JPS6030183A - 薄膜太陽電池 - Google Patents
薄膜太陽電池Info
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- JPS6030183A JPS6030183A JP58138569A JP13856983A JPS6030183A JP S6030183 A JPS6030183 A JP S6030183A JP 58138569 A JP58138569 A JP 58138569A JP 13856983 A JP13856983 A JP 13856983A JP S6030183 A JPS6030183 A JP S6030183A
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- -1 silver-aluminum Chemical compound 0.000 claims 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 10
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 229910000714 At alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000000985 reflectance spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/206—Electrodes for devices having potential barriers
- H10F77/211—Electrodes for devices having potential barriers for photovoltaic cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/52—PV systems with concentrators
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
この発明は、光の入射側の透明な表面電極と反対側の金
属からなる裏面電極とを有する薄膜太陽電池に関する。
属からなる裏面電極とを有する薄膜太陽電池に関する。
この種の薄膜太陽電池として非晶質シリコン（以下ａ−
８ｉと略記）を用いた、例えばガラス／透明導電膜／
ａ−８ｉ ／金属 構造のものが知られている。従来、
この構造の太陽電池の裏面金属として、ａ −Ｓ ｉに
対して電気的にオーム性接触が可能であり、かつａ −
Ｓ ｉ及び透明導電膜との接着性に優れ、リード接続の
容易な金属が用いられている。
８ｉと略記）を用いた、例えばガラス／透明導電膜／
ａ−８ｉ ／金属 構造のものが知られている。従来、
この構造の太陽電池の裏面金属として、ａ −Ｓ ｉに
対して電気的にオーム性接触が可能であり、かつａ −
Ｓ ｉ及び透明導電膜との接着性に優れ、リード接続の
容易な金属が用いられている。
薄膜太陽電池の裏面電極として、このような諸条件ヲ満
たすために、例えばアルミ／チタン／銀はアルミ（Ａｔ
）であシ、Ａｔは又ａ−８ｉ、透明導電膜と良好な接着
性を持つ。リード接続に優れた銀（Ａｇ）を最上層に用
い、ＡｔとＡｇとの”なじみ”を良くするためにその中
間にチタン（Ｔｉ）を挿入している。
たすために、例えばアルミ／チタン／銀はアルミ（Ａｔ
）であシ、Ａｔは又ａ−８ｉ、透明導電膜と良好な接着
性を持つ。リード接続に優れた銀（Ａｇ）を最上層に用
い、ＡｔとＡｇとの”なじみ”を良くするためにその中
間にチタン（Ｔｉ）を挿入している。
このような表面電極を用いた例えばガラス／透明導電膜
／ＩＪ−ｉ−ｎ／金属 構造簿膜太陽電池の断面構造を
第１図に示す。この図において光１０はガラス基板１側
から入射し、透明導電膜２、ｐ層ａ−８ｉ膜３を経て光
電流発生領域であるｉ層ａ−８ｉ膜４に達する。ａ−８
ｉ膜で吸収されずに透過した長波長光はｎ層ａ −Ｓ
ｉ膜５を経て裏面金属（この例ではＡｔ ） ６で反射
