KR102336153B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR102336153B1
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마사유키 오쓰지
미쓰카즈 다카하시
가즈히로 혼쇼
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 장치는, 처리실 내에서 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 기판의 표면에 처리액 막을 형성하는 액처리 유닛과, 고체화실 내에서 상기 처리액 막을 고체화시켜 상기 기판의 표면에 고체화 막을 형성하는 고체화 유닛과, 제거실 내에서 상기 고체화 막을 제거하기 위한 제거액을 상기 기판의 표면에 공급하는 제거 처리 유닛과, 상기 처리실로 기판을 반입하고, 상기 제거실로부터 기판을 반출하는 주반송 유닛과, 상기 처리실로부터 기판을 반출하여 상기 고체화실로 기판을 반입하는 로컬 반송 유닛을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
이 발명은, 기판을 처리하기 위한 장치 및 방법에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED(Field Emission Display)용 기판, 광디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.
반도체 장치 등의 제조 공정에서는, 기판의 표면에 부착된 이물을 제거하기 위한 세정 처리가 행해진다. 예를 들어, 특허문헌 1은, 기판의 주면에 휘발 성분을 포함하는 성막용 처리액을 공급하는 공정과, 휘발 성분을 증발시켜 성막용 처리액을 고체화 또는 경화시킴으로써 기판의 주면에 막을 형성하는 공정과, 제거액에 의해서 기판 주면 상의 막을 제거하는 공정을 실행하는 기판 세정 시스템을 개시하고 있다. 성막용 처리액이 고체화 또는 경화할 때에 체적 수축이 생기고, 또 제거액이 공급되면 막의 팽윤에 의해서 체적 팽창이 생긴다. 체적 수축 및 팽창시에 기판 상의 파티클에 대해서 인장력이 작용하여, 기판 주면(패턴의 표면을 포함한다)으로부터 파티클이 떼어 놓아진다. 그것에 의해, 기판 주면의 파티클을 제거할 수 있다.
특허문헌 1의 도 14에는, 제1 처리부, 제2 처리부 및 제3 처리부를 구비한 기판 세정 장치가 개시되어 있다. 캐리어로부터 취출된 기판은, 기판 반송 장치에 의해서 제1 처리부에 반입된다. 제1 처리부는, 기판에 성막용 처리액으로서 탑코팅액을 공급한다. 탑코팅액이 공급된 기판은, 상기 기판 반송 장치에 의해서 제1 처리부로부터 취출되고, 제3 처리부에 반입된다. 제3 처리부는, 핫 플레이트에 의해서 기판을 가열하여, 탑코팅액 중의 휘발 성분을 휘발시킨다. 그것에 의해, 탑코팅액이 체적 수축하면서 고체화 또는 경화하여, 탑코팅 막이 형성된다. 탑코팅 막이 형성된 기판은, 상기 기판 반송 장치에 의해서 제3 처리부로부터 취출되고, 제2 처리부에 반입된다. 제2 처리부는, 기판에 제거액으로서의 알칼리 현상액을 공급함으로써, 탑코팅 막을 제거한다. 그 후, 제2 처리부에 있어서 기판의 세정이 행해지고, 그 세정 후의 기판은, 상기 기판 반송 장치에 의해서 제2 처리부로부터 취출된다. 그 처리 후의 기판은, 캐리어에 수용된다.
일본국 특허공개 2015-62259호 공보(도 14)
특허문헌 1의 선행 기술에서는, 동일 기판 반송 장치가, 미처리의 기판을 제1 처리부에 반입하고, 성막용 처리액이 도포된 기판을 제1 처리부로부터 제3 처리부에 반송하며, 제3 처리부에서 가열 처리를 받아 막이 형성된 기판을 제3 처리부로부터 제2 처리부로 반송하고, 또한 제2 처리부에서의 처리를 끝낸 기판을 당해 제2 처리부로부터 반출하고 있다.
제1 처리부에서의 처리 후의 기판의 표면은 미경화의 성막용 처리액으로 젖어 있기 때문에, 그 성막용 처리액이 기판 반송 장치에 부착될 우려가 있다. 그 부착된 처리액은, 그 후에 기판 반송 장치가 유지하는 다른 기판으로 전이하여, 그 기판을 오염한다. 특히, 처리가 종료한 기판으로의 처리액의 전이는, 기판 처리의 품질을 해친다. 또, 성막용 처리액의 분위기가, 기판 반송 장치에 의해서 기판이 반송되는 공간에 감돌기 때문에, 그 분위기에 의한 기판으로의 악영향이 생길 우려도 있다.
그래서, 이 발명 중 1개의 목적은, 기판 표면에 고체화 막을 형성하기 위한 처리의 영향이 다른 기판에 미치는 것을 억제한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
이 발명의 일실시 형태는, 처리실 내에서 기판의 표면에 처리액을 공급하여, 기판의 표면에 처리액 막을 형성하는 액처리 유닛과, 고체화실 내에서 상기 처리액 막을 고체화시켜 상기 기판의 표면에 고체화 막을 형성하는 고체화 유닛과, 제거실 내에서 상기 고체화 막을 제거하기 위한 제거액을 상기 기판의 표면에 공급하는 제거 처리 유닛과, 상기 처리실로 기판을 반입하고, 상기 제거실로부터 기판을 반출하는 주반송 유닛과, 상기 처리실로부터 기판을 반출하여 상기 고체화실로 기판을 반입하는 로컬 반송 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 의해, 기판 상의 처리액 막이 형성된 후, 그 기판은, 로컬 반송 유닛에 의해서 고체화실로 반입된다. 따라서, 주반송 유닛이 처리액에 의해서 오염되는 것을 회피할 수 있으므로, 그 처리액이 다른 기판으로 전이하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또, 주반송 유닛에 의해서 기판이 반송되는 공간에 처리액의 분위기가 감도는 것을 억제 또는 방지할 수 있으므로, 처리액의 분위기에 의한 기판으로의 악영향도 회피할 수 있다. 이렇게 하여, 기판 처리 품질을 향상할 수 있다. 또, 주반송 유닛의 동작 상태에 관계없이, 처리실에서의 처리를 끝낸 기판을 신속하게 고체화실로 반송할 수 있다.
이 기판 처리 장치는, 기판의 표면의 이물을 제거하는 세정 처리를 위해서 사용되어도 된다. 기판의 표면에서 처리액 막이 고체화할 때에 체적 수축이 생긴다. 또, 기판의 표면에 형성된 고체화 막을 제거하기 위해서 제거액이 공급되면, 고체화 막이 팽윤하여, 체적 팽창이 생긴다. 이 체적 수축 및 팽창시에, 기판 표면의 이물(파티클 등)에 인장력이 작용하여, 그것에 의해, 기판 표면의 이물을 박리시킬 수 있다. 박리된 이물은, 고체화 막과 함께 기판 밖으로 제거할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 고체화 유닛이, 상기 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함한다. 이로써, 기판 상의 처리액 막을 가열하여 고체화시킬 수 있다.
보다 구체적으로는, 상기 고체화 유닛은, 기판을 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판을 가열하는 상기 가열 유닛을 포함하고 있어도 된다.
상기 고체화 유닛은, 고체화실 내를 대기압보다 낮은 압력으로 감압하는 감압 유닛을 포함하고 있어도 된다. 또 상기 고체화 유닛은, 고체화실 내를 환기하는 환기 유닛을 포함하고 있어도 된다. 환기 유닛은, 고체화실 내에 저습도 가스(예를 들어 불활성 가스)를 공급하는 저습도 가스 공급 유닛을 포함하고 있어도 된다. 그것에 의해, 기판 상의 성막 처리액 막의 건조를 촉진하여, 그 고체화를 촉진할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 주반송 유닛이 주반송실에 배치되어 있고, 상기 로컬 반송 유닛이, 상기 주반송실로부터 이격된 로컬 반송실에 배치되어 있다. 이로써, 처리액의 분위기가 주반송실에 감도는 것을 보다 확실히 억제 또는 방지할 수 있으므로, 주반송 유닛에 의해서 반송되는 기판이 처리액의 분위기의 영향을 받는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 로컬 반송 유닛이, 또한, 상기 고체화실로부터 기판을 반출하고, 상기 제거실로 기판을 반입한다. 이로써, 주반송 유닛이 고체화 처리 후의 기판으로부터 영향을 받는 것을 회피할 수 있다. 예를 들어, 고체화 처리 후의 기판이 고온이 되어 있다고 해도, 주반송 유닛이 축열하는 것을 회피할 수 있다.
전술의 특허문헌 1의 구성에서는, 제3 처리부에 있어서 기판이 가열되므로, 그 가열된 기판을 기판 반송 장치가 유지함으로써, 기판 반송 장치에 열이 축적될 우려가 있다. 축적된 열은, 기판 반송 장치가 반송하는 기판으로 전해지기 때문에, 그것에 의해, 기판에 악영향이 미칠 우려가 있다.
그래서, 로컬 반송 유닛에 의해서 고체화실로부터 제거실로 기판을 반송함으로써, 주반송 유닛에 열이 축적되는 것을 회피할 수 있기 때문에, 주반송 유닛이 반송하는 기판에 대한 열의 영향을 억제할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 로컬 반송 유닛이, 상기 처리실로부터 기판을 반출하여 상기 고체화실로 기판을 반입하는 제1 반송 아암과, 상기 고체화실로부터 기판을 반출하여 상기 제거실로 기판을 반입하는 제2 반송 아암을 포함한다.
