JPS6191973A - 耐熱性薄膜光電変換素子およびその製法 - Google Patents
耐熱性薄膜光電変換素子およびその製法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は耐熱性薄模光′ｉｆｉ笈挽素子およびその製法
に関する。
に関する。
［従来の技術〕
従来、薄膜光電変換素子の毘気的接続のために、半導体
上にＡ１、ＳＵＳ 、鉄、Ｘｉ、 Ｃｕ、しんちゅう、
Ｚｎ、 Ａｇなどの金Ｂｌ！Ｊが形成され、裏面電極と
して用いられている。
上にＡ１、ＳＵＳ 、鉄、Ｘｉ、 Ｃｕ、しんちゅう、
Ｚｎ、 Ａｇなどの金Ｂｌ！Ｊが形成され、裏面電極と
して用いられている。
しかし、このようにして製造された薄ね光電変換素子を
５０℃程度以上の温度で使用すると、電気的接続に用い
た合成が半導体中に拡散し、半導体特性が低下する。と
くに金属層が接触する半導体が非晶質のばあいには、半
導体特性の低下が著しい。とりわけ屋外にＦＩ雷される
アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉという）系太陽
電池のばあいには約８０℃にもなり、太陽電池特性の低
下が著しい。
５０℃程度以上の温度で使用すると、電気的接続に用い
た合成が半導体中に拡散し、半導体特性が低下する。と
くに金属層が接触する半導体が非晶質のばあいには、半
導体特性の低下が著しい。とりわけ屋外にＦＩ雷される
アモルファスシリコン（以下、ａ−３ｉという）系太陽
電池のばあいには約８０℃にもなり、太陽電池特性の低
下が著しい。
なおりロムを裏面Ｉｍとして用いると、光の反射率、電
気伝ｙｓ度ともに前記＾］などの金属と比較して劣るの
で、クロムを裏面ＩＩとして用いた薄膜光電変換素子の
性能は低く、一般には使用されていない。
気伝ｙｓ度ともに前記＾］などの金属と比較して劣るの
で、クロムを裏面ＩＩとして用いた薄膜光電変換素子の
性能は低く、一般には使用されていない。
［発明が解決しようとする問題点］
本発明はＮ収光電変換素子を高温で使用したばあいに主
する、電気的接続用の金属層（裏面ｆｆｉ極〉の半導体
中への拡散による薄膜光電変換素子の特性の低下を、裏
面電極面での反射光の損失をおこさないようにして少な
くするためになされたものである。
する、電気的接続用の金属層（裏面ｆｆｉ極〉の半導体
中への拡散による薄膜光電変換素子の特性の低下を、裏
面電極面での反射光の損失をおこさないようにして少な
くするためになされたものである。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、半導体と裏面電極との間に、厚さ５〜１００
０人のクロム含有率１〜９０アトミック％のシリコン１
ｉｉ（以下、Ｃｒ−３ｉ ｐ、という）ヲ設ケたことを
特徴とする耐熱性薄膜光電変換素子、および半導体と裏
面′！４１ｊとの間に厚さ５〜１０００人のｃｒ−ｓｉ
＠を設けた耐熱性ｗＩ膜光′Ｒ１！換素子を製造する
際に、半導体−Ｃｒ−３％層−衷面′ｒｉ極からなる層
を形成したのち、１８０℃〜成脹温度で０．５〜４時間
熱処理りることを特徴とする耐熱性１ｍ光電変換素子の
製法に関する。
０人のクロム含有率１〜９０アトミック％のシリコン１
ｉｉ（以下、Ｃｒ−３ｉ ｐ、という）ヲ設ケたことを
特徴とする耐熱性薄膜光電変換素子、および半導体と裏
面′！４１ｊとの間に厚さ５〜１０００人のｃｒ−ｓｉ
＠を設けた耐熱性ｗＩ膜光′Ｒ１！換素子を製造する
際に、半導体−Ｃｒ−３％層−衷面′ｒｉ極からなる層
を形成したのち、１８０℃〜成脹温度で０．５〜４時間
熱処理りることを特徴とする耐熱性１ｍ光電変換素子の
製法に関する。
［実施例］
本発明に用いる半導体としては、非晶質または結晶質を
含む非晶五半轡体であればとくに限定はない。このよう
な半導体の具体例としては、ａ−３ｉ：Ｈ、ａ−５ｉ：
Ｆ ：Ｈ、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ％ａ−ＳｉＳｎ：Ｈ、ａ
−３ｉＮ ：Ｈ％ ａ−３ｉＧｅ：Ｆ ：Ｈ、ａ−
ＳｉＳｎ： Ｆ ：Ｈ、ａ−３ｉ：Ｎ ：Ｆ ：
Ｈ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ、ａ−６ｉＣ：Ｆ ：Ｈ、ａ−５ｉ
Ｏ：Ｈ、ａ−３ｉＯ：Ｆ ：Ｈなどがあげれらる。
含む非晶五半轡体であればとくに限定はない。このよう
な半導体の具体例としては、ａ−３ｉ：Ｈ、ａ−５ｉ：
Ｆ ：Ｈ、ａ−３ｉＧｅ：Ｈ％ａ−ＳｉＳｎ：Ｈ、ａ