され、再び１層ａ −Ｓ ｉ膜種中で光電流発生に寄与
する。
／ＩＪ−ｉ−ｎ／金属 構造簿膜太陽電池の断面構造を
第１図に示す。この図において光１０はガラス基板１側
から入射し、透明導電膜２、ｐ層ａ−８ｉ膜３を経て光
電流発生領域であるｉ層ａ−８ｉ膜４に達する。ａ−８
ｉ膜で吸収されずに透過した長波長光はｎ層ａ −Ｓ
ｉ膜５を経て裏面金属（この例ではＡｔ ） ６で反射
され、再び１層ａ −Ｓ ｉ膜種中で光電流発生に寄与
する。
ところが従来用いられて来たＡｔは光の反射率が長波長
領域であまル高くない（６００ｎｍで約＆５％。
領域であまル高くない（６００ｎｍで約＆５％。
８００ｎｍで約８０％）ため、この長波長光を充分に有
効に利用し得す、光発生電流損失要因の一つになってい
る。
効に利用し得す、光発生電流損失要因の一つになってい
る。
この解決策として光の反射率の高いＡｇを裏面電極とし
て用いる検討が行われている。例えばカタラノ（Ａ、Ｃ
ａｔａｌａｎｏ ）らによれば、Ａｇ ’ｘ裏面電極と
して用いた面積１ｄのガラス／透明導電膜／ ｐ−ｉ
−ｎ ／ Ａｇ構造の太陽電池において、ＡＭ−１（１
００ｒｎｗ１０１）照射下の短絡光電流は、裏面電極で
の反射率効果を含めて１７．８ ”Ａ／ｒｙｒｔを得た
と報告している。ところがこのＡｇ膜はａ−８ｉとの接
着性が弱く、Ａｔの場合の皆０以下であシ、実験的に小
面積の太陽電池に適用する場合は良いが、実用的な大面
績ａ −Ｓ ｉ太陽電池ＶＣＪａ用するにはＡｇ膜のは
がれなどが生じ太陽Ｎ池特性の低下する欠点があっブこ
。
て用いる検討が行われている。例えばカタラノ（Ａ、Ｃ
ａｔａｌａｎｏ ）らによれば、Ａｇ ’ｘ裏面電極と
して用いた面積１ｄのガラス／透明導電膜／ ｐ−ｉ
−ｎ ／ Ａｇ構造の太陽電池において、ＡＭ−１（１
００ｒｎｗ１０１）照射下の短絡光電流は、裏面電極で
の反射率効果を含めて１７．８ ”Ａ／ｒｙｒｔを得た
と報告している。ところがこのＡｇ膜はａ−８ｉとの接
着性が弱く、Ａｔの場合の皆０以下であシ、実験的に小
面積の太陽電池に適用する場合は良いが、実用的な大面
績ａ −Ｓ ｉ太陽電池ＶＣＪａ用するにはＡｇ膜のは
がれなどが生じ太陽Ｎ池特性の低下する欠点があっブこ
。
この発明は、Ａｇの高い反射率を損うことなく。
ａ −Ｓ ｉとの接着強度を増大し得る金属′！ｉ−裏
面電極として用いた薄膜太＠電池を提供することを目的
とする。
面電極として用いた薄膜太＠電池を提供することを目的
とする。
この発明は、透明表面電極／ａ−８ｉ／金属裏面電極
構造太陽電池において、裏面電極の少なくとも表面にＡ
ｔを０．１〜１０重量％含んだＡｇ−八を合金層を有す
ることによって上記の目的を達成する。
構造太陽電池において、裏面電極の少なくとも表面にＡ
ｔを０．１〜１０重量％含んだＡｇ−八を合金層を有す
ることによって上記の目的を達成する。
第２図はこの発明の実施例を示すもので、ガラス基板１
の上に作られた第１図と同様な構造のａ−８ｉ太陽電池
の裏面電極７の金属にＡｚ−Ａｇ合金が用いられている
。第３図は別の実施例を示すもので、第２図のものと相
違する点は基板としてステンレス鋼板８ｔ−用いた点で
この場合Ａｇ−Ａｔ合金膜９はステンレス鋼板８とａ−
８ｉ膜３０間に挿入され、透明導成膜２から入射した元
のうちの長波長光成分を有効に反射する効果がある。こ
の場合透明導電膜２の上には集電電極１１が設けられて
いる。
の上に作られた第１図と同様な構造のａ−８ｉ太陽電池
の裏面電極７の金属にＡｚ−Ａｇ合金が用いられている
。第３図は別の実施例を示すもので、第２図のものと相
違する点は基板としてステンレス鋼板８ｔ−用いた点で
この場合Ａｇ−Ａｔ合金膜９はステンレス鋼板８とａ−
８ｉ膜３０間に挿入され、透明導成膜２から入射した元
のうちの長波長光成分を有効に反射する効果がある。こ
の場合透明導電膜２の上には集電電極１１が設けられて
いる。
Ａｇ−Ａｔ合金層７あるいは９の形成は、蒸発源である
Ａｇハースの上に１〜５１のＡｔベレットヲ載置し、電
子ビームにより真空蒸４を行うことによって行われ、ｈ
