JPS6297337A - 乾燥装置 - Google Patents
乾燥装置Info
- Publication number
- JPS6297337A JPS6297337A JP23801485A JP23801485A JPS6297337A JP S6297337 A JPS6297337 A JP S6297337A JP 23801485 A JP23801485 A JP 23801485A JP 23801485 A JP23801485 A JP 23801485A JP S6297337 A JPS6297337 A JP S6297337A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- drying
- wafers
- dust
- wafer
- dried
- Prior art date
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- Pending
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- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体工業において使用されるウェハ乾燥装
置に関する。
置に関する。
従来の技術
従来、この種の装置は３種に分類されている。
第１のタイプは、第３図（２Ｌ）に示すようなウェハを
カセットに入れたまま高速回転させるものである。
カセットに入れたまま高速回転させるものである。
第２のタイプは、第３図（ｂ）に示すようなウェハ表面
上の水膜を窒素ガスで吹きとばすもので、ウェハは一枚
づつ乾燥される。第３のタイプは、第３図（Ｃ）に示す
ようなウェハをカセットに入れたまま有機容剤中につけ
た後に引き上げるものである。
上の水膜を窒素ガスで吹きとばすもので、ウェハは一枚
づつ乾燥される。第３のタイプは、第３図（Ｃ）に示す
ようなウェハをカセットに入れたまま有機容剤中につけ
た後に引き上げるものである。
第３図において、４は容器、６はウェハ、６はカセット
、１１は清浄空気５１２はフィルター、１３はモーター
、１４はＮ２配管、１６は水膜、１６はウェハ搬送機、
１７はアーム、１８は有機溶剤を示す。
、１１は清浄空気５１２はフィルター、１３はモーター
、１４はＮ２配管、１６は水膜、１６はウェハ搬送機、
１７はアーム、１８は有機溶剤を示す。
発明が解決しようとする問題点
第３図（ａ）に示すタイプの乾燥装置では、一度に数カ
セット６のウェハ６を乾燥できるが機械的部分が多いた
めに乾燥後のウェハ６上にダストが残ってしまう。第３
図（ｂ）に示すタイプでは、乾燥後のウェハ６上に残る
ダストは少ないが、枚葉式なために処理時間が長くなっ
てしまう。第３図（Ｃ）に示すタイプでは、乾燥後のウ
ェハ５上に残るダストは少なく処理時間も短いが、ダス
ト上に微量の有機物が残ってしまう。
セット６のウェハ６を乾燥できるが機械的部分が多いた
めに乾燥後のウェハ６上にダストが残ってしまう。第３
図（ｂ）に示すタイプでは、乾燥後のウェハ６上に残る
ダストは少ないが、枚葉式なために処理時間が長くなっ
てしまう。第３図（Ｃ）に示すタイプでは、乾燥後のウ
ェハ５上に残るダストは少なく処理時間も短いが、ダス
ト上に微量の有機物が残ってしまう。
本発明は、乾燥後のウェハ６上に残るダストが少なく一
度に数カセット６のウェハ５を乾燥できる乾燥装置の提
供を目的とするものである。
度に数カセット６のウェハ５を乾燥できる乾燥装置の提
供を目的とするものである。
問題点を解決するための手段
本発明の特徴は、第１図に示すように真空ポンプ９およ
びヒーター７により、水洗・排水後容器４内を真空排気
しながら７ｏ〜８０℃まで加熱して乾燥する点である。
びヒーター７により、水洗・排水後容器４内を真空排気
しながら７ｏ〜８０℃まで加熱して乾燥する点である。
第１図において、１はふた。
２は純水配管、３はノズル、４は容器、６はウェハ、６
はカセット、７はヒーター、８は排水口、９は真空ポン
プ、１ｏはトラップ、１９は水抜き、２０はリークコッ
クを示す。
はカセット、７はヒーター、８は排水口、９は真空ポン
プ、１ｏはトラップ、１９は水抜き、２０はリークコッ
クを示す。
作用
容器４内を真空ポンプ９で排気しながらヒーター７で７
０°Ｃ以上に加熱して乾燥させるのでダストの吹き上げ
がなく、乾燥後のウェハ６上のダスト残りが少ない。
０°Ｃ以上に加熱して乾燥させるのでダストの吹き上げ
がなく、乾燥後のウェハ６上のダスト残りが少ない。
実施例
第１図に示すように、ノズル３から純水を出してウェハ
を洗浄後、排水口８から排水する。その後、ふた１を閉
じてヒーター７で７０°Ｃ以上に加熱しながら真空ポン
プ９で容器４内を真空排気し、ウェハ６を乾燥する。乾
燥処理終了後、リークコック１２を開けて容器４内を大
気圧に戻し、ふた１を開けてカセット６を取り出す。
を洗浄後、排水口８から排水する。その後、ふた１を閉
じてヒーター７で７０°Ｃ以上に加熱しながら真空ポン
プ９で容器４内を真空排気し、ウェハ６を乾燥する。乾
燥処理終了後、リークコック１２を開けて容器４内を大
気圧に戻し、ふた１を開けてカセット６を取り出す。
第２図は加熱時の均一性を上げるためにヒーター７をラ
ンプヒーター２１にしたものである。
ンプヒーター２１にしたものである。
発明の効果
本発明の乾燥装置を朗用することで、一度に数カセット
６のウェハ６を乾燥後のダスト残りのない状態で乾燥で
きる。半導体工業において、高集積化が進み乾燥後のダ
スト残りが大きな問題となっている今日、本発明の乾燥
装置は産業上極めて価値の高いものである。
６のウェハ６を乾燥後のダスト残りのない状態で乾燥で
きる。半導体工業において、高集積化が進み乾燥後のダ
スト残りが大きな問題となっている今日、本発明の乾燥
装置は産業上極めて価値の高いものである。
第１図、第２図は本発明の実施例の乾燥装置の概略図、
第３図は従来の乾燥装置の概略図である。 １・・・・・・ふた、２・・・・・・純水配管、３・・
・・・・ノズル、４・・・・・・容器、６・・・・・・
ウェハ、６・・・・・・カセット、７・・・・・・ヒー
ター、８・・・・・・排水口、９・・・・・・真空ポン
プ、１ｏ・・・・・・トラップ、１９・・・・・・水抜
Ｌ ２０・・・・・・リークコック。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 フＩ（抜、５ 第２図
第３図は従来の乾燥装置の概略図である。 １・・・・・・ふた、２・・・・・・純水配管、３・・
・・・・ノズル、４・・・・・・容器、６・・・・・・
ウェハ、６・・・・・・カセット、７・・・・・・ヒー
ター、８・・・・・・排水口、９・・・・・・真空ポン
プ、１ｏ・・・・・・トラップ、１９・・・・・・水抜
Ｌ ２０・・・・・・リークコック。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 フＩ（抜、５ 第２図
Claims (1)
- ウェハの乾燥をカセットごと減圧下で７０℃以上に加熱
して行なうことを特徴とする乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23801485A JPS6297337A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23801485A JPS6297337A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297337A true JPS6297337A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=17023867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23801485A Pending JPS6297337A (ja) | 1985-10-24 | 1985-10-24 | 乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297337A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100420009B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2004-02-25 | 주성엔지니어링(주) | 반도체소자 제조장치 |
| KR100464853B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2005-01-06 | 삼성전자주식회사 | 순간감압가열 건조방법 및 장치 |
-
1985
- 1985-10-24 JP JP23801485A patent/JPS6297337A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100420009B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2004-02-25 | 주성엔지니어링(주) | 반도체소자 제조장치 |
| KR100464853B1 (ko) * | 2002-06-20 | 2005-01-06 | 삼성전자주식회사 | 순간감압가열 건조방법 및 장치 |
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