JP2968404B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JP2968404B2 JP2968404B2 JP4328819A JP32881992A JP2968404B2 JP 2968404 B2 JP2968404 B2 JP 2968404B2 JP 4328819 A JP4328819 A JP 4328819A JP 32881992 A JP32881992 A JP 32881992A JP 2968404 B2 JP2968404 B2 JP 2968404B2
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- film
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、光照射を受けること
により、光起電力を発生する光起電力装置の製造方法に
関する。
により、光起電力を発生する光起電力装置の製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光起電力装置では、透光性を呈す
べく受光面電極は、インジウム（Ｉｎ）やスズ（Ｓｎ）
の酸化物であるＩｎ2 Ｏ5 、ＳｎＯ2 、ＩＴＯ等に代表
される透光性導電酸化物（以下、ＴＣＯという）で形成
されている。ＴＣＯ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎ
ｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）からなる電極では、金属
材料に比べてそのシート抵抗が３桁以上高いため、この
電極での電力ロスが集電効率を低下させている原因であ
った。
べく受光面電極は、インジウム（Ｉｎ）やスズ（Ｓｎ）
の酸化物であるＩｎ2 Ｏ5 、ＳｎＯ2 、ＩＴＯ等に代表
される透光性導電酸化物（以下、ＴＣＯという）で形成
されている。ＴＣＯ（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ Ｃｏｎ
ｄｕｃｔｉｖｅ Ｏｘｉｄｅ）からなる電極では、金属
材料に比べてそのシート抵抗が３桁以上高いため、この
電極での電力ロスが集電効率を低下させている原因であ
った。
【０００３】この集電効率の低下に鑑み従来の単結晶型
太陽電池や特開昭５９−５０５７６号公報のように受光
面側に金属製の格子状の集電極を設ける方法が開発され
ている。
太陽電池や特開昭５９−５０５７６号公報のように受光
面側に金属製の格子状の集電極を設ける方法が開発され
ている。
【０００４】しかしながら、金属製の格子状集電極は、
透明電極に比して低抵抗である反面、光活性層に到達す
べき照射光の一部を遮断してしまうために、有効に光電
変換動作する有効受光面積の減少は免れない。
透明電極に比して低抵抗である反面、光活性層に到達す
べき照射光の一部を遮断してしまうために、有効に光電
変換動作する有効受光面積の減少は免れない。
【０００５】そこで、本出願人は、受光面電極として高
抵抗なＴＣＯあるいは金属薄膜を用いるにもかかわら
ず、格子状の集電極を追加した構造のように有効受光面
積を大きく減少させることなく、受光面電極による抵抗
損失を減じる構造を開発し、既に出願している（特開昭
６１−２０３７１号公報および実開昭６１−８６９５５
号公報参照）。
抵抗なＴＣＯあるいは金属薄膜を用いるにもかかわら
ず、格子状の集電極を追加した構造のように有効受光面
積を大きく減少させることなく、受光面電極による抵抗
損失を減じる構造を開発し、既に出願している（特開昭
６１−２０３７１号公報および実開昭６１−８６９５５
号公報参照）。
【０００６】図５は、上記の本出願人が開発した従来技
術を示している。この光起電力装置では、光入射側から
見て、ガラス基板１、ＴＣＯからなる受光面電極膜２、
光活性層を含む半導体膜３、オーミック金属の第１背面
電極膜４、絶縁膜６、および受光面電極膜２に比して低
抵抗な第２背面電極膜８が重畳され、受光領域内の複数
箇所において内周が絶縁膜６により囲まれたコンタクト
ホール７内に第２背面電極膜８を埋設させることによっ