ｉ −０，１−１０１Ｌｆｊ＆％を含んだＡｇ−Ａｔ合
金層が得られる。
Ａｇハースの上に１〜５１のＡｔベレットヲ載置し、電
子ビームにより真空蒸４を行うことによって行われ、ｈ
ｉ −０，１−１０１Ｌｆｊ＆％を含んだＡｇ−Ａｔ合
金層が得られる。
なお第２図、第３図の１層及びｐ層ａ−８ｉ膜の代υに
、光の透過性１ｃ優れたυん又はボロンをドープした微
結晶化膜あるいはａ−８ｉＣ膜を用いることは、本発明
に何ら悪影響を及ぼすものではなく、むしろ本発明の主
旨によシ一層合致したものと言える。
、光の透過性１ｃ優れたυん又はボロンをドープした微
結晶化膜あるいはａ−８ｉＣ膜を用いることは、本発明
に何ら悪影響を及ぼすものではなく、むしろ本発明の主
旨によシ一層合致したものと言える。
この発明によれば、光の入射側から透明表面電極／ａ−
８ｉ／金属裏面電極の構造を持つ太陽電池において、裏
面電極として特に長波長領域で高い反射ｉｖ示すｉｕ
？Ｉ： ０．１〜１０ ｗｔ％含んだＡｇ−Ａｔ合金膜
を用いているので、長波長光を有効に利用し得るため、
太陽電池の短絡電流が増大する。第４図に、Ａｔ／ガラ
ス、Ａｇ／ガラス及び本発明にょるＡｔ−Ａｇ合金／ガ
ラス ザンプルにおいてガラス側から光を入射した場合
の反射率特性を示す。本発明によるＡｔ−Ａｇ合金膜は
ｌｈに６Ｑ０１１１１１以上の長波長領域においてＡｇ
に近い高い反射率が得られている。
８ｉ／金属裏面電極の構造を持つ太陽電池において、裏
面電極として特に長波長領域で高い反射ｉｖ示すｉｕ
？Ｉ： ０．１〜１０ ｗｔ％含んだＡｇ−Ａｔ合金膜
を用いているので、長波長光を有効に利用し得るため、
太陽電池の短絡電流が増大する。第４図に、Ａｔ／ガラ
ス、Ａｇ／ガラス及び本発明にょるＡｔ−Ａｇ合金／ガ
ラス ザンプルにおいてガラス側から光を入射した場合
の反射率特性を示す。本発明によるＡｔ−Ａｇ合金膜は
ｌｈに６Ｑ０１１１１１以上の長波長領域においてＡｇ
に近い高い反射率が得られている。
試作された上記構造のａ−８ｉ太陽電池における裏面電
極として、Ａｔ ／ Ｔ ｉ ／ Ａｇ 、Ａｇ及び本
発明によルＡｔ−Ａｇ合金膜を用イタ場合ノＡＭ−１（
１００”Ｗ／／ｄ）照射下での短絡′４流測測定果２１
１−第１表に示す。
極として、Ａｔ ／ Ｔ ｉ ／ Ａｇ 、Ａｇ及び本
発明によルＡｔ−Ａｇ合金膜を用イタ場合ノＡＭ−１（
１００”Ｗ／／ｄ）照射下での短絡′４流測測定果２１
１−第１表に示す。
第４図に示した結果から予想される通り、本発明による
Ａ、ａ −Ａｇ合金膜を用いた場合、Ａｇの場合と同程
度の値が得られている。
Ａ、ａ −Ａｇ合金膜を用いた場合、Ａｇの場合と同程
度の値が得られている。
第 １ 表
また、上記３釉類のａ −Ｓ ｉ太陽電池の裏面電極と
ａ −Ｓ ｉ膜の接着強度を接触面直径５誠のリード線
付後の引張強度として評価した結果、本発明によるＡｇ
−Ａｔ合金は、Ａｇ膜較べて２倍以上の強度が得られる
。
ａ −Ｓ ｉ膜の接着強度を接触面直径５誠のリード線
付後の引張強度として評価した結果、本発明によるＡｇ
−Ａｔ合金は、Ａｇ膜較べて２倍以上の強度が得られる
。
第１図は従来のガラス基板ａ −Ｓ ｉ太陽電池の断面
構造模型図、舘２図は本発明の実施例を示すａ−Ｓ ｉ
太＠電池の断面構造模型図、第３図は本発明の異なる実
施例の断面構造模型図、第４図は本発明のＡｇ −Ａｊ
ａ合金膜を含めた金属／ガラス構造試料のガラス基板側
から光を入射した時の光の反射率スペクトル図、である
。 １・・・ガラス基板、２・・・透明導電膜、３・・・ｐ
層ａ−Ｓ ｉ膜、４ ・・ｉ Ｊｆｌｉ ａ−８ｉ膜、
５− ｎ Ｎａ−８ｉ膜、７・・・Ａｇ−Ａｔ合金裏面
電極、８・・・ステンレス鋼基板、９・・・Ａｇ−Ａｔ
合金膜。 箋 １１図 第２回 第３図 嘗 ト 成長 （引π） 第今回
構造模型図、舘２図は本発明の実施例を示すａ−Ｓ ｉ
太＠電池の断面構造模型図、第３図は本発明の異なる実
施例の断面構造模型図、第４図は本発明のＡｇ −Ａｊ
ａ合金膜を含めた金属／ガラス構造試料のガラス基板側
から光を入射した時の光の反射率スペクトル図、である
