JPS6030183A - 薄膜太陽電池 - Google Patents
薄膜太陽電池Info
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- JPS6030183A JPS6030183A JP58138569A JP13856983A JPS6030183A JP S6030183 A JPS6030183 A JP S6030183A JP 58138569 A JP58138569 A JP 58138569A JP 13856983 A JP13856983 A JP 13856983A JP S6030183 A JPS6030183 A JP S6030183A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、光の入射側の透明な表面電極と反対側の金
属からなる裏面電極とを有する薄膜太陽電池に関する。
属からなる裏面電極とを有する薄膜太陽電池に関する。
この種の薄膜太陽電池として非晶質シリコン（以下ａ−
８ｉと略記）を用いた、例えばガラス／透明導電膜／
ａ−８ｉ ／金属 構造のものが知られている。従来、
この構造の太陽電池の裏面金属として、ａ −Ｓ ｉに
対して電気的にオーム性接触が可能であり、かつａ −
Ｓ ｉ及び透明導電膜との接着性に優れ、リード接続の
容易な金属が用いられている。
８ｉと略記）を用いた、例えばガラス／透明導電膜／
ａ−８ｉ ／金属 構造のものが知られている。従来、
この構造の太陽電池の裏面金属として、ａ −Ｓ ｉに
対して電気的にオーム性接触が可能であり、かつａ −
Ｓ ｉ及び透明導電膜との接着性に優れ、リード接続の
容易な金属が用いられている。
薄膜太陽電池の裏面電極として、このような諸条件ヲ満
たすために、例えばアルミ／チタン／銀はアルミ（Ａｔ
）であシ、Ａｔは又ａ−８ｉ、透明導電膜と良好な接着
性を持つ。リード接続に優れた銀（Ａｇ）を最上層に用
い、ＡｔとＡｇとの”なじみ”を良くするためにその中
間にチタン（Ｔｉ）を挿入している。
たすために、例えばアルミ／チタン／銀はアルミ（Ａｔ
）であシ、Ａｔは又ａ−８ｉ、透明導電膜と良好な接着
性を持つ。リード接続に優れた銀（Ａｇ）を最上層に用
い、ＡｔとＡｇとの”なじみ”を良くするためにその中
間にチタン（Ｔｉ）を挿入している。
このような表面電極を用いた例えばガラス／透明導電膜
／ＩＪ−ｉ−ｎ／金属 構造簿膜太陽電池の断面構造を
第１図に示す。この図において光１０はガラス基板１側
から入射し、透明導電膜２、ｐ層ａ−８ｉ膜３を経て光
電流発生領域であるｉ層ａ−８ｉ膜４に達する。ａ−８
ｉ膜で吸収されずに透過した長波長光はｎ層ａ −Ｓ
ｉ膜５を経て裏面金属（この例ではＡｔ ） ６で反射
され、再び１層ａ −Ｓ ｉ膜種中で光電流発生に寄与
する。
／ＩＪ−ｉ−ｎ／金属 構造簿膜太陽電池の断面構造を
第１図に示す。この図において光１０はガラス基板１側
から入射し、透明導電膜２、ｐ層ａ−８ｉ膜３を経て光
電流発生領域であるｉ層ａ−８ｉ膜４に達する。ａ−８
ｉ膜で吸収されずに透過した長波長光はｎ層ａ −Ｓ
ｉ膜５を経て裏面金属（この例ではＡｔ ） ６で反射
され、再び１層ａ −Ｓ ｉ膜種中で光電流発生に寄与
する。
ところが従来用いられて来たＡｔは光の反射率が長波長
領域であまル高くない（６００ｎｍで約＆５％。
領域であまル高くない（６００ｎｍで約＆５％。
８００ｎｍで約８０％）ため、この長波長光を充分に有
効に利用し得す、光発生電流損失要因の一つになってい
る。
効に利用し得す、光発生電流損失要因の一つになってい
る。
この解決策として光の反射率の高いＡｇを裏面電極とし
て用いる検討が行われている。例えばカタラノ（Ａ、Ｃ
ａｔａｌａｎｏ ）らによれば、Ａｇ ’ｘ裏面電極と
して用いた面積１ｄのガラス／透明導電膜／ ｐ−ｉ
−ｎ ／ Ａｇ構造の太陽電池において、ＡＭ−１（１
００ｒｎｗ１０１）照射下の短絡光電流は、裏面電極で
の反射率効果を含めて１７．８ ”Ａ／ｒｙｒｔを得た
と報告している。ところがこのＡｇ膜はａ−８ｉとの接
着性が弱く、Ａｔの場合の皆０以下であシ、実験的に小
面積の太陽電池に適用する場合は良いが、実用的な大面
績ａ −Ｓ ｉ太陽電池ＶＣＪａ用するにはＡｇ膜のは
がれなどが生じ太陽Ｎ池特性の低下する欠点があっブこ
。
て用いる検討が行われている。例えばカタラノ（Ａ、Ｃ
ａｔａｌａｎｏ ）らによれば、Ａｇ ’ｘ裏面電極と
して用いた面積１ｄのガラス／透明導電膜／ ｐ−ｉ
−ｎ ／ Ａｇ構造の太陽電池において、ＡＭ−１（１
００ｒｎｗ１０１）照射下の短絡光電流は、裏面電極で
の反射率効果を含めて１７．８ ”Ａ／ｒｙｒｔを得た
と報告している。ところがこのＡｇ膜はａ−８ｉとの接
着性が弱く、Ａｔの場合の皆０以下であシ、実験的に小
面積の太陽電池に適用する場合は良いが、実用的な大面
績ａ −Ｓ ｉ太陽電池ＶＣＪａ用するにはＡｇ膜のは
がれなどが生じ太陽Ｎ池特性の低下する欠点があっブこ
。
この発明は、Ａｇの高い反射率を損うことなく。
ａ −Ｓ ｉとの接着強度を増大し得る金属′！ｉ−裏
面電極として用いた薄膜太＠電池を提供することを目的
とする。
面電極として用いた薄膜太＠電池を提供することを目的
とする。
この発明は、透明表面電極／ａ−８ｉ／金属裏面電極
構造太陽電池において、裏面電極の少なくとも表面にＡ
ｔを０．１〜１０重量％含んだＡｇ−八を合金層を有す
ることによって上記の目的を達成する。
構造太陽電池において、裏面電極の少なくとも表面にＡ
ｔを０．１〜１０重量％含んだＡｇ−八を合金層を有す
ることによって上記の目的を達成する。
第２図はこの発明の実施例を示すもので、ガラス基板１
の上に作られた第１図と同様な構造のａ−８ｉ太陽電池
の裏面電極７の金属にＡｚ−Ａｇ合金が用いられている
。第３図は別の実施例を示すもので、第２図のものと相
違する点は基板としてステンレス鋼板８ｔ−用いた点で
この場合Ａｇ−Ａｔ合金膜９はステンレス鋼板８とａ−
８ｉ膜３０間に挿入され、透明導成膜２から入射した元
のうちの長波長光成分を有効に反射する効果がある。こ
の場合透明導電膜２の上には集電電極１１が設けられて
いる。
の上に作られた第１図と同様な構造のａ−８ｉ太陽電池
の裏面電極７の金属にＡｚ−Ａｇ合金が用いられている
。第３図は別の実施例を示すもので、第２図のものと相
違する点は基板としてステンレス鋼板８ｔ−用いた点で
この場合Ａｇ−Ａｔ合金膜９はステンレス鋼板８とａ−
８ｉ膜３０間に挿入され、透明導成膜２から入射した元
のうちの長波長光成分を有効に反射する効果がある。こ
の場合透明導電膜２の上には集電電極１１が設けられて
いる。
Ａｇ−Ａｔ合金層７あるいは９の形成は、蒸発源である
Ａｇハースの上に１〜５１のＡｔベレットヲ載置し、電
子ビームにより真空蒸４を行うことによって行われ、ｈ
ｉ −０，１−１０１Ｌｆｊ＆％を含んだＡｇ−Ａｔ合
金層が得られる。
Ａｇハースの上に１〜５１のＡｔベレットヲ載置し、電
子ビームにより真空蒸４を行うことによって行われ、ｈ
ｉ −０，１−１０１Ｌｆｊ＆％を含んだＡｇ−Ａｔ合
金層が得られる。
なお第２図、第３図の１層及びｐ層ａ−８ｉ膜の代υに
、光の透過性１ｃ優れたυん又はボロンをドープした微
結晶化膜あるいはａ−８ｉＣ膜を用いることは、本発明
に何ら悪影響を及ぼすものではなく、むしろ本発明の主
旨によシ一層合致したものと言える。
、光の透過性１ｃ優れたυん又はボロンをドープした微
結晶化膜あるいはａ−８ｉＣ膜を用いることは、本発明
に何ら悪影響を及ぼすものではなく、むしろ本発明の主
旨によシ一層合致したものと言える。
この発明によれば、光の入射側から透明表面電極／ａ−
８ｉ／金属裏面電極の構造を持つ太陽電池において、裏
面電極として特に長波長領域で高い反射ｉｖ示すｉｕ
？Ｉ： ０．１〜１０ ｗｔ％含んだＡｇ−Ａｔ合金膜
を用いているので、長波長光を有効に利用し得るため、
太陽電池の短絡電流が増大する。第４図に、Ａｔ／ガラ
ス、Ａｇ／ガラス及び本発明にょるＡｔ−Ａｇ合金／ガ
ラス ザンプルにおいてガラス側から光を入射した場合
の反射率特性を示す。本発明によるＡｔ−Ａｇ合金膜は
ｌｈに６Ｑ０１１１１１以上の長波長領域においてＡｇ
に近い高い反射率が得られている。
８ｉ／金属裏面電極の構造を持つ太陽電池において、裏
面電極として特に長波長領域で高い反射ｉｖ示すｉｕ
？Ｉ： ０．１〜１０ ｗｔ％含んだＡｇ−Ａｔ合金膜
を用いているので、長波長光を有効に利用し得るため、
太陽電池の短絡電流が増大する。第４図に、Ａｔ／ガラ
ス、Ａｇ／ガラス及び本発明にょるＡｔ−Ａｇ合金／ガ
ラス ザンプルにおいてガラス側から光を入射した場合
の反射率特性を示す。本発明によるＡｔ−Ａｇ合金膜は
ｌｈに６Ｑ０１１１１１以上の長波長領域においてＡｇ
に近い高い反射率が得られている。
試作された上記構造のａ−８ｉ太陽電池における裏面電
極として、Ａｔ ／ Ｔ ｉ ／ Ａｇ 、Ａｇ及び本
発明によルＡｔ−Ａｇ合金膜を用イタ場合ノＡＭ−１（
１００”Ｗ／／ｄ）照射下での短絡′４流測測定果２１
１−第１表に示す。
極として、Ａｔ ／ Ｔ ｉ ／ Ａｇ 、Ａｇ及び本
発明によルＡｔ−Ａｇ合金膜を用イタ場合ノＡＭ−１（
１００”Ｗ／／ｄ）照射下での短絡′４流測測定果２１
１−第１表に示す。
第４図に示した結果から予想される通り、本発明による
Ａ、ａ −Ａｇ合金膜を用いた場合、Ａｇの場合と同程
度の値が得られている。
Ａ、ａ −Ａｇ合金膜を用いた場合、Ａｇの場合と同程
度の値が得られている。
第 １ 表
また、上記３釉類のａ −Ｓ ｉ太陽電池の裏面電極と
ａ −Ｓ ｉ膜の接着強度を接触面直径５誠のリード線
付後の引張強度として評価した結果、本発明によるＡｇ
−Ａｔ合金は、Ａｇ膜較べて２倍以上の強度が得られる
。
ａ −Ｓ ｉ膜の接着強度を接触面直径５誠のリード線
付後の引張強度として評価した結果、本発明によるＡｇ
−Ａｔ合金は、Ａｇ膜較べて２倍以上の強度が得られる