て受光面電極膜２と第２背面電極膜８とを電気的に結合
させている。
術を示している。この光起電力装置では、光入射側から
見て、ガラス基板１、ＴＣＯからなる受光面電極膜２、
光活性層を含む半導体膜３、オーミック金属の第１背面
電極膜４、絶縁膜６、および受光面電極膜２に比して低
抵抗な第２背面電極膜８が重畳され、受光領域内の複数
箇所において内周が絶縁膜６により囲まれたコンタクト
ホール７内に第２背面電極膜８を埋設させることによっ
て受光面電極膜２と第２背面電極膜８とを電気的に結合
させている。
【０００７】図６は、上記スルーホールコンタクト型の
光起電力装置の製造工程を示した断面図である。同図
（ａ）に示すように、受光面電極膜（ＳｎＯ2 ）２上に
半導体膜（ａ−Ｓｉ）３および第１背面電極膜４を形成
した後、レーザ光を照射することにより、半導体膜３お
よび第１背面電極膜４を部分的に除去してスルーホール
５を形成する。次に、同図（ｂ）に示すように、絶縁膜
６を堆積した後、再びレーザ光を照射する。このレーザ
光の照射は、コンタクトホール７を形成するためのもの
で、前記の受光面電極膜２が露出するまで行われる。次
に、同図（ｃ）に示すように、第２背面電極膜８を堆積
する。
光起電力装置の製造工程を示した断面図である。同図
（ａ）に示すように、受光面電極膜（ＳｎＯ2 ）２上に
半導体膜（ａ−Ｓｉ）３および第１背面電極膜４を形成
した後、レーザ光を照射することにより、半導体膜３お
よび第１背面電極膜４を部分的に除去してスルーホール
５を形成する。次に、同図（ｂ）に示すように、絶縁膜
６を堆積した後、再びレーザ光を照射する。このレーザ
光の照射は、コンタクトホール７を形成するためのもの
で、前記の受光面電極膜２が露出するまで行われる。次
に、同図（ｃ）に示すように、第２背面電極膜８を堆積
する。
【０００８】このように、スルーホールコンタクト構造
を有した光起電力装置においては、高抵抗の受光面電極
膜２と低抵抗の第２背面電極膜８とが複数箇所において
電気的に結合されているので、受光面電極膜２中を流れ
る電流の電流経路が近接の結合部までとなり短縮される
結果、有効受光面積を大きく減少させることなく受光面
電極による抵抗損失を減じることができる。
を有した光起電力装置においては、高抵抗の受光面電極
膜２と低抵抗の第２背面電極膜８とが複数箇所において
電気的に結合されているので、受光面電極膜２中を流れ
る電流の電流経路が近接の結合部までとなり短縮される
結果、有効受光面積を大きく減少させることなく受光面
電極による抵抗損失を減じることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の構造では、第２背面電極膜８と受光面電極膜２との
結合は、直径１００〜５００μｍ程度のコンタクトホー
ル７を通じて行われ、第２背面電極膜８と受光面電極膜
２との接触面は小さく、この接続部分での電気抵抗を小
さくすることが光起電力装置のセル特性を向上させる上
で重要な課題となっている。
来の構造では、第２背面電極膜８と受光面電極膜２との
結合は、直径１００〜５００μｍ程度のコンタクトホー
ル７を通じて行われ、第２背面電極膜８と受光面電極膜
２との接触面は小さく、この接続部分での電気抵抗を小
さくすることが光起電力装置のセル特性を向上させる上
で重要な課題となっている。
【００１０】本発明は、上記の事情に鑑み、第２背面電
極膜と受光面電極膜とのコンタクト面での抵抗を小さく
して電力ロスを低減することを目的とする。
極膜と受光面電極膜とのコンタクト面での抵抗を小さく
して電力ロスを低減することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の光起電力装置の
製造方法は、受光面側には透光性導電酸化物からなる受
光面電極膜が形成され、背面側には第１、第２の背面電
極膜が形成され、第１背面電極膜と第２背面電極膜との
間には絶縁膜が形成され、第１背面電極と受光面電極膜
との間には光活性層を含む半導体膜が形成され、第２背
面電極膜と受光面電極膜とは前記絶縁膜にて周囲が覆わ
れたコンタクトホールを通じて電気的に結合されてなる
光起電力装置の製造方法であって、前記受光面電極膜上
