JP3268911B2 - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JP3268911B2 JP3268911B2 JP25842893A JP25842893A JP3268911B2 JP 3268911 B2 JP3268911 B2 JP 3268911B2 JP 25842893 A JP25842893 A JP 25842893A JP 25842893 A JP25842893 A JP 25842893A JP 3268911 B2 JP3268911 B2 JP 3268911B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
ネルギーに変換する光起電力装置に関する。
の有効利用が重要である。このため、従来では、ほとん
どの成分が酸化錫である透明導電膜を基板上にテクスチ
ャ状に形成し、光を散乱させることにより、光吸収長を
長くしていた。
スチャの粒径を大きくすることが必要であるが、透明導
電膜の膜厚を厚くしてしまい、透明導電膜自身での光吸
収による損失を招いてしまうといった問題があった。
(M.Mizuhashi,Y.Gotoh and
K.Adachi,Jpn.Appl.Phys,vo
l.27(1988)2053)
点に鑑みて、透明導電膜の膜厚を厚くすることなくテク
スチャの粒径を大きくすることによって、透明導電膜自
身の光吸収による損失を抑え、光の散乱度を向上させる
ことを課題とする。
2 からなる透明導電膜及び光活性層を含む半導体膜を形
成した光起電力装置において、前記透明導電膜の膜中に
バリウムを含有するものである。
を含有させることにより、透明導電膜を厚くせずに、テ
クスチャの粒径を大きくできる。
装置の模式的断面図である。ガラス基板1は、その上面
にスパッタ法により、バリウム、ホウ素、アルミニウム
を含有した薄膜界面層2と、前記薄膜界面層2上に熱C
VD法により、酸化錫(SnO2)からなる透明導電膜
3とを形成している。この時、薄膜界面層2中のバリウ
ム、ホウ素、アルミニウムは熱拡散により、透明導電膜
3中に混入される。透明導電膜3は、その上面に、アモ
ルファスSiからなるp型層4、バッファ層5、アモル
ファスSiからなるi型層6、n型層7、裏面電極8を
順次形成している。
の成分比は、酸化錫に対して、バリウムが7%、ホウ素
が3%、アルミニウムが5%である。
明導電膜の特性の比較を示す。
例の透明導電膜の方が従来の透明導電膜よりもテクスチ
ャの粒径が大きく、ヘイズ率の高いものが得られた。
光成分比のことで、ヘイズ率が高くなるほど散乱する光
の度合いが高くなる。
起電力装置の収集効率スペクトルの比較図を示す。
力装置の方が長波長での収集効率が高くなっていること
がわかる。これによる短絡電流(Isc)は、本発明の
ものが17.8mA(変換効率12%)であり、従来の
ものが16.9mA(変換効率11.4%)となった。
ム以外にホウ素、アルミニウムを含んだ場合について示
したが、バリウム単独で透明導電膜3中に含まれる場合
も透明導電膜3のテクスチャ粒径を大きくする効果があ
る。
比と透明導電膜3のテクスチャ粒径の関係を示す。
酸化錫に対して5%以上であればより好ましいことがわ
かる。
熱拡散により、透明導電膜3中にバリウムが含まれる場
合について示したが、薄膜界面層2を除き、光起電力装
置のガラス基板1中にバリウムを含ませ、熱拡散時にバ
リウムを透明導電膜3中に拡散させ、透明導電膜3のテ
クスチャ粒径を大きくすることも可能である。
造以外に、光入射側から透明導電膜3、薄膜界面層2、
p層4、i層6、n層7、裏面電極8、基板1がこの順
で積層された構造のものについても、本発明を実施で
き、この場合は、p層4を形成した後に、上記p層4上
にバリウムを含んだ薄膜界面層2を数原子数〜500Å
形成し、上記薄膜界面層2上に透明導電膜3を形成す
る。
ずに、テクスチャの粒径を大きくしたので、透明導電膜
自身での光の吸収による損失を抑え、光の散乱度を向上
することができる。
高い光起電力装置を提供できるものである。
トルの比較図である。
ャ粒径との関係図である。
Claims (1)
- 【請求項1】基板の一方の面にSnO 2 からなる透明導
電膜及び光活性層を含む半導体膜を形成した光起電力装
置において、前記透明導電膜の膜中にバリウムを含有す
ることを特徴とした光起電力装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25842893A JP3268911B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25842893A JP3268911B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 光起電力装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07115214A JPH07115214A (ja) | 1995-05-02 |
JP3268911B2 true JP3268911B2 (ja) | 2002-03-25 |
Family
ID=17320081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP25842893A Expired - Fee Related JP3268911B2 (ja) | 1993-10-15 | 1993-10-15 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3268911B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE69828936T2 (de) * | 1997-10-27 | 2006-04-13 | Sharp K.K. | Photoelektrischer Wandler und sein Herstellungsverfahren |
EP2518789B1 (en) * | 2011-04-18 | 2016-04-13 | Corning Precision Materials Co., Ltd. | Method of manufacturing a light extraction substrate for an electroluminescent device |
-
1993
- 1993-10-15 JP JP25842893A patent/JP3268911B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH07115214A (ja) | 1995-05-02 |
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