JP3232575B2

JP3232575B2 - 半導体処理装置

Info

Publication number: JP3232575B2
Application number: JP5893091A
Authority: JP
Inventors: 敏之牧田; 良介佐藤; 幸一上栗; 敏坂内
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1990-10-16
Filing date: 1991-03-22
Publication date: 2001-11-26
Anticipated expiration: 2016-11-26
Also published as: JPH04212422A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、粘着テープに保持した
ウェハを処理するための半導体処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、プロセス（素子形成）工程を備
えた半導体ウェハは、次の工程で例えば数ｍｍ角のチッ
プにダイシングするダイシング処理と、ダイシング処理
された半導体ウェハを洗浄する洗浄処理と、半導体ウェ
ハ上の水分を除去する乾燥処理等が行なわれる。特に、
半導体ウェハを粘着テープ（ＵＶテープ）に保持させた
場合においては、ダイシング処理後、紫外線を照射して
上記粘着テープの粘着力を低下させ、ダイシング後のア
センブリ工程での歩留り低下を抑制するようにしている
（特開平２−１０８５２号公報参照）。

【０００３】ところで、上記工程のうち、乾燥処理は、
従来において例えば図５〜図７に示すような乾燥処理装
置を用いて行なうようにしている。即ち、図５で示す乾
燥処理装置（スピンドライ装置）Ｄは粘着テープ４２の
中央に半導体ウェハ４３を保持し、粘着テープ４２の外
周にフレーム４４を貼着してなるワーク４５を回転台４
１上に載置し、モータ４６により回転台４１を回転させ
ながら、エアノズル４７からエアをワーク４５に吹き付
けて半導体ウェハ４３の乾燥を行なうものである。

【０００４】また、図６で示す乾燥処理装置Ｅは、上記
ワーク４５を複数縦型に配列し、これらワーク４５を回
転軸４８を介してモータ４９により回転させながら、エ
アノズル５０からエアをワーク４５に吹き付けて半導体
ウェハ４３の乾燥を行なうものである。また、図７で示
す乾燥処理装置Ｆは、ヒータ５１が配された炉５２内に
ワーク４５を複数積重ねて配し、ヒータ５１からの加熱
によって半導体ウェハ４３の乾燥（オーブン乾燥）を行
なうものである。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５で
示す乾燥処理装置Ｄは、半導体ウェハ４３の表面に付着
した比較的大きな水滴を除去することはできるが、ダイ
シング処理により形成されたダイシング溝に付着した水
分やパターン凹凸部の影になるような部分に付着した水
分を除去することができず、しかも、パッシベーション
膜として水分浸透性を有する膜質のもの（例えばＰＩＱ
など）を用いた場合、その水分を除去することができな
いという不都合があり、半導体ウェハ４３上に形成され
たチップの歩留りを向上させることができない。

【０００６】また、図６及び図７で示す乾燥処理装置Ｅ
及びＦは、バッチ処理方式のため、半導体ウェハ４３の
処理工程における自動化が達成できず、しかも、各半導
体ウェハ４３間の乾燥状態にばらつきが生じ、時間もか
かるという不都合がある。

【０００７】本発明は、このような点に鑑み成されたも
ので、その目的とすることろは、前工程で行なわれるダ
イシング処理等により水分残査の確実なる除去と粘着テ
ープに対する粘着力の低下処理が同時に行なえ、半導体
ウェハ上に形成されたチップの歩留りの向上並びに半導
体ウェハに対する処理工程の合理化を図ることができる
半導体処理装置を提供することにある。

【０００８】また、本発明は、半導体ウェハに対するダ
イシング処理、洗浄処理及び乾燥処理を枚葉処理方式で
行なえ、半導体ウェハに対する処理工程の合理化（ＦＡ
化）並びに高精度で再現性のある処理を実現させること
ができる半導体処理装置を提供することある。