이 구성에 의해, 처리액 막이 형성된 기판은 제1 반송 아암으로 반송되고, 고체화 막이 형성된 기판은 제2 반송 아암으로 반송된다. 따라서, 제1 반송 아암에 처리액이 부착되었다고 해도, 그 처리액이 고체화 처리 후의 기판으로 전이하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
제2 반송 아암은 제1 반송 아암보다 상방에 배치되는 것이 바람직하고, 그것에 의해, 제1 반송 아암에 의해서 유지되는 기판 상의 처리액이 제2 반송 아암에 부착하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 액처리 유닛이, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 처리액을 토출하는 처리액 토출 유닛을 포함한다. 이 구성에 의해, 수평으로 유지된 기판 상에 처리액을 퍼지게 하여, 기판의 표면을 덮는 처리액 막을 형성할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 처리실과 상기 제거실이 동일한 실이다. 즉, 처리액 및 제거실은, 별도의 실이어도 되고, 동일한 실이어도 된다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 로컬 반송 유닛이, 기판을 유지하여 로컬 반송실을 통과하는 반송 아암을 갖고 있고, 상기 기판 처리 장치가, 상기 로컬 반송실에 설치되며, 상기 반송 아암을 세정하는 세정액을 토출하는 아암 세정 노즐을 더 포함한다.
이 구성에 의해, 로컬 반송 유닛의 반송 아암을 세정할 수 있으므로, 반송 아암을 청정한 상태로 유지할 수 있다. 그것에 의해, 반송 아암에 처리액의 오염이 축적되는 것을 회피할 수 있고, 처리액에 의한 오염을 억제하면서, 기판을 반송할 수 있다. 게다가, 반송 아암의 세정은 로컬 반송실에서 행해지므로, 주반송 유닛에 의해서 반송되는 기판에 세정액 또는 처리액의 영향이 미치는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 로컬 반송실은, 상기 세정액을 받는 저부(底部)와, 상기 저부에 받아진 세정액을 배액하는 배액 유닛을 포함한다. 이로써, 반송 아암을 세정한 후의 세정액을 로컬 반송실 밖으로 배출할 수 있으므로, 로컬 반송실 내의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다. 그것에 의해, 기판으로의 처리액 분위기의 영향을 한층 억제할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 로컬 반송 유닛이, 기판을 유지하는 반송 아암을 갖고 있고, 상기 기판 처리 장치가, 상기 반송 아암에 설치되며, 당해 반송 아암을 세정하기 위한 세정액을 토출하는 아암 세정 노즐을 더 포함한다. 이 구성에 의해, 반송 아암에 설치된 아암 세정 노즐로부터 세정액을 토출함으로써, 반송 아암을 확실히 세정할 수 있다. 따라서, 반송 아암에 처리액의 오염이 축적되는 것을 회피할 수 있고, 처리액에 의한 오염을 억제하면서, 기판을 반송할 수 있다. 또, 주반송 유닛에 의해서 반송되는 기판에 세정액 또는 처리액의 영향이 미치는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 로컬 반송 유닛이, 기판을 유지하여 로컬 반송실을 통과하는 반송 아암을 갖고 있고, 상기 기판 처리 장치가, 상기 로컬 반송실에 인접해서 설치된 아암 세정실과, 상기 아암 세정실 내에 배치되며, 상기 반송 아암을 세정하기 위한 세정액을 토출하는 아암 세정 노즐과, 상기 아암 세정실 내를 대기압보다 저압으로 감압하여 상기 반송 아암을 건조시키는 감압 유닛을 더 포함한다.
이 구성에 의해, 로컬 반송실에 인접해서 아암 세정실이 설치되어 있으므로, 로컬 반송 유닛이 기판을 반송하고 있지 않을 때에, 아암 세정실 내에 있어서 반송 아암을 세정할 수 있다. 아암 세정실에 아암 세정 노즐이 배치되어 있으므로, 로컬 반송실 내에 세정액이 들어가는 것을 억제하면서, 반송 아암을 세정할 수 있다. 그것에 의해, 세정액에 의한 기판으로의 영향을 억제할 수 있다. 또, 아암 세정실이 감압됨으로써, 세정액에 의해서 세정된 후의 반송 아암을 신속하게 건조할 수 있다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 제거 처리 유닛이, 상기 제거실 내에서 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 제거액을 토출하는 제거액 토출 유닛을 포함한다. 이 구성에 의해, 수평으로 유지된 기판에 제거액이 공급되므로, 기판 표면에 제거액을 용이하게 널리 퍼지게 하여, 고체화 막의 제거 처리를 효율적으로 진행시킬 수 있다.
이 발명의 일실시 형태는, 기판의 표면에 처리실 내에서 처리액을 공급하여, 기판의 표면에 처리액 막을 형성하는 처리액 막 형성 공정과, 상기 처리액 막 형성 공정 후, 상기 기판을 고체화실로 반송하는 제1 로컬 반송 공정과, 상기 고체화실 내에서 상기 처리액 막을 고체화시켜 상기 기판의 표면에 고체화 막을 형성하는 고체화 막 형성 공정과, 상기 고체화 막 형성 공정 후, 상기 기판을 제거실로 반송하는 제2 로컬 반송 공정과, 상기 제거실 내에서 상기 고체화 막을 제거하기 위한 제거액을 상기 기판의 표면에 공급하는 제거 처리 공정과, 주반송 유닛에 의해서, 상기 처리실에 기판을 반입하고, 상기 제거실로부터 기판을 반출하는 주반송 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 고체화 막 형성 공정이, 상기 기판을 가열 유닛에 의해서 가열하는 가열 공정을 포함한다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 주반송 공정에 있어서 상기 기판이 주반송실을 통과하여 반송되고, 상기 제1 로컬 반송 공정에 있어서, 상기 기판이 상기 주반송실로부터 이격된 로컬 반송실을 통과하여 반송된다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 제1 로컬 반송 공정 및 상기 제2 로컬 반송 공정이, 공통의 로컬 반송 유닛에 의해서 실행된다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 제1 로컬 반송 공정이, 상기 로컬 반송 유닛의 제1 반송 아암에 의해서 행해지고, 상기 제2 로컬 반송 공정이, 상기 로컬 반송 유닛의 제2 반송 아암에 의해서 행해진다.
이 발명의 일실시 형태의 방법은, 상기 로컬 반송 유닛의 반송 아암에 세정액을 공급하는 아암 세정 공정을 더 포함한다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 처리실 및 상기 제거실이, 공통의 실이다.
이 발명의 일실시 형태에서는, 상기 처리액 막 형성 공정 전에, 기판을 세정하는 세정 공정이 실행된다.
본 발명에 있어서의 상술의, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 기술하는 실시 형태의 설명에 의해 밝혀진다.
도 1a는, 이 발명의 제1 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 평면도이다.
도 1b는, 상기 제1 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 입면도이다.
도 2는, 상기 기판 처리 장치에 구비된 액처리 유닛의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 3은, 상기 기판 처리 장치에 구비된 고체화 유닛의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다.
도 4는, 상기 기판 처리 장치에 구비된 로컬 반송 로봇의 구성예를 설명하기 위한 도면이다.
도 5a는, 이 발명의 제2 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 5b는, 상기 제2 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 입면도이다.
도 6a는, 이 발명의 제3 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 6b는, 상기 제3 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 입면도이다.
도 7은, 이 발명의 제4 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 입면도이며, 주반송실의 일방측의 구성이 도시되어 있다.
도 8은, 이 발명의 제5 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다.
도 9는, 이 발명의 제6 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 고체화 유닛의 구성예를 도시한다.
도 10은, 이 발명의 제7 실시 형태를 설명하기 위한 도면이고, 로컬 반송 로봇의 핸드를 세정하는 핸드 세정 유닛의 구성을 도시한다.
도 11은, 이 발명의 제8 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 고체화 유닛의 또 다른 구성예를 도해적으로 도시하는 단면도이다.
이하에서는, 이 발명의 실시 형태를, 첨부 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
[제1 실시 형태]
도 1a는, 이 발명의 제1 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1)의 구성을 설명하기 위한 평면도이며, 도 1b는 그 입면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 캐리어 유지부(2)와, 인덱서 로봇(IR)과, 복수의 액처리 유닛(M11~M14, M21~M24)(총칭할 때에는 「액처리 유닛(M)」이라고 한다)과, 복수의 고체화 유닛(D11~D14, D21~D24)(총칭할 때에는 「고체화 유닛(D)」이라고 한다)과, 주반송 로봇(CR)과, 로컬 반송 로봇(LR11~LR14, LR21~LR24)(총칭할 때에는 「로컬 반송 로봇(LR)」이라고 한다)을 포함한다. 주반송 로봇(CR)은 주반송 유닛의 일례이며, 로컬 반송 로봇(LR)은 로컬 반송 유닛의 일례이다.
캐리어 유지부(2)는, 복수 장의 기판(W)을 적층 상태로 유지하는 기판 용기인 캐리어(3)를 유지한다. 이 실시 형태에서는, 캐리어 유지부(2)는, 복수의 캐리어(3)를 유지 가능하게 구성되어 있다. 인덱서 로봇(IR)은, 캐리어 유지부(2)에 유지된 캐리어(3)에 액세스하여 기판(W)을 출납하고, 또한 주반송 로봇(CR)과의 사이에서 기판(W)의 수도(受渡)를 행한다.
복수의 액처리 유닛(M) 및 복수의 고체화 유닛(D)은, 이 실시 형태에서는, 복수 층 구조(이 실시 형태에서는 2층 구조)를 이루도록 입체적으로 배치되어 있다. 구체적으로는, 도 1a에 도시되어 있는 바와 같이, 평면에서 볼 때, 캐리어 유지부(2)로부터 직선 형상으로 연장된 주반송실(5)에 주반송 로봇(CR)이 배치되어 있고, 주반송실(5)의 양측에 2개씩의 적층 유닛군(G1, G2；G3, G4)이 주반송실(5)을 따라서 배치되어 있다. 그것에 의해, 평면에서 볼 때, 주반송 로봇(CR)의 주위에 4개의 적층 유닛군(G1~G4)이 배치되어 있다.
기판 처리 장치(1)의 제1 층(S1) 및 제2 층(S2)에 각 4개의 액처리 유닛(M11~M14, M21~M24)이 배치되어 있고, 기판 처리 장치(1)는, 합계로 8개의 액처리 유닛(M)을 구비하고 있다. 제1 층(S1)에 있어서, 주반송실(5)의 양측에 2개씩의 액처리 유닛(M11, M12；M13, M14)이 주반송실(5)을 따라서 배치되어 있다. 이들 4개의 액처리 유닛(M11~M14) 위에 4개의 고체화 유닛(D11~D14)이 각각 배치되어 있다. 또한, 제2 층(S2)에 있어서, 주반송실(5)의 양측에 2개씩의 액처리 유닛(M21, M22；M23, M24)이 주반송실(5)을 따라서 배치되어 있다. 이들 4개의 액처리 유닛(M21~M24) 위에 4개의 고체화 유닛(D21~D24)이 각각 배치되어 있다. 1개의 액처리 유닛(M)과, 그 위에 배치된 고체화 유닛(D)이, 대응하는 쌍을 이루고 있다.
적층 유닛군(G1)은, 밑에서부터 차례로, 액처리 유닛(M11), 고체화 유닛(D11), 액처리 유닛(M21) 및 고체화 유닛(D21)을 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G2)은, 밑에서부터 차례로, 액처리 유닛(M12), 고체화 유닛(D12), 액처리 유닛(M22) 및 고체화 유닛(D22)을 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G3)은, 밑에서부터 차례로, 액처리 유닛(M13), 고체화 유닛(D13), 액처리 유닛(M23) 및 고체화 유닛(D23)을 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G4)은, 밑에서부터 차례로, 액처리 유닛(M14), 고체화 유닛(D14), 액처리 유닛(M24) 및 고체화 유닛(D24)을 적층하여 구성되어 있다.
주반송 로봇(CR)은, 합계 8개의 액처리 유닛(M)에 액세스하여 기판(W)을 건네줄 수 있고, 또한 인덱서 로봇(IR)과의 사이에서 기판(W)을 수도할 수 있다. 주반송 로봇(CR)은, 합계 8개의 고체화 유닛(D)에 액세스하여 기판(W)을 취출할 수 있도록 구성되어 있어도 된다.
로컬 반송 로봇(LR)은, 이 실시 형태에서는, 제1 층(S1)에 4개 구비되고, 제2 층(S2)에 4개 구비되어 있다. 보다 구체적으로는, 평면에서 볼 때, 제1 층(S1)에는, 주반송실(5)의 양측에 2개씩의 로컬 반송 로봇(LR11, LR12；LR13, LR14)이 배치되어 있다. 더 구체적으로는, 주반송실(5)의 일방측에 있어서, 제1 층(S1)에는, 캐리어 유지부(2)와 액처리 유닛(M11) 사이에 1개의 로컬 반송 로봇(LR11)이 배치되어 있고, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 단부에 또 1개의 로컬 반송 로봇(LR12)이 배치되어 있다. 주반송실(5)의 타방측에 있어서의 2개의 로컬 반송 로봇(LR13, LR14)의 배치도 동일하다. 그리고, 제2 층(S2)에 있어서의 4개의 로컬 반송 로봇(LR21, LR22；LR23, LR24)도 동일하게 배치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR11~LR14, LR21~LR24)은, 로컬 반송실(C11~C14, C21~C24)(총칭할 때에는 「로컬 반송실(C)」이라고 한다) 내에 각각 배치되어 있다. 로컬 반송실(C)은, 주반송실(5)로부터 분리(이격)하도록 구획된 반송 공간을 형성하고 있다.
이렇게 하여, 각 쌍의 액처리 유닛(M) 및 고체화 유닛(D)에 대해서, 1개의 로컬 반송 로봇(LR)이 설치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 액처리 유닛(M)에 의해서 처리된 후의 기판(W)을 당해 액처리 유닛(M)으로부터 취출하여, 대응하는 고체화 유닛(D)으로 반송한다.
인덱서 로봇(IR), 주반송 로봇(CR) 및 로컬 반송 로봇(LR)의 동작예를 개설(槪說)하면, 다음과 같다.
즉, 인덱서 로봇(IR)은, 어느 한 캐리어(3)로부터 미처리의 기판(W)을 취출하여, 주반송 로봇(CR)에 건네준다. 주반송 로봇(CR)은, 인덱서 로봇(IR)으로부터 수취한 기판(W)을 어느 한 액처리 유닛(M)에 반입한다. 액처리 유닛(M)은, 반입된 기판(W)에 대한 처리를 실행한다. 액처리 유닛(M)은, 구체적으로는, 기판 표면에 대해서 전(前)세정 처리를 실시한 후, 성막용의 처리액을 기판(W)에 공급하여, 그 처리액의 액막을 기판(W)의 표면에 형성한다. 액처리 유닛(M)에 의해서 처리된 기판(W), 즉, 표면에 처리액 막이 형성된 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 반출되고, 그 바로 위에 배치된 고체화 유닛(D)으로 반송된다. 고체화 유닛(D)은, 반입된 기판(W)의 표면의 처리액 막을 고체화시켜 고체화 막을 기판(W)의 표면에 형성한다. 이 고체화 처리 후의 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 액처리 유닛(M)으로 반송된다. 액처리 유닛(M)은, 기판(W)에 제거액을 공급하여, 기판(W)의 표면의 고체화 막을 제거하고(제거 처리), 또한 후(後)세정 처리를 실행한다. 그 후, 기판(W)은, 액처리 유닛(M)으로부터 주반송 로봇(CR)에 의해서 반출된다. 주반송 로봇(CR)은, 그 기판(W)을 인덱서 로봇(IR)에 건네준다. 인덱서 로봇(IR)은, 건네받은 기판(W)을 어느 한 캐리어(3)에 수납한다.
고체화 유닛(D)에 의한 처리 후의 기판(W)은, 주반송 로봇(CR)에 의해서 반송되어도 된다. 즉, 주반송 로봇(CR)은, 고체화 유닛(D)에 의한 처리 후의 기판(W)을 고체화 유닛(D)으로부터 반출하고, 제거 처리를 위해서, 어느 한 액처리 유닛(M)에 반입해도 된다. 이 경우, 성막용의 처리액을 기판(W)에 공급하는 액처리 유닛(M)과, 제거 처리를 실행하는 액처리 유닛(M)은, 상이한 액처리 유닛일 수 있다.
인덱서 로봇(IR)은, 미처리의 기판(W)을 주반송 로봇(CR)에 건네주고, 그 직전, 직후 또는 동시에, 처리가 끝난 기판(W)을 주반송 로봇(CR)으로부터 수취하도록 동작해도 된다. 마찬가지로, 주반송 로봇(CR)은, 미처리의 기판(W)을 인덱서 로봇(IR)으로부터 수취하고, 그 직전, 직후 또는 동시에, 처리가 끝난 기판(W)을 인덱서 로봇(IR)에 건네주도록 동작해도 된다. 또한, 주반송 로봇(CR)은, 미처리의 기판(W)을 액처리 유닛(M)에 반입하고, 그 직후 또는 직전에 액처리 유닛(M)으로부터 처리가 끝난 기판(W)(후세정 처리 후의 기판(W))을 반출하도록 동작해도 된다.
이와 같이, 이 실시 형태에서는, 1개의 액처리 유닛(M)에 대해서 1개의 고체화 유닛(D)이 대응되어 있다. 그리고, 액처리 유닛(M)과 고체화 유닛(D)이 적층되어 있다. 또한, 1개의 액처리 유닛(M) 및 1개의 고체화 유닛(D)의 쌍에 대해서, 1개의 로컬 반송 로봇(LR)이 설치되어 있고, 로컬 반송 로봇(LR)은, 그들 액처리 유닛(M) 및 고체화 유닛(D)에 액세스 가능하다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 액처리 유닛(M)에 의해서 처리된 기판(W)을 액처리 유닛(M)으로부터 반출하여, 그 액처리 유닛(M)에 대응하는 고체화 유닛(D)으로 반송하며, 그 고체화 유닛(D)에 반입한다. 구체적으로는, 로컬 반송 로봇(LR)은, 액처리 유닛(M)으로부터 취출한 기판(W)을 수직 방향(더 구체적으로는 상방)으로 반송한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 고체화 유닛(D)에 의해서 처리된 기판(W)을 고체화 유닛(D)으로부터 반출하여, 그 고체화 유닛(D)에 대응하는 액처리 유닛(M)으로 반송하며, 그 액처리 유닛(M)에 반입한다. 구체적으로는, 로컬 반송 로봇(LR)은, 고체화 유닛(D)으로부터 취출한 기판(W)을 수직 방향(더 구체적으로는 하방)으로 반송한다. 주반송 로봇(CR)은, 미처리의 기판(W)을 액처리 유닛(M)에 반입하고, 액처리 유닛(M)으로부터 처리 후의 기판(W)을 반출한다.
액처리 유닛(M)은, 이 실시 형태에서는, 제거 처리 유닛으로서의 기능도 갖고 있다.
도 2는, 액처리 유닛(M)의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 액처리 유닛(M)은, 처리실(11)을 구비하고 있다. 처리실(11)은, 기판(W)의 표면에 처리액 막을 형성하는 처리실의 일례이며, 또한 기판(W)의 표면의 고체화 막을 제거하는 제거실의 일례이기도 하다. 처리실(11) 내에는, 기판(W)을 수평으로 유지하고 회전 가능한 기판 유지 유닛으로서의 스핀척(12)과, 스핀척(12)을 둘러싸는 컵(13)과, 약액 노즐(14)과, 처리액 토출 유닛으로서의 성막 처리액 노즐(15)과, 제거액 토출 유닛으로서의 제거액 노즐(16)과, 린스 노즐(29)과, 차단판(19)이 설치되어 있다. 스핀척(12)은, 기판 회전 유닛의 일례인 모터(17)에 의해서 연직인 회전축선(18) 둘레로 회전된다.
약액 노즐(14)에는, 약액 배관(21)이 결합되어 있다. 약액 배관(21)의 도중에는, 약액 통로를 개폐하는 약액 밸브(22)가 끼워 설치되어 있다. 약액 배관(21)에는, 약액 공급원(23)으로부터 약액이 공급된다. 약액의 예로는, HF(불산), SC1(암모니아과산화수소수), SC2(염산과산화수소수), SPM(황산과산화수소수), 인산, 불질산, FPM(불산과산화수소수), FOM(불산오존수), AOM(암모니아오존수) 등을 들 수 있다. 약액 노즐(14)은, 스핀척(12)에 유지된 기판(W)의 상방으로 이동 가능한 이동 노즐이어도 된다. 또, 도 2의 약액 노즐(14)은, 차단판(19)과는 별도로 설치되어 있는데, 약액 노즐은 차단판(19)에 장착되어도 된다.
성막 처리액 노즐(15)에는, 성막 처리액 배관(26)이 결합되어 있다. 성막 처리액 배관(26)의 도중에는, 성막 처리액 통로를 개폐하는 성막 처리액 밸브(27)가 끼워 설치되어 있다. 성막 처리액 배관(26)에는, 성막 처리액 공급원(28)으로부터, 성막 처리액이 공급된다. 성막 처리액은, 가열이나 감압 등의 소정의 고체화 처리에 의해서 고체화하여 고체화 막을 형성할 수 있고, 소정의 제거액에 의해서 그 고체화 막을 제거할 수 있는 액체이다. 구체적으로는, 성막 처리액으로는, 탑코팅액, 레지스트액, 페놀수지액 등을 이용할 수 있다. 탑코팅액이란, 레지스트 막 위에 형성되는 보호막을 형성하기 위한 액체이다. 성막 처리액 노즐(15)은, 스핀척(12)에 유지된 기판(W)의 상방으로 이동 가능한 이동 노즐이어도 된다.
제거액 노즐(16)에는, 제거액 배관(101)이 결합되어 있다. 제거액 배관(101)의 도중에는 제거액 통로를 개폐하는 제거액 밸브(102)가 끼워 설치되어 있다. 제거액 배관(101)에는, 제거액 공급원(103)으로부터, 제거액이 공급된다. 제거액은, 성막 처리액을 고체화하여 형성한 고체화 막을 제거할 수 있는 액체이다. 구체적으로는, 제거액으로서, 알칼리 현상액이나 SC1(암모니아과산화수소수)이 이용되어도 된다. 알칼리 현상액은, 암모니아수, TMAH(수산화테트라메틸암모늄 수용액), 콜린 수용액 등을 포함하고 있어도 된다. 제거액 노즐(16)은, 스핀척(12)에 유지된 기판(W)의 상방으로 이동 가능한 이동 노즐이어도 된다.
린스 노즐(29)에는, 린스액 배관(31A) 및 유기용제 배관(31B)이 결합되어 있다. 보다 구체적으로는, 이 실시 형태에서는, 린스액 배관(31A)이 린스 노즐(29)에 결합되어 있고, 유기용제 배관(31B)이 린스액 배관(31A)에 합류하고 있다. 린스액 배관(31A)의 도중에는, 린스액 통로를 개폐하는 린스액 밸브(32A)가 끼워 설치되어 있다. 유기용제 배관(31B)의 도중에는, 유기용제 통로를 개폐하는 유기용제 밸브(32B)가 끼워 설치되어 있다. 린스액 배관(31A)에는, 린스액 공급원(33A)으로부터 린스액이 공급된다. 린스액은, 이 실시 형태에서는 DIW(탈이온수)이다. 물론, 탄산수 등의 상이한 린스액이 이용되어도 된다. 유기용제 배관(31B)에는, 유기용제 공급원(33B)으로부터 유기용제가 공급된다. 유기용제는, 린스액보다 표면장력이 작은 저표면장력 액체의 일례이다. 이 실시 형태에서는, 린스액 및 유기용제가 배관(31A)을 통과하여 공통의 노즐(29)로부터 공급되고 있는데, 린스액 및 유기용제를 각각 공급하는 개별의 독립된 배관 및 노즐이 설치되어도 된다.
유기용제는, 린스액과 치환 가능한 유기용제이며, 보다 구체적으로는, 물과의 친화성이 있는 유기용제이다. 이들 유기용제로는, 이소프로필알코올(IPA), 메탄올, 에탄올, 부탄올, 아세톤, PGMEA(프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트), EGMEA(에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트) 등을 예시할 수 있다.
차단판(19)은, 스핀척(12)에 유지되는 기판(W)의 상면에 대향하는 대향면(19a)을 갖고 있다. 차단판(19)은, 차단판 구동 유닛(20)에 의해서 구동된다. 차단판 구동 유닛(20)은, 차단판 승강 유닛(20A)과, 차단판 회전 유닛(20B)을 포함한다. 차단판 승강 유닛(20A)은, 차단판(19)을 상하 이동시켜, 대향면(19a)을 스핀척(12)에 유지된 기판(W)에 접근시키거나 이격시킨다. 차단판 회전 유닛(20B)은, 스핀척(12)과 공통의 회전축선(18) 둘레로 차단판(19)을 회전 구동한다. 보다 구체적으로는, 차단판 회전 유닛(20B)은, 차단판(19)을 지지하고 있는 회전축(25)에 회전력을 부여한다. 차단판(19)의 대향면(19a)의 중앙, 즉, 회전축선(18) 상에, 린스 노즐(29)이 배치되어 있다. 회전축(25)은, 중공축이며, 그 내부를 린스액 배관(31A)이 삽입 통과하고 있다.
대향면(19a)의 중앙에는, 린스 노즐(29)을 하방을 향해서 노출시키는 개구(19b)가 형성되어 있다. 이 개구(19b)는, 회전축(25)의 내부 공간과 연통하고 있다. 린스액 배관(31A)과 회전축(25)의 내벽 사이에는, 불활성 가스를 유통시키기 위한 불활성 가스 유로(45)가 형성되어 있다. 이 불활성 가스 유로(45)에는, 불활성 가스 배관(46)이 접속되어 있다. 불활성 가스 배관(46)의 도중에는, 유로를 개폐하는 불활성 가스 밸브(47)가 끼워 설치되어 있다. 불활성 가스 배관(46)은, 불활성 가스 공급원(48)에 결합되어 있다. 불활성 가스 공급원(48)은, 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스는, 기판(W)의 표면의 물질에 대해서 불활성인 가스이며, 예를 들어 질소 가스여도 된다. 약액 노즐을 차단판(19)에 장착한 경우에는, 회전축(25)에는 또한 약액 배관이 삽입 통과되고, 약액 노즐은, 개구(19b)로부터 하방을 향해서 노출된다.
차단판 승강 유닛(20A)에 의해서 차단판(19)을 상하 이동시킴으로써, 린스 노즐(29)이 동시에 승강하고, 그것에 의해, 스핀척(12)에 유지된 기판(W)으로부터 린스 노즐(29)까지의 높이가 변동한다.
스핀척(12)의 회전축(130)은, 중공축으로 구성되어 있다. 이 회전축(130)에는, 이면 노즐(131)이 삽입 통과되어 있다. 이면 노즐(131)의 상단은, 기판(W) 하면의 회전 중심을 향해 린스액을 토출하는 토출구(132)를 형성하고 있다. 이면 노즐(131)에는, 린스액 공급 배관(133)이 결합되어 있다. 린스액 공급 배관(133)은, 린스액 밸브(134)를 개재하여 린스액 공급원(135)에 결합되고, 또한 유기용제 밸브(136)를 개재하여 유기용제 공급원(137)에 결합되어 있다. 린스액 공급원(135)은, DIW 그 외의 린스액을 공급한다. 유기용제 공급원(137)은, IPA 그 외의 유기용제를 공급한다.
이면 노즐(131)과 회전축(130) 사이의 공간은, 기판(W)의 하면을 향해서 불활성 가스를 공급하기 위한 불활성 가스 유로(140)를 형성하고 있다. 불활성 가스 유로(140)에는, 불활성 가스 공급 배관(141)이 결합되어 있다. 불활성 가스 공급 배관(141)의 도중에 불활성 가스 밸브(142)가 끼워 설치되어 있다. 불활성 가스 공급 배관(141)은, 불활성 가스 공급원(143)에 결합되어 있다. 불활성 가스 공급원(143)은, 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스는, 기판(W)을 구성하는 물질에 대해서 불활성인 가스이며, 예를 들어 질소 가스여도 된다.
처리실(11)의 측벽(35, 36)에는, 주반송 로봇(CR)에 의해서 기판(W)이 반입/반출되는 기판 반입/반출 개구(37)와, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 기판(W)이 반입/반출되는 기판 반입/반출 개구(38)가 각각 형성되어 있다. 기판 반입/반출 개구(37) 및 기판 반입/반출 개구(38)에는, 그들을 개폐하는 셔터(39, 40)가 각각 배치되어 있다. 셔터(39, 40)는, 셔터 구동 유닛(41, 42)에 의해서, 각각 개폐 구동된다. 기판 반입/반출 개구(37)는, 주반송실(5)과 처리실(11)을 연통시키는 개구이고, 주반송실(5)과 처리실(11)을 구획하는 측벽(35)으로 형성되어 있다. 기판 반입/반출 개구(38)는, 처리실(11)과 로컬 반송실(C)을 연통시키는 개구이고, 처리실(11)과 로컬 반송실(C)을 구획하는 측벽(36)으로 형성되어 있다.
액처리 유닛(M)의 동작을 개설하면 다음과 같다.
주반송 로봇(CR)이 미처리의 기판(W)을 반입할 때, 셔터(39)가 기판 반입/반출 개구(37)를 연다. 미처리의 기판(W)을 유지한 주반송 로봇(CR)의 핸드(HC)(아암)가 기판 반입/반출 개구(37)로부터 처리실(11) 내로 진입하여, 스핀척(12)에, 그 기판(W)을 건네준다. 기판(W)의 수도를 위해서, 필요에 따라서, 컵(13) 또는 스핀척(12)이 상하 이동되어도 된다. 기판(W)을 스핀척(12)에 건네준 주반송 로봇(CR)의 핸드(HC)는, 기판 반입/반출 개구(37)를 통과하여 처리실(11)로부터 퇴출한다. 그 후, 셔터 구동 유닛(41)은, 셔터(39)를 구동하여, 기판 반입/반출 개구(37)를 닫는다.
이어서, 모터(17)에 의해서 스핀척(12)이 회전되어 약액 밸브(22)가 열린다. 그것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 표면에 약액이 공급되고, 원심력에 의해서 기판(W) 표면의 전역에 약액이 널리 퍼진다. 이렇게 하여, 기판(W)을 약액으로 처리하는 약액 공정(전세정을 위한 약액 공정)이 실행된다. 약액 밸브(22)를 닫음으로써 약액의 공급이 정지하여, 약액 공정이 종료한다.
약액 공정 후, 스핀척(12)의 회전을 계속하면서, 린스액 밸브(32A, 134)가 열린다. 그것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 표면 및 이면에 린스액이 공급된다. 기판(W)의 표면에 공급된 린스액은, 기판(W) 표면의 전역에 퍼져, 기판(W) 표면의 약액을 치환한다. 또, 기판(W)의 이면에 공급된 린스액은, 기판(W) 이면의 전역에 퍼져, 기판(W)의 이면에 부착한 린스액을 씻어 낸다. 이렇게 하여 린스 공정이 실행된다. 린스액 밸브(32A)를 닫음으로써 린스액의 공급이 정지하여, 린스 공정이 종료한다.
이 린스 공정의 종료 후, 또는 린스 공정의 종료 직전에, 유기용제 밸브(32B)가 열린다. 그것에 의해, 기판(W) 표면에 유기용제가 공급된다. 스핀척(12)은 회전 상태로 유지된다. 따라서, 유기용제는, 기판(W) 표면의 전역에 퍼져, 기판(W) 표면의 린스액을 치환한다. 이때, 차단판 구동 유닛(20)은, 차단판(19)을 하강시켜, 대향면(19a)을 기판(W)의 표면에 근접한 처리 위치에 배치한다.
다음으로, 유기용제 밸브(32B)가 닫히고, 차단판(19)이 상승된다. 또한, 기판(W)의 상방에 성막 처리액 노즐(15)이 배치되고, 그 상태로, 성막 처리액 밸브(27)가 열린다. 그것에 의해, 기판(W) 표면에 성막 처리액이 공급된다. 스핀척(12)은 회전 상태로 유지된다. 따라서, 성막 처리액은, 기판(W) 표면의 전역에 퍼져, 기판(W) 표면의 전역에 걸친 액 막(10)을 형성한다. 이 성막 처리액 막(10)이 형성된 후, 성막 처리액 밸브(27)가 닫힌다.
다음으로, 성막 처리액 노즐(15)이 퇴피한 후, 차단판(19)이 하강되어, 대향면(19a)이 기판(W)에 근접한 처리 위치에 배치된다. 또한, 유기용제 밸브(136)가 열린다. 그것에 의해, 이면 노즐(131)로부터 기판(W) 이면(하면)에 유기용제가 공급되고, 그 유기용제는, 원심력에 의해서 기판(W)의 이면의 전역에 널리 퍼져, 기판(W)의 이면에 부착된 성막 처리액을 씻어 낸다.
그 후, 유기용제 밸브(136)가 닫히고, 스핀척(12)의 회전이 가속된다. 그것에 의해, 기판(W)의 이면의 액 성분이 흩뿌려진다. 이때, 불활성 가스 밸브(47 및 142)가 열려도 된다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면측에서는, 성막 처리액 막(10)중의 휘발 성분의 휘발이 촉진되어, 그것에 의해, 성막 처리액 막(10)의 고체화가 진행된다. 또, 기판(W)의 이면측에서는, 건조가 촉진된다.
그 후, 차단판 구동 유닛(20)이 차단판(19)을 상방으로 퇴피시킨다. 그리고, 스핀척(12)의 회전이 정지되고, 성막 처리액 막(10)을 형성하기 위한 처리가 종료한다.
다음으로, 셔터 구동 유닛(42)은, 셔터(40)를 구동하여, 기판 반입/반출 개구(38)를 연다. 이 기판 반입/반출 개구(38)로부터, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)(아암)가 처리실(11) 내에 진입하여, 스핀척(12)으로부터 기판(W)을 수취하고, 기판 반입/반출 개구(38)를 통해, 당해 기판(W)을 처리실(11) 밖으로 반출한다. 기판(W)의 수도를 위해서, 필요에 따라서, 컵(13) 또는 스핀척(12)이 상하 이동되어도 된다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 표면에 성막 처리액 막(10)이 형성된 상태의 기판(W)을, 고체화 유닛(D)까지 반송한다.
고체화 유닛(D)에서 성막 처리액 막(10)이 고체화되어 고체화 막(10S)이 된 후, 그 고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서, 액 처리 유닛(M)으로 반송된다. 이때, 셔터 구동 유닛(42)은, 셔터(40)를 구동하여, 기판 반입/반출 개구(38)를 연다. 이 기판 반입/반출 개구(38)로부터, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)(아암)가 처리실(11) 내에 진입하여, 스핀척(12)에 기판(W)을 건네준 후에, 처리실(11) 밖으로 퇴출한다. 기판(W)의 수도를 위해서, 필요에 따라서, 컵(13) 또는 스핀척(12)이 상하 이동되어도 된다.
액처리 유닛(M)은, 이렇게 하여 도입된 기판(W)에 대해서, 그 표면의 고체화 막(10S)을 제거하기 위한 제거 공정과, 그 후의 세정 공정(후세정 공정)을 실행한다.
구체적으로는, 모터(17)에 의해서 스핀척(12)이 회전되고, 또한, 제거 공정을 실행하기 위해서, 스핀척(12)에 유지된 기판(W)의 상방에 제거액 노즐(16)이 배치된다. 그리고, 제거액 밸브(102)가 열린다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면에 제거액이 공급되어, 그 제거액은 원심력에 의해서 기판(W)의 표면의 전역에 널리 퍼진다. 이 제거액의 작용에 의해서, 기판(W)의 표면의 고체화 막(10S)이 박리된다.
다음으로, 제거액 밸브(102)를 닫고, 제거액 노즐(16)을 기판(W)의 상방으로부터 퇴피시킨 후에, 후세정 공정이 실행된다. 구체적으로는, 약액 노즐(14)이 기판(W)의 상방에 배치되고, 스핀척(12)이 회전되고 있는 상태로, 약액 밸브(22)가 열린다. 그것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 표면에 약액이 공급되고, 원심력에 의해서 기판(W) 표면의 전역에 약액이 널리 퍼진다. 이렇게 하여, 기판(W)을 약액으로 처리하는 약액 공정(후세정을 위한 약액 공정)이 실행된다. 약액 밸브(22)를 닫음으로써 약액의 공급이 정지하여, 약액 공정이 종료한다. 약액 노즐(14)은, 스핀척(12)의 상방으로부터 퇴피된다.
약액 공정 후, 스핀척(12)의 회전을 계속하면서, 린스액 밸브(32A, 134)가 열린다. 그것에 의해, 회전 상태의 기판(W)의 표면 및 이면에 린스액이 공급된다. 기판(W)의 표면에 공급된 린스액은, 기판(W) 표면의 전역에 퍼져, 기판(W) 표면의 약액을 치환한다. 또, 기판(W)의 이면에 공급된 린스액은, 기판(W) 이면의 전역에 퍼져, 기판(W)의 이면에 부착된 린스액을 씻어 낸다. 이렇게 하여 린스 공정이 실행된다. 린스액 밸브(32A)를 닫음으로써 린스액의 공급이 정지하여, 린스 공정이 종료한다.
이 린스 공정의 종료 후, 또는 린스 공정의 종료 직전에, 유기용제 밸브(32B, 136)가 열린다. 그것에 의해, 기판(W) 표면 및 이면에 유기용제가 공급된다. 스핀척(12)은 회전 상태로 유지된다. 따라서, 유기용제는, 기판(W) 표면 및 이면의 전역에 퍼져, 기판(W) 표면 및 이면의 린스액을 치환한다. 이때, 차단판 구동 유닛(20)은, 차단판(19)을 하강시켜, 대향면(19a)을 기판(W)의 표면에 근접한 처리 위치에 배치한다.
다음으로, 유기용제 밸브(32B, 136)가 닫히고, 이를 대신하여, 불활성 가스 밸브(47, 142)가 열려, 기판(W)의 표면 및 이면에 불활성 가스가 공급된다. 또, 스핀척(12)의 회전이 가속된다. 그것에 의해, 기판(W)의 표면 및 이면의 액 성분이 흩뿌려진다. 기판(W)의 표리면에 공급되는 불활성 가스는, 기판(W)의 건조를 촉진한다.
건조 처리가 종료하면, 스핀척(12)의 회전이 정지되어, 불활성 가스 밸브(47, 142)가 닫힌다. 또한, 차단판 구동 유닛(20)이 차단판(19)을 상방으로 퇴피시킨다.
다음으로, 셔터 구동 유닛(41)은, 셔터(39)를 구동하여, 기판 반입/반출 개구(37)를 연다. 이 기판 반입/반출 개구(37)로부터, 주반송 로봇(CR)의 핸드(HC)(아암)가 처리실(11) 내에 진입하여, 스핀척(12)으로부터 기판(W)을 수취하고, 기판 반입/반출 개구(37)를 통해, 당해 기판(W)을 처리실(11) 밖으로 반출한다. 기판(W)의 수도를 위해서, 필요에 따라서, 컵(13) 또는 스핀척(12)이 상하 이동되어도 된다.
기판(W) 상의 고체화 막(10S)의 제거는, 그 고체화 막(10S)의 종류에 따라서는, 약액 노즐(14)로부터 공급되는 약액에 의해서 행할 수도 있다. 즉, 약액 노즐(14)로부터 공급되는 약액이 제거액으로서 이용되어도 된다. 이 경우에는, 제거액 노즐(16) 및 그것에 관련하는 구성을 생략할 수 있어, 제거 공정과 후 세정 공정을 구별할 필요가 없다.
또, 성막 처리액 막(10)을 형성하기 전의 전세정 공정은, 생략되어도 된다.
또, 약액 노즐이 차단판(19)에 장착되는 경우에는, 차단판(19)은, 처리 중에, 시종, 기판(W)에 근접한 근접 위치에 위치한다.
도 3은, 고체화 유닛(D)의 구성예를 설명하기 위한 도해적인 단면도이다. 고체화 유닛(D)은, 밀폐 가능한 감압 챔버(진공 챔버)로 이루어지는 고체화실(51)을 갖고 있다. 고체화실(51)의 용적은, 액처리 유닛(M)의 처리실(11)의 용적보다 작아, 그것에 의해, 고체화실(51)은, 내부 공간을 효율적으로 감압할 수 있는 구조를 갖고 있다. 고체화실(51) 내에, 기판(W)을 유지하는 기판 유지 유닛으로서의 기판 홀더(52)가 배치되어 있다. 기판 홀더(52)에는, 기판 가열 유닛으로서의 히터(53H)와, 기판 냉각 유닛으로서의 냉각 유닛(53C)이 내장되어 있고, 그것에 의해, 온도 조절 플레이트가 구성되어 있다. 히터(53H)는, 전열 또는 열복사에 의해서 기판(W)을 가열한다. 히터(53H)를 대신하여, 전자파(자외선, 적외선, 마이크로파, 레이저광 등)를 조사하여 기판을 가열하는 전자파 조사 유닛을 기판 가열 유닛으로서 이용해도 된다. 또, 플래시 램프를 기판 가열 유닛으로서 이용해도 된다. 냉각 유닛(53C)은, 기판 홀더(52) 내를 통과하는 냉매 통로를 갖고 있어도 되고, 전자 냉열 소자를 갖고 있어도 된다.
기판 홀더(52)를 관통하여 복수(3개 이상)의 리프트 핀(54)이 배치되어 있다. 리프트 핀(54)은, 리프트 핀 승강 유닛(55)에 의해서 상하 이동되고, 그것에 의해, 기판 홀더(52) 상에서 기판(W)을 상하 이동시킨다.
고체화실(51)은, 베이스부(511)와, 베이스부(511)에 대해서 상하 이동하는 가동 덮개부(512)를 갖고 있다. 가동 덮개부(512)는, 덮개부 구동 유닛(56)에 의해서, 베이스부(511)에 대해서 상하 이동된다. 베이스부(511)와 가동 덮개부(512) 사이에 고체화 처리 공간(50)이 구획된다. 가동 덮개부(512)의 하단 가장자리부(58)는, 베이스부(511)의 상면(59)에 모방하는 평면을 따라서 형성되어 있다. 베이스부(511)에 있어서, 가동 덮개부(512)의 하단 가장자리부(58)에 대향하는 위치에는, 씰 부재로서의 O링(60)이 배치되어 있다. 가동 덮개부(512)를 베이스부(511)에 접근시켜, 베이스부(511)를 향해서 누르면, 가동 덮개부(512)와 베이스부(511) 사이가 O링(60)에 의해서 밀폐된다. 이렇게 하여, 밀폐된 고체화 처리 공간(50)이 형성된다.
베이스부(511)에는, 배기 배관(62)이 결합되어 있다. 배기 배관(62)은, 고체화 처리 공간(50)에 연통하고 있다. 배기 배관(62)은, 진공 펌프 등의 배기 유닛(63)에 접속되어 있다. 배기 배관(62)에는, 배기 밸브(64)가 끼워 설치되어 있다. 배기 유닛(63)은 감압 유닛의 일례이며, 배기 밸브(64)를 열어 배기 유닛(63)을 구동함으로써, 고체화 처리 공간(50)을 대기압보다 낮은 기압(예를 들어 0.01Torr 이하)으로 감압할 수 있다.
가동 덮개부(512)에는, 고체화 처리 공간(50)에 불활성 가스를 도입하기 위한 불활성 가스 노즐(71)이 설치되어 있다. 불활성 가스 노즐(71)에는, 불활성 가스 배관(72)이 결합되어 있다. 불활성 가스 배관(72)의 도중에는, 불활성 가스 밸브(73)가 끼워 설치되어 있다. 불활성 가스 배관(72)은, 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급원(74)에 결합되어 있다. 불활성 가스는 저습도 가스의 일례이며, 불활성 가스 노즐(71) 등은 저습도 가스 공급 유닛의 일례이다. 예를 들어, 기판(W)이 고체화 처리 공간(50)에 반입되기 전부터, 불활성 가스 노즐(71)로부터 불활성 가스를 공급해 둠으로써, 고체화실(51) 내를 환기할 수 있고, 성막 처리액 막(10)이 건조하기 쉬운 분위기를 형성할 수 있다.
고체화 유닛(D)의 동작을 개설하면, 다음과 같다.
로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)는, 표면에 성막 처리액 막(10)이 형성된 상태의 기판(W)을 고체화 유닛(D)에 반입한다. 기판(W)이 반입될 때, 가동 덮개부(512)는 베이스부(511)로부터 떨어진 개방 위치에 있으며, 그것에 의해, 가동 덮개부(512)와 베이스부(511) 사이에 기판 반입 개구가 형성된다. 이때, 리프트 핀(54)은, 그 선단이 기판 홀더(52)의 표면으로부터 상방으로 이격한 상승 위치에 있다. 그 상태로, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)가, 가동 덮개부(512)와 베이스부(511) 사이에 진입하여, 리프트 핀(54)에 기판(W)을 건네준다. 기판(W)을 건네받은 리프트 핀(54)은, 하강하여, 기판 홀더(52)의 상면에 기판(W)을 올려놓는다.
덮개부 구동 유닛(56)은, 가동 덮개부(512)를 하강시켜, O링(60)을 개재하여 베이스부(511)에 누른다. 이로써, 고체화 처리 공간(50)이 밀폐 공간이 된다. 또한, 배기 밸브(64)가 열려, 배기 유닛(63)이 구동됨으로써, 고체화 처리 공간(50) 내의 분위기가 배기되어, 고체화 처리 공간(50)이 감압된다. 감압을 저해하지 않도록, 불활성 가스 밸브(73)는 닫힘 상태가 된다.
고체화 처리 공간(50) 내가 감압됨으로써, 기판(W)의 표면의 성막 처리액 막(10)의 증발이 촉진된다. 또한, 히터(53H)를 구동하여 기판 홀더(52)가 가열되고, 베이크 처리가 행해진다. 이렇게 하여, 기판(W)의 분위기의 감압과 기판(W)의 가열을 병용하여, 성막 처리액 막(10)이 신속하게 고체화한다. 고체화란, 여기에서는, 고체화 또는 경화하는 것을 의미하고, 성막 처리액 중의 용매 성분이 증발하여 건조되어 고체화 또는 경화해도 되고, 성막 처리액 중의 분자들이 결합하여 고분자화하거나 고체화 또는 경화해도 된다. 이 고체화시에 체적 수축이 생김으로써, 기판(W)의 표면에 부착되어 있는 파티클 등의 이물에 힘이 작용하여, 그것에 의해, 이물이 기판(W)의 표면으로부터 떼어 놓아진다.
성막 처리액 막(10)의 고체화가 종료한 후, 배기 유닛(63)이 정지되고, 필요에 따라서 불활성 가스 밸브(73)를 엶으로써, 고체화 처리 공간(50) 내가 대기압까지 가압된다. 그리고, 히터(53H)가 구동 정지하고, 이를 대신하여, 냉각 유닛(53C)이 작동되어, 기판 홀더(52)가 냉각된다. 그것에 의해, 기판(W)이 예를 들어 상온까지 냉각된다. 그 후, 덮개부 구동 유닛(56)이, 가동 덮개부(512)를 상승시켜, 베이스부(511)로부터 이격시킨다. 또한, 리프트 핀(54)이 상승하여, 기판 홀더(52)의 상면으로부터 상방으로 떨어진 높이까지 기판(W)을 들어올린다. 이 상태로, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)가 가동 덮개부(512)와 베이스부(511) 사이에 진입하여, 리프트 핀(54)으로부터 처리 후의 기판(W)을 걷어 내어, 로컬 반송실(C)로 퇴출한다. 고체화 처리 후의 기판(W)을 주반송 로봇(CR)이 반송하는 경우에는, 주반송 로봇(CR)의 핸드(HC)가 가동 덮개부(512)와 베이스부(511) 사이에 진입하여, 리프트 핀(54)으로부터 처리 후의 기판(W)을 걷어내어, 주반송실(5)로 퇴출한다.
도 4는, 로컬 반송 로봇(LR)의 구성예를 설명하기 위한 도면이다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 로컬 반송실(C) 내에 배치되어 있다. 로컬 반송실(C)은, 액처리 유닛(M)의 처리실(11)과, 당해 처리실(11) 위에 배치된 고체화 유닛(D)의 고체화실(51)에 대향하여, 고체화실(51)이 열려 있을 때, 고체화실(51)과 연통한다.
로컬 반송 로봇(LR)은, 기판(W)을 유지하기 위한 핸드(LH)(아암)와, 핸드(LH)를 구동하는 핸드 구동 유닛(90)을 포함한다. 이 예에서는, 핸드(LH)는, 한 쌍의 핸드(LH1, LH2)를 포함하고, 이들은 상하 방향으로 어긋나게(또한 필요에 따라서 수평 방향으로 어긋나게) 배치되어 있다. 핸드 구동 유닛(90)은, 핸드(LH1, LH2)를 수평 이동 및 수직 이동시키고, 또한 필요에 따라서, 핸드(LH1, LH2)를 연직인 회전축선(89) 둘레로 회동시킨다.
그것에 의해, 핸드(LH1, LH2)는, 액처리 유닛(M)의 처리실(11) 내에 진입하여 스핀척(12)으로부터 기판(W)을 수취하고, 그 기판(W)을 고체화 유닛(D)까지 반송하며, 고체화실(51) 내로 그 기판(W)을 반입하여 리프트 핀(54)(도 3 참조)에 건네주고, 그 후에 로컬 반송실(C)로 퇴출할 수 있다. 또, 핸드(LH1, LH2)는, 고체화 유닛(D)의 고체화실(51) 내에 진입하여 리프트 핀(54)으로부터 기판(W)을 수취하고, 그 기판(W)을 액처리 유닛(M)까지 반송하며, 그 기판(W)을 처리실(11) 내로 반입하여 스핀척(12)에 건네주고, 그 후에 로컬 반송실(C)로 퇴출할 수 있다.
핸드 구동 유닛(90)은, 적어도 액처리 유닛(M) 및 고체화 유닛(D)에 액세스할 때에, 한 쌍의 핸드(LH1, LH2)를 그들의 유닛에 대해서 독립하여 진퇴시킬 수 있다. 예를 들어, 핸드(LH1)는, 성막 처리액 막(10)이 형성된 기판(W)을 액처리 유닛(M)으로부터 고체화 유닛(D)에 반송할 때에 이용되고, 핸드(LH2)는, 고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)을 고체화 유닛(D)으로부터 액처리 유닛(M)에 반송할 때에 이용되어도 된다. 이 경우, 성막 처리액 막(10)으로부터의 액 흘러내림을 고려하여, 고체화 유닛(D)에서의 처리 후의 기판(W)을 유지하는 핸드(LH2)는, 성막 처리액 막(10)이 형성된 기판(W)을 유지하는 핸드(LH1)보다 상방에 배치되어 있는 것이 바람직하다.
고체화 유닛(D)은, 액처리 유닛(M) 위에 배치되어 있으므로, 로컬 반송 로봇(LR)은, 액처리 유닛(M)으로부터 기판(W)을 반출한 후, 핸드(LH)를 고체화 유닛(D)의 높이까지 상승시키도록 동작한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 고체화 유닛(D)으로부터 기판(W)을 반출한 후, 핸드(LH)를 액처리 유닛(M)의 높이까지 하강시키도록 동작한다.
로컬 반송 로봇(LR)은, 또한, 액처리 유닛(M)에 의해서 성막 처리액 막(10)이 형성된 기판(W)을 보온 또는 가열하기 위해서 핸드(LH1)를 가열하는 핸드 가열 유닛(97A)(아암 가열 유닛)을 구비하고 있어도 된다. 핸드 가열 유닛(97A)은, 핸드(LH1)에 형성된 열매 통로(98A)에 열매를 순환시키도록 구성되어 있어도 된다. 이러한 열매 통로(98A)를 갖는 구성을 대신하여, 핸드(LH1)를 가열하는 히터(도시 생략)를 핸드(LH1)에 구비해도 된다. 또, 핸드 가열 유닛(97A)은, 로컬 반송실(C)에 구비된 가열 플레이트(99A)를 가열하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 핸드(LH1)가 기판(W)을 유지하고 있지 않은 기간에, 핸드(LH1)가 가열 플레이트(99A)에 접촉된다. 그것에 의해, 핸드(LH1)의 비가동 기간에 핸드(LH1)가 가열된다. 그 가열된 핸드(LH1)에 의해서 기판(W)을 반송함으로써, 반송 중에 기판(W)을 가열할 수 있으므로, 기판(W)이 가열되어, 성막 처리액 막(10)의 건조 고체화를 진행시킬 수 있다.
로컬 반송 로봇(LR)은, 또한, 고체화 유닛(D)에 의해서 고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)을 냉각하기 위해서 핸드(LH2)를 냉각하는 핸드 냉각 유닛(97B)(아암 냉각 유닛)을 구비하고 있어도 된다. 핸드 냉각 유닛(97B)은, 핸드(LH2)에 형성된 냉매 통로(98B)에 냉매를 순환시키도록 구성되어 있어도 된다. 이러한 냉매 통로(98B)를 갖는 구성을 대신하여, 핸드(LH2)를 냉각하는 전자 냉열 소자(도시 생략)를 핸드(LH2)에 구비해도 된다. 또, 핸드 냉각 유닛(97B)은, 로컬 반송실(C)에 구비된 냉각 플레이트(99B)를 냉각하도록 구성되어 있어도 된다. 이 경우, 핸드(LH2)가 기판(W)을 유지하고 있지 않은 기간에, 핸드(LH2)가 냉각 플레이트(99B)에 접촉된다. 그것에 의해, 핸드(LH2)의 비가동 기간에 핸드(LH2)가 냉각된다. 그 냉각된 핸드(LH2)에 의해서 기판(W)을 반송함으로써, 반송 중에 기판(W)을 냉각할 수 있으므로, 충분히 냉각된 기판(W)을 액처리 유닛(M)에 반입할 수 있다. 덧붙여, 고체화 유닛(D)에서의 냉각 처리 시간을 단축할 수 있다.
핸드(LH1, LH2)에 유지된 기판(W)을 효율적으로 가열/냉각하기 위해서, 핸드(LH1, LH2)는, 기판(W)의 형상에 대응한 플레이트 형상으로 구성되어 있어도 된다. 이러한 플레이트 형상의 핸드(LH1, LH2)는, 스핀척(12)과의 기판(W)의 수도를 위해서, 스핀척(12)에 구비된 척 핀을 회피하는 절결이 주위에 형성된 절결이 달린 플레이트 형상을 갖고 있어도 된다.
예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)(또는 핸드(LH)의 이동에 의하지 않고 핸드(LH)와의 상대 위치가 크게 변화하지 않는 가동 부위)에는, 핸드(LH)를 세정하기 위한 세정액을 공급하는 세정액 노즐(91)이 배치되어도 된다. 세정액 노즐(91)은, 세정액 배관(92)에 접속되어 있다. 세정액 배관(92)에는, 세정액 밸브(93)가 끼워 설치되어 있다. 세정액 배관(92)은, 세정액공급원(94)에 접속되어 있다. 세정액 공급원(94)은, 핸드(LH)를 세정하기 위한 세정액을 공급한다. 이 세정액은, 성막용 처리액과 친화성이 있는 액체, 예를 들어 유기용제인 것이 바람직하다.
도 4에 도시한 바와 같이, 핸드(LH)에 세정액 노즐(91)을 구비하는 대신에, 또는 그 세정액 노즐(91)에 더해, 로컬 반송실(C) 내에 세정액 노즐(91A)이 장착되어도 된다.
로컬 반송 로봇(LR)이 기판(W)을 반송하고 있지 않은 기간에, 세정액 밸브(93)를 엶으로써, 세정액 노즐(91, 91A)로부터 세정액을 토출시켜, 그 세정액에 의해서 핸드(LH)를 세정할 수 있다. 그것에 의해, 특히 핸드(LH)에 부착하는 성막용 처리액이나 그 외의 물질을 제거하여, 핸드(LH)를 청정한 상태로 유지할 수 있다.
로컬 반송실(C)의 저부(160)는, 세정액을 받는다. 저부(160)에는, 배액 유닛으로서의 배액 배관(161)이 접속되어 있다. 저부(160)에서 받아진 세정액은, 배액 배관(161)을 통과하여 배액된다.
로컬 반송실(C) 내에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 노즐(165)이 설치되어도 된다. 불활성 가스 노즐(165)에는, 불활성 가스 배관(166)이 접속되어 있다. 불활성 가스 배관(166)의 도중에는, 불활성 가스 밸브(167)가 끼워 설치되어 있다. 불활성 가스 배관(166)에는, 불활성 가스 공급원(168)이 접속되어 있다. 불활성 가스 공급원(168)은, 질소 가스 그 외의 불활성 가스를 공급한다. 불활성 가스 밸브(167)를 엶으로써, 로컬 반송실(C) 내에 불활성 가스를 공급할 수 있다. 그것에 의해, 세정 후의 핸드(LH)의 건조를 촉진할 수 있다. 또, 핸드(LH)에 유지된 기판(W)의 부근에 불활성 가스를 공급할 수 있기 때문에, 특히 핸드(LH1)에 유지되는 기판(W) 상의 성막 처리액 막(10)의 건조를 촉진하여, 그 고체화를 촉진할 수 있다.
불활성 가스 노즐(165)은, 핸드(LH)(또는 핸드(LH)의 이동에 의하지 않고 핸드(LH)와의 상대 위치가 크게 변화하지 않는 가동 부위)에 배치되어도 된다. 그것에 의해, 핸드(LH) 및 핸드(LH)에 유지된 기판(W)의 표면에 효율적으로 불활성 가스를 공급할 수 있다.
또한, 고체화 유닛(D)에서의 처리 후의 기판(W)을 주반송 로봇(CR)에 의해서 반출시키는 경우에는, 로컬 반송 로봇(LR)은 핸드(LH1) 및 그것에 관한 구성을 갖고 있으면 충분하다. 즉, 핸드(LH2) 및 그것에 관한 구성을 생략할 수 있다.
또, 고체화 유닛(D)에서의 처리 후의 기판(W)을 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 반송하는 경우에도, 핸드(LH2) 및 그것에 관련하는 구성을 생략해도 된다. 즉, 동일 핸드(LH1)로, 성막 처리액 막(10)이 형성된 기판(W)의 반송과, 고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)의 반송을 행해도 된다. 이 경우, 액처리 유닛(M)으로부터 고체화 유닛(D)으로 기판(W)을 반송한 후에, 핸드(LH1)를 세정하고, 그 후에, 당해 핸드(LH1)로 고체화 유닛(D)으로부터 액처리 유닛(M)으로 표면에 고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)을 반송해도 된다.
이상과 같이, 이 실시 형태에 의하면, 액처리 유닛(M)의 처리실에 있어서 기판(W) 상에 성막 처리액 막(10)이 형성된 후, 그 기판(W)이, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서, 고체화 유닛(D)의 고체화실(51)로 반입된다. 따라서, 주반송 로봇(CR)이 성막 처리액에 의해서 오염되는 것을 회피할 수 있으므로, 그 성막 처리액이, 주반송 로봇(CR)에 의해서 반송되는 다른 기판으로 전이하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또, 주반송 로봇(CR)에 의해서 기판(W)이 반송되는 공간에 성막 처리액의 분위기가 감도는 것을 억제 또는 방지할 수 있으므로, 성막 처리액의 분위기에 의한 기판(W)으로의 악영향도 회피할 수 있다. 이렇게 하여, 기판 처리 품질을 향상할 수 있다. 또한, 주반송 로봇(CR)의 동작 상태에 관계없이, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서, 처리실(11)로부터 고체화실(51)로 기판(W)을 신속하게 반송할 수 있다. 따라서, 반송 시간을 단축할 수 있다.
특히, 이 실시 형태에서는, 주반송 로봇(CR)이 주반송실(5)에 배치되어 있고, 로컬 반송 로봇(LR)은, 주반송실(5)로부터 이격된 로컬 반송실(C)에 배치되어 있다. 그것에 의해, 성막 처리액의 분위기가 주반송실(5)에 감도는 것을 보다 확실히 억제 또는 방지할 수 있으므로, 주반송 로봇(CR)에 의해서 반송되는 기판(W)이 성막 처리액의 분위기의 영향을 받는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
또, 이 실시 형태에서는, 고체화 유닛(D)은, 고체화실(51) 내의 처리 공간(50)을 감압하고, 또한 기판(W)을 히터(53H)로 가열함으로써, 기판(W) 상의 성막 처리액 막(10)을 고체화시킨다. 따라서, 성막 처리액 막(10)을 신속하게 고체화하여, 고체화 막(10S)을 형성할 수 있다. 이 과정에 있어서, 성막 처리액 막(10)이 고체화하면서 체적 수축한다. 그것에 의해, 기판(W) 표면의 파티클 등의 이물에 인장력이 작용하여, 기판(W) 표면으로부터 이물을 박리시킬 수 있다.
액처리 유닛(M)은, 처리실(11) 내에 스핀척(12) 및 차단판(19)을 갖고 있고, 그 용적이 비교적 크다. 그로 인해, 처리실(11) 내의 공간을 감압하여 성막 처리액 막(10)을 건조시키는 것은 실제적이지 않고, 만일 가능하다고 해도, 큰 용적의 공간의 감압에는 긴 시간이 걸린다. 그것에 비해, 이 실시 형태에서는, 액처리 유닛(M)에서 처리를 끝낸 후의 기판(W)을, 보다 용적이 작은 고체화실(51)에 반입하여, 고체화실(51) 내에서의 감압 건조 처리를 행하고 있다. 이로써, 성막 처리액 막(10)을 단시간에 고체화 할 수 있다.
고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR) 또는 주반송 로봇(CR)에 의해서, 고체화실(51)로부터 액처리 유닛(M)의 처리실(11)로 반입된다. 이때, 액처리 유닛(M)은, 고체화 막(10S)을 제거하는 제거 유닛으로서 기능하고, 처리실(11)은 제거 처리가 행해지는 공간을 제공하는 제거실로서 기능한다. 액처리 유닛(M)은, 기판(W)에 제거액을 공급하여 기판(W) 상의 고체화 막(10S)을 제거한다. 이때, 고체화 막(10S)이 제거액으로 팽윤하여 체적 팽창한다. 그것에 의해, 기판(W) 표면의 이물에 인장력이 작용하여, 이물이 기판(W) 표면으로부터 박리 된다. 박리된 이물은, 고체화 막(10S)과 더불어 기판(W) 밖으로 배제된다. 이렇게 하여, 기판(W)의 표면의 이물을 제거하는 세정 처리가 달성된다.
로컬 반송 로봇(LR)이, 고체화 유닛(D)에서의 고체화 처리를 끝낸 기판(W)을 고체화실(51)로부터 반출하고, 제거 처리를 위해서, 액처리 유닛(M)의 처리실(11)에 반입하는 경우에는, 주반송 로봇(DR)이 고체화 처리 후의 기판(W)으로부터 영향을 받는 것을 회피할 수 있다. 특히, 고체화 유닛(D)에서의 처리 후의 기판(W)이 고온이 되어 있을 때에는, 그 고온의 기판(W)이 발하는 열을 주반송 로봇(CR)이 축적하는 것을 회피할 수 있다. 그것에 의해, 주반송 로봇(CR)에 의해서 반송되는 기판(W)에 대해서 열의 영향이 미치는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
또, 이 실시 형태에서는, 로컬 반송 로봇(LR)은, 한 쌍의 핸드(LH1, LH2)를 갖고, 제1 반송 아암으로서의 핸드(LH1)에 의해서 처리실(11)로부터 기판(W)을 반출하여 고체화실(51)에 반입하고, 제2 반송 아암으로서의 핸드(LH2)에 의해서 고체화실(51)로부터 고체화 처리 후의 기판(W)을 반출하여, 제거 처리를 위해서 처리실(11)로 반입한다. 따라서, 핸드(LH1)에 성막 처리액이 부착했다고 해도, 그 처리액이 고체화 처리 후의 기판(W)에 전이하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, 이 실시 형태에서는, 핸드(LH2)가 핸드(LH1)보다 상방에 배치되어 있으므로, 핸드(LH1)에 의해서 유지되는 기판(W) 상의 성막 처리액이 핸드(LH2)에 부착하는 것을 한층 확실히 억제 또는 방지할 수 있다.
또, 이 실시 형태에서는, 로컬 반송실(C)에는, 세정액 노즐(91, 91A)이 설치되어 있고, 그 세정액 노즐(91, 91A)로부터 세정액을 토출하여, 핸드(LH)를 세정할 수 있다. 그것에 의해, 핸드(LH)를 청정한 상태로 유지할 수 있으므로, 핸드(LH)에 기인하는 기판(W)의 오염을 억제하면서, 기판(W)을 반송할 수 있다. 게다가, 핸드(LH)의 세정은 로컬 반송실(C)에서 행해지므로, 주반송 로봇(CR)에 의해서 반송되는 기판(W)에 세정액 또는 성막 처리액의 영향이 미치는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
특히, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)(또는 핸드(LH)의 이동에 의하지 않고 핸드(LH)와의 상대 위치가 크게 변화하지 않는 가동 부위)에 세정액 노즐(91)을 설치하는 경우에는, 핸드(LH)를 보다 확실히 세정할 수 있다. 따라서, 핸드(LH)에 성막 처리액 등의 오염이 축적되는 것을 회피할 수 있고, 성막 처리액에 의한 오염을 억제하면서, 기판(W)을 반송할 수 있다. 또, 주반송 로봇(CR)에 의해서 반송되는 기판(W)에 세정액 또는 성막 처리액의 영향이 미치는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
그리고, 이 실시 형태에서는, 로컬 반송실(C)은, 세정액을 받는 저부(160)와, 저부(160)에 받아진 세정액을 배액하는 배액 배관(161)을 포함한다. 이로써, 핸드(LH)를 세정한 후의 세정액을 로컬 반송실(C) 밖으로 배출할 수 있으므로, 로컬 반송실(C) 내의 분위기를 청정하게 유지할 수 있다. 그것에 의해, 기판(W)으로의 성막 처리액 분위기의 영향을 한층 억제할 수 있다.
이 실시 형태에 의해서 실행되는 기판 처리 방법은, 기판(W)의 표면에 처리실(11) 내에서 성막 처리액을 공급하여, 기판(W)의 표면에 성막 처리액 막(10)을 형성하는 처리액 막 형성 공정과, 이 처리액 막 