KR970023790A - 반도체 제조 장비용 석영 튜브의 세정방법 및 그 장치 - Google Patents

반도체 제조 장비용 석영 튜브의 세정방법 및 그 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR970023790A
KR970023790A KR1019950036908A KR19950036908A KR970023790A KR 970023790 A KR970023790 A KR 970023790A KR 1019950036908 A KR1019950036908 A KR 1019950036908A KR 19950036908 A KR19950036908 A KR 19950036908A KR 970023790 A KR970023790 A KR 970023790A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cleaning
quartz tube
space
cleaning space
semiconductor manufacturing
Prior art date
Application number
KR1019950036908A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100398583B1 (ko
Inventor
권창헌
Original Assignee
김주용
현대전자산업주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019950036908A priority Critical patent/KR100398583B1/ko
Publication of KR970023790A publication Critical patent/KR970023790A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100398583B1 publication Critical patent/KR100398583B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 제조 장비, 예컨대 확산 공정을 위한 석영 튜브의 세정방법 및 그 장치에 관한 것으로, 제1, 제2 및 제3세정공간으로 구획되며, 각각의 세정공간을 막아 밀폐하기 위한 도어가 개폐 가능하게 설치되어 이루어지는 세정 챔버와; 상기 세정 챔버의 제1세정 공간으로부터 제3세정 공간에 걸쳐 설치되는 것으로써, 그 세정체인 석영 튜브를 각각의 세정 공간으로 순차적으로 이송시키기 위한 이송 벨트와; 상기 세정 챔버의 제1세정 공간에 위치한 석영 튜브의 산화막을 식각, 제거하기 위한 수단과; 상기 세정 챔버의 제1세정 공간으로부터 제3세정 공간으로 이동된 석영 튜브의 공정 잔류 가스를 제거함과 동시에 건조시키기 위한 수단을 구비하여 케미컬 세정 직후 게터링 공정과 건조 공정을 일련의 연속된 공정으로 진행할 수 있도록 한 것이다. 이와 같은 본 발명에 의하여, 세정장치내에서 게터링 공정 및 진공고온 건조공정을 일련의 연속된 공정으로 진행하므로 확산로에서 진행하던 게터링 공정시간이 불필요하게 되어 장비를 보다 효율적으로 사용할 수 있음에 따른 처리량의 향상을 기할 수 있다. 또 얼룩반점과 파티클의 주원인인 수분과 모빌 이온을 완벽하게 제거할 수 있으므로 불순물에 의한 웨이퍼 오염을 방지 할 수 있음에 따른 제품의 신뢰성 및 수율 향상을 기할 수 있다.

Description

반도체 제조 장비용 석영 튜브의 세정방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 석영 튜브 세정장치의 구조 설명을 위한 평면도,
제3도는 제2도의 세정장치를 이용한 석영 튜브 세정방법의 플로우 챠트.

Claims (6)

  1. 불산 용액, 순수 및 질소가스를 이용하여 확산 공정시 증착된 산화막 등을 식각, 제거하는 제1단계의 케미컬 세정 공정후, 공정 잔류가스를 제거하기 위한 게터링 공정과, 진공고온 건조공정을 일련의 연속된 공정으로 진행하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비용 석영 튜브의 세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 게터링 공정은 튜브를 소장의 밀폐된 공간에 넣어 진공 가열시킨 후 게터 물질을 주입, 반응시켜 잔류 가스를 제거하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장비용 석영 튜브의 세정방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 게터 물질은 트리클로로 아세트산인 것을 특징으로하는 반도체 제조장비용 석영 튜브의 세정방법.
  4. 확산 공정시 사용된 석영 튜브의 산화막 및 공정 잔류가스를 제거하고 건조하는 반도체 제조 장비용 석영 튜브의 세정장치로서, 제1, 제2및 제3세정 공간으로 구획되며, 각각의 세정 공간을 막아 밀폐하기 위한 도어가 개폐가능하게 설치되어 이루어지는 세정 챔버; 상기 세정 챔버의 제1세정 공간으로부터 제3세정 공간에 걸쳐 설치되는 것으로써, 그 세정체인 석영 튜브를 각각의 세정 공간으로 순차적으로 이송시키기 위한 이송 벨트; 상기 세정 챔버의 제1세정 공간에 위치한 석영 튜브의 산화막을 식각, 제거하기 위한 수단; 및 상기 세정 챔버의 제1세정 공간으로 부터 제3세정 공간으로 이동된 석영 튜브의 공정 잔류 가스를 제거함과 동시에 건조시키기 위한 수단을 구비하여 케미컬 세정 직후 케터링 공정과 건조 공정을 일련의 연속된 공정으로 진행하도록 구성되는 반도체 제조장비용 석영 튜브의 세정장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 가스 제거 및 건조수단은 세정 챔버의 제3세정 공간을 일정 온도로 가열하기 위한 히터와, 상기 제3세정 공간을 진공 배기시키기 위한 진공 펌프와, 게터 물질을 주입하기 위한 공급관으로 구성됨을 특징으로 하는 반도체 제조 장비용 석영 튜브의 세정장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 게터 물질은 트리클로로 아세트산인 것을 특징으로하는 반도체 제조장비용 석영 튜브의 세정장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950036908A 1995-10-24 1995-10-24 반도체제조장비용석영튜브의세정방법및그장치 KR100398583B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950036908A KR100398583B1 (ko) 1995-10-24 1995-10-24 반도체제조장비용석영튜브의세정방법및그장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019950036908A KR100398583B1 (ko) 1995-10-24 1995-10-24 반도체제조장비용석영튜브의세정방법및그장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970023790A true KR970023790A (ko) 1997-05-30
KR100398583B1 KR100398583B1 (ko) 2003-12-11

Family

ID=37422214

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950036908A KR100398583B1 (ko) 1995-10-24 1995-10-24 반도체제조장비용석영튜브의세정방법및그장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100398583B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100408566B1 (ko) * 2001-09-05 2003-12-06 동부전자 주식회사 퀄츠 튜브 세정장치
KR100607746B1 (ko) * 2001-07-09 2006-08-01 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 제조장비용 석영류 세정장치
KR100699888B1 (ko) * 2005-12-23 2007-03-28 삼성전자주식회사 진공 인렛 소켓

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102616125B1 (ko) * 2016-07-26 2023-12-22 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 제조용 튜브 세정 장치
CN111906102B (zh) * 2019-05-08 2023-02-14 北京北方华创微电子装备有限公司 清洗腔室及清洗设备

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100607746B1 (ko) * 2001-07-09 2006-08-01 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 제조장비용 석영류 세정장치
KR100408566B1 (ko) * 2001-09-05 2003-12-06 동부전자 주식회사 퀄츠 튜브 세정장치
KR100699888B1 (ko) * 2005-12-23 2007-03-28 삼성전자주식회사 진공 인렛 소켓

Also Published As

Publication number Publication date
KR100398583B1 (ko) 2003-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6015503A (en) Method and apparatus for surface conditioning
US7025831B1 (en) Apparatus for surface conditioning
EP1162650A2 (en) Apparatus for surface conditioning
JPH09190997A (ja) ウェーハ乾燥装置
JP2001044185A (ja) 処理装置の排気システム
KR970023790A (ko) 반도체 제조 장비용 석영 튜브의 세정방법 및 그 장치
US5980684A (en) Processing apparatus for substrates
JPH03218017A (ja) 縦型熱処理装置
JP3058909B2 (ja) クリーニング方法
JP2003115519A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体製造装置、ロードロック室、基板収納ケース、ストッカ
JP3675385B2 (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
JPH0927474A (ja) アッシング方法およびその装置
JPH08195382A (ja) 半導体製造装置
KR20200144643A (ko) 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치 및 그에 의한 웨이퍼 클리닝 방법
JPH06333854A (ja) 成膜装置
JPS6297337A (ja) 乾燥装置
JP2002217155A (ja) 半導体基板の洗浄方法
JP2002231688A (ja) 基板の乾燥方法
KR0170459B1 (ko) 웨이퍼 세정방법 및 그 장치
JPS63266835A (ja) 気相反応装置
JPS61101032A (ja) 処理装置
JPH06173010A (ja) 熱処理装置
JPH11219907A (ja) ウエハ処理装置および処理方法
JPH0465128A (ja) ウェハの乾式洗浄装置及びその方法
JPH0232531A (ja) 半導体製造装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20100825

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee