JPS627169A - 光導電性デバイス及びその製造方法 - Google Patents

光導電性デバイス及びその製造方法

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JPS627169A
JPS627169A JP61119421A JP11942186A JPS627169A JP S627169 A JPS627169 A JP S627169A JP 61119421 A JP61119421 A JP 61119421A JP 11942186 A JP11942186 A JP 11942186A JP S627169 A JPS627169 A JP S627169A
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photoconductive
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スティーブン・シー・ルイス
ロバート・ビー・ラブ
ステフェン・シー・ミラー
ユー・ハン・シン
ジョン・ダブリュー・シバート
ディビッド・ピー・タナー
ナン・ティー・トラン
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Atlantic Richfield Co
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明の背景 本発明は一般に光導電性デバイス（ｐｈｏｔｏｃｏｎｄ
ｕｃ−１ｉｖｅ　ｄｅｖｉｃｅ　）の技術に関し、そし
てさらに特定的に酸化亜鉛透明導電層を含有する光導電
性デバイスに関する。
一般に光導電性デバイスは光に露出される際電位を発生
することができる光導電体及びその光導電体の照射から
生ずるすべての電流金流すのに有効である接触子からな
る。たいていの場合において、そのような光導電性ジノ
９イスはまた環境からの保護を与えるためにそして光導
電体のための基体として役に立つためにガラスのような
適当な基体を含有する。多くの異なる光導電性材料が知
られており、例えば少しだが名前を挙げると珪素、ゲル
マニウム、砒化ガリウム及びニセレン化インジウム銅が
ある。珪素を含む光導電体はそれらの経済性の故に特に
広い用途を得た。元来、単一の結晶珪素光導電体が広く
使用された。しかしながら、最近、珪素及び水素の薄い
フィルム合金（ＴＦＳ）　　　　′がその低い費用及び
製造の容易さの故に好ましくなって来た。特にＴＦａ層
はＰ−Ｉ−Ｎ光導電体と　　　□して知られているＰ一
層、ニ一層及びＮ一層を導入する光導電体において使用
されて来た。■一層、その固有層は微細結晶または無定
形の、水素で合金化された珪素または水化珪素の薄い層
から一般に形成される。Ｐ一層はＰ一層とニ一層との間
の界面で製造される、正孔（ｈｏｌｅｓ）として知られ
た、正電荷キャリヤーを可能にする硼素または他のドー
パントでドープ処理された珪素から形成される。
Ｎ一層はＮ一層と■一層との界面で電子を分離させるこ
とを可能にする燐または他の適当物質でドープ処理され
た珪素から形成される。Ｐ一層一及びＮ一層上の接触子
は外部回路内で使用するために電流が外部回路に流され
るのを可能にする。さらに最近、そのような接触子は、
少なくとも前方接触子の場合において、即ち、少なくと
も、入射光線に直面していてもよいしまたはそれから離
れていてもよい透明基体に隣接している接触子の場合に
おいて、酸化錫または酸化錫インジウムのフィルムのよ
うな薄いフィルムの形を取った。後方接触子は一般にア
ルミニウム、銀、モリブデン、チタンまたはニッケルの
ような種々の金属から造られた。しかしながらそのよう
な金属はそれらがきわめて薄い層で適用される場合にの
み光線に対して透明である。他方、酸化錫、酸化錫イン
ジウムはかなりの厚さで比較的に透明である。しかしな
がら、上記酸化物のような比較的に導電性の材料を用い
てさえ、電気エネルギーの成る損失がこれらの層におい
て生ずることが分かった。さらにそのような材料はかな
り費用がかかる。
したがって、本発明の目的は比較的に費用がかからない
透明な導電層またはその複数の層が利用バイスを与える
ことである。
本発明のその他の目的及び利点は次の詳細な記載から明
らかとなろう。
本発明の概要　　一 本発明の光導電性デバイスは酸化亜鉛から構成された少
なくとも１種の透明な導電性層を利用し、これは今まで
に手に入れることが出来る光導電性デバイスにおけるよ
りも実質的に低い電気的損失を生ずる。一般に本発明の
光導電性デ、６イスは約１０〜１０−２０・譚の範囲の
抵抗率を有する酸化亜鉛を含む少なくとも１種の透明な
導電性層を有する薄いフィルムの珪素水素光導電体を包
含する。
酸化亜鉛層またはその複数の層は種々の所望の結果を与
えるための添加剤として水素または第■族元素を含有し
てもよい。透明な導電性酸化亜鉛層は光導電性デバイス
の前方接触子、後方接触子あるいは前方及び後方接触子
の両方のいずれかとして役に立つことが出来る。
好ましい態様の記載 一般に、本発明は酸化亜鉛を含む透明な導電層が光導電
体の接触子層として使用される光導電性デバイスに関す
る。光導電体は一般に二つの組の接触子間にサンドイッ
チされているので、一つの組の接触子を形成する透明な
導電性層として酸化亜鉛を利用することが可能でありあ
るいは両方の組の接触子として酸化亜鉛を利用すること
が可能である。さらに、一つの接触子として酸化亜鉛を
利用しそして他の透明な導電層として酸化錫（ＴＯ）マ
九は酸化錫インジウムＣＩＴＯ）のような他の透明な導