に前記半導体膜及び第１背面電極膜を形成した後、レー
ザ光の照射によって前記半導体膜及び第１背面電極膜の
一部を除去してスルーホールを形成する工程と、前記第
１背面電極膜の表面上及び前記スルーホール内に絶縁膜
を形成した後、エキシマレーザの照射により前記スルー
ホール内における絶縁膜を除去しコンタクトホールを形
成すると共に、前記絶縁膜を除去した後の前記受光面電
極膜の表面に前記エキシマレーザを照射してこの受光面
電極膜表面に低抵抗化領域を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする。前記コンタクトホール形成時におけ
る絶縁膜を除去後の前記エキシマレーザの照射は５０パ
ルス以上にするとよい。
製造方法は、受光面側には透光性導電酸化物からなる受
光面電極膜が形成され、背面側には第１、第２の背面電
極膜が形成され、第１背面電極膜と第２背面電極膜との
間には絶縁膜が形成され、第１背面電極と受光面電極膜
との間には光活性層を含む半導体膜が形成され、第２背
面電極膜と受光面電極膜とは前記絶縁膜にて周囲が覆わ
れたコンタクトホールを通じて電気的に結合されてなる
光起電力装置の製造方法であって、前記受光面電極膜上
に前記半導体膜及び第１背面電極膜を形成した後、レー
ザ光の照射によって前記半導体膜及び第１背面電極膜の
一部を除去してスルーホールを形成する工程と、前記第
１背面電極膜の表面上及び前記スルーホール内に絶縁膜
を形成した後、エキシマレーザの照射により前記スルー
ホール内における絶縁膜を除去しコンタクトホールを形
成すると共に、前記絶縁膜を除去した後の前記受光面電
極膜の表面に前記エキシマレーザを照射してこの受光面
電極膜表面に低抵抗化領域を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする。前記コンタクトホール形成時におけ
る絶縁膜を除去後の前記エキシマレーザの照射は５０パ
ルス以上にするとよい。
【００１２】
【作用】上記の構成においては、第２背面電極膜に接触
する部分の受光面電極膜に低抵抗化領域が形成されてい
るので、光起電力装置のセル特性が向上する。
する部分の受光面電極膜に低抵抗化領域が形成されてい
るので、光起電力装置のセル特性が向上する。
【００１３】セル特性向上の理由としては、 （１）高抵抗の受光面電極膜と低抵抗の第２背面電極膜
とが直接に接触するよりも、これら両電極膜間に低抵抗
化領域が介在する方が接続抵抗は小さくなり、電力ロス
が低減され、集電効率が向上する。 （２）エキシマレーザの照射により低抵抗化領域の表面
状態は滑らかとなり、受光面電極膜と第２背面電極膜と
の結合面の界面状態は良好となる。よって、結合面での
接続抵抗は小さくなり、電力ロスが低減され、集電効率
が向上する。 といったことが考えられる。
とが直接に接触するよりも、これら両電極膜間に低抵抗
化領域が介在する方が接続抵抗は小さくなり、電力ロス
が低減され、集電効率が向上する。 （２）エキシマレーザの照射により低抵抗化領域の表面
状態は滑らかとなり、受光面電極膜と第２背面電極膜と
の結合面の界面状態は良好となる。よって、結合面での
接続抵抗は小さくなり、電力ロスが低減され、集電効率
が向上する。 といったことが考えられる。
【００１４】また、上記の低抵抗化領域は、例えば、絶
縁膜の除去（コンタクトホール形成）の際に行うエキシ
マレーザ光の照射において、これを絶縁膜の除去後にも
引き続いて行うことによって形成できる。従って、低抵
抗化領域の形成のために別工程は要しないから、光起電
力装置の製造工程を複雑化することもない。
縁膜の除去（コンタクトホール形成）の際に行うエキシ
マレーザ光の照射において、これを絶縁膜の除去後にも
引き続いて行うことによって形成できる。従って、低抵
抗化領域の形成のために別工程は要しないから、光起電
力装置の製造工程を複雑化することもない。
【００１５】
【実施例】本発明の一実施例を、図１ないし図４に基づ
いて説明すれば、以下の通りである。
いて説明すれば、以下の通りである。
【００１６】図１は、この実施例の光起電力装置１０の
断面図である。受光面となるガラス基板１側には、ＴＣ
Ｏ（例えば、ＳｎＯ2 ：Ｆ）からなる受光面電極膜２が
