JPH0423364A - 鏡として利用可能な光起電力装置 - Google Patents
鏡として利用可能な光起電力装置Info
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、太陽電池や光センサ等に用いられる光起電力
装置に係り、特に、表面電極を鏡として利用するのに好
適な光起電力装置に関する。
装置に係り、特に、表面電極を鏡として利用するのに好
適な光起電力装置に関する。
従来の非晶質シリコン太陽電池は、１枚のガラス基板上
に透明電極、非晶質シリコン（ａ−３ｉ）膜領域、裏面
電極が積層されて複数の単位太陽電池素子が形成されて
おり、この羊位太陽電池素子は導電性通路を通じて該当
素子の裏面電極を隣接素子の透明電極に接触するように
して直列接続されている。
に透明電極、非晶質シリコン（ａ−３ｉ）膜領域、裏面
電極が積層されて複数の単位太陽電池素子が形成されて
おり、この羊位太陽電池素子は導電性通路を通じて該当
素子の裏面電極を隣接素子の透明電極に接触するように
して直列接続されている。
本来、太陽電池は光を電気工ネルキーに変換し、これを
利用するものであり、二の機能とは全く異質の他の用途
への応用については何等考えられていなかった。従来の
太陽電池は、透明電極に酸化スズやインジウムスズ酸化
物か使用されるため、第２図に示されているように、そ
の反射率が低く鏡として利用することは不可能てあった
。
利用するものであり、二の機能とは全く異質の他の用途
への応用については何等考えられていなかった。従来の
太陽電池は、透明電極に酸化スズやインジウムスズ酸化
物か使用されるため、第２図に示されているように、そ
の反射率が低く鏡として利用することは不可能てあった
。
また、従来の技術では材料の低コスト化をはかることが
困難である。現在、酸化スズやインジウムスズ酸化物を
熱ＣＶＤ法やスパッタ法て被着する場合、使用する酸化
物ターゲットか高価で、複雑なスパッタ装置、例えば高
周波マグネトロンスパッタ法を使う必要があるなどの問
題があった。
困難である。現在、酸化スズやインジウムスズ酸化物を
熱ＣＶＤ法やスパッタ法て被着する場合、使用する酸化
物ターゲットか高価で、複雑なスパッタ装置、例えば高
周波マグネトロンスパッタ法を使う必要があるなどの問
題があった。
この発明の目的は、光起電力の他に、鏡として利用でき
る光起電力装置を提供することである。
る光起電力装置を提供することである。
上記の目的を達成させるため、本発明は絶縁性透明基板
上に薄膜金属を入射側の表面電極とし、該表面電極上に
非晶質半導体層、裏面電極か設けられた光起電力装置で
あって、前記薄膜金属は鏡として構成さｈたものである
。
上に薄膜金属を入射側の表面電極とし、該表面電極上に
非晶質半導体層、裏面電極か設けられた光起電力装置で
あって、前記薄膜金属は鏡として構成さｈたものである
。
薄膜金属は、アルミニウムまたはニッケルにより構成さ
れている。
れている。
表面電極に薄膜金属を使用することにより、基板加熱を
行う必要がなく、使用する金属ターゲットも安価で、簡
単なスパッタ装置で形成できる為、材料の低コスト化も
はかることができると共に、薄膜金属は高い反射率をも
つので、鏡として利用できる。
行う必要がなく、使用する金属ターゲットも安価で、簡
単なスパッタ装置で形成できる為、材料の低コスト化も
はかることができると共に、薄膜金属は高い反射率をも
つので、鏡として利用できる。
以下、本発明の詳細な説明する。第１図（ａ）−（ｄ）
は、本発明の非晶質シリコン太陽電池の製造方法の工程
図である。
は、本発明の非晶質シリコン太陽電池の製造方法の工程
図である。
先ず、図（ａ）に示すように、ガラス基板１の上に厚さ
が２００Å以下の薄膜Ａ１、Ｎ１を直流スパッタ法によ
り薄膜金属電極６を被着する。スパッタ条件の一例とし
てアルゴン圧力５Ｔｏ ｒ ｒ、パワー０．１７〜０．
６５ｋＷのものを掲げである。
が２００Å以下の薄膜Ａ１、Ｎ１を直流スパッタ法によ
り薄膜金属電極６を被着する。スパッタ条件の一例とし
てアルゴン圧力５Ｔｏ ｒ ｒ、パワー０．１７〜０．
６５ｋＷのものを掲げである。
次ぎに示すように波長１．０６μｍのＹ Ａ Ｇレーザ
て加工し、複数個の表面電極６１〜６３を形成する。次
いで、図（ｂ）に示されるようにｐｉｎ接合を有するａ
−５ｉ膜３をアラスマＣＶ Ｄ法を用いて約０．８μｍ
の厚さに形成し、更に（Ｃ）に示すようにパターン化さ
れた金属裏面電極、あるいは導電性印刷電極４を形成す
る。この裏面電極４は、隣接する薄膜金属電極６に一部
がａ−３ＩＭを介して重なるように形成されている。こ
の重なっている両電極部分において単位太陽電池素子間
の接続が行われる。この太陽電池素子間の接続の一つの
方法として、先に同一出願人が提案した特願平１−８９
９１５号に開示されたものかある。すなわち、この両電
極部分の裏面基板側から１．０６μｍ波長のレーザビー
ムを照射すると、各発電区域の薄膜金属電極６、ａ−３
ｉ膜３及び隣接発電区域の裏面電極４が過熱溶解して得
られる合金層からなる導電性通路５（５１，５２）によ
り、裏面電極４１．４２かそれぞれ薄膜金属電極６２．
６３と接続され、単位太陽電池素子を直列接続したａ−
３ｉ太陽電池が構成される。
て加工し、複数個の表面電極６１〜６３を形成する。次
いで、図（ｂ）に示されるようにｐｉｎ接合を有するａ