【０００９】また、本発明は、半導体ウェハを粘着テー
プに保持するウェハマウント処理、ダイシング処理、洗
浄処理、乾燥処理及び紫外線照射処理を同一装置内で行
い、半導体ウェハに対する処理工程の合理化と共に、装
置全体の小型化を実現させることができる半導体処理装
置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の半導体処理装置
Ａは、処理室３内を石英ガラス１１が嵌め込まれた仕切
り板４で２分し、仕切られた一方に真空乾燥処理手段５
を設けると共に、他方に紫外線照射手段６を設けてな
り、真空乾燥処理手段５側に粘着テープ２１に保持され
たウェハ２２を仕切り板４から浮かせた状態で収容し、
真空乾燥処理手段５側を排気しながら、紫外線照射手段
６からの紫外線を粘着テープ２１に照射するように構成
する。

【００１１】また、本発明の半導体処理装置Ｂは、粘着
テープ２１に保持されたウェハ２２を処理するためのダ
イシング処理部３１と、洗浄処理部３２と、紫外線照射
手段６を有する真空乾燥処理部３３とを併設し、真空乾
燥処理部３３としては、処理室３内を石英ガラス１１が
嵌め込まれた仕切り板４で２分し、仕切られた一方に真
空乾燥処理手段５を設けると共に、他方に紫外線照射手
段６を設けてなり、真空乾燥処理手段５側にウェハ２２
を仕切り板４から浮かせた状態で収容し、真空乾燥処理
手段５側を排気しながら、紫外線照射手段６からの紫外
線を粘着テープ２１に照射するように構成する。

【００１２】また、本発明の半導体処理装置Ｃは、ウェ
ハ２２を粘着テープ２１に保持するウェハマウント処理
部６１、ダイシング処理部３１、洗浄処理部３２及び紫
外線照射手段６を有する真空乾燥処理部３３を一体に備
え、真空乾燥処理部３３としては、処理室３内を石英ガ
ラス１１が嵌め込まれた仕切り板４で２分し、仕切られ
た一方に真空乾燥処理手段５を設けると共に、他方に紫
外線照射手段６を設けてなり、真空乾燥処理手段５側に
ウェハ２２を仕切り板４から浮かせた状態で収容し、真
空乾燥処理手段５側を排気しながら、紫外線照射手段６
からの紫外線を粘着テープ２１に照射するように構成す
る。

【００１３】

【作用】上述の第１の本発明の構成によれば、処理室３
内を石英ガラス１１が嵌め込まれた仕切り板４で２分
し、仕切られた一方に真空乾燥処理手段５を設け、他方
に紫外線照射手段６を設けてなり、真空乾燥処理手段５
側に粘着テープ２１に保持されたウェハ２２を収容し
て、真空乾燥処理手段５側を排気しながら、紫外線照射
手段６からの紫外線を粘着テープ２１に照射するように
構成することにより、１つの半導体処理装置内で、粘着
テープに保持されたウェハの真空乾燥処理と、粘着テー
プ２１の粘着力低下を促す紫外線照射処理とを同時に行
うことが可能になる。仕切り板４に石英ガラス１１が嵌
め込まれているので、石英ガラス１１を通して紫外線照
射手段６からの紫外線を粘着テープ２１に照射すること
が可能になる。乾燥処理では、真空乾燥処理手段５側の
真空脱水効果により、ウェハ２２表面の水分のほか、ダ
イシング処理による水分（ダイシング溝やパターン凹凸
部に水分）の残り並びに水分浸透性を有するパッシベー
ション膜の水分を確実に除去することが可能となり、ウ
ェハ２２上のチップの歩留りを向上させることができ
る。この真空乾燥処理と、粘着テープ２１への紫外線照
射処理とを同時に行われるので、ウェハ２２に対する処
理工程の合理化を実現させることができる。粘着テープ
２１に保持されたウェハ２２を仕切り板４から浮かせた
状態で収容し、真空乾燥を行い、更に紫外線照射を併せ
て行うので、より安定で効率的にウェハ２２及び粘着テ
ープ２１の乾燥と、粘着テープの粘着力低下が可能にな
る。また、排気処理しながら紫外線を照射するため、紫
外線照射工程中において粘着テープ２１に酸素が吸着す
ることがなく、粘着テープ２１に対して確実にその粘着
力低下を実現できる。

【００１４】また、上述の第２の本発明の構成によれ
ば、ダイシング処理部３１と、洗浄処理部３２と、上記
第１の発明と同じ構成を採る紫外線照射手段６を設けて
なる真空乾燥処理部３３とを１つの半導体処理装置Ｂに
併設するようにしたので、ダイシング処理、洗浄処理、
乾燥処理（及び粘着テープ２１への粘着力低下処理）の
一連の工程に関し、その合理化（ＦＡ化）を実現させる
ことができる。また、上記一連の工程を枚葉処理方式に
より処理することができるため、高精度で再現性のある
ウェハ処理が達成できる。

【００１５】また、上述の第３の本発明の構成によれ
ば、ウェハ２２を粘着テープ２１に保持するウェハマウ
ント処理部６１と、ダイシング処理部３１と、洗浄処理
部３２と、上記第１の発明と同じ構成を採る紫外線照射
手段６を設けてなる真空乾燥処理部３３を１つの半導体
処理装置Ｃに備えるようにしたので、ウェハマウント処
理からダイシング処理、洗浄処理、乾燥処理を経て粘着
テープ２１への粘着力を低下させるための紫外線照射処
理までの一連の工程を合理化させることができると同時
に、装置全体の小型化を図ることができる。また、上記
一連の工程を枚葉処理方式により処理することができる
ため第２の発明と同様に高精度で再現性のあるウェハ処
理が達成できる。

【００１６】

【実施例】以下、図１〜図４を参照しながら本発明の実
施例を説明する。

【００１７】図１は、本実施例に係る真空乾燥処理装置
Ａを示す構成図である。この真空乾燥処理装置Ａは、有
底箱体１に蓋２を取り付けて構成された真空乾燥処理室
３内に仕切板４を境として上部に真空乾燥処理手段５、
下部に紫外線照射手段６を有してなる。真空乾燥処理手
段５は、外部に設置された真空ポンプ７からの配管８が
導入されて、その内部が真空状態に保持されるようにな
されている。紫外線照射手段６は、紫外線照射源（ＵＶ
ランプ）９と、該ＵＶランプ９を横方向に摺動させるス
ライドユニット１０からなり、仕切板４の中央に嵌込ま
れた石英ガラス１１を通してＵＶランプ９からの紫外線
が上部の真空乾燥処理手段５側に照射されるように構成
されている。尚、蓋体２は、外部に取り付けられたシリ
ンダ１２等による開閉機構１３によって、真空乾燥処理
室３に対し開閉自在とされている。

【００１８】次に、上記真空乾燥処理装置Ａの使用例
（動作）を図１及び図２のシーケンスブロック図を参照
しながら説明する。まず、蓋２を開閉機構１３により開
けたのち、粘着テープ２１に保持されたダイシング処理
及び洗浄処理済の半導体ウェハ２２を真空乾燥処理室３
内に収容する。このとき、粘着テープ２１の外周に取り
付けられたダイシングフレーム２３を仕切板４上に設け
られた支持体１４上に載せることにより、半導体ウェハ
２２を浮かせた状態にして収容する。

【００１９】次に、蓋２を開閉機構１３により閉じて真
空乾燥処理室３内を気密状態にしたのち、真空ポンプ７
を作動させて真空乾燥処理室３内に対し、排気処理を行
なう。この排気処理時間は約１〜２分程度である。この
とき、真空乾燥処理室３内が排気されることにより、該
室３内において所謂真空脱水が生じ、半導体ウェハ２２
上の水分が蒸発する。この場合、半導体ウェハ２２上の
水分はグラム単位以下であることから、約１分程度の排
気処理でほとんど蒸発する。従って、半導体ウェハ２２
表面の水分のほか、前工程のダイシング処理による水分
（ダイシング溝やパターン凹凸部の水分）の残り並びに
水分浸透性を有するパッシベーション膜の水分が確実に
除去される。

【００２０】一方、上記排気処理を行なっている間に、
半導体ウェハ２２、特に粘着テープ２１に対し、下部の
紫外線照射手段６から紫外線を１〜２秒間ほど照射して
粘着テープ２１の粘着力を低下させる。このとき、ＵＶ
ランプ９をスライドユニット１０により横方向に摺動さ
せながら行なうため、粘着テープ２１中、半導体ウェハ
２２を保持している部分全体に照射線を均一に照射させ
ることができる。また、フレーム２３が粘着している部
分は、石英ガラス１１の開口幅ｎにより紫外線の入射が
規制されているため、上記部分の粘着力が低下するとい
うことはない。従って、その後の工程において、フレー
ム２３を保持しながら半導体ウェハ２２を搬送する際
に、該ウェハ２２が粘着テープ２１ごと落下するという
不慮の事故を防止することができる。

【００２１】一般に、半導体ウェハ２２を保持する粘着
テープ２１は、例えばダイシング処理時などにおいて、
半導体ウェハ２２がずれたり、ダイシング直後、チップ
が冷却水等によって流失したり、その配列が乱れたりす
ることのないように、その粘着力は大であることが好ま
しい。しかし、ダイシング処理後のアセンブリ工程にお
いて、粘着テープ２１からチップを取り出すことが困難
になるため、粘着テープ２１の粘着力は反対に弱いこと
が好ましい。たのような相反する要求に最適とされるも
のにＵＶテープがあり、通常は、その粘着力は大きく、
紫外線を当てることによって、その粘着力が低下すると
いうものである。ところが、このＵＶテープに酸素が吸
着した場合、紫外線照射による粘着力の低下が抑制（阻
止）されて、次のアセンブリ工程において、チップをう
まく取り出すことができないという不都合が生じる。し
かし、本例では、真空乾燥処理室３内を排気処理しなが
ら紫外線を照射するようにしているため、粘着テープ２
１に酸素が吸着するということがなくなり、粘着テープ
２１に対し、確実にその粘着力を低下させることができ
る。

【００２２】ところで、真空乾燥処理室３内を排気処理
する際、外部との温度差により、該室３の内壁に結露が
発生し、真空乾燥処理手段５の排気処理による水分除去
が充分でなくなる場合が生じる。そこで、本例では、蓋
２の内壁にヒータ２４を設け、このヒータ２４による加
熱によって、真空乾燥処理室３内外の温度差を極力なく
すようにする。このようにすれば、上記結露の発生が防
止され、半導体ウェハ２２上の水分の除去が確実にな
る。また、このヒータ２４による加熱によって、水分の
蒸発を促進させることができるため、排気処理にかかる
時間を短縮させることができると共に、チップサイズの
細かいワーク（ウェハ）に対する乾燥処理も有利にな
る。

【００２３】そして、上記排気処理終了後、真空乾燥処
理室３内を大気圧に戻したのち、蓋２を開閉機構１３に
より開け、その後、フレーム２３ごと半導体ウェハ２２
を取り出したのち、該半導体ウェハ２２を次のアセンブ
リ工程に投入して、本例に係る真空乾燥処理装置Ａの動
作が終了する。

【００２４】上述の如く、本例によれば、真空乾燥処理
室３内を石英ガラス１１が嵌め込まれた仕切り板４で２
分し、仕切られた一方に真空乾燥処理手段５を設け、他
方に紫外線照射手段６を設け、真空乾燥処理手段５側に
粘着テープ２１に保持されたウェハ２２を収容するの
で、真空乾燥処理手段５による真空脱水効果により、半
導体ウェハ２２上の水分を確実に除去することが可能に
なり、半導体ウェハ２２上のチップの歩留りを向上させ
ることができる。真空乾燥処理手段５側を排気しなが
ら、紫外線照射手段６からの紫外線を粘着テープ２１に
照射するので、上記水分除去と、粘着テープ２１への粘
着力低下処理とを同時に行うことができ、半導体ウェハ
２２に対する処理工程の簡略化、工数の削減化を図るこ
とができる。粘着テープ２１に保持されたウェハ２２を
仕切り板４から浮かせた状態で真空乾燥を行い、さらに
紫外線照射を併せて行うので、より安定で効率的に半導
体ウェハ２２および粘着テープ２１の乾燥と、粘着テー
プ２１の粘着力低下を実現できる。また、排気処理しな
がら紫外線を照射するため、紫外線照射工程中において
粘着テープ２１に酸素が吸着することがなく、粘着テー
プ２１に対して確実にその粘着力を低下させることがで
きる。仕切り板４に石英ガラス１１が嵌め込まれている
ので、石英ガラス１１を通して紫外線照射手段６からの
紫外線を粘着テープ２１に照射することが可能になる。