−３ｉＮ ：Ｈ％ ａ−３ｉＧｅ：Ｆ ：Ｈ、ａ−
ＳｉＳｎ： Ｆ ：Ｈ、ａ−３ｉ：Ｎ ：Ｆ ：
Ｈ、ａ−ＳｉＣ：Ｈ、ａ−６ｉＣ：Ｆ ：Ｈ、ａ−５ｉ
Ｏ：Ｈ、ａ−３ｉＯ：Ｆ ：Ｈなどがあげれらる。
前記半導体は、ｐ型、ｎ型、真性のいずれであってもよ
いが、とくにｎ型半導体と裏面Ｔｉ極が接するばあいに
は、本発明の効果であるｉａｉ′ｆＡ使用による性能低
下が著しく改善されるため好ましい。
いが、とくにｎ型半導体と裏面Ｔｉ極が接するばあいに
は、本発明の効果であるｉａｉ′ｆＡ使用による性能低
下が著しく改善されるため好ましい。
本発、明に用いる裏面Ｎ極は、薄膜充電変換素子の電気
的接続に用いるクロム以外の金属または合金から形成さ
れた裏面電極であればとくに限定されるものではない。
的接続に用いるクロム以外の金属または合金から形成さ
れた裏面電極であればとくに限定されるものではない。
このような裏面電極の具体例としては、ＡＩ、Ａｇ、Ａ
ｕ１ＳＯ３、Ｎｉ％Ｃｕ。
ｕ１ＳＯ３、Ｎｉ％Ｃｕ。
しんちゅう、鉄、Ｉｎ、Ｔｉなど、好ましくは可視光の
反射率が２０〜９９％、さらに好ましくは４５〜９９％
と高り、電気伝導度が０．１ｘ１０Ｓ 〜６．２ｘ１０
５（Ω・ｃｍ） −’と大きい金属から形成された電極
があげられるがこれらに限定されるものではない。前記
光の反射率が高く、電気伝導度の大きい裏面電極として
は、Ｃｕ、Ａｇなとの金属から形成された裏面電極があ
げられる。なお裏面電極は単層であってもよく、多層で
あってもよいが、多層のばあいにはＣｒ −３ｉ層に接
する層が光の反射率が高く、電気伝導度の大きい金属層
であることが、反射光の有効利用、直列抵抗の低下など
の点から好ましい。
反射率が２０〜９９％、さらに好ましくは４５〜９９％
と高り、電気伝導度が０．１ｘ１０Ｓ 〜６．２ｘ１０
５（Ω・ｃｍ） −’と大きい金属から形成された電極
があげられるがこれらに限定されるものではない。前記
光の反射率が高く、電気伝導度の大きい裏面電極として
は、Ｃｕ、Ａｇなとの金属から形成された裏面電極があ
げられる。なお裏面電極は単層であってもよく、多層で
あってもよいが、多層のばあいにはＣｒ −３ｉ層に接
する層が光の反射率が高く、電気伝導度の大きい金属層
であることが、反射光の有効利用、直列抵抗の低下など
の点から好ましい。
本発明においては、斗尋体と裏面Ｔｉ極との間に厚さ
５〜１０００人、好ましくは５〜５００人、さらに好ま
しくは５〜３００人のクロム含有率 １〜９０アトミッ
ク％、好ましくは １〜５０アトミック％のシリコン層
（Ｃｒ−３ｉ １％）が設けられている。
５〜１０００人、好ましくは５〜５００人、さらに好ま
しくは５〜３００人のクロム含有率 １〜９０アトミッ
ク％、好ましくは １〜５０アトミック％のシリコン層
（Ｃｒ−３ｉ １％）が設けられている。
該Ｃｒ−３ｉ層の厚さが５人未渦になると、均一で品質
のよい尼がえられなくなったり、裏面電極を形成する金
属の半導体中への熱による拡ｎｌを充分防止することが
できなくなったりする。
のよい尼がえられなくなったり、裏面電極を形成する金
属の半導体中への熱による拡ｎｌを充分防止することが
できなくなったりする。
また層の厚さが１００ＯＡをこえると、該層が存在する
ために直列電気抵抗が増したり、光の吸収が増し、裏面
電極面での反則光が少なくなったり、Ｃｒ−３ｉ Ｒの
形成に時開がかかったりするという問題が生ずる。
ために直列電気抵抗が増したり、光の吸収が増し、裏面
電極面での反則光が少なくなったり、Ｃｒ−３ｉ Ｒの
形成に時開がかかったりするという問題が生ずる。
一方３Ｃｒ−Ｓｉ層中におけるクロム含有率が１アトミ
ック５未満になると、着面電極を形成する金属の半導体
中への熱による拡散を充分防止することができなくなっ
たりする。またクロム含有率が９０アトミック％をこえ
ると光透過率が低下し、裏面金属面での反射光を充分利
用できなくなる。
ック５未満になると、着面電極を形成する金属の半導体
中への熱による拡散を充分防止することができなくなっ
たりする。またクロム含有率が９０アトミック％をこえ
ると光透過率が低下し、裏面金属面での反射光を充分利
用できなくなる。
このようなＣｒ−３ｉ層の光吸収係数としては、波長０
．・４〜０．７μｍの光に対して１０８〜１０４ Ｃ１
−１であることが好ましい。
．・４〜０．７μｍの光に対して１０８〜１０４ Ｃ１
−１であることが好ましい。
つぎに本発明の耐熱性薄膜光電変換素子の製法を、先入
１３１側から順にｐ型、１型、ｐ型の半導体を設けた太
