JP2751975B2 - 半導体処理装置のロードロック室 - Google Patents

半導体処理装置のロードロック室

Info

Publication number
JP2751975B2
JP2751975B2 JP3337341A JP33734191A JP2751975B2 JP 2751975 B2 JP2751975 B2 JP 2751975B2 JP 3337341 A JP3337341 A JP 3337341A JP 33734191 A JP33734191 A JP 33734191A JP 2751975 B2 JP2751975 B2 JP 2751975B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
load lock
cassette
lock chamber
chamber
vacuum
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP3337341A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH05174776A (ja
Inventor
康継 宇佐見
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP3337341A priority Critical patent/JP2751975B2/ja
Priority to US07/985,200 priority patent/US5478195A/en
Priority to GB9226011A priority patent/GB2262656B/en
Publication of JPH05174776A publication Critical patent/JPH05174776A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2751975B2 publication Critical patent/JP2751975B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67167Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67196Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67745Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber characterized by movements or sequence of movements of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67775Docking arrangements
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/137Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はロードロック機構を有す
る半導体処理装置に関わり、とくに装置を小型化し、処
理スピードの向上して自動化ラインに適合するようにし
た半導体処理装置のロードロック室に関する。
【0002】
【従来の技術】従来のイオン打込装置、スパッタ装置、
エッチング装置等の半導体処理装置ではそれらの処理を
真空下で行う必要があるため、真空室を構成してその中
にウェハを搬送するようにし、真空の処理室とウエハを
収容したカセットの投入、取り出しを行う室間をゲート
バルブで区切ったロードロック機構を設けて処理能力を
向上するようにしていた。
【0003】特願昭59−21146号公報には、連続
搬送機構により上記ゲートバルブを開閉してカセットを
真空処理室へ移行し順次処理することが開示されてい
る。また、米国特許4,836,733号公報には、複
数個のカセット毎にロードロック室を設け、各ロードロ
ック室からウェハを真空処理室に出し入れすることが開
示されている。また、特開平2−39523号公報に
は、真空ロードロック室を中心にして略90度毎の間隔
で例えば3つの真空処理室をそれぞれのゲートバルブを
介して同心円状に配置し、ウエハを真空ロードロック室
に搬送してから上記3つの真空処理室の一つに搬送する
ことが開示されている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体処理装置
においては処理時間が長く処理コストが大きい点が問題
となっていた。一般に上記ゲートバルブは大きなスペー
スを要し非常な高価格であるうえ、これに伴う排気シス
テムが複雑なため多大な時間と労力を費やしてメンテナ
ンスし信頼性を維持するようにしていた。
【0005】上記特願昭59−21146号公報の方法
では、カセツトを連続搬送機構により順次処理して行く
為、真空処理室の前後で2つのロードロック室を要し、
