JPH06333854A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 簡単な操作によってしかも確実に、処理室内
の不必要な付着物や汚染物質等を除去し得る成膜装置を
提供する。 【構成】 半導体基板に表面被膜を形成するための成膜
装置において、成膜処理を行うための処理室１内を、ク
リーニング用ガスによって洗浄する機構５〜９を備えて
いる。特にクリーニング用ガスは、フッ化水素酸ガスが
好適である。処理室１内にフッ化水素酸ガスを導入する
ことにより、処理室１内に堆積した酸化珪素等の付着物
１５や金属汚染等の汚染物質が分解される。分解された
汚染物質は、処理室１から排出され、これにより処理室
１を装置から取り外すことなく、洗浄が行われる。 【効果】 装置メンテナンスを格段に容易化し、更にこ
の装置により製造される半導体装置の信頼性を向上させ
ることができると共に、製造歩留りやスループットを向
上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造装
置、特に半導体基板に表面被膜を形成するための成膜装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の製造工程において、半導体
基板に対し種々の薄膜が成膜される。半導体基板に薄膜
を形成するための従来装置は、例えば図２に示したよう
に、処理室１１、この処理室１１の周囲に配置されたヒ
ータ１２及び複数の半導体基板１３を装填するボート１
４等を備えている。この装置によれば、半導体基板１３
を装填したボート１４が処理室１１へ投入される。また
ヒータ１２によって処理室１１を加熱しながら、所定の
成膜用ガスを導入し、流通させるようになっている。こ
れにより所定の薄膜が成膜されるが、かかる成膜処理
は、多数回繰り返される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来の成膜装置において、成膜処理を繰り返し行うこと
により、処理室１１の内壁やボート１４等に主に酸化珪
素膜（ＳｉＯ2 ）１５等の付着物が付着する。そしてこ
の付着物を清掃・除去するために、処理室１１をその装
置から取り外し、主にフッ化水素酸水溶液を用いて洗浄
しなければならなかった。このように従来の成膜装置に
おいては、成膜装置内を一定の清浄度に保持すべく、か
かる洗浄を定期的に行う必要があり、しかもその洗浄作
業は大掛かりで手間がかからざるを得なかった。

【０００４】そこで本発明は、簡単な操作によってしか
も確実に、処理室内の不必要な付着物や汚染物質等を除
去し得る成膜装置を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明の成膜装置は、半
導体基板に表面被膜を形成するための成膜装置におい
て、成膜処理を行うための処理室内を、クリーニング用
ガスによって洗浄する機構を備えている。

【０００６】特に上記クリーニング用ガスは、フッ化水
素酸ガスが好適である。

【０００７】

【作用】本発明装置では、上記洗浄機構が、処理室内に
クリーニング用ガス、好適にはフッ化水素酸ガスを導入
する手段と、これにより分解された除去物を排出する手
段を有している。処理室内にフッ化水素酸ガスを導入す
ることにより、該処理室内に堆積した酸化珪素等の付着
物や金属汚染等の汚染物質が分解される。そしてその分
解された汚染物質は、処理室から排出され、これにより
処理室を装置から取り外すことなく、洗浄が行われる。
このように能率的且つ確実に洗浄することにより、装置
メンテナンスを格段に容易化し、更にこの装置により製
造される半導体装置の信頼性を向上させることができる
と共に、製造歩留りやスループットを向上させることが
できる。

【０００８】

【実施例】以下、図１に基づき、本発明による半導体基
板のための成膜装置の好適な一実施例を説明する。図１
は本発明装置全体の概略構成を示している。図におい
て、１は処理室、２は処理室１の周囲に配置されたヒー
タ、３は処理室１の下端部に設けた排出管であり、これ
らの構成は基本的に従来例の場合と同様である。また上
記処理室１内に、複数の半導体基板を装填するボート４
が装着されるようになっている。

【０００９】ところで、本発明装置においては、処理室
１内をクリーニング用ガスによって洗浄する洗浄機構を
備えている。このクリーニング用ガスを導入するにあた
り、処理室１の頂部にガス導入管５が設けられている。
このガス導入管５は、バルブ６，７，８，９及び１０を
介して、フッ化水素酸ガス（ＨＦ）源（図示せず、以下
同様），塩酸ガス（ＨＣＬ）源，水蒸気（Ｈ₂ Ｏ）源，
窒素（Ｎ₂ ）及び成膜用ガス源とそれぞれ接続されてい
る。

【００１０】なお図１においては省略的に示されている
が、各バルブ６，７，８，９及び１０と上記ガス導入管
５とを接続する導管６ａ，７ａ，８ａ，９ａ及び１０ａ
は各々別個独立した形で構成されることが好ましい。