１電池を例にとり説明する。
１３１側から順にｐ型、１型、ｐ型の半導体を設けた太
１電池を例にとり説明する。
なお本明ａ賞にいう薄膜光電変換素子とは、厚さ１０２
〜１０１人程度の半導体層、好ましくは０．０２〜１０
０μｍの非晶質半導体層を含む、たとえば太Ｍ ７Ｈ池
、光検出素子、光１面ドラム、レーザーエレクトロルミ
ネッセンス素子などで代表される光で変操素子を意味す
る。
〜１０１人程度の半導体層、好ましくは０．０２〜１０
０μｍの非晶質半導体層を含む、たとえば太Ｍ ７Ｈ池
、光検出素子、光１面ドラム、レーザーエレクトロルミ
ネッセンス素子などで代表される光で変操素子を意味す
る。
まず透明−欅を設けた透ｒＩ＋１基板上に、常法ニより
非晶質の０層、１層、０判を形成する、そののちケイ素
化クロムを用いて通常の電子ビーム蒸着法により、所定
の厚さの層を形成する。
非晶質の０層、１層、０判を形成する、そののちケイ素
化クロムを用いて通常の電子ビーム蒸着法により、所定
の厚さの層を形成する。
ケイ素化クロムの組成は所望覆るＣｒ−３ｉ 膚の組成
に応じて適宜選択１ればよい。もちろんクロムをスパッ
ター用ターゲットを用いてスパッター法により堆積させ
・ながら、グロー放電分解法などによりシリコンをバ（
積させ、層を形成したりしてもよいが、蒸着または電子
ビーム蒸着法により形成するのが好ましい。そのほかｎ
型半導体層を形成したのもその表層にＣｒをＦＡ’？Ａ
させ、２００〜２５０℃で０．５〜４ＩＯ間熱処理した
のちクロム層をエツチングしてＣｒ−３ｉ層を形成して
もよい。このような方法によりクロム含有率約２〜２０
アトミック％、厚さ約５〜３００人のＣｒ−５ｉ層を形
成することができる。
に応じて適宜選択１ればよい。もちろんクロムをスパッ
ター用ターゲットを用いてスパッター法により堆積させ
・ながら、グロー放電分解法などによりシリコンをバ（
積させ、層を形成したりしてもよいが、蒸着または電子
ビーム蒸着法により形成するのが好ましい。そのほかｎ
型半導体層を形成したのもその表層にＣｒをＦＡ’？Ａ
させ、２００〜２５０℃で０．５〜４ＩＯ間熱処理した
のちクロム層をエツチングしてＣｒ−３ｉ層を形成して
もよい。このような方法によりクロム含有率約２〜２０
アトミック％、厚さ約５〜３００人のＣｒ−５ｉ層を形
成することができる。
そののち裏面電極を常法により堆積させることにより、
本発明の耐熱性薄膜光電変換素子がえられる。
本発明の耐熱性薄膜光電変換素子がえられる。
上記説明ではｐｉｎ型太１１電池について説明したが、
ショットキ型やｐｎ型の太Ｉ！電池あるいは他の光電変
換素子についても同様である。また太陽電池はへテロ接
合の太陽電池であってもよく、ホモ接合の太陽電池であ
ってもよい。
ショットキ型やｐｎ型の太Ｉ！電池あるいは他の光電変
換素子についても同様である。また太陽電池はへテロ接
合の太陽電池であってもよく、ホモ接合の太陽電池であ
ってもよい。
このようにして作製された本発明の耐熱性薄膜光電変換
素子は、このままでも加熱による光電変換素子特性の低
下が少なく良好な特性を有するものであるが、さらに１
８０℃〜成膜ｆＡｒＸ（１８０〜４００℃程１！［＞
テ０．５〜４９１２１程１１１ｍ処理すると、半導体層
／ｃｒ−ｓ＊層／”裏面電極間の接触をよくすることが
でき、その界面の直列抵抗を減少させることができる。
素子は、このままでも加熱による光電変換素子特性の低
下が少なく良好な特性を有するものであるが、さらに１
８０℃〜成膜ｆＡｒＸ（１８０〜４００℃程１！［＞
テ０．５〜４９１２１程１１１ｍ処理すると、半導体層
／ｃｒ−ｓ＊層／”裏面電極間の接触をよくすることが
でき、その界面の直列抵抗を減少させることができる。
このようにして製造される本発明の耐熱性薄膜光電変換
素子は、たとえば５０℃以上のような７３温で使用され
る、あるいは使用中に５０℃以上になることがあるよう
な用途に使用される太陽電池や光検出素子などとして好
適に使用される。
素子は、たとえば５０℃以上のような７３温で使用され
る、あるいは使用中に５０℃以上になることがあるよう
な用途に使用される太陽電池や光検出素子などとして好
適に使用される。
とくに屋外に設置され、使用温度が８０℃にもなる太陽
？δ池に用いたばあいに、本発明の効果が大きく発揮ぎ
れる。
？δ池に用いたばあいに、本発明の効果が大きく発揮ぎ
れる。
つぎに本発明の耐熱性な膜光電変換素子を実施例にもと
づき説明する。
づき説明する。
実施例１
厚さ１０００人のＩＴＯ／ ５ｎＯｚ透明電極を設けた