形成されている。一方、背面側には、金属の第１，第２
背面電極膜４，８が形成されている。そして、上記第１
背面電極膜４と第２背面電極膜８との間にはポリイミド
の絶縁膜６が形成され、両電極膜４，８の絶縁が確保さ
れる。
断面図である。受光面となるガラス基板１側には、ＴＣ
Ｏ（例えば、ＳｎＯ2 ：Ｆ）からなる受光面電極膜２が
形成されている。一方、背面側には、金属の第１，第２
背面電極膜４，８が形成されている。そして、上記第１
背面電極膜４と第２背面電極膜８との間にはポリイミド
の絶縁膜６が形成され、両電極膜４，８の絶縁が確保さ
れる。
【００１７】第１背面電極４と受光面電極膜２との間に
は、光活性層を含むアモルファスシリコンを主成分とし
た半導体膜３が形成されている。また、第２背面電極膜
８は、前記絶縁膜６にて周囲が覆われたコンタクトホー
ル７を通じて受光面電極膜２に電気的に結合されてい
る。
は、光活性層を含むアモルファスシリコンを主成分とし
た半導体膜３が形成されている。また、第２背面電極膜
８は、前記絶縁膜６にて周囲が覆われたコンタクトホー
ル７を通じて受光面電極膜２に電気的に結合されてい
る。
【００１８】第２背面電極膜８に接触する部分の受光面
電極膜２には、エキシマレーザ光の照射によって低抵抗
化領域９が形成されている。
電極膜２には、エキシマレーザ光の照射によって低抵抗
化領域９が形成されている。
【００１９】図２は、上記光起電力装置１０の製造工程
を示した断面図である。同図（ａ）に示すように、受光
面電極膜２上に半導体膜３および第１背面電極膜４を形
成した後、ＹＡＧレーザ光を照射し、半導体膜３および
第１背面電極膜４を部分的に除去してスルーホール５を
形成する。
を示した断面図である。同図（ａ）に示すように、受光
面電極膜２上に半導体膜３および第１背面電極膜４を形
成した後、ＹＡＧレーザ光を照射し、半導体膜３および
第１背面電極膜４を部分的に除去してスルーホール５を
形成する。
【００２０】次に、同図（ｂ）に示すように、第１背面
電極膜４の表面上およびスルーホール５内に絶縁膜６を
堆積した後、波長３０８ｎｍ、エネルギー密度０．４Ｊ
／ｃｍ2 のＸｅＣｌエキシマレーザ光を照射することで
絶縁膜６を除去し、受光面電極膜２を露出させ、コンタ
クトホール７を形成する。
電極膜４の表面上およびスルーホール５内に絶縁膜６を
堆積した後、波長３０８ｎｍ、エネルギー密度０．４Ｊ
／ｃｍ2 のＸｅＣｌエキシマレーザ光を照射することで
絶縁膜６を除去し、受光面電極膜２を露出させ、コンタ
クトホール７を形成する。
【００２１】そして、上記コンタクトホール７を完成さ
せた後も引き続きＸｅＣｌエキシマレーザ光を照射し続
ける。レーザ光の照射量は、５０パルス以上としてい
る。このＸｅＣｌエキシマレーザ光の追加照射により、
このレーザ光照射部分、すなわち、後に堆積される第２
背面電極膜８に接触することとなる部分の受光面電極膜
２表面に低抵抗化領域９が形成される。
せた後も引き続きＸｅＣｌエキシマレーザ光を照射し続
ける。レーザ光の照射量は、５０パルス以上としてい
る。このＸｅＣｌエキシマレーザ光の追加照射により、
このレーザ光照射部分、すなわち、後に堆積される第２
背面電極膜８に接触することとなる部分の受光面電極膜
２表面に低抵抗化領域９が形成される。
【００２２】次に、同図（ｃ）に示すように、絶縁膜６
の表面上およびコンタクトホール７内に第２背面電極膜
８を堆積させ、この第２背面電極膜８と受光面電極膜２
との電気的接続を行わせる。
の表面上およびコンタクトホール７内に第２背面電極膜
８を堆積させ、この第２背面電極膜８と受光面電極膜２
との電気的接続を行わせる。
【００２３】図３は、波長３０８ｎｍ、エネルギー密度
０．４Ｊ／ｃｍ2 のＸｅＣｌエキシマレーザ光の照射パ
ルス数とＴＣＯシート抵抗との関係を示したグラフであ
る。横軸はパルス数を示し、縦軸は膜抵抗における照射
後／照射前の比率を示している。このグラフによれば、
レーザ光を５０パルス以上照射することによって、ＴＣ
Ｏシートの抵抗は、照射前に比べて約８０％に低減され
る。その理由は、ＴＣＯ膜におけるエキシマレーザ光照
射部のキャリア濃度が増加することによるものと考えら
れる。