電性層を利用することが出来る。
ここで第１図にしたがえば、ガラスのような基体１１、
透明な導電性層１２及びＴＦＳ層１３からなる光導電性
デバイス１０が示される。無定形珪素層１３はＰ一層１
４、■一層１５及びＮ一層１６からなる。１６に隣接す
る層は第２の透明な導電層１７である。
第２図は第１図に類似する他の態様を例示する。
数値２０は基体２１、透明な導電層２２及びＰ一層２４
とニ一層２５とＮ一層２６とからなるＴＦＳＭ２３から
なる光導電性デバイスを表わす。光導電性デバイス２０
はまたＮ一層２６に結合された金属性接触子２７を含有
する。
特に第１図に関して、基体１１はガラスまたは任意の適
当な透明なプラスチック材料のような任意の透明な絶縁
性材料であることが出来る。ガラスはその強度及び所望
の光学的性質の故に好ましい。
透明な導電層１２は任意の導電性酸化物、例えば酸化亜
鉛、酸化錫または酸化錫インジウムであってよい。特に
好ましい態様において、透明な導電層は成る種添加剤を
含有する酸化亜鉛である。
所望される抵抗率及び熱的性質に依存して、水素あるい
は硼素、アルミニウム、ガリウム、インジウムまたはタ
リウムのような第■族元素のような添化剤が使用される
ことができる。例えば、水素を含有する酸化亜鉛はアル
ミニウムを含有する酸化亜鉛より熱的には安定性が低く
、−万ではアルミニウムを含有する酸化亜鉛は水素を含
有する酸使用される。透明な導電性層の厚さは約１００
〜６０，０００オングストロームであり得る。
光導電体１３は半導体材料の三つの層、即ちＰ一層、■
一層及びＮ一層を含むものとして示される。しかしなが
ら、所望ならば、Ｐ一層及びＮ一層を設けるかあるいは
ドーパントの濃度勾配が層の種々の部分にＰ特性及びＮ
特性を与えることを結果として生ずる単一層を用いて十
分である。
第１図において示される好ましい態様において、Ｐ一層
１４は硼素ドープ処理されたＴＦＳ　、例えば、硼素で
ドープ処理されている水素添加珪素−炭素合金を含む。
この好ましい態様においてＰ一層は約６０〜７０重量パ
ーセントの珪素、約２０パーセントの炭素、約１０〜２
０パーセントの水素及びドーパントとして微小パーセン
トの硼素を含有することができる。Ｐ一層の厚さは好ま
しい態様において約７０〜３００オングストロームで変
化することができる。
■一層は約８５〜９５パーセントの珪素及び約５〜１５
パーセント水素を含有する珪素−水素合金から構成され
る。ニ一層は好ましい態様において厚さで約礼５００〜
７．５００オングストロームであり得る。
Ｎ一層は燐を含有゛する無定形珪素である。この層は約
８５〜９５パーセント珪素、約５〜１５パーセント水素
及ヒ微小パーセント〜２．３パーセントの燐を含有する
ことができる。Ｎ一層の厚さは好ましい態様において約
２００〜８００オングストロームであシ得る。
後方接触子１７は銀、ニッケル、アルミニウム、チタン
またはモリブデンのような金属あるいは酸化亜鉛、酸化
錫または酸化錫インジウムのような透明な導電性酸化物
であり得る。好ましい態様において、透明な導電層１２
及び層１７の両方は酸化亜鉛を含む。後方接触子が金属
性であるならば、それらは約１，０００〜２，０００オ
ングストロームの厚さであり得る。後方接触子が透明な
導電性酸化物である場合は層１７の厚さは層１２の厚さ
とほぼ同じ、即ち約１００〜６ｏ１００Ｏオングストロ
ームであり得、約ｚｏｏｏ〜１５，０００オングストロ
ームが好ましい。
種々の光導電層及び他の層はグロー放電技術、スパッタ
リングまたは化学的蒸着の手段により基体上に溶着され
る（ｄｅｐｏｓｉｔ）ことができる。例えば、酸化亜鉛
の１００〜６０，０００オングストロームの層は低い温
度、例えば約２５°〜２５０Ｃの範囲の温度あるいは所
望ならば約ｓｏｏ’ｃまでのより高い温度でマグネトロ
ンスパッタリングの手段によりガラス基体上に適用され
ることができる。
選ばれた添加剤または複数の種類の添加剤を含有させる
ことは金属ターゲットの使用によりあるいはスパッタリ
ングにおいて使用されるアルビン流中に水素または他の
ガス状添加剤を抽気（ｂｌｅｅｄｉｎｇ）することによ
り達成される。
Ｐ一層は所望のＰ一層組成を与える割合でグロー放電室
にシラン、メタン及びジゼランの混合物を導入すること
により容易に形成されることができる。その溶着は約０
．１〜１、ｏトルの圧力でそして約１５０〜３００℃の
温度で起こる。溶着は所望の厚さの層を溶着するのに十
分な時間の間続けられる。約１．９〜２．ＯｅＶの禁止
帯幅（Ｅｏ４）約１０−６０−１／１の暗所導電率及び
約１０−５Ｑ−’／ｃｍの明所導電率を有するＰ一層が
この方法で得られることができる。Ｐ一層が溶着された
後、次に溶着されるニ一層のすべての汚染を避けるため
にグロー放電室はノゼージされる。
次にニ一層の溶着は、室を真空排気しそして純粋なシラ
ンガスで裏込め注入することにょシ達成される。次に演
着は約０．１〜ＬＯ）ルの圧力でそして約１５０°〜３
００℃の温度で進行する。１層の溶着後、室はポンプで
圧力を下げそしてＮ一層の溶着のために裏込め注入され
る。
物が約０．１〜１．０トルの圧力で及び約１５０〜３０
０℃の温度で室中に通される。
本発明の光起電力デバイスの製造における最糾工程は後
方電極または後方接触子層の溶着である。　　ｙ金属化
された層の場合における後方接触子はスクリーンプリン
ティング、スパッタリングまたは電子ビーム蒸着により
適用されることができる。好ましい態様において、後方
接触子層は３００〜１βＱ　Ｑ　ｎｍの可視範囲の波長
で透明である広い禁止帯幅の酸化亜鉛層である。酸化亜
鉛は約５〜２０ミリトルの範囲の圧力でそして約２５°