さらに各室を区切るゲートバルブが最低4ヶ所必要とな
るため、各室毎の排気系とそれに伴う複雑な制御系、な
らびに多くの真空バルブが必要となる。
【0006】上記米国特許4,836,733号公報の
方法においても同様に排気システムが増大し、各ロード
ロック室部の機構部品の増大により信頼性が低下すると
いう問題があった。さらに、上記複数のロードロック室
に対応してウェハ取り出し位置(アクセスポイント)も
複数になるため、下記の問題を伴っていた。 (1)ウェハを真空処理室へ搬送する真空ロボット等の
搬送手段を複数設けたり、あるいは搬送手段の移動機構
を加える必要があり、このため真空室内の複雑な精密機
構部を最小限にして信頼性の向上を図ることが困難であ
る。
【0007】(2)ロードロック室から処理室へウェハ
を搬送する毎に、真空ロボット等の搬送手段をロードロ
ック室のアクセスポイントに移動させる必要上、移動時
間によりスループットが低下する。 (3)ロードロック室のカセット投入/取出し位置が複
数あるため、カセットを自動化ラインの無人搬送車によ
り搬送して上記カセット投入/取出し口のいずれかに投
入する場合、各カセット投入/取出し口毎に停止位置を
設定して位置確認用センサーを設け、無人搬送車を停止
させてカセットの位置を調整し、その結果を上位コンピ
ューターにより確認するようにするため、無人搬送車の
制御が複雑化する。上記難点は短い距離の間に多数のカ
セット投入/取出し口を設置することが原因とであり、
これにより作業が多様化して自動化が困難になる。ま
た、隣接するロードロック室との干渉が発生するという
問題も発生する。
【0008】特開平2−39523号公報の方法では、
真空ロードロック室に投入したウエハを周辺の3つの真
空処理室のいずれかに搬送して対応する真空処理を行う
ことができるものの、一枚のウエハを処理している間は
他の真空処理室が遊ぶことになり効率が悪いという問題
があった。
【0009】本発明の目的は上記従来装置の問題点に鑑
み、単一のゲートバルブを介して複数個のカセットを同
時にロードロック室に投入できるようにし、ロードロッ
ク室内の複数のカセットをロードロック室周辺部に設け
た複数の真空処理室にロ−ドして各真空処理を並行して
行うようにして、スループットを向上し、さらに機構を
簡略化して信頼性を向上させることにある。また上記ロ
ードロック室内の複数のカセットを指定された真空処理
室に迅速、正確、安定に移動してカセットを一旦大気中
に取り出すことなく複数の真空処理を連続して行って、
ウエハの汚染を防止し、同じにスループットを向上する
ことのできる半導体処理装置のロードロック室を提供す
ることにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明に係る半導体処理装置のロードロック室の構成
は、半導体処理装置のロードロック室において、半導体
ウエハを搭載したカセットを外部より出し入れするため
の第一のゲートバルブと、該ロードロック室の外周に沿
って等角度間隔で配置され、該半導体ウエハの搬送機構
をそれぞれ内設した複数の真空処理室と、該ロードロッ
ク室の外周に沿って等角度間隔で配置され、該カセット
内の半導体ウエハを搬送・搬出するため上記ロードロッ
ク室と上記複数の真空処理室とをそれぞれ接続する複数
の第二のゲートバルブと、上記ロードロック室内に回転
テーブルと、上記回転テーブル上に、該回転テーブルに
対して上記カセットを傾けて搭載できる複数の搭載手段
と、上記回転テーブルの回転位置を制御すると共に、該
搭載手段の傾き角を制御する制御装置とを具備したこと
を特徴とするものである
【0011】前記半導体処理装置のロードロック室にお
いて、それぞれ上下方向へ搭載部を複数段設けた前記複
数の搭載手段と、該各搭載手段の複数搭載部の一端を上
記回転テーブルに連結するヒンジと、該各複数段搭載部
のそれぞれの傾きを上記ロ−ドロック室の外部より真空
シ−ル部を介して同時に上下に傾けて制御する駆動装置
とを備え、前記半導体ウエハを真空処理室側に搬送しも
しくは真空処理室側からの搬出時には、上記搭載手段で
上記カセットを水平に維持できるようにしたことを特徴
とするものである。前記半導体処理装置のロードロック
室において、該第二のゲートバルブに対応して等角度間
隔位置にカセットを配置する上記複数の搭載手段を備
え、上記複数の搭載手段上のカセット内の所定の半導体
ウエハを、別個にもしくは同時に所定の第二のゲートバ
ルブを介して該真空処理室側に搬送しまたは該真空処理
室側から搬出するようにしたことを特徴とするものであ
る。
【0012】
【作用】上記回転テーブルは複数のカセットを搭載して
所定のカセットを所定のゲートバルブ前に搬送する。ま
た、上記ゲートバルブを介して所定の真空処理室側に上
記カセット内の所定のウエハを搬送して真空処理する。
さらに、複数のウエハをそれぞれ所定の真空処理室側に
同時に搬送して並行して処理する。また、上記回転テー
ブル上の複数のカセット内の複数のウエハをロードロッ