【００２５】次に、上記真空乾燥処理装置Ａを設置した
半導体処理装置Ｂについて図３に基いて説明する。この
半導体処理装置Ｂは、粘着テープ２１に保持された半導
体ウェハ２２をダイシング処理するダイシング処理部３
１と、ダイシング処理された半導体ウェハ２２を洗浄す
る洗浄処理部３２と、上記真空乾燥処理装置Ａで構成さ
れた真空乾燥処理部３３とが併設されてなる。

【００２６】ダイシング処理部３１は、粘着テープ２１
により保持された半導体ウェハ２２が載置されるテーブ
ル３４を有し、このテーブル３４は、横方向に摺動自在
とされている。そして、このテーブル３４に半導体ウェ
ハ２２が載置されると、該テーブル３４が、横方向に摺
動して、上記半導体ウェハ２２をスピンドル部３５の先
端に取り付けられたダイシング装置（図示せず）下に搬
送して、半導体ウェハ２２に対し、ダイシング処理を行
なう。このダイシング処理が終了すると、上記テーブル
３４は、元の位置に摺動・復帰する。

【００２７】洗浄処理部３２は、図示しない回転駆動系
に取付けられたテーブル３６が、上記回転駆動系による
回転運動によって高速回転するようになされており、こ
のテーブル３６に半導体ウェハ２２を載置させることに
よって、該半導体ウェハ２２に対し、スピンナー洗浄を
行なうようになされている。

【００２８】真空乾燥処理部３３は、上記真空乾燥処理
装置Ａと同様の構成を有するため、その説明は省略す
る。尚、３７は、半導体ウェハ２２を保持した粘着テー
プ２１の外周に貼着されたフレーム２３をクランプし、
同時に軸３７ａを中心にして搬送するフレーム搬送アー
ムである。図示の例では軸３７ａの部分のみを示し、ク
ランプ部分は省略して示す。

【００２９】次に、この半導体処理装置Ｂの動作を説明
すると、まず前工程で粘着テープ２１の外周にフレーム
２３がマウントされ、次いで粘着テープ２１の中央部上
に半導体ウェハ２２がマウントされて未処理のワークＷ
が組立てられ、この未処理のワークＷを待機テーブル３
８に投入する。次にフレーム搬送アーム３７を動作させ
て待機テーブル３８に載置されているワークＷをダイシ
ング処理部３１のテーブル３４に搬送する。そして、こ
のダイシング処理部３１において、ダイシング処理され
たワークＷを再びフレーム搬送アーム３７を用いて洗浄
処理部３２のテーブル３６に載置し、この洗浄処理部３
２において、ワークＷ上の半導体ウェハ２２に対し、ス
ピンナー洗浄を行なう。このスピンナー洗浄後、再びフ
レーム搬送アーム３７を用いてワークＷを真空乾燥処理
部３３の仕切板４上に載置し、この真空乾燥処理部３３
において、真空乾燥処理と粘着テープ２１に対する粘着
力の低下処理を行なう。その後、再びフレーム搬送アー
ム３７を用いて乾燥処理済のワークＷを待機テーブル３
８に載置する。処理済のワークＷが待機テーブル３８に
載置されると、該待機テーブル３８が手前（図面上では
下方）に摺動し、ワークＷを処理済マガジン３９側に搬
送する。そして、待機テーブル３８上のワークＷを処理
済マガジン３９に投入して本例に係る半導体処理装置Ｂ
の一連の動作が終了する。