。
第１図は従来のガラス基板ａ −Ｓ ｉ太陽電池の断面
構造模型図、舘２図は本発明の実施例を示すａ−Ｓ ｉ
太＠電池の断面構造模型図、第３図は本発明の異なる実
施例の断面構造模型図、第４図は本発明のＡｇ −Ａｊ
ａ合金膜を含めた金属／ガラス構造試料のガラス基板側
から光を入射した時の光の反射率スペクトル図、である
。 １・・・ガラス基板、２・・・透明導電膜、３・・・ｐ
層ａ−Ｓ ｉ膜、４ ・・ｉ Ｊｆｌｉ ａ−８ｉ膜、
５− ｎ Ｎａ−８ｉ膜、７・・・Ａｇ−Ａｔ合金裏面
電極、８・・・ステンレス鋼基板、９・・・Ａｇ−Ａｔ
合金膜。 箋 １１図 第２回 第３図 嘗 ト 成長 （引π） 第今回
構造模型図、舘２図は本発明の実施例を示すａ−Ｓ ｉ
太＠電池の断面構造模型図、第３図は本発明の異なる実
施例の断面構造模型図、第４図は本発明のＡｇ −Ａｊ
ａ合金膜を含めた金属／ガラス構造試料のガラス基板側
から光を入射した時の光の反射率スペクトル図、である
。 １・・・ガラス基板、２・・・透明導電膜、３・・・ｐ
層ａ−Ｓ ｉ膜、４ ・・ｉ Ｊｆｌｉ ａ−８ｉ膜、
５− ｎ Ｎａ−８ｉ膜、７・・・Ａｇ−Ａｔ合金裏面
電極、８・・・ステンレス鋼基板、９・・・Ａｇ−Ａｔ
合金膜。 箋 １１図 第２回 第３図 嘗 ト 成長 （引π） 第今回
Claims (1)
- １）光の入射側の透明表面電極と反対側の金属裏面電極
を有するものにおいて、裏面電極の少なくとも表面層が
アルミｆｔ０．１〜１０重量％含んだ銀−アルミ合金か
らなるとをを特徴とする薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138569A JPS6030183A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138569A JPS6030183A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030183A true JPS6030183A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15225196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58138569A Pending JPS6030183A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030183A (ja) |
Cited By (13)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6268253U (ja) * | 1985-10-19 | 1987-04-28 | ||
| JPS62206500A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-10 | 中部電力株式会社 | 床面清掃装置 |
| JPH02105582A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
| US4941032A (en) * | 1986-03-03 | 1990-07-10 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| WO2004066354A3 (en) * | 2003-01-16 | 2004-09-10 | Target Technology Co Llc | Photo-voltaic cells including solar cells incorporating silver-alloy reflective and/or transparent conductive surfaces |
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| US7316837B2 (en) | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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| US7645500B2 (en) | 2003-04-18 | 2010-01-12 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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| JPS55108780A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58138569A patent/JPS6030183A/ja active Pending
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