０．４Ｊ／ｃｍ2 のＸｅＣｌエキシマレーザ光の照射パ
ルス数とＴＣＯシート抵抗との関係を示したグラフであ
る。横軸はパルス数を示し、縦軸は膜抵抗における照射
後／照射前の比率を示している。このグラフによれば、
レーザ光を５０パルス以上照射することによって、ＴＣ
Ｏシートの抵抗は、照射前に比べて約８０％に低減され
る。その理由は、ＴＣＯ膜におけるエキシマレーザ光照
射部のキャリア濃度が増加することによるものと考えら
れる。
【００２４】図４は、レーザ光の照射パルス数と１ｃｍ
角セル出力特性との関係を示したグラフである。横軸は
パルス数（コンタクトホール形成に必要なパルス数も含
む）を示し、縦軸はスルーホールコンタクト（ＴＨＣ）
構造の光起電力装置とＴＨＣ構造を持たない光電変換変
換素子との出力比率を示している。
角セル出力特性との関係を示したグラフである。横軸は
パルス数（コンタクトホール形成に必要なパルス数も含
む）を示し、縦軸はスルーホールコンタクト（ＴＨＣ）
構造の光起電力装置とＴＨＣ構造を持たない光電変換変
換素子との出力比率を示している。
【００２５】上記のグラフによれば、低抵抗化領域９を
持たないＴＨＣ構造の光起電力装置（コンタクトホール
形成後に直ちに第２背面電極膜を形成したもの：コンタ
クトホール形成のために３０パルスのレーザ照射を行っ
ている）は、ＴＨＣ構造を持たない光起電力装置に比
べ、図中ａで示すように、約１．０４倍に出力特性が向
上している。一方、本発明の低抵抗化領域９を持つＴＨ
Ｃ構造の光起電力装置（コンタクトホール形成後引き続
き５０パルス以上のレーザ照射を行っている）は、ＴＨ
Ｃ構造を持たない光起電力装置に比べ、図中ｂで示すよ
うに、約１．０６倍に出力特性が向上し、より一層のセ
ル特性向上が図られている。
持たないＴＨＣ構造の光起電力装置（コンタクトホール
形成後に直ちに第２背面電極膜を形成したもの：コンタ
クトホール形成のために３０パルスのレーザ照射を行っ
ている）は、ＴＨＣ構造を持たない光起電力装置に比
べ、図中ａで示すように、約１．０４倍に出力特性が向
上している。一方、本発明の低抵抗化領域９を持つＴＨ
Ｃ構造の光起電力装置（コンタクトホール形成後引き続
き５０パルス以上のレーザ照射を行っている）は、ＴＨ
Ｃ構造を持たない光起電力装置に比べ、図中ｂで示すよ
うに、約１．０６倍に出力特性が向上し、より一層のセ
ル特性向上が図られている。
【００２６】以上のように、本実施例の光起電力装置１
０は、第２背面電極膜８に接触する部分の受光面電極膜
２に低抵抗化領域９を形成したので、結合面での接続抵
抗が低減され、セル特性が向上する。また、上記の低抵
抗化領域９を形成するには、絶縁膜６の除去（コンタク
トホール７形成）の際に行われるエキシマレーザ光の照
射において、これを絶縁膜６の除去後にも引き続き行え
ばよく、低抵抗化領域９の形成のために別工程を要する
ものではないので、光起電力装置１０の製造工程を複雑
化することもない。
０は、第２背面電極膜８に接触する部分の受光面電極膜
２に低抵抗化領域９を形成したので、結合面での接続抵
抗が低減され、セル特性が向上する。また、上記の低抵
抗化領域９を形成するには、絶縁膜６の除去（コンタク
トホール７形成）の際に行われるエキシマレーザ光の照
射において、これを絶縁膜６の除去後にも引き続き行え
ばよく、低抵抗化領域９の形成のために別工程を要する
ものではないので、光起電力装置１０の製造工程を複雑
化することもない。
【００２７】なお、本実施例では、エキシマレーザとし
て、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いたが、これに限ら
ず、ＫｒＦエキシマレーザなどを用いてもよい。また、
低抵抗化領域９の形成を、コンタクトホール７の形成に
際して行ったが、スルーホール５の形成をエキシマレー
ザにて行うこととする場合には、このスルーホール５の
形成に際して低抵抗化領域を形成してもよいものであ
る。
て、ＸｅＣｌエキシマレーザを用いたが、これに限ら
ず、ＫｒＦエキシマレーザなどを用いてもよい。また、
低抵抗化領域９の形成を、コンタクトホール７の形成に
際して行ったが、スルーホール５の形成をエキシマレー