〜２５０℃の範囲の温度でスパッタリングにより光導電
体に容易に溶着されて約１００〜６（１０００オングス
トロームの厚さ、好ましくは約２ｏｏｏ〜１５０００オ
ングストロームの範囲の厚さを有する透明層を与えるこ
とができる。水素を含有することが望まれる場合、水素
圧は約０．０１〜０．０８　ミ１７　）ルの範囲である
べきであり、０．０４ミリトルが好ましい。
アルミニウムを含有することが望まれる場合、アルミニ
ウム含有量は約０．２〜１０重量パーセントの範囲にあ
るべきであり、約０．５〜５重量パーセントが好ましい
。得られた透明な導電性層は約１０−４〜１０−２０・
倒の範囲の抵抗率を有する高度に導電性である。酸化亜
鉛が水素を含有する場合、約２５°〜９０℃の温度で溶
着されることができる得られたＺｎ０（Ｈ）層は約６×
１０〜１×１Ｏ−３Ω・ｍの範囲の抵抗率を有すること
が分かった。アルミニウムを含有する酸化亜鉛層は使用
される方法に依存してややより高い温度でならびに室温
で溶着されることかで゛きる。Ｚｎ０（Ａｔ）　ｑは約
８　Ｘ　１０−４〜１×１０　Ω・−の抵抗率を有する
。酸化亜鉛中に水素及びアルミニウムの両方を含有させ
ることがまたできる。約０．０１〜ｏ、　ｏ　ｓ　ミリ
トルの範囲の水素圧及び０８２０〜１ｏＭｉｆ［の範囲
のアルミニウム含有量が適当である。Ｒｏ、０４ミリト
ルの水素圧及び約０．５〜５重量％のアルミニウム含有
量が好ましい。Ｚｎ０（Ｈ，Ａｔ）層は約３×１０〜６
×１００・副の範囲の抵抗率を示す。
上に指摘したように、　　Ｚｎ０（Ｈ）層はＺｎ０（Ａ
）より温度に対して安定性がより低い。環境温度で溶着
されることができるＺｎ０（Ｈ，Ａｔ）層は空気中で約
２５０℃までの温度で安定でいられることが分かった。
上記すべての酸化亜鉛層及び水素または第■族元素を含
有する酸化亜鉛層に関して、約２．０の屈折率とともに
層の透過度は９０パ一セント以上であることが分かった
。前方及び後方透明導電性酸化亜鉛層の種々の組み合せ
を利用する種々の光導電性デバイスが有効であることが
分かった。例えば前方接触子がＺｏｏ（Ａｔ）であり且
つ彼方接触子がＺｎ０（Ｈ）であることが出来そしてそ
の逆の場合もあり得あるいは前方接触子と後方接触子の
両方が７、ｎｏ（Ａｔ、Ｈ）であることが出来る。とき
には酸化亜鉛層と半導体との間に錫またはアルミニウム
の薄い層が溶着されてその光学的性質を損傷することな
しにＴＦＳ層との接触を与える。
本発明の透明な導電性の酸化亜鉛層の使用はこれらの層
のよシ低い抵抗率に起因して、ジノζイスの全体的効率
が増大される光導電性デバイスを提供することが見い出
された。例えば本発明の酸化亜鉛透明導電層を用いて７
パーセントまたはそれより高い効率を有する太陽電池が
製造された。
本発明の成る特定の態様が代表として開示されたけれど
も、本発明は勿論これらの特定の形に限定されるもので
はなくしかしむしろ特許請求の範囲内に入るようなすべ
ての変更に適用できる。例えばアルミニウム以外の他の
第■族添加剤が所望の性質を有する酸化亜鉛層を提供す
るために使用されることができる。さらに上に指摘した
ように、例示されたＰ−Ｉ−Ｎ光導電体以外の他の光導
電体１例えばＮ−Ｉ−Ｐ光導電体が本発明の光導電性デ
バイスにおいて使用されることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による光導電性デバイスの拡大された断
片の横断面図である。 第２図は本発明による光導電性デバイスの第２の態様の
拡大された断片の横断面図である。 １０・・・光導電性デバイス　１１・・・基体１２・・
・透明導電性層　　１３・・・ＴＦＳ層１４・・・Ｐ一
層　　　　　１５・・・Ｉ一層１６・・・Ｎ一層　　　
　　　１７・・・第２透明導電性層２０・・・光導電性
デバイス　２１・・・基体２２・・・透明導電性層　　
２３・・・ＴＦＳ層２４・・・Ｐ一層　　　　　２５　
、Ｉ層２６・・・Ｎ一層　　　　　２７・・・金属接触
子代理人　弁理士　　秋　沢　政　光 他１名

Claims (21)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）薄いフィルムの珪素水素合金（ＴＦＳ）光導電体
    及び前方接触子及び後方接触子を含む光導電性デバイス
    において、 前記前方接触子及び後方接触子の少なくとも一つが約１
    ０＾−＾４〜１０＾−＾２Ω・ｃｍの範囲の抵抗率を有
    する酸化亜鉛を含む透明な導電層であることを特徴とす
    る 光導電性デバイス。
  2. （２）前記酸化亜鉛が第III族元素を含有する特許請求
    の範囲第１項に記載の光導電性デバイス。
  3. （３）前記第III族元素がアルミニウムである特許請求
    の範囲第２項記載の光導電性デバイス。
  4. （４）前記酸化亜鉛が水素を含有する特許請求の範囲第
    １項に記載の光導電性デバイス。
  5. （５）前記酸化亜鉛がアルミニウム及び水素の両方を含
    有する特許請求の範囲第１項に記載の光導電性デバイス
    。
  6. （６）アルミニウム及び水素の両方を含有する前記酸化
    亜鉛上に錫の薄い層が溶着されている特許請求の範囲第
    ５項に記載の光導電性デバイス。
  7. （７）前記酸化亜鉛層がスパッタリングにより適用され
    る特許請求の範囲第１項に記載の光導電性デバイス。
  8. （８）前記酸化亜鉛層が約２５°〜２５０℃の温度で約
    １００〜６０，０００オングストロームの厚さに適用さ
    れる特許請求の範囲第１項に記載の光導電性デバイス。
  9. （９）前記酸化亜鉛層が約２，０００〜１５，０００オ
    ングストロームの厚さに約２５°〜２５０℃の温度で適
    用される特許請求の範囲第１項に記載の光導電性デバイ
    ス。
  10. （１０）前記酸化亜鉛が水素を含有しそして約２５°〜
    ９０℃の範囲の温度で適用される特許請求の範囲第１項
    に記載の光導電性デバイス。
  11. （１１）前記酸化亜鉛がアルミニウムを含有しそして約
    ２５°〜２５０℃の範囲の温度で適用される特許請求の
    範囲第１項に記載の光導電性デバイス。
  12. （１２）前記酸化亜鉛層が約５〜２０ミリトルの範囲の
    圧力で適用される特許請求の範囲第１項に記載の光導電
    性デバイス。
  13. （１３）前記前方接触子が酸化亜鉛を含む特許請求の範
    囲第１項に記載の光導電性デバイス。
  14. （１４）前記後方接触子が酸化亜鉛を含む特許請求の範
    囲第１項に記載の光導電性デバイス。
  15. （１５）前記前方接触子が酸化錫または酸化錫インジウ
    ムを含む特許請求の範囲第１３項に記載の光導電性デバ
    イス。
  16. （１６）前方接触子及び後方接触子の両方が酸化亜鉛を
    含む特許請求の範囲第１項に記載の光導電性デバイス。
  17. （１７）（イ）透明な基体と、（ロ）該基体上に溶着さ
    れた約１０＾−＾４〜１０＾−＾２Ω・ｃｍの範囲の抵
    抗率を有する透明な導電性酸化亜鉛層と、（ハ）ＴＦＳ
    光導電層と、（ニ）外部回路に光導電性デバイスを接続
    するための、該透明導電層と該ＴＦＳ光導電層との上の
    接触子とを含むことを特徴とする光導電性デバイス。
  18. （１８）光に露出した際電位を発生することができる光
    導電性フィルムと、該フィルムの頂部及び底部での透明
    な導電層と光導電性デバイスを外部回路に接続するため
    に該透明な導電層に接続されている接触子とを含み、 しかも該透明な導電層の少なくとも一つは約１０＾−＾
    ４〜１０＾−＾２Ω・ｃｍの範囲内の抵抗率を有する酸
    化亜鉛から構成されていることを特徴とする光導電性デ
    バイス。
  19. （１９）透明な絶縁性基体に第１透明導電層を適用し、 該透明導電層に薄いフィルムの無定形半導体層を適用し
    、 該薄いフィルムの無定形半導体層に第２透明導電層を適
    用し、 しかも該透明な導電層の少なくとも１つが約１０＾−＾
    ４〜１０＾−＾２Ω・ｃｍの範囲内の抵抗率を有する酸
    化亜鉛の層であることを特徴とする 光導電性デバイスの製造方法。
  20. （２０）前記第１透明導電層が酸化錫または酸化錫イン
    ジウムでありそして前記第２透明導電層が酸化亜鉛であ
    る特許請求の範囲第１９項に記載の方法。
  21. （２１）前記第１及び第２透明導電層の両方が酸化亜鉛
    である特許請求の範囲第１９項に記載の方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02189973A (ja) * 1989-01-18 1990-07-25 Oki Electric Ind Co Ltd 受光素子の製造方法
JP5279814B2 (ja) * 2008-03-19 2013-09-04 三洋電機株式会社 太陽電池及びその製造方法

Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4853594A (en) * 1988-08-10 1989-08-01 Rogers Corporation Electroluminescent lamp
US4873118A (en) * 1988-11-18 1989-10-10 Atlantic Richfield Company Oxygen glow treating of ZnO electrode for thin film silicon solar cell
US5078803A (en) * 1989-09-22 1992-01-07 Siemens Solar Industries L.P. Solar cells incorporating transparent electrodes comprising hazy zinc oxide
DE4000664A1 (de) * 1990-01-11 1991-07-18 Siemens Ag Transparente elektrode aus leitfaehigem oxid fuer photodioden und verfahren zu ihrer herstellung
US5135581A (en) * 1991-04-08 1992-08-04 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light transmissive electrically conductive oxide electrode formed in the presence of a stabilizing gas
US5324365A (en) * 1991-09-24 1994-06-28 Canon Kabushiki Kaisha Solar cell
JP2994812B2 (ja) * 1991-09-26 1999-12-27 キヤノン株式会社 太陽電池
JP3242468B2 (ja) * 1992-11-09 2001-12-25 三井金属鉱業株式会社 導電性針状酸化亜鉛の製造方法