ク室の一度の真空排気中に連続して真空処理する。
【0013】また、上記各カセットを少なくとも回転テ
ーブルの回転時には傾けて、遠心力による各カセット内
のウエハの飛び出しを防止する。また、上記回転テーブ
ル上に複数のカセットを積層して搭載してロードロック
室の一度の真空排気中に真空処理するウエハ枚数を増加
させる。
【0014】
【実施例】図1は本発明による半導体製造装置用ロード
ロック室実施例の正面断面図、図2は同上面断面図であ
る。図1、および図2において、複数のカセット101
〜104等をゲートバルブ11を介して大気中からロー
ドロック室1内の回転テーブル2上に装着する。次い
で、ゲートバルブ11を閉じてロードロック室1内を真
空に排気し、回転テーブル2を回転してカセットを所要
の真空の処理室のゲートバルブ位置に移動し、そのゲー
トバルブを開いて処理室内に搬送する。
【0015】例えばカセット102内のウエハを処理室
153にて処理する場合には、回転テーブル2を回転し
てカセット102をゲートバルブ143の位置に移動
し、ゲートバルブ143を開いて搬送ロボット163に
よりカセット102内の所定のウエハを取り出し処理室
153内に搬送する。
【0016】ゲートバルブ141〜143等をロードロ
ック室の外周に沿って等角度間隔に配置し、また、カセ
ットカセット101〜104等も回転テーブル2上に上
記等角度間隔で搭載すると、一つのカセットが所定の処
理室前に同時に搬送されたときに、他のカセットも他の
ゲートバルブの前に同時に搬送されるので、各カセット
内のウエハをそれぞれの処理室内の搬送ロボットにより
各処理室内に同時に搬送することができる。すなわち、
回転テーブル2の1回の回転によりカセット101〜1
04内のウエハを処理室151〜153内に別個に、ま
た同時に搬送して処理することができる。
【0017】また、一つのカセットが所定の処理室前に
搬送されたときに、他のカセットが所定の処理室の前に
来なければ、次ぎの回転テーブル2の回転によりそのカ
セットを所定の処理室前に搬送し、その処理室内の搬送
ロボットにより搬送するようにする。上記の動作により
ロードロック室1の1回の排気により複数のウエハを同
時、または連続して真空処理することができ、装置のス
ル−プットを早めることができる。
【0018】なお、カセット101〜104等は、例え
ば8吋のウエハを25枚程度収納する。また、回転テー
ブル2を大きくすれば、回転テーブル2上に搬送するカ
セット数を増やすことができ、さらにロ−ドロック室1
も大きくなるのでその周辺部に接続する処理室数も増や
すことができ、これによりロードロック室1の1回の排
気により処理できるウエハ数と処理の種類を増やすこと
ができる。
【0019】図1において、回転テーブル2は回転軸3
により回転し、回転軸3は気密用のOリング5や磁気シ
−ルド軸を介して大気側の動力系4に接続されて駆動さ
れる。制御ユニット17は回転軸3に取付けたエンコー
ダやスリット応用の位置検出器6の回転位置信号を取り
込んで回転テーブル2の回転位置を制御し、各カセット
を所定位置に移動する。
【0020】回転テーブル2上にはカセットを搭載する
カセットテーブル91〜94等が設けられる。カセット
テーブル91〜94の一端は図示のように回転テ−ブル
2の外周部にヒンジ接続され、その傾きを変えられるよ
うになっている。回転テ−ブル2が所定の位置に停止す
ると、ロ−ドロック室1の底部に設けられたエアシリン
ダ(駆動系)71〜74のロッド711〜741が回転
テ−ブル2に設けた小穴を介して上昇し、カセットテー
ブル91〜94を略水平に押し上げる。なお、ロッド7
11〜741はそれぞれ気密用のOリング81〜84を
介してロ−ドロック室1内に挿入されている。
【0021】制御ユニット17は電磁バルブ18を介し
て各エアシリンダ71〜74を駆動し、各カセットテー
ブル91〜94の傾きを制御する。上記カセットテーブ
ル91〜94が水平に保たれた状態で、上記ゲートバル
ブ11を介するカセットの挿入、取り出しや、ゲートバ
ルブ141〜144を介するカセットの挿入、取り出し
等が行われる。
【0022】上記カセットの挿入、取り出しが完了する
と、エアシリンダ71〜74はロッド711〜741を
回転テ−ブル2の下に降下させ回転テ−ブル2を回転可
能な状態にする。この状態では各カセットテーブル91
〜94は回転テ−ブル2の内周側に向かって傾いてい
る。なお、上記のようにカセットテーブルを傾けた場合
にカセットが回転テ−ブル2の内周側にスリップしない
ようにカセットテーブル91〜94にはそれぞれストッ
パが設けられる。
【0023】ゲートバルブ11を介するカセットの挿入
が完了すると、ゲートバルブ11を閉じてロードロック
室1内を真空に排気し、回転テーブル2を回転してカセ
ットを所要の真空の処理室のゲートバルブ位置に移動す
る。上記回転テーブル2の回転によりカセット101〜
104内のウエハには遠心力が作用するが、上記のよう
に各カセットを傾けることによりウエハが飛び出すこと
が防止される。
【0024】次いで、カセットテ−ブルを水平に保持
し、対応するゲートバルブを開き、真空ロボットにより
カセットから処理室内に所定のウエハを搬送する。処理
室におけるウエハの処理終了後は再びを搬送ゲートバル
ブを開いて真空ロボットによりウエハを所定のウエハカ
セット内に戻し、次ぎの作業に移行する。
【0025】上記ウエハの取り出しにおいてカセットテ
−ブルを傾けたまま停止させて、真空ロボットが傾いて
いるカセット内より所定のウエハを取り出すようにして
もよい。また、ゲートバルブ11を介してロ−ドロック
室1内にウエハを挿入する際にも、カセットテ−ブルを
傾けたまま停止させてカセットを所定のカセットテ−ブ
ル上に搬送することもできる。
【0026】本発明において重要なことはロ−ドロック
室1内に多数のカセットを装着し、複数のウエハを複数
の処理室に同時に搬送して同時に処理し、スル−プット
を大幅に向上できるようにしたことである。このため、
図1、図2に示したようにロ−ドロック室1内に複数の
カセットテ−ブル91〜94を搭載した回転テ−ブル2
を設け、回転テ−ブル2を回転して所定のウエハケ−ス
を所定の処理室の前に移動できるようにしている。
【0027】しかし、ウエハの表面は極めて平滑に仕上
げられているので、上記回転テ−ブル2の回転時の遠心
力によりウエハがウエハケ−ス内から簡単に飛び出すと
いう問題があり、このため本発明では、エアシリンダ7
1〜74等が設け、回転テ−ブル2に設けられた小穴を
通してカセットテ−ブル91〜94の傾けを変えるよう
にしている。
【0028】図3は上記カセットテ−ブルの傾斜とウェ
ハの飛び出し量の関係を測定したデ−タである。回転時
のウエハには、ウエハの質量をm,回転テ−ブル2の中
心からウエハ重心までの距離をr(図3では、r=21
0cm)回転の各速度をωとすると、F1=mrω2の遠
心力が働く。一方、ウエハを角度θだけ内周側に傾斜さ
せるとウエハにはF2=μmrω2sinθなる摩擦力が作
用し上記F1を抑止する。したがって図3に示すよう
に、カセットテ−ブルを水平に保った場合には、黒の
円、三角、及び四角でプロットした線に見られるよう
に、回転速度と角加速度に応じてカセットからのウェハ
飛び出し量が増加する。これに対してはカセットテ−ブ
ルを略3度傾けた場合には白の円でプロットした線(横
軸と一致している)に示されるように、上記ウェハの飛
び出しが認められない。
【0029】図4はカセットの搭載数を増加するように
した本発明の他実施例の回転テ−ブル部分の断面図であ
る。図4においては回転テ−ブル2の上にはカセットが
2段に積み上げられるようにし、ロ−ドロック室1の一
回の真空排気で処理できるウエハ数を倍増してスル−プ
ットをさらに向上させるようにしている。
【0030】このため、回転テ−ブル2にはカセットテ
−ブル91の上にカセットテ−ブル95が同様にヒンジ
接続され、その上にカセット105を搭載できるように
なっている。カセットテ−ブル91とカセットテ−ブル
95の端部はロッド21により連結されているので、図
1の場合と同様にエアシリンダ72のロッド721によ
りカセットテ−ブル91を突き上げると、カセットテ−
ブル95も連動して持ち上げられる。
【0031】
【発明の効果】本発明により、上記回転テーブル上の複
数のカセット内の複数のウエハをロードロック室の一度
の真空排気中に真空処理できるウエハ数を大幅に増やす
ことができる。また、複数のカセットを回転テーブル上
に搭載することにより、ロードロック室を比較的小型に
製作することができる。また、上記回転テーブルの回転
制御によりカセットを所定のゲ−トバルブ前に迅速に搬
送することができる。また、上記回転テーブルの回転時
に各カセットを傾けることにより、遠心力によるウエハ
の飛び出しを防止することができる。
【0032】また、上記回転テーブル上に複数のカセッ
トを積層して搭載することにより、ロードロック室の一
度の真空排気中に処理できるウエハ枚数を増加すること
ができる。以上により、複数のウエハを連続的、かつ自
動的に真空処理して高いスループットを得ることがで
き、さらに省スペースで安定に動作し、経済性の高い半
導体処理装置のロードロック室を提供することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるロードロック室実施例の正面断面
図である。
【図2】本発明によるロードロック室実施例の上面断面
図である。
【図3】ウエハの飛び出し量の測定デ−タである。
【図4】本発明による他のロードロック室実施例の部分
断面図である。
【符号の説明】
1 ロードロック室 2 回転テーブル 3 回転軸 4 動力系 5、8、13 各Oリング 6 位置検出器 7、12 エアシリンダ 11 ゲートバルブ 17 制御ユニット 18 電磁バルブ 21 ロッド 91〜95 各カセットテーブル 101〜105 各カセット 141〜143 各ゲートバルブ 151〜153 各処理室 161〜163 各搬送ロボット 721 ロッド

Claims (3)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体処理装置のロードロック室におい
    半導体ウエハを搭載したカセットを外部より出し入れす
    るための第一のゲートバルブと、該ロードロック室の外
    周に沿って等角度間隔で配置され、該半導体ウエハの搬
    送機構をそれぞれ内設した複数の真空処理室と、該ロー
    ドロック室の外周に沿って等角度間隔で配置され、該カ
    セット内の半導体ウエハを搬送・搬出するため上記ロー
    ドロック室と上記複数の真空処理室とをそれぞれ接続す
    る複数の第二のゲートバルブと、上記ロードロック室内
    に回転テーブルと、上記回転テーブル上に、該回転テー
    ブルに対して上記カセットを傾けて搭載できる複数の搭
    載手段と、上記回転テーブルの回転位置を制御すると共
    に、該搭載手段の傾き角を制御する制御装置とを具備し
    たことを特徴とする半導体処理装置のロードロック室
  2. 【請求項2】 請求項1において、それぞれ上下方向へ
    搭載部を複数段設けた前記複数の搭載手段と、該各搭載
    手段の複数段搭載部の一端を上記回転テーブルに連結す
    るヒンジと、該各複数段搭載部のそれぞれの傾きを上記
    ロ−ドロック室の外部より真空シ−ル部を介して同時に
    上下に傾けて制御する駆動装置とを備え、前記半導体ウ
    エハを真空処理室側に搬送しもしくは真空処理室側から
    の搬出時には、上記搭載手段で上記カセットを水平に維
    持できるようにしたことを特徴とする半導体処理装置の
    ロードロック室
  3. 【請求項3】 請求項1もしくは2において、該第二の
    ゲートバルブに対応して等角度間隔位置にカセットを配
    置する上記複数の搭載手段を備え、上記複数の搭載手段
    上のカセット内の所定の半導体ウエハを、別個にもしく
    は同時に所定の第二のゲートバルブを介して該真空処理
    室側に搬送しまたは該真空処理室側から搬出するように
    したことを特徴とする半導体処理装置のロードロック
JP3337341A 1991-12-20 1991-12-20 半導体処理装置のロードロック室 Expired - Fee Related JP2751975B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3337341A JP2751975B2 (ja) 1991-12-20 1991-12-20 半導体処理装置のロードロック室
US07/985,200 US5478195A (en) 1991-12-20 1992-12-03 Process and apparatus for transferring an object and for processing semiconductor wafers
GB9226011A GB2262656B (en) 1991-12-20 1992-12-14 Process and apparatus for transferring an object and for processing semiconductor wafers

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3337341A JP2751975B2 (ja) 1991-12-20 1991-12-20 半導体処理装置のロードロック室

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05174776A JPH05174776A (ja) 1993-07-13
JP2751975B2 true JP2751975B2 (ja) 1998-05-18

Family

ID=18307721

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP3337341A Expired - Fee Related JP2751975B2 (ja) 1991-12-20 1991-12-20 半導体処理装置のロードロック室

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5478195A (ja)
JP (1) JP2751975B2 (ja)
GB (1) GB2262656B (ja)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
KR100267617B1 (ko) * 1993-04-23 2000-10-16 히가시 데쓰로 진공처리장치 및 진공처리방법
JP3260141B2 (ja) * 1994-05-20 2002-02-25 富士通株式会社 紙葉取扱装置
JP2590438B2 (ja) * 1994-06-30 1997-03-12 工業技術院長 薄膜形成方法および薄膜形成装置
US5586585A (en) * 1995-02-27 1996-12-24 Asyst Technologies, Inc. Direct loadlock interface
JP3288554B2 (ja) * 1995-05-29 2002-06-04 株式会社日立製作所 イオン注入装置及びイオン注入方法
JPH0936198A (ja) * 1995-07-19 1997-02-07 Hitachi Ltd 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン
JPH09107013A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板受け渡し装置
US5895923A (en) * 1996-02-16 1999-04-20 Eaton Corporation Ion beam shield for implantation systems
US5825038A (en) * 1996-11-26 1998-10-20 Eaton Corporation Large area uniform ion beam formation
US5828070A (en) * 1996-02-16 1998-10-27 Eaton Corporation System and method for cooling workpieces processed by an ion implantation system
US5811823A (en) * 1996-02-16 1998-09-22 Eaton Corporation Control mechanisms for dosimetry control in ion implantation systems
US5760405A (en) * 1996-02-16 1998-06-02 Eaton Corporation Plasma chamber for controlling ion dosage in ion implantation
US5793050A (en) * 1996-02-16 1998-08-11 Eaton Corporation Ion implantation system for implanting workpieces
US5751003A (en) * 1996-02-16 1998-05-12 Eaton Corporation Loadlock assembly for an ion implantation system
US6091498A (en) * 1996-07-15 2000-07-18 Semitool, Inc. Semiconductor processing apparatus having lift and tilt mechanism
TW331550B (en) * 1996-08-14 1998-05-11 Tokyo Electron Co Ltd The cassette receiving room
US6045620A (en) * 1997-07-11 2000-04-04 Applied Materials, Inc. Two-piece slit valve insert for vacuum processing system
JP3286240B2 (ja) * 1998-02-09 2002-05-27 日本エー・エス・エム株式会社 半導体処理用ロードロック装置及び方法
US6045299A (en) * 1998-04-13 2000-04-04 International Business Machines Corp. Unidirectional gate between interconnecting fluid transport regions
JP2987148B1 (ja) * 1999-01-26 1999-12-06 国際電気株式会社 基板処理装置
JP4937459B2 (ja) * 2001-04-06 2012-05-23 東京エレクトロン株式会社 クラスタツールおよび搬送制御方法
US6651704B2 (en) * 2001-11-19 2003-11-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Stationary and pivotable trays for semiconductor wafer transfer
JP2003188229A (ja) * 2001-12-18 2003-07-04 Hitachi Kasado Eng Co Ltd ウエハ製造システムおよびウエハ製造方法
JP4124449B2 (ja) * 2003-03-28 2008-07-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2005123292A (ja) * 2003-10-15 2005-05-12 Canon Inc 収納装置、当該収納装置を用いた露光方法
KR101027376B1 (ko) * 2008-08-06 2011-04-11 (주)울텍 묶음 형태의 시료 이송용 로드락 시스템
CN104069955B (zh) * 2013-03-26 2019-01-08 矽立科技有限公司 离心机mems静摩擦检测和筛选系统及方法
KR20240042070A (ko) * 2021-08-10 2024-04-01 카티바, 인크. 기판 위치 설정 기능을 구비한 기판 준비 챔버