【００１１】次に、本発明装置における洗浄機構の動作
を説明する。成膜処理においては、本発明装置におい
て、バルブ１０を開き、導管１０ａを介して処理室１内
に成膜用ガスを導入する。これによりボート４に装填さ
れた半導体基板に対して、所定の成膜処理が行われる。

【００１２】そして洗浄処理を行うには常温又は加熱
（例えばＲＴ〜１２０℃）しながら、バルブ６を開き、
導管６ａを介して処理室１内にフッ化水素酸ガスを導入
する。これにより処理室１の内壁等に付着した酸化珪素
膜１５等が分解される。また処理室１内に付着した金属
汚染等も同時に除去される。上記バルブ６の開度等を調
節することによって、処理室１内に導入されるべきフッ
化水素酸ガス量の多少を調節することができ、付着物の
程度等に応じて最適条件下でその分解・除去を行うこと
ができる。この場合、バルブ９を開き、導管９ａを介し
て処理室１内に適宜窒素ガスを導入することにより、上
記処理室１内におけるフッ化水素酸ガスの濃度を調整す
ることができる。

【００１３】また処理室１１の内壁等には、酸化珪素膜
１５だけでなくＦｅ，Ｃｕ等の重金属物質が付着し得る
が、本発明装置によれば、これらＦｅ，Ｃｕ等の重金属
汚染物質に対しても有効に分解・除去が可能である。即
ち、上記のように処理室１内へバルブ６によりフッ化水
素酸ガスを導入すると同時に、バルブ７を開き、導管７
ａを介して処理室１内に塩酸ガスを導入する。そしてこ
の塩酸ガスによって、フッ化水素酸ガスのみでは除去し
切れなかった重金属汚染物質を完全に分解・除去するこ
とができる。

【００１４】上記のように付着汚染物質等の洗浄処理の
終了後、各バルブ６，７，８，９及び１０が閉じられ
る。また、バルブ９を開き、導管９ａを介して処理室１
内に窒素ガスを導入することにより、分解された汚染物
質や不必要なガス等を排出管３を介して、処理室１から
排出することができる。この場合、バルブ８を開き、導
管８ａを介して処理室１内に水蒸気を導入し、これによ
り該処理室１内を洗浄することができる。分解された汚
染物質や不必要なガス等を処理室１から排出後、更にバ
ルブ９を開いて処理室１内に窒素ガスを導入し、ヒータ
２によって処理室１を加熱することにより、上記水蒸気
によって濡れた処理室１内を乾燥させる。

【００１５】このようにバルブ６，７，８，９及び１０
を適宜開閉して、所望のガスを処理室１内に導入するこ
とにより、特に処理室１を装置から取り外することな
く、成膜装置内を洗浄し一定の洗浄度に保持するこがで
きる。その場合、主に各バルブ６，７，８，９又は１０
を開閉するだけの簡単な操作で済み、そして有害洗浄液
等に直接に触れることがないため、高い安全性を確保す
ることができる。

【００１６】上記実施例において、洗浄機構を熱処理室
に適用した例について説明したが、これと同様な問題を
有する他の装置、例えばＬＰＣＶＤ装置等に対しても有
効に適用することができ、上記実施例の場合と同様な作
用効果を得ることができる。また本発明装置を構成する
熱処理室や蓋体等の材質としては、例えば石英等を始め
とする種々の材料を適宜選定することができる。

【００１７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体基板に表面被膜を形成するための成膜装置におい
て、処理室内に堆積した付着物や金属汚染物質を完全に
分解し、しかもその処理室を取り外すことなく処理室の
洗浄を円滑に行うことができる。そして装置のメンテナ
ンス時間，労力を軽減し、また装置のスループット向上
を図ることができる等の利点を有している。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体基板のための成膜装置の一実施
例による概略構成を示す縦断面図である。

【図２】従来の半導体基板の成膜装置の概略構成を示す
縦断面図である。

【符号の説明】

１ 処理室 ２ ヒータ ３ 排出管 ４ ボート ５ ガス導入管 ６ バルブ ７ バルブ ８ バルブ ９ バルブ １０ バルブ

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体基板に表面被膜を形成するための
   成膜装置において、成膜処理を行うための処理室内を、
   クリーニング用ガスによって洗浄するための機構を備え
   ていることを特徴とする成膜装置。
2. 【請求項２】 上記クリーニング用ガスは、フッ化水素
   酸ガスであることを特徴とする請求項１に記載の成膜装
   置。