ザにて行うこととする場合には、このスルーホール５の
形成に際して低抵抗化領域を形成してもよいものであ
る。
【００２８】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、光起電
力装置の製造工程を複雑化することなく光起電力装置の
セル特性の向上が図れるという効果を奏する。
力装置の製造工程を複雑化することなく光起電力装置の
セル特性の向上が図れるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例に係る光起電力装置の縦断面
図である。
図である。
【図２】同図（ａ）乃至（ｃ）はこの発明の実施例に係
る光電変換変換素子の製造工程を示す縦断面図である。
る光電変換変換素子の製造工程を示す縦断面図である。
【図３】レーザ照射パルス数とＴＣＯシート抵抗との関
係を示すグラフである。
係を示すグラフである。
【図４】レーザ照射パルス数と１ｃｍ角セル出力特性と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
【図５】従来の光電変換変換素子の縦断面図である。
【図６】同図（ａ）乃至（ｃ）は従来の光起電力装置の
製造工程を示す縦断面図である。
製造工程を示す縦断面図である。
１ ガラス基板 ２ 受光面電極膜 ３ 半導体膜 ４ 第１背面電極膜 ５ スルーホール ６ 絶縁膜 ７ コンタクトホール ８ 第２背面電極膜 ９ 低抵抗化領域 １０ 光起電力装置
フロントページの続き (72)発明者 大西 三千年 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三 洋電機株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−276683（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−164273（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−129881（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−20371（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−86955（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (2)
- 【請求項１】 受光面側には透光性導電酸化物からなる
受光面電極膜が形成され、背面側には第１、第２の背面
電極膜が形成され、第１背面電極膜と第２背面電極膜と
の間には絶縁膜が形成され、第１背面電極と受光面電極
膜との間には光活性層を含む半導体膜が形成され、第２
背面電極膜と受光面電極膜とは前記絶縁膜にて周囲が覆
われたコンタクトホールを通じて電気的に結合されてな
る光起電力装置の製造方法であって、前記受光面電極膜
上に前記半導体膜及び第１背面電極膜を形成した後、レ
ーザ光の照射によって前記半導体膜及び第１背面電極膜
の一部を除去してスルーホールを形成する工程と、前記
第１背面電極膜の表面上及び前記スルーホール内に絶縁
膜を形成した後、エキシマレーザの照射により前記スル
ーホール内における絶縁膜を除去しコンタクトホールを
形成すると共に、前記絶縁膜を除去した後の前記受光面
電極膜の表面に前記エキシマレーザを照射してこの受光
面電極膜表面に低抵抗化領域を形成する工程と、を有す
ることを特徴とする光起電力装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記コンタクトホール形成時における絶
縁膜を除去後の前記エキシマレーザの照射は５０パルス
以上であることを特徴とする請求項１に記載の光起電力
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4328819A JP2968404B2 (ja) | 1992-11-13 | 1992-11-13 | 光起電力装置の製造方法 |
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