JP3242469B2 (ja) * 1992-11-09 2001-12-25 三井金属鉱業株式会社 導電性酸化亜鉛の製造方法
US5397920A (en) * 1994-03-24 1995-03-14 Minnesota Mining And Manufacturing Company Light transmissive, electrically-conductive, oxide film and methods of production
SE508676C2 (sv) * 1994-10-21 1998-10-26 Nordic Solar Energy Ab Förfarande för framställning av tunnfilmssolceller
US6368470B1 (en) 1999-12-29 2002-04-09 Southwall Technologies, Inc. Hydrogenating a layer of an antireflection coating
US6896981B2 (en) * 2001-07-24 2005-05-24 Bridgestone Corporation Transparent conductive film and touch panel
US6822158B2 (en) * 2002-03-11 2004-11-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin-film solar cell and manufacture method therefor
US20040012025A1 (en) * 2002-07-22 2004-01-22 Hoi-Sing Kwok Anode for organic light emitting diodes
US8017860B2 (en) 2006-05-15 2011-09-13 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using bulk semiconductor materials
US9105776B2 (en) 2006-05-15 2015-08-11 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic materials using semiconductor materials
TWI320974B (en) * 2006-09-27 2010-02-21 Sino American Silicon Prod Inc Solar cell and method of fabircating the same
US8071179B2 (en) 2007-06-29 2011-12-06 Stion Corporation Methods for infusing one or more materials into nano-voids if nanoporous or nanostructured materials
US7919400B2 (en) * 2007-07-10 2011-04-05 Stion Corporation Methods for doping nanostructured materials and nanostructured thin films
US8287942B1 (en) 2007-09-28 2012-10-16 Stion Corporation Method for manufacture of semiconductor bearing thin film material
US8058092B2 (en) 2007-09-28 2011-11-15 Stion Corporation Method and material for processing iron disilicide for photovoltaic application
US8759671B2 (en) 2007-09-28 2014-06-24 Stion Corporation Thin film metal oxide bearing semiconductor material for single junction solar cell devices
US20090087939A1 (en) * 2007-09-28 2009-04-02 Stion Corporation Column structure thin film material using metal oxide bearing semiconductor material for solar cell devices
US8614396B2 (en) * 2007-09-28 2013-12-24 Stion Corporation Method and material for purifying iron disilicide for photovoltaic application
US7998762B1 (en) 2007-11-14 2011-08-16 Stion Corporation Method and system for large scale manufacture of thin film photovoltaic devices using multi-chamber configuration
TW200945612A (en) * 2007-12-28 2009-11-01 Ulvac Inc Solar battery and method for manufacturing the same
TWI379427B (en) * 2007-12-31 2012-12-11 Ind Tech Res Inst Transparent solar cell module
TW200929578A (en) * 2007-12-31 2009-07-01 Ind Tech Res Inst Transparent sola cell module
DE102008009339A1 (de) * 2008-02-14 2009-09-24 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren zur Beschichtung mit leitfähigen und transparenten Zinkoxid-Schichten
US8440903B1 (en) 2008-02-21 2013-05-14 Stion Corporation Method and structure for forming module using a powder coating and thermal treatment process
US8772078B1 (en) 2008-03-03 2014-07-08 Stion Corporation Method and system for laser separation for exclusion region of multi-junction photovoltaic materials
US8075723B1 (en) 2008-03-03 2011-12-13 Stion Corporation Laser separation method for manufacture of unit cells for thin film photovoltaic materials
JP5352878B2 (ja) * 2008-03-31 2013-11-27 公立大学法人高知工科大学 表示用基板及びその製造方法並びに表示装置
US7939454B1 (en) 2008-05-31 2011-05-10 Stion Corporation Module and lamination process for multijunction cells
US8642138B2 (en) 2008-06-11 2014-02-04 Stion Corporation Processing method for cleaning sulfur entities of contact regions
US9087943B2 (en) 2008-06-25 2015-07-21 Stion Corporation High efficiency photovoltaic cell and manufacturing method free of metal disulfide barrier material
US8003432B2 (en) 2008-06-25 2011-08-23 Stion Corporation Consumable adhesive layer for thin film photovoltaic material
US8207008B1 (en) 2008-08-01 2012-06-26 Stion Corporation Affixing method and solar decal device using a thin film photovoltaic
US7855089B2 (en) 2008-09-10 2010-12-21 Stion Corporation Application specific solar cell and method for manufacture using thin film photovoltaic materials
US8026122B1 (en) 2008-09-29 2011-09-27 Stion Corporation Metal species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008110B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk sodium species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8008112B1 (en) 2008-09-29 2011-08-30 Stion Corporation Bulk chloride species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8501521B1 (en) 2008-09-29 2013-08-06 Stion Corporation Copper species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8476104B1 (en) 2008-09-29 2013-07-02 Stion Corporation Sodium species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8236597B1 (en) 2008-09-29 2012-08-07 Stion Corporation Bulk metal species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8394662B1 (en) 2008-09-29 2013-03-12 Stion Corporation Chloride species surface treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US7863074B2 (en) 2008-09-30 2011-01-04 Stion Corporation Patterning electrode materials free from berm structures for thin film photovoltaic cells
US8425739B1 (en) 2008-09-30 2013-04-23 Stion Corporation In chamber sodium doping process and system for large scale cigs based thin film photovoltaic materials
US7910399B1 (en) 2008-09-30 2011-03-22 Stion Corporation Thermal management and method for large scale processing of CIS and/or CIGS based thin films overlying glass substrates
US7947524B2 (en) 2008-09-30 2011-05-24 Stion Corporation Humidity control and method for thin film photovoltaic materials
US8383450B2 (en) 2008-09-30 2013-02-26 Stion Corporation Large scale chemical bath system and method for cadmium sulfide processing of thin film photovoltaic materials
US8741689B2 (en) 2008-10-01 2014-06-03 Stion Corporation Thermal pre-treatment process for soda lime glass substrate for thin film photovoltaic materials
US20110018103A1 (en) 2008-10-02 2011-01-27 Stion Corporation System and method for transferring substrates in large scale processing of cigs and/or cis devices
US8003430B1 (en) 2008-10-06 2011-08-23 Stion Corporation Sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
US8435826B1 (en) 2008-10-06 2013-05-07 Stion Corporation Bulk sulfide species treatment of thin film photovoltaic cell and manufacturing method
USD625695S1 (en) 2008-10-14 2010-10-19 Stion Corporation Patterned thin film photovoltaic module
US8168463B2 (en) 2008-10-17 2012-05-01 Stion Corporation Zinc oxide film method and structure for CIGS cell
TWI469224B (zh) * 2008-10-20 2015-01-11 Ind Tech Res Inst 有機薄膜電晶體及其製造方法
EP2180529A1 (en) * 2008-10-21 2010-04-28 Applied Materials, Inc. Transparent conductive zinc oxide film and production method thereof
EP2338178A1 (en) * 2008-10-21 2011-06-29 Applied Materials, Inc. Transparent conductive zinc oxide display film and production method therefor
US8344243B2 (en) 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
US20100133094A1 (en) * 2008-12-02 2010-06-03 Applied Materials, Inc. Transparent conductive film with high transmittance formed by a reactive sputter deposition
TW201025648A (en) * 2008-12-23 2010-07-01 Ind Tech Res Inst Transparent solar cell module and method of fabricating the same
FR2946335B1 (fr) * 2009-06-05 2011-09-02 Saint Gobain Procede de depot de couche mince et produit obtenu.
USD662040S1 (en) 2009-06-12 2012-06-19 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for garden lamp
USD628332S1 (en) 2009-06-12 2010-11-30 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for street lamp
USD632415S1 (en) 2009-06-13 2011-02-08 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for cluster lamp
USD662041S1 (en) 2009-06-23 2012-06-19 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for laptop personal computer
USD652262S1 (en) 2009-06-23 2012-01-17 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for cooler
US8507786B1 (en) 2009-06-27 2013-08-13 Stion Corporation Manufacturing method for patterning CIGS/CIS solar cells
USD627696S1 (en) 2009-07-01 2010-11-23 Stion Corporation Pin striped thin film solar module for recreational vehicle
US8398772B1 (en) 2009-08-18 2013-03-19 Stion Corporation Method and structure for processing thin film PV cells with improved temperature uniformity
US8809096B1 (en) 2009-10-22 2014-08-19 Stion Corporation Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials
US20110168257A1 (en) * 2010-01-11 2011-07-14 Vladimir Kochergin Solar Cell Structure
US8859880B2 (en) 2010-01-22 2014-10-14 Stion Corporation Method and structure for tiling industrial thin-film solar devices
US8263494B2 (en) 2010-01-25 2012-09-11 Stion Corporation Method for improved patterning accuracy for thin film photovoltaic panels
US9096930B2 (en) 2010-03-29 2015-08-04 Stion Corporation Apparatus for manufacturing thin film photovoltaic devices
US8461061B2 (en) 2010-07-23 2013-06-11 Stion Corporation Quartz boat method and apparatus for thin film thermal treatment
CN103348488B (zh) * 2010-09-22 2016-08-03 第一太阳能有限公司 具有金属硫氧化物窗口层的光伏装置
US8628997B2 (en) 2010-10-01 2014-01-14 Stion Corporation Method and device for cadmium-free solar cells
US8998606B2 (en) 2011-01-14 2015-04-07 Stion Corporation Apparatus and method utilizing forced convection for uniform thermal treatment of thin film devices
US8728200B1 (en) 2011-01-14 2014-05-20 Stion Corporation Method and system for recycling processing gas for selenization of thin film photovoltaic materials
US8436445B2 (en) 2011-08-15 2013-05-07 Stion Corporation Method of manufacture of sodium doped CIGS/CIGSS absorber layers for high efficiency photovoltaic devices

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT1048834B (it) * 1974-11-08 1980-12-20 Western Electric Co Cella fotovoltaica perfezionata
US4059443A (en) * 1975-01-09 1977-11-22 Xerox Corporation Electrical information storage system
JPS56103477A (en) * 1980-01-21 1981-08-18 Hitachi Ltd Photoelectric conversion element
JPS56143443A (en) * 1980-04-11 1981-11-09 Fuji Photo Film Co Ltd Electrically conductive support for electrophotographic material

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
THIN SOLID FILMS=1983 *

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02189973A (ja) * 1989-01-18 1990-07-25 Oki Electric Ind Co Ltd 受光素子の製造方法
JP5279814B2 (ja) * 2008-03-19 2013-09-04 三洋電機株式会社 太陽電池及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0204554A3 (en) 1987-04-08
EP0204554A2 (en) 1986-12-10
US4623601A (en) 1986-11-18

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