。 １・・・ガラス基板、２・・・透明導電膜、３・・・ｐ
層ａ−Ｓ ｉ膜、４ ・・ｉ Ｊｆｌｉ ａ−８ｉ膜、
５− ｎ Ｎａ−８ｉ膜、７・・・Ａｇ−Ａｔ合金裏面
電極、８・・・ステンレス鋼基板、９・・・Ａｇ−Ａｔ
合金膜。 箋 １１図 第２回 第３図 嘗 ト 成長 （引π） 第今回
Claims (1)
- １）光の入射側の透明表面電極と反対側の金属裏面電極
を有するものにおいて、裏面電極の少なくとも表面層が
アルミｆｔ０．１〜１０重量％含んだ銀−アルミ合金か
らなるとをを特徴とする薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138569A JPS6030183A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58138569A JPS6030183A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6030183A true JPS6030183A (ja) | 1985-02-15 |
Family
ID=15225196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58138569A Pending JPS6030183A (ja) | 1983-07-28 | 1983-07-28 | 薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6030183A (ja) |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6268253U (ja) * | 1985-10-19 | 1987-04-28 | ||
| JPS62206500A (ja) * | 1986-03-07 | 1987-09-10 | 中部電力株式会社 | 床面清掃装置 |
| JPH02105582A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Fuji Electric Co Ltd | 薄膜太陽電池 |
| US4941032A (en) * | 1986-03-03 | 1990-07-10 | Kanegafuchi Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Semiconductor device |
| WO2004066354A3 (en) * | 2003-01-16 | 2004-09-10 | Target Technology Co Llc | Photo-voltaic cells including solar cells incorporating silver-alloy reflective and/or transparent conductive surfaces |
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| US7645500B2 (en) | 2003-04-18 | 2010-01-12 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
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Citations (1)
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|---|---|---|---|---|
| JPS55108780A (en) * | 1979-02-14 | 1980-08-21 | Sharp Corp | Thin film solar cell |
-
1983
- 1983-07-28 JP JP58138569A patent/JPS6030183A/ja active Pending
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