JPS62154749A - 処理装置 - Google Patents

処理装置

Info

Publication number
JPS62154749A
JPS62154749A JP60292653A JP29265385A JPS62154749A JP S62154749 A JPS62154749 A JP S62154749A JP 60292653 A JP60292653 A JP 60292653A JP 29265385 A JP29265385 A JP 29265385A JP S62154749 A JPS62154749 A JP S62154749A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
chamber
preliminary
processing
exposure
wafer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP60292653A
Other languages
English (en)
Inventor
Hajime Hayakawa
早川 肇
Fumio Mizuno
文夫 水野
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP60292653A priority Critical patent/JPS62154749A/ja
Publication of JPS62154749A publication Critical patent/JPS62154749A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70808Construction details, e.g. housing, load-lock, seals or windows for passing light in or out of apparatus
    • G03F7/70841Constructional issues related to vacuum environment, e.g. load-lock chamber

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [技術分野] 本発明は、処理技術、特に、半導体装置の製造における
ウェハの電子線露光処理に適用して有効な技術に関する
[背景技術] たとえば、半導体’ATLの製造におけるウェハ処理工
程においては、リソグラフィ技術によってウェハに転写
されるパターンの微細化および高精度化などの要請に伴
い、ウェハ表面に塗布されたフォトレジストを、電子線
を照射することによって直接露光する電子線露光装置が
使用される場合がある。
この場合、ウェハが位置される露光室および酸ウェハに
電子線を照射する電子光学系の鏡筒内などは所定の真空
度に保持される必要があり、露光室内などの真空度を損
なうことなく外部からのウェハの搬入および搬出を行う
ことを可能にするため、たとえば、内部がウェハの移動
方向に複数の部位に分割され、各部位の真空度が独立に
制御可能な一つの予備室を露光室に接続し、ウェハの搬
入および搬出はこの予備室を介して行われるようにする
ことが考えられる。
しかしながら、上記のような構造のものでは、ウェハの
露光室に対する搬入および搬出が一つの予備室で交互に
順次行われることとなり、露光室の真空度は損なわれな
いものの、搬入および搬出操作自体に要する時間が短縮
されないという欠点がある。
このことは、電子線露光処理の所要時間の大きな部分が
ウェハの搬入および搬出などに要する時間で占められて
いることを考慮すれば、電子線露光処理において単位時
間当たりに処理されるウェハの数量を増加させる上で重
要な問題であることが本発明者によって明らかにされた
なお、電子線露光技術について説明されている文献とし
ては、株式会社工業調査会、昭和58年11月15日発
行、[電子材料41983年別冊P105〜PIIOが
ある。
[発明の目的] 本発明の目的は、処理室に対する被処理物の搬入および
搬出に要する時間を短縮して、単位時間当たりに処理さ
れる被処理物の数量を増加させることが可能な処理技術
を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう
[発明の(重要] 本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、被処理物が位置される処理室を所定の真空度
に排気して処理を行う処理装置で、内部を独立に排気す
ることが可能な複数の子備室を処理室に接続し、被処理
物の処理室に対する搬入および搬出などが、複数の子備
室を介して並行して行われる構造とすることにより、た
とえば、被処理物の処理室に対する搬入および搬出など
、所定の処理以外の操作に要する時間を短縮することを
可能にして、単位時間当たりに処理される被処理物の数
量が増加されるようにしたものである。
[実施例〕 第1図は、本発明の一実施例である処理装置の要部を示
す説明図であり、第2図は前記第1図において、線■−
■で示される方向より見た拡大部分断面図である。
本実施例においては、処理装置が電子線露光装置として
構成されている。
すなわち、所定の真空度に排気される露光室1(処理室
)の内部には、第1図の紙面内において移動自在なXY
テーブル2が設けられ、このXYテーブル2の上の所定
の位置には、ウェハ3 (被処理物)を保持する搬送治
具4が着脱自在に固定されている。
そして、XYテーブル2を適宜移動させることにより、
第1図の紙面に垂直に設けられた電子光学系(図示せず
)から放射される電子ビーム(図示せず)がウェハ3の
所定の部位に所定のパターンで照射され、ウェハ3の表
面に塗布されたフォトレジストなどが所定のパターンに
露光されるものである。
この場合、露光室1には、直交する2方向から、ゲート
バルブ5およびゲートバルブ6を介して、内部を独立に
所定の真空度に排気することが可能な予備室7および予
備室8が接続されている。
予備室7には、一端が搬送冶具4に着脱自在に嵌合され
る搬送ロッド9aおよび該搬送ロッド93を軸方向に移
動させる駆動部95などからなる搬送機構9が設けられ
、同様に予備室8には、搬送ロッドloaおよび駆動部
10bなどからなる搬送機構10が設けられており、ゲ
ートバルブ5または6を通じて、搬送治具4が、予備室
7または8と露光室1との間を移動され、露光室1に対
する搬送治具4に保持されたウェハ3の搬入および搬出
が行われる構造とされている。
なお、第1図においては、搬送治具4に保持されたウェ
ハ3が予備室7からXYテーブル2の上に搬入され、他
方の予備室8においては、搬送治具4aに保持されたウ
ェハ3aが待機している状態を示している。
また、露光室1において、予備室7および8と対向する
位置には、レーザ測長機構などからなる位置測定器11
および位置測定器12(位置測定光学系)が、各々の光
軸が予備室7および8に対向して配設され、位置測定器
11および12からそれぞれ放射される測定光)Jll
laおよび測定光線12aを、XYテーブル2の周辺部
に設けた基準面2aおよび基準面2bに反射させること
によって、XYテーブル2の位置が精密に検知されるよ
うに構成されている。
また、前記測定光線11aと12aとを含む平面は、第
2図に示されるように搬送治具4に保持された状態でX
Yテーブル2の上に位置されるウェハ3の露光面3bと
同一の高さとなるように構成されている。
以下、本実施例の作用について説明する。
まず、搬送冶具4に保持されたウェハ3が外部から挿入
された後、予備室7は所定の真空度に排気され、次にゲ
ートバルブ5が開放され、搬送機構9によって搬送治具
4およびウェハ3は露光室1内のXYテーブル2の上に
搬入されて第1図の状態となる。
その後、XYテーブル2は露光室lの中央部に移動され
、第1図の紙面に垂直な方向に手前側に設けられた電子
線光学系(図示せず)から放射される電子ビーム(図示
せず)によって、ウェハ3の露光面3bに塗布されたフ
ォトレジストなどが所定のパターンに露光される。
この時、予備室8においては、外部から搬送治具4aに
保持されたウェハ3aが装着され、内部が所定の真空度
に排気されている。
そして、ウェハ・3に対する露光処理が完了すると、X
Yテーブル2は第1図に示される位置に移動され、露光
済のウェハ3は搬送治具4とともにゲートバルブ5を通
じて露光室1から予備室7のウェハ3aが、搬送機構1
0によって、予備室8のゲートバルブ6を通じて露光室
1のXYテーブル2の上に搬入される。
その後、XYテーブル2は露光室1の中央部に移動され
、ウェハ3aに対する露光処理が開始されるとともに、
予備室7においては、ゲートバルブ5が閉止された状態
で内部が大気圧に復帰され、露光済のウェハ3が未露光
のものと入れ換えられ、内部が所定の真空度に排気され
て待機状態とされる。
そして、ウェハ3aに対する露光処理が完了した後、X
Yテーブル2は第1図に示される位置に移動され、露光
済のウェハ3aは搬送治具4aとともにゲートバルブ6
を通じて露光室1から予備室8に搬出され、同時に予備
室7からはゲートバルブ5を通じて未露光のウェハ3が
露光室1内のXYテーブル2の上に搬入される。
上記の一連の操作を繰り返すことによって、比較的短い
所要時間で多数のウェハ3が露光処理される。
このように、本実施例においては、露光室1に複数の予
備室7および8が接続されているため、該予備室7およ
び8を介した、露光室lに対するウェハ3の搬入および
搬出をほぼ同時に行うことができるとともに、露光室1
の内部における露光処理と、各予備室7および8におけ
る排気および大気圧への復帰などを並行して行うことが
可能となり、露光室lと外部との間におけるウェハ3の
搬入および搬出に要する時間が短縮される結果、ウェハ
3の露光処理全体に要する時間が低減され、単位時間内
に露光処理されるウェハ3の数攪を増加させることがで
きる。
さらに、予備室7および8が直交する方向に露光室1と
接続され、該露光室lの内部におけるXYテーブルlの
位置を検出する位置測定器11および12の測定光線1
1aおよび12aが前記予備室7および8に対向して設
けられていることにより、搬入および搬出操作などに際
して、搬送治具4およびウェハ3などが測定光&1ll
aおよび+28の光路を横切ることなく、該測定光線1
1aおよび12aを含む平面をウェハ3の露光面3bと
同一の高さに設定することができる。
このため、ウェハ3の露光面3bなどの傾斜に起因して
、ウェハ3に描画されるパターンの露光面3b内におけ
る位置ずれなどを比較的小さくすることが可能となり、
ウェハ3の露光面3bにおけるパターンの露光位置精度
を低下させることなく、単位時間内に露光処理されるウ
ェハ3の数量の増加を達成することができる。
[効果] (1)、被処理物が位置される処理室を所定の真空度に
排気して処理を行う処理装置で、前記処理室に、内部を
独立に排気することが可能な複数の予備室が接続され、
前記被処理物の前記処理室に対する搬入および搬出が、
前記複数の予備室を介して行われる構造であるため、た
とえば、被処理物の処理室に対する搬入および搬出や、
各予備室における排気および大気圧への復帰操作などを
並行して行うことができ、所定の処理以外の操作に要す
る時間を短縮することが可能となり、単位時間当たりに
処理される被処理物の数量を増加させることができる。
+2+、 ?![数の予備室が、直交する2方向から処
理室に接続され、該処理室内における被処理物の位置を
検出する位置測定光学系の光軸が、複数の予備室に対向
して設けられていることにより、搬入および搬出操作な
どに際して、被処理物などが光路を横切ることがなく、
光路を含む平面を被処理物と同一の高さに設定すること
ができるため、たとえば、被処理物であるウェハの露光
面などの傾斜に起因して、ウェハに描画されるパターン
の露光面内における位置ずれなどを比較的小さくするこ
とが可能となり、ウェハの露光面におけるパターンの露
光位置精度を低下させることなく、単位時間内に露光処
理されるウェハの数量の増加を達成することができる。
(3)、前記+11. +2+の結果、半導体装置の製
造における生産性が向上される。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることはいうまでもない。
たとえば、予備室の数は、3以上であっても良い。
[利用分野] 以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野であるウェハの電子線露光
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、被処理物を真空中に位置させること
が必要とされる技術に広く適用できる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例である処理装置の要部を示
す説明図、 第2図は前記第1図において、線I[−Uで示される方
向より見た拡大部分断面図である。 l・・・露光室(処理室)、2・・・xy子テーブル2
a、2b・・・基準面、3,3a・・・ウェハ(被処理
物)、3b・・・露光面、4.4a・・・搬送治具、5
,6・・・ゲートパルプ、7.8・・・予備室、9.1
0・・・搬送機構、9a、10a−−・搬送o、ド、9
b、10b・・・駆動部、11.12・・・位置測定器
(位置測定光学系)、lla、12a・・・測定光線。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、被処理物が位置される処理室を所定の真空度に排気
    して処理を行う処理装置であって、前記処理室に、内部
    を独立に排気することが可能な複数の予備室が接続され
    、前記被処理物の前記処理室に対する搬入および搬出が
    、前記複数の予備室を介して行われることを特徴とする
    処理装置。 2、前記被処理物を前記処理室と前記複数の予備室との
    間を移動させる搬送機構が、該複数の予備室に独立に設
    けられていることを特徴とする特許請求の範囲第1項記
    載の処理装置。 3、前記複数の予備室を介して前記処理室内に前記被処
    理物を搬入および搬出する操作が、独立に制御可能であ
    ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の処理装
    置。 4、前記複数の予備室が、直交する2方向から前記処理
    室に接続され、該処理室内における被処理物の位置を検
    出する位置測定光学系の光軸が、複数の予備室に対向し
    て設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の処理装置。 5、前記被処理物がウェハであり、前記処理装置が電子
    線露光装置であることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項記載の処理装置。
JP60292653A 1985-12-27 1985-12-27 処理装置 Pending JPS62154749A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60292653A JPS62154749A (ja) 1985-12-27 1985-12-27 処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60292653A JPS62154749A (ja) 1985-12-27 1985-12-27 処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS62154749A true JPS62154749A (ja) 1987-07-09

Family

ID=17784564

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP60292653A Pending JPS62154749A (ja) 1985-12-27 1985-12-27 処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS62154749A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04226048A (ja) * 1990-04-19 1992-08-14 Applied Materials Inc 二重カセット装填ロック装置
WO2003041135A1 (fr) * 2001-11-07 2003-05-15 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Dispositif d'exposition a faisceau d'electrons

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04226048A (ja) * 1990-04-19 1992-08-14 Applied Materials Inc 二重カセット装填ロック装置
US6454508B2 (en) 1990-04-19 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Dual cassette load lock
US6454519B1 (en) 1990-04-19 2002-09-24 Applied Materials, Inc. Dual cassette load lock
US6599076B2 (en) 1990-04-19 2003-07-29 Applied Materials, Inc. Dual cassette load lock
WO2003041135A1 (fr) * 2001-11-07 2003-05-15 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Dispositif d'exposition a faisceau d'electrons

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2753930B2 (ja) 液浸式投影露光装置
US6791661B2 (en) Gas replacement method and apparatus, and exposure method and apparatus
KR102383298B1 (ko) 접합 장치, 접합 시스템, 접합 방법 및 컴퓨터 기억 매체
JP5776699B2 (ja) 露光装置、物体の交換方法、露光方法、及びデバイス製造方法
JPH06124873A (ja) 液浸式投影露光装置
JP2003249542A (ja) 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法
TW200302405A (en) Exposure method and device
KR20110004876A (ko) 리소그래피 레티클용 급속 교환 디바이스
JP2000241995A (ja) プロキシミティ露光方法及び装置
JPS62154749A (ja) 処理装置
JP5867916B2 (ja) 露光装置および露光方法
JP2003217500A (ja) 走査型電子顕微鏡を用いた検査装置
JP4560426B2 (ja) 可動物品担持装置、可動物品担持装置を含むリトグラフ装置、およびデバイス製造方法
NL2004299A (en) Shared compliance of rapid exchange device and reticle stage.
JPH09148219A (ja) 基板アダプタ
JP3187581B2 (ja) X線装置、x線露光装置及び半導体デバイス製造方法
JP6083662B2 (ja) 露光装置
JP4048205B2 (ja) リトグラフ装置及びデバイス製造方法
JP3256462B2 (ja) レジスト処理方法及びレジスト処理システム
JP2001007022A (ja) リソグラフィ投影方法
JP6440104B2 (ja) 物体交換方法、物体交換システム、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
JP6186678B2 (ja) 物体交換方法、物体交換システム、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、及びデバイス製造方法
JP5145152B2 (ja) 回路パターンの補正方法及びその装置
JP6015983B2 (ja) 物体交換システム、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法及びデバイス製造方法
JP2005167213A (ja) デバイス製造方法及びリソグラフィ装置