−５ｉ膜３をアラスマＣＶ Ｄ法を用いて約０．８μｍ
の厚さに形成し、更に（Ｃ）に示すようにパターン化さ
れた金属裏面電極、あるいは導電性印刷電極４を形成す
る。この裏面電極４は、隣接する薄膜金属電極６に一部
がａ−３ＩＭを介して重なるように形成されている。こ
の重なっている両電極部分において単位太陽電池素子間
の接続が行われる。この太陽電池素子間の接続の一つの
方法として、先に同一出願人が提案した特願平１−８９
９１５号に開示されたものかある。すなわち、この両電
極部分の裏面基板側から１．０６μｍ波長のレーザビー
ムを照射すると、各発電区域の薄膜金属電極６、ａ−３
ｉ膜３及び隣接発電区域の裏面電極４が過熱溶解して得
られる合金層からなる導電性通路５（５１，５２）によ
り、裏面電極４１．４２かそれぞれ薄膜金属電極６２．
６３と接続され、単位太陽電池素子を直列接続したａ−
３ｉ太陽電池が構成される。
本実施例では、出力として２００１ｕｘの入射光の場合
に４７９ｏ、１０００１ ｕｘの場合に５２２６という
高効率の太陽電池か得られた。また表面電極を１および
Ｎｉ膜で構成した場合、太陽電池の反射率は、第２図に
示すように、従来の酸化スズに比べて高く、鏡の性能を
充分に満足させることがてきる。
に４７９ｏ、１０００１ ｕｘの場合に５２２６という
高効率の太陽電池か得られた。また表面電極を１および
Ｎｉ膜で構成した場合、太陽電池の反射率は、第２図に
示すように、従来の酸化スズに比べて高く、鏡の性能を
充分に満足させることがてきる。
このように、表面電極を薄膜金属で構成された太陽電池
を電卓に応用した場合、電卓を鏡として利用することが
できる。
を電卓に応用した場合、電卓を鏡として利用することが
できる。
上記の通り、本発明によれば、表面電極に薄膜金属を用
いることで、表面電極を形成する際基板加熱を行う必要
がなく、簡単な装置で、量産性かよい直流マグネトロン
スパッタ法で形成できる６更に低コストの金属ターゲッ
トを使用できることから、表面電極の低コスト化が可能
になり、かつ鏡として利用でき、応用製品の付加価値が
高まる。
いることで、表面電極を形成する際基板加熱を行う必要
がなく、簡単な装置で、量産性かよい直流マグネトロン
スパッタ法で形成できる６更に低コストの金属ターゲッ
トを使用できることから、表面電極の低コスト化が可能
になり、かつ鏡として利用でき、応用製品の付加価値が
高まる。
第１図（ａ）〜（ｄ）は、本発明の光起電力装置の製造
方法の工程図、第２図は従来の透明電導膜であるＳ ｎ
Ｏ２と本発明の表面電極に使用されるＡＩおよびＮｉ
１ｌｉを利用した太陽電池の反射率特性図である。 １：カラス基板 ２：ａ−８ｉ膜 ４、導電性印刷電！（または金属電極）５・導電性通路 ６・表面型ｆｉ＜薄膜金属）
方法の工程図、第２図は従来の透明電導膜であるＳ ｎ
Ｏ２と本発明の表面電極に使用されるＡＩおよびＮｉ
１ｌｉを利用した太陽電池の反射率特性図である。 １：カラス基板 ２：ａ−８ｉ膜 ４、導電性印刷電！（または金属電極）５・導電性通路 ６・表面型ｆｉ＜薄膜金属）
Claims (2)
- （１）絶縁性透明基板上に薄膜金属を入射側の表面電極
とし、該表面電極上に非晶質半導体層、裏面電極が設け
られた光起電力装置であつて、前記薄膜金属は鏡として
構成された光起電力装置。 - （２）薄膜金属は、アルミニウムまたはニッケルにより
構成されている請求項１記載の光起電力装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123070A JPH0423364A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 鏡として利用可能な光起電力装置 |
| DE69127579T DE69127579T2 (de) | 1990-05-15 | 1991-05-15 | Photovoltaische Anordnung als Spiegel verwendbar |
| ES91107884T ES2107433T3 (es) | 1990-05-15 | 1991-05-15 | Dispositivo fotovoltaico utilizable como espejo. |
| EP91107884A EP0457312B1 (en) | 1990-05-15 | 1991-05-15 | Photovoltaic device useful as a mirror |
| US07/979,456 US5298087A (en) | 1990-05-15 | 1992-11-20 | Photovoltaic device useful as a mirror |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2123070A JPH0423364A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 鏡として利用可能な光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0423364A true JPH0423364A (ja) | 1992-01-27 |
Family
ID=14851451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2123070A Pending JPH0423364A (ja) | 1990-05-15 | 1990-05-15 | 鏡として利用可能な光起電力装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5298087A (ja) |
| EP (1) | EP0457312B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0423364A (ja) |
| DE (1) | DE69127579T2 (ja) |
| ES (1) | ES2107433T3 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013090306A (ja) * | 2011-10-23 | 2013-05-13 | Hiroshi Kubota | 長波長光反射膜を設けた太陽電池付き携帯電話 |
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| WO2014193891A2 (en) | 2013-05-29 | 2014-12-04 | Saudi Arabian Oil Company | High efficiency solar power generator for offshore applications |
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| JPH02747B2 (ja) * | 1983-08-22 | 1990-01-09 | Akira Kawabata |
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| US4281208A (en) * | 1979-02-09 | 1981-07-28 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Photovoltaic device and method of manufacturing thereof |
| JPS5651879A (en) * | 1979-10-04 | 1981-05-09 | Fuji Electric Co Ltd | Amorphous semiconductor photocell |
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| US4782376A (en) * | 1983-09-21 | 1988-11-01 | General Electric Company | Photovoltaic device with increased open circuit voltage |
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| US4772933A (en) * | 1986-02-03 | 1988-09-20 | General Electric Company | Method for compensating operationally-induced defects and semiconductor device made thereby |
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| JPH04118975A (ja) * | 1990-03-30 | 1992-04-20 | Showa Shell Sekiyu Kk | 光起電力装置及び製造方法 |
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1990
- 1990-05-15 JP JP2123070A patent/JPH0423364A/ja active Pending
-
1991
- 1991-05-15 ES ES91107884T patent/ES2107433T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1991-05-15 DE DE69127579T patent/DE69127579T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-05-15 EP EP91107884A patent/EP0457312B1/en not_active Expired - Lifetime
-
1992
- 1992-11-20 US US07/979,456 patent/US5298087A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69127579T2 (de) | 1998-02-19 |
| ES2107433T3 (es) | 1997-12-01 |
| EP0457312B1 (en) | 1997-09-10 |
| US5298087A (en) | 1994-03-29 |
| EP0457312A1 (en) | 1991-11-21 |
| DE69127579D1 (de) | 1997-10-16 |
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