 +11−叉持基板、+21−透光性等電酸化物(τao
)層、(3)−果@@、 143−受光LIo電樵、(
纒1−牛4体元活性層。
発明の瀘元処理の具体例を説明するkめの模式図、を大
々示している。 +11−叉持基板、+21−透光性等電酸化物(τao
)層、(3)−果@@、 143−受光LIo電樵、(
纒1−牛4体元活性層。
Claims (3)
- (1)半導体光活性層の受光面側に、その一部分を還元
処理により金属化した透光性導電酸化物からなる受光面
電極層を配置したことを特徴とする光起電力装置。 - (2)上記還元処理は還元剤雰囲気中でのレーザビーム
の照射に施されることを特徴とした特許請求の範囲第1
項記載の光起電力装置。 - (3)上記還元処理は還元剤雰囲気中での選択プラズマ
処理により施されることを特徴とした特許請求の範囲第
1項記載の光起電力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59251391A JPS61129881A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59251391A JPS61129881A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 光起電力装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61129881A true JPS61129881A (ja) | 1986-06-17 |
Family
ID=17222141
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59251391A Pending JPS61129881A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61129881A (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04101871U (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-02 | エヌテイエヌ精密樹脂株式会社 | 水栓用弁装置 |
JPH06151914A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
US6454519B1 (en) | 1990-04-19 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Dual cassette load lock |
JP2003197378A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 |
EP1555695A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP59251391A patent/JPS61129881A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6454519B1 (en) | 1990-04-19 | 2002-09-24 | Applied Materials, Inc. | Dual cassette load lock |
JPH04101871U (ja) * | 1991-02-13 | 1992-09-02 | エヌテイエヌ精密樹脂株式会社 | 水栓用弁装置 |
JPH06151914A (ja) * | 1992-11-13 | 1994-05-31 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力装置 |
JP2003197378A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Sanyo Electric Co Ltd | エレクトロルミネッセンス表示素子及びその製造方法 |
EP1555695A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-20 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
US7772486B2 (en) | 2004-01-13 | 2010-08-10 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device |
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