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3395845A (en) * 1966-09-08 1968-08-06 Corning Glass Works Chip bonding machine
JPS5921146B2 (ja) * 1978-05-04 1984-05-17 日新電機株式会社 イオン注入装置用エンドステ−シヨン
DE3219502C2 (de) * 1982-05-25 1990-04-19 Ernst Leitz Wetzlar Gmbh, 6330 Wetzlar Vorrichtung zum automatischen Transport scheibenförmiger Objekte
EP0178336B1 (en) * 1984-10-16 1987-09-09 International Business Machines Corporation Vacuum transfer device
US4654106A (en) * 1984-10-22 1987-03-31 Texas Instruments Incorporated Automated plasma reactor
JPS61105853A (ja) * 1984-10-30 1986-05-23 Anelva Corp オ−トロ−ダ−
JPS62104049A (ja) * 1985-10-30 1987-05-14 Mitsubishi Electric Corp ベ−キング炉装置
JPS6379646U (ja) * 1985-12-04 1988-05-26
JPS62153221U (ja) * 1986-03-18 1987-09-29
EP0246453A3 (en) * 1986-04-18 1989-09-06 General Signal Corporation Novel multiple-processing and contamination-free plasma etching system
US4715921A (en) * 1986-10-24 1987-12-29 General Signal Corporation Quad processor
GB8709064D0 (en) * 1986-04-28 1987-05-20 Varian Associates Wafer handling arm
US4836733A (en) * 1986-04-28 1989-06-06 Varian Associates, Inc. Wafer transfer system
ATE84276T1 (de) * 1986-04-28 1993-01-15 Varian Associates Modulare foerder- und beabeitungsanlage fuer halbleiterwafer.
US4676884A (en) * 1986-07-23 1987-06-30 The Boc Group, Inc. Wafer processing machine with evacuated wafer transporting and storage system
JPS6372137A (ja) * 1986-09-13 1988-04-01 Nikon Corp 半導体ウエハの搬送装置
JPS63252439A (ja) * 1986-12-19 1988-10-19 アプライド マテリアルズインコーポレーテッド 多チャンバの統合処理システム
JPH0239523A (ja) * 1988-07-29 1990-02-08 Tokyo Electron Ltd 半導体基板への成膜方法
JP3006714B2 (ja) * 1988-12-02 2000-02-07 東京エレクトロン株式会社 縦型基板移載装置及び縦型熱処理装置並びに縦型熱処理装置における基板移載方法
US5076205A (en) * 1989-01-06 1991-12-31 General Signal Corporation Modular vapor processor system
JP2683933B2 (ja) * 1989-01-20 1997-12-03 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの表裏および方位判定検査装置
JPH0666255B2 (ja) * 1989-05-02 1994-08-24 三菱電機株式会社 スピン塗布装置及び方法
US5254170A (en) * 1989-08-07 1993-10-19 Asm Vt, Inc. Enhanced vertical thermal reactor system
US5013864A (en) * 1989-12-08 1991-05-07 G. D. Searle & Co. Process for preparation of α-alkoxy acetic acids and their salts
JPH03248443A (ja) * 1990-02-26 1991-11-06 Nec Corp 半導体ウェハー搬送装置
US5186594A (en) * 1990-04-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Dual cassette load lock
JPH04154144A (ja) * 1990-10-18 1992-05-27 Fujitsu Ltd 基板入出機構
JPH04157752A (ja) * 1990-10-19 1992-05-29 Shinko Electric Co Ltd 縦型半導体製造装置におけるキャリアステージ装置

Also Published As

Publication number Publication date
US5478195A (en) 1995-12-26
GB2262656A (en) 1993-06-23
JPH05174776A (ja) 1993-07-13
GB2262656B (en) 1995-11-29
GB9226011D0 (en) 1993-02-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2751975B2 (ja) 半導体処理装置のロードロック室
JP6179910B2 (ja) 異なる保持エンドエフェクタを有する基板搬送装置
US7541061B2 (en) Vacuum chamber load lock structure and article transport mechanism
US6319373B2 (en) Substrate transfer apparatus of substrate processing system
US6799939B2 (en) Multiple independent robot assembly and apparatus for processing and transferring semiconductor wafers
US5019233A (en) Sputtering system
JP2987148B1 (ja) 基板処理装置
JP2002517055A (ja) 基板取扱いおよび処理システムと方法
US20020061248A1 (en) High productivity semiconductor wafer processing system
WO2016073330A1 (en) Wafer aligner
JPH06264241A (ja) 工作物を移送するチャンバ、チャンバ組合せ体、及び真空処理装置、並びに工作物の移送方法
US6350097B1 (en) Method and apparatus for processing wafers
JPS62295421A (ja) ウエハ状物品を輸送して少くとも一つの処理工程にかけるための装置及び方法
US6040585A (en) Method for detecting wafer orientation during transport
TW202201616A (zh) 定位裝置、處理系統及定位方法
US6546307B1 (en) Method and apparatus for detecting proper orientation of a semiconductor wafer in a wafer transfer system
JPH0360174B2 (ja)
US4498832A (en) Workpiece accumulating and transporting apparatus
US20040005211A1 (en) Multiple independent robot assembly and apparatus and control system for processing and transferring semiconductor wafers
JP2545591B2 (ja) ウェーハ処理装置
JP3380570B2 (ja) 搬送装置
JP2000058619A5 (ja)
JP2582578Y2 (ja) 多室式半導体処理装置
JP3121022B2 (ja) 減圧処理装置
JP2001127135A (ja) 真空処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees