JPS59200433A - Ｃｖｄ装置の装填方法 - Google Patents
Ｃｖｄ装置の装填方法Info
- Publication number
- JPS59200433A JPS59200433A JP7408183A JP7408183A JPS59200433A JP S59200433 A JPS59200433 A JP S59200433A JP 7408183 A JP7408183 A JP 7408183A JP 7408183 A JP7408183 A JP 7408183A JP S59200433 A JPS59200433 A JP S59200433A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gate valve
- gate
- wafers
- reactor
- wafer
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67126—Apparatus for sealing, encapsulating, glassing, decapsulating or the like
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体素子ウェハ表面絶縁膜形成のパンチ処理
を、多数回繰り返し連続的に効率良く処理出来るように
したＣＶＤ （化学気相沈積法）装置の装填方法に関す
る。
を、多数回繰り返し連続的に効率良く処理出来るように
したＣＶＤ （化学気相沈積法）装置の装填方法に関す
る。
半導体素子ウェハの表面に絶縁膜を形成するのに用いる
バッチ式ＣＶＤ装置に、ウェハの挿入、取り出しを行う
際、従来は、反応炉上部の蓋を開閉していた。しかし、
この蓋の内面には、フレーク状の反応生成物（ＳｉＯ□
）が付着しやすく、蓋を開閉する際の振動等で容易にウ
ェハ上に異物となって落下する。この異物による歩留り
低下を避けるために従来は頻繁に炉内、蓋の内面の清掃
を行うようにしていた（例えば、バッチ毎にウェハを載
置する試料台、５バツチ毎に蓋内面の純水雑巾掛け、２
０バツチ毎に装置全体の掃除すなわち試料台取り外し、
試料台エツチング、ヒータカバーその他のオーバホール
等）が、清掃に要する時間的損失は大きく、その為にス
ループットの低下を余儀なくされていた。
バッチ式ＣＶＤ装置に、ウェハの挿入、取り出しを行う
際、従来は、反応炉上部の蓋を開閉していた。しかし、
この蓋の内面には、フレーク状の反応生成物（ＳｉＯ□
）が付着しやすく、蓋を開閉する際の振動等で容易にウ
ェハ上に異物となって落下する。この異物による歩留り
低下を避けるために従来は頻繁に炉内、蓋の内面の清掃
を行うようにしていた（例えば、バッチ毎にウェハを載
置する試料台、５バツチ毎に蓋内面の純水雑巾掛け、２
０バツチ毎に装置全体の掃除すなわち試料台取り外し、
試料台エツチング、ヒータカバーその他のオーバホール
等）が、清掃に要する時間的損失は大きく、その為にス
ループットの低下を余儀なくされていた。
本発明の目的は、多数のバッチを、途中、反応炉の清掃
を行うことなく、連続的に繰り返し効率良（処理出来る
ようにしたＣＶＤ装置の装填方法を提供することにある
。
を行うことなく、連続的に繰り返し効率良（処理出来る
ようにしたＣＶＤ装置の装填方法を提供することにある
。
上記目的を達成するために本発明においては、ＣＶＤ装
置の反応炉の側壁にゲートバルブを設け、このゲートパ
ルプを通して、ウェハの挿入と取り出しを行うようにし
た。
置の反応炉の側壁にゲートバルブを設け、このゲートパ
ルプを通して、ウェハの挿入と取り出しを行うようにし
た。
このようにすれば、大きな蓋を開閉してその内面に付着
したフレーク状反応生成物を落下させる想れは少なくな
り、また、ゲートバルブの開口面積が小さいので、ウェ
ハ装填時の反応炉内温度変化が少なくなって炉内温度復
帰に要する時間が短縮され、外気（水蒸気等）の反応炉
内への侵入も少なくなってパージ（追い出し）時間も短
縮され、スループットを増大させることが出来る。
したフレーク状反応生成物を落下させる想れは少なくな
り、また、ゲートバルブの開口面積が小さいので、ウェ
ハ装填時の反応炉内温度変化が少なくなって炉内温度復
帰に要する時間が短縮され、外気（水蒸気等）の反応炉
内への侵入も少なくなってパージ（追い出し）時間も短
縮され、スループットを増大させることが出来る。
第１図は本発明一実施例に係るＣＶＤ装置反応炉の断面
図で、１はＣＶＤ装置の反応炉、２は反応炉の蓋、３は
試料台、４は図示の場合左右に往復動じてウェハの挿入
、取り出しを行うウェハローダ、５は円筒状反応炉壁、
５ａは反応炉壁を冷却する冷却水パイプ、６はゲートバ
ルブ、７はゲートバルブフランジ、８はメタルＯリング
、９はパイトン（Ｆ系耐熱ゴム）Ｏリング、１０はゲー
トバルブ冷却用冷却水通路、Ｇはモノシランと酸素の混
合反応ガスである。
図で、１はＣＶＤ装置の反応炉、２は反応炉の蓋、３は
試料台、４は図示の場合左右に往復動じてウェハの挿入
、取り出しを行うウェハローダ、５は円筒状反応炉壁、
５ａは反応炉壁を冷却する冷却水パイプ、６はゲートバ
ルブ、７はゲートバルブフランジ、８はメタルＯリング
、９はパイトン（Ｆ系耐熱ゴム）Ｏリング、１０はゲー
トバルブ冷却用冷却水通路、Ｇはモノシランと酸素の混
合反応ガスである。
上部の蓋２は保守手入れの時以外は閉じたままで、ウェ
ハの装填の際は、ゲートバルブ６が図示の位置にあって
ゲートを開いており、このゲートを通してウェハローダ
４によってウェハの挿入、取り出しが行われる。ウェハ
の挿入、取り出しが済めば、ゲートバルブ６は図中矢印
で示したように移動してゲートを閉じる。ゲートバルブ
は直接高熱にさらされるため、バルブ内部に冷却水を通
してバイトン製のシール用Ｏリング９を保護している。
ハの装填の際は、ゲートバルブ６が図示の位置にあって
ゲートを開いており、このゲートを通してウェハローダ
４によってウェハの挿入、取り出しが行われる。ウェハ
の挿入、取り出しが済めば、ゲートバルブ６は図中矢印
で示したように移動してゲートを閉じる。ゲートバルブ
は直接高熱にさらされるため、バルブ内部に冷却水を通
してバイトン製のシール用Ｏリング９を保護している。
ゲートバルブフランジ７も高温になるが効果的な冷却法
がないためメタル０リング８でシールを行っている。
がないためメタル０リング８でシールを行っている。
本発明によれば大きく重い蓋の開閉をしないで済むから
蓋の内面に付着したフレーク状反応生成物がウェハ上に
異物として落下する恐れが非常に少なくなるほか、ウェ
ハ装填時に蓋全体を開ける場合に比べてゲートバルブの
開口面積は遥かに小さいから、開口による反応炉内温度
の低下率が低く、ウェハのロード終了後の反応炉内温度
復帰に要する時間が短縮され、また、同様に開口部面積
が小さいため、ウェハをロードする際に外気（水蒸気等
）が反応炉内に侵入し難くパージ時間が短縮される。
蓋の内面に付着したフレーク状反応生成物がウェハ上に
異物として落下する恐れが非常に少なくなるほか、ウェ
ハ装填時に蓋全体を開ける場合に比べてゲートバルブの
開口面積は遥かに小さいから、開口による反応炉内温度
の低下率が低く、ウェハのロード終了後の反応炉内温度
復帰に要する時間が短縮され、また、同様に開口部面積
が小さいため、ウェハをロードする際に外気（水蒸気等
）が反応炉内に侵入し難くパージ時間が短縮される。
以上説明したように本発明によれば、反応炉の蓋の内面
に付着したフレーク状反応生成物が異物として落下する
ための歩留り低下が少なくなり、またウェハローディン
グ後の炉内雰囲気復帰時間が短縮され、更に反応炉内の
清掃に費やす時間を短縮できて、スループットが増大す
る。
に付着したフレーク状反応生成物が異物として落下する
ための歩留り低下が少なくなり、またウェハローディン
グ後の炉内雰囲気復帰時間が短縮され、更に反応炉内の
清掃に費やす時間を短縮できて、スループットが増大す
る。
第・１図は本発明一実施例に係るＣＶＤ装置反応炉の断
面図である。 １−ＣＶ Ｄ装置の反応炉、２−・−反応炉の蓋、３−
試料台、４−ウェハローダ、５−・円筒状反応炉壁、５
ａ−冷却水バイブ、６・−ゲートバルブ、７・・−・ゲ
ートバルブフランジ、８−メタル０リング、９−パイト
ン０リング、１０・−・ゲートバルブ冷却水通路、Ｇ・
・−モノシランと酸素の混合反応ガス。 代理人 弁理士 縣 武雄 第 １ 図 ／ り ／ ρ
面図である。 １−ＣＶ Ｄ装置の反応炉、２−・−反応炉の蓋、３−
試料台、４−ウェハローダ、５−・円筒状反応炉壁、５
ａ−冷却水バイブ、６・−ゲートバルブ、７・・−・ゲ
ートバルブフランジ、８−メタル０リング、９−パイト
ン０リング、１０・−・ゲートバルブ冷却水通路、Ｇ・
・−モノシランと酸素の混合反応ガス。 代理人 弁理士 縣 武雄 第 １ 図 ／ り ／ ρ
Claims (1)
- 半導体素子ウェハの表面に絶縁膜を形成するのに用いる
バッチ式ＣＶＤ装置の反応炉の側壁にゲートバルブを設
け、このゲートパルプを通してウェハの挿入、取り出し
を行うようにしたことを特徴とするＣＶＤ装置の装填方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7408183A JPS59200433A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | Ｃｖｄ装置の装填方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7408183A JPS59200433A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | Ｃｖｄ装置の装填方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200433A true JPS59200433A (ja) | 1984-11-13 |
Family
ID=13536853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7408183A Pending JPS59200433A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | Ｃｖｄ装置の装填方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200433A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04226048A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-08-14 | Applied Materials Inc | 二重カセット装填ロック装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511369A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Film forming system |
| JPS562649A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-12 | Nec Corp | Manufacturing device of semiconductor |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP7408183A patent/JPS59200433A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5511369A (en) * | 1978-07-10 | 1980-01-26 | Mitsubishi Electric Corp | Film forming system |
| JPS562649A (en) * | 1979-06-21 | 1981-01-12 | Nec Corp | Manufacturing device of semiconductor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04226048A (ja) * | 1990-04-19 | 1992-08-14 | Applied Materials Inc | 二重カセット装填ロック装置 |
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