厚ざ１ｊＩ１１の青板ガラス基板−しに、基板温度約２
００℃、圧力的Ｉ Ｔｏｒｒにて、５ｉＨｘ、Ｂ２Ｈ，
からなる混合ガス、５ｉｌｌａ 、１１２からなる混合
ガス、５ｉｌｌｚ 、ＰＩＩ３からなる８合ガスをこの
順に用いて、グロー放電分解法にてそれぞれアモルフ？
スタイブのｐ茗を１２０人、１層を５０００人、１層１
層を５００ムの厚さになるように堆積させた。
厚ざ１ｊＩ１１の青板ガラス基板−しに、基板温度約２
００℃、圧力的Ｉ Ｔｏｒｒにて、５ｉＨｘ、Ｂ２Ｈ，
からなる混合ガス、５ｉｌｌａ 、１１２からなる混合
ガス、５ｉｌｌｚ 、ＰＩＩ３からなる８合ガスをこの
順に用いて、グロー放電分解法にてそれぞれアモルフ？
スタイブのｐ茗を１２０人、１層を５０００人、１層１
層を５００ムの厚さになるように堆積させた。
そののら、クロム層を電子ビームＭＵ法にてｉｏ−ｇ
Ｔｏｒｒで膜厚が １００人になるようにｎｗＪ上に堆
積させたのら、２１０℃で２時間熱処理し、ついでクロ
ムをエツチーングして、＾１を１０００人ｆｆｔ ｆ＾
させた。ついで２００℃で２的間然処理して太ｍ電池を
製造した。
Ｔｏｒｒで膜厚が １００人になるようにｎｗＪ上に堆
積させたのら、２１０℃で２時間熱処理し、ついでクロ
ムをエツチーングして、＾１を１０００人ｆｆｔ ｆ＾
させた。ついで２００℃で２的間然処理して太ｍ電池を
製造した。
えられた太陽電池の０層、１層、ｎ１ｉ５はそれぞれ１
２０人、５ｏｏｏ人、３００人、クロム含有率１０アト
ミック％のＣｒ−３ｉ Ｉｌｌ！約１００人、Ａ１ｗ！
Ｊ＋！１０００人であった。
２０人、５ｏｏｏ人、３００人、クロム含有率１０アト
ミック％のＣｒ−３ｉ Ｉｌｌ！約１００人、Ａ１ｗ！
Ｊ＋！１０００人であった。
えられた太陽電池の特性および２３０℃で２時間加熱し
たのちの特性をＡＨ−１，１００１１Ｗ／ｃｍのソーラ
ーシミュレーターを用いて測定した。その結果を第１表
に示す。
たのちの特性をＡＨ−１，１００１１Ｗ／ｃｍのソーラ
ーシミュレーターを用いて測定した。その結果を第１表
に示す。
実施例２
２００℃で２時間熱処理しなかったほかは実施例１と同
様にして太［池を作製し、えられた太Ｉｌ！電池の特性
および２３０℃で２時間加熱したのちの特性を測定した
。その結果を第１表に示す。
様にして太［池を作製し、えられた太Ｉｌ！電池の特性
および２３０℃で２時間加熱したのちの特性を測定した
。その結果を第１表に示す。
比較例１
クロム府を設けて熱処理し、エツチングすることを行な
わなかったほかは実施例１と同様にして太ＦＩＴ＋池を
作製し、えられた太ｇ！電池の特性および２３０℃で２
時間加熱したのちの特性を測定した。その結果を第１表
に示す。
わなかったほかは実施例１と同様にして太ＦＩＴ＋池を
作製し、えられた太ｇ！電池の特性および２３０℃で２
時間加熱したのちの特性を測定した。その結果を第１表
に示す。
比較例２
ＡＩ＠面π（本をＣｒ裏面電極にしたほかは比較例１と
同様にして太ＩＷ？’ｌ池を作製し、えられた太陽電池
の特性および２３０℃で２［１５間加熱したのちの特性
を測定した。その結果を第１表に示す。
同様にして太ＩＷ？’ｌ池を作製し、えられた太陽電池
の特性および２３０℃で２［１５間加熱したのちの特性
を測定した。その結果を第１表に示す。
［以下余白１
［発明の効果］
以上説明したように、薄膜光電変換素子を製造するばあ
いに、半導体と裏面電極との間にＣｒ−５ｉ Ｆｍを設
けることにより、河が光電変！！！！素子を高温で使用
したばあいにも、裏面′Ｆｉ極を構成する金属成分が半
導体中に拡散することを防ご、：［！光電変換紫子の低
下を少なくすることができる。また半導体−Ｃｒ−３ｉ
層−裏面′ｆＩｉ極を積層させたのち１８０℃〜成りｌ
温度で０．５〜４時間熱処理することにより、えられる
耐熱性薄膜光電変換数子特性（とくに太［池特性のフィ
ルファクター）をさらに改良することができる。
いに、半導体と裏面電極との間にＣｒ−５ｉ Ｆｍを設
けることにより、河が光電変！！！！素子を高温で使用
したばあいにも、裏面′Ｆｉ極を構成する金属成分が半
導体中に拡散することを防ご、：［！光電変換紫子の低
下を少なくすることができる。また半導体−Ｃｒ−３ｉ
層−裏面′ｆＩｉ極を積層させたのち１８０℃〜成りｌ
温度で０．５〜４時間熱処理することにより、えられる
耐熱性薄膜光電変換数子特性（とくに太［池特性のフィ
ルファクター）をさらに改良することができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体と裏面電極との間に、厚さ５〜１０００Åの
クロム含有率１〜９０アトミック％のシリコン層を設け
たことを特徴とする耐熱性薄膜光電変換素子。 ２ 前記シリコン層の光吸収係数が波長０．４〜０．７
μｍの光に対して１０＾６〜１０＾４ｃｍ＾−＾１であ
る特許請求の範囲第１項記載の耐熱性薄膜光電変換素子
。 ３ 前記シリコン層の厚さが５〜３００Åである特許請
求の範囲第１項記載の耐熱性薄膜光電変換素子。 ４ 半導体が厚さ０．０２〜１００μｍの非晶質薄膜で
ある特許請求の範囲１項記載の耐熱性薄 膜光電変換素子。 ５ 裏面電極を形成する金属の可視光に対する反射率が
２０〜９９％で、電気伝導度が０．１×１０＾５〜６．
２×１０＾５（Ω・ｃｍ）＾−＾１である特許請求の範
囲第１項記載の耐熱性薄膜光電変換素子。 ６ 半導体と裏面電極との間に、厚さ５〜１０００Åの
クロム含有率１〜９０アトミック％のシリコン層を設け
た耐熱性薄膜光電変換素子を製造する際に、半導体−厚
さ５〜１０００Åのクロム含有率１〜９０アトミック％
のシリコン層−裏面電極からなる層を形成したのち、１
８０℃〜成膜温度で０．５〜４時間熱処理することを特
徴とする耐熱性薄膜光電変換素子の製法。
Priority Applications (9)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213943A JPS6191973A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 耐熱性薄膜光電変換素子およびその製法 |
| AU43651/85A AU576594B2 (en) | 1984-06-15 | 1985-06-13 | Heat-resistant thin film photoelectric converter |
| CA483934A CA1270931C (en) | 1984-06-15 | 1985-06-13 | HEAT-INSENSITIVE THIN-FILM PHOTOELECTRIC CONVERTER WITH AN ANTI-DIFFUSION LAYER |
| DE8585107371T DE3581561D1 (de) | 1984-06-15 | 1985-06-14 | Waermebestaendiger photoelektrischer duennschicht-konverter. |
| SU853913608A RU2024112C1 (ru) | 1984-10-11 | 1985-06-14 | Тонкопленочный фотоэлектрический преобразователь и способ его изготовления |
| KR1019850004216A KR910005761B1 (ko) | 1984-06-15 | 1985-06-14 | 내열성 박막광전 변환기 및 그의 제조방법 |
| EP85107371A EP0165570B1 (en) | 1984-06-15 | 1985-06-14 | Heat-resistant thin film photoelectric converter |
| CN85104921A CN1003267B (zh) | 1984-10-11 | 1985-06-27 | 耐热薄膜光电转换器 |
| US06/942,644 US4765845A (en) | 1984-06-15 | 1986-12-17 | Heat-resistant thin film photoelectric converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59213943A JPS6191973A (ja) | 1984-10-11 | 1984-10-11 | 耐熱性薄膜光電変換素子およびその製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6191973A true JPS6191973A (ja) | 1986-05-10 |
Family
ID=16647612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59213943A Pending JPS6191973A (ja) | 1984-06-15 | 1984-10-11 | 耐熱性薄膜光電変換素子およびその製法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6191973A (ja) |
| RU (1) | RU2024112C1 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63157483A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| WO2014181586A1 (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-13 | 株式会社豊田自動織機 | 太陽光－熱変換部材、太陽光－熱変換積層体、太陽光－熱変換装置及び太陽熱発電装置 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102113138A (zh) * | 2008-08-01 | 2011-06-29 | 欧瑞康太阳Ip股份公司（特吕巴赫） | 用于制作光伏电池结构的方法 |
| FR2939239B1 (fr) * | 2008-12-03 | 2010-12-31 | Ecole Polytech | Module photovoltaique comprenant une electrode transparente conductrice d'epaisseur variable et procedes de fabrication d'un tel module |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5858777A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JPS58101469A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Seiko Epson Corp | 薄膜太陽電池 |
| JPS60211880A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
-
1984
- 1984-10-11 JP JP59213943A patent/JPS6191973A/ja active Pending
-
1985
- 1985-06-14 RU SU853913608A patent/RU2024112C1/ru active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5858777A (ja) * | 1981-10-05 | 1983-04-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| JPS58101469A (ja) * | 1981-12-11 | 1983-06-16 | Seiko Epson Corp | 薄膜太陽電池 |
| JPS60211880A (ja) * | 1984-04-05 | 1985-10-24 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置の作製方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63157483A (ja) * | 1986-12-22 | 1988-06-30 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JPH0543306B2 (ja) * | 1986-12-22 | 1993-07-01 | Kanegafuchi Chemical Ind | |
| WO2014181586A1 (ja) * | 2013-05-07 | 2014-11-13 | 株式会社豊田自動織機 | 太陽光－熱変換部材、太陽光－熱変換積層体、太陽光－熱変換装置及び太陽熱発電装置 |
| JP2014238252A (ja) * | 2013-05-07 | 2014-12-18 | 株式会社豊田自動織機 | 太陽光−熱変換部材、太陽光−熱変換積層体、太陽光−熱変換装置及び太陽熱発電装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2024112C1 (ru) | 1994-11-30 |
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