【００３０】上述の如く、本例によれば、上記真空乾燥
処理装置Ａを真空乾燥処理部３３として、ダイシング処
理部３１と洗浄処理部３２と共に、１つの半導体処理装
置Ｂに併設するようにしたので、ダイシング処理、洗浄
処理、乾燥処理及び粘着テープ２１への粘着力低下処理
の一連の工程を簡略化できると共に、その合理化（ＦＡ
化）を実現させることができる。また、上記一連の工程
を枚葉処理方式により処理することができるため、ワー
クＷに対し、高精度で再現性のある処理を行なうことが
できる。

【００３１】次に、図４を用いて上記真空乾燥処理装置
Ａを有し、粘着テープへのウェハマウントからダイシン
グ，洗浄，乾燥及び紫外線照射の一連の工程を一括して
処理する半導体処理装置Ｃについて説明する。

【００３２】この半導体処理装置Ｃは、粘着テープ２１
に半導体ウェハ２２を保持するウェハマウント処理部６
１と、この粘着テープ２１に保持された半導体ウェハ２
２をダイシング処理する前記ダイシング処理部３１と、
ダイシング処理された半導体ウェハ３２を洗浄する前記
洗浄処理部３２と、前記真空乾燥処理装置Ａで構成され
た紫外線照射処理を兼ねる真空乾燥処理部３３とを備え
て成る。

【００３３】ウェハマウント処理部６１は、外周にリン
ク状のフレーム２３が粘着された粘着テープ２１を載置
する載置部６２を有し、この載置部６２上にフレーム２
３を有する粘着テープ２１を載置し、更に粘着テープ２
１の中央部に半導体ウェハ２２を載置したのち、粘着テ
ープ２１の裏面よりローラ６６を圧接して粘着テープ２
１に半導体ウェハ２２を粘着させるようになされてい
る。

【００３４】このウェハマウント処理部６１の近傍位置
には、フレーム２３を粘着テープ２１にマウントするた
めのフレームマウント処理部６３が設けられる。このフ
レームマウント処理部６３では、フレーム２３の輪郭形
状に対応した粘着テープ２１が所定ピッチをもって剥離
紙６４上に貼着されたシート状体６５を連続して自動的
に供給し、このシート状体６５の粘着テープ２１上にフ
レーム２３を載置し、シート状体６５の裏面よりローラ
６７を圧接して粘着テープ２１とフレーム２３とを粘着
するようになされている。シート状体６５はロール状に
巻かれており、順次フレームマウント処理部６３に自動
的に供給されるようになされている。尚、６８はフレー
ムをクランプし、軸６８ａを中心にして搬送するフレー
ム搬送アームである。このフレーム搬送アーム６８によ
って、フレームマウント処理部６３からフレーム２５を
有する粘着テープ２１をウェハマウント処理部６１に搬
送し、さらに粘着テープ２１にマウントされた半導体ウ
ェハ２２を待機テーブル３８に搬送するようになされ
る。

【００３５】ダイシング処理部３１、洗浄処理部３２及
び紫外線照射処理を兼ねる真空乾燥処理部３３は図３と
同様の構成をとるので詳細説明は省略する。但し、ダイ
シング処理部３１では、切削水を使用するため、その切
削水及び霧状体等がウェハマウント処理部６１、真空乾
燥処理部３３へ侵入しないように自動開閉式シャッタ６
９（カバー体）が設けられている。またダイシング処理
部３１全体の雰囲気をダクトを通して排出し、霧状体の
外部への漏れを防止するようになされる。さらに、シャ
ッタ開時に霧状体の巻き込みを防ぐためにダイシング処
理部の両側にエアを流し、負圧を形成するようになすを
可とする。

【００３６】ウェハマウント処理部６１の近傍及び待機
テーブル３８の近傍には例えば各フレーム２３の一部の
面上に付されたバーコードを認識するためのバーコート
認識部７０及び７１が配される。また、ダイシング処理
部３１のテーブル３４の近傍にウェハ２２のダイシング
ラインをチェックするためのウェハアライメント部７３
が設けられている。

【００３７】次に、この半導体処理装置Ｃの動作を説明
する。まず、ウェハ供給部７４に複数の半導体ウェハ２
２を収納したマガジン７５が自動的に供給される。この
マガジン７５より１枚づつ半導体ウェハ２２がウェハア
ライメント部７６に搬送されて、ここにおいて半導体ウ
ェハ２２の位置決がなされる。一方、フレーム供給部７
７ではフレーム２３が連続的に自動供給され、このフレ
ーム供給部７７よりのフレーム２３をフレームマウント
部６３の粘着テープ２１上に搬送し、ローラ６７によっ
てフレーム２３を粘着テープ２１の外周に粘着する。

【００３８】次に、フレーム搬送アーム６８によりフレ
ーム２３を粘着した粘着テープ２１を剥離紙６４より剥
離してウェハマウント部６１の載置部６２上に載置す
る。そして、この粘着テープ２１の中央部上にウェハア
ライメント部７６からの半導体ウェハ２２を搬送し、ロ
ーラ６６を介して粘着テープ２１に半導体ウェハ２２を
マウントする。

【００３９】次いで、粘着テープ２１の中央部上に半導
体ウェハ２２をマウントした未処理のワークＷをフレー
ム搬送アーム６８を介して待機テーブル３８に搬送す
る。

【００４０】次に、図３で説明したと同様に、フレーム
搬送アーム３８を介してダイシング処理部３１のテーブ
ル３４に搬送し、半導体ウェハ２２に対してダイシング
処理する。ワークＷの搬送ではシャッタ６９を開き、ダ
イシング処理部内でエアを流してダイシング処理部側を
負圧にして霧状体の外部への漏れを防止しながらワーク
Ｗの搬送が行われる。シャッタ６９を閉めたのちダイシ
ング処理が行われるが、このとき、ダイシング処理部全
体の雰囲気がダクトを介して排出されることにより、霧
状体の外部への漏れが防止される。

【００４１】ダイシング後、ワークＷを再びフレーム搬
送アーム３８を介して洗浄処理部３２のテーブル３６に
載置し、ワークＷの半導体ウェハ２２に対し、スピンナ
ー洗浄を行なう。スピンナー洗浄後、再びフレーム搬送
アーム３８を用いてワークＷを真空乾燥処理部３３の仕
切板上に載置し、真空乾燥処理と、紫外線照射を行い、
乾燥と共に粘着テープの粘着力を低下させる。その後、
再びフレーム搬送アーム３８を用いて処理済みのワーク
Ｗを待機テーブル３８に載置する。そして、待機テーブ
ル３８上のワークＷを処理済みマガジン３９に投入して
本例に係る半導体処理装置の一連の動作が終了する。

【００４２】本例の半導体処理装置Ｃによれば、粘着テ
ープ２１への半導体ウェハ２２のマウント処理、ダイシ
ング処理、洗浄処理、乾燥処理及び紫外線照射処理の各
機能を一つの装置に組込むことにより、ウェハマウント
処理からダイシング処理、洗浄処理、乾燥処理を経て粘
着テープの粘着力を低下させる紫外線照射処理までの一
連の工程を合理化させることができる。同時にこの一連
の工程を枚葉処理方式により処理することができるた
め、図３で説明したと同時に高精度で再現性のあるウェ
ハ処理が達成できる。しかも、この一連の工程を行う半
導体処理装置の小型化を図ることができ、クリーンルー
ム内のスペースの有効利用が増大する。また、従来のウ
ェハマウント装置、ダイシング装置、紫外線照射装置等
を別個に設備した場合に比べて低価格で必要機能を備え
た半導体処理装置を実現できる。さらに、ウェハ供給部
７４即ちローダ部と、ワーク処理済マガジン３９が配さ
れるアンローダ部が各１つであるので、マガジン物流回
数を削減することができる。

【００４３】

【発明の効果】本発明に係る半導体処理装置によれば、
前工程で行われるダイシング処理等による水分残査の確
実なる除去と、粘着テープに対する粘着力の低下処理を
同時に行なうことができ、ウェハ上に形成されたチップ
の歩留りの向上並びにウェハに対する処理工程の合理化
を図ることができる。

【００４４】また、本発明に係る半導体処理装置によれ
ば、ウェハに対するダイシング処理、洗浄処理、乾燥処
理（及び粘着テープに対する粘着力の低下処理）を枚葉
処理方式で行なうことができく、ウェハに対する処理工
程の合理化（ＦＡ化）並びに高精度で再現性のある処理
を実現させることができる。

【００４５】また、本発明に係る半導体処理装置によれ
は、粘着テープに対するウェハのマウント処理、ウェハ
に対するダイシング処理、洗浄処理、乾燥処理及び紫外
線照射して粘着テープに対する粘着力の低下処理の一連
の工程の合理化を図ることができ、且つこの一連の工程
を行う半導体処理装置の小型化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る真空乾燥処理装置を示す構成図で
ある。

【図２】その動作を示すシーケンスブロック図である。

【図３】本発明に係る半導体処理装置の一例を示す構成
図である。

【図４】本発明に係る半導体処理装置の他の例を示す構
成図である。

【図５】従来例に係る乾燥処理装置を示す構成図であ
る。

【図６】他の従来例に係る乾燥処理装置を示す構成図で
ある。

【図７】さらに他の従来例に係る乾燥処理装置を示す構
成図である。

【符号の説明】

Ａ真空乾燥処理装置Ｂ，Ｃ半導体処理装置３真空乾燥処理室４仕切板５真空乾燥処理手段６紫外線照射手段７真空ポンプ８配管９ＵＶランプ２１粘着テープ２２半導体ウェハ２３フレーム３１ダイシング処理部３２洗浄処理部３３真空乾燥処理部６１ウェハマウント処理部６３フレームマウント処理部Ｗワーク

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者坂内敏東京都品川区北品川６丁目７番35号ソニー株式会社内 (56)参考文献特開平２−10852（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−288642（ＪＰ，Ａ) 実開昭63−44439（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/304 651 H01L 21/301

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】処理室内が石英ガラスを嵌め込んだ仕切
り板で２分され、仕切られた一方に真空乾燥処理手段が
設けられると共に、他方に紫外線照射手段が設けられて
なり、前記真空乾燥処理手段側に粘着テープに保持されたウェ
ハを前記仕切り板から浮かせた状態で収容し、前記真空乾燥処理手段側を排気しながら、前記紫外線照
射手段からの紫外線を前記粘着テープに照射するように
して成ることを特徴とする半導体処理装置。
【請求項２】粘着テープに保持されたウェハを処理す
るためのダイシング処理部と、洗浄処理部と、紫外線照
射手段を有する真空乾燥処理部とが併設され、前記真空
乾燥処理部は、処理室内が石英ガラスを嵌め込んだ仕切
り板で２分され、仕切られた一方に真空乾燥処理手段が
設けられると共に、他方に紫外線照射手段が設けられて
なり、前記真空乾燥処理手段側に前記ウェハを前記仕切り板か
ら浮かせた状態で収容し、前記真空乾燥処理手段側を排
気しながら、前記紫外線照射手段からの紫外線を前記粘
着テープに照射するようにして成ることを特徴とする半
導体処理装置。
【請求項３】ウェハを粘着テープに保持するウェハマ
ウント処理部、ダイシング処理部、洗浄処理部及び紫外
線照射手段を有する真空乾燥処理部を一体に備え、前記真空乾燥処理部は、処理室内が石英ガラスを嵌め込
んだ仕切り板で２分され、仕切られた一方に真空乾燥処
理手段が設けられると共に、他方に紫外線照射手段が設
けられてなり、前記真空乾燥処理手段側に前記ウェハを前記仕切り板か
ら浮かせた状態で収容し、前記真空乾燥処理手段側を排
気しながら、前記紫外線照射手段からの紫外線を前記粘
着テープに照射するようにして成ることを特徴とする半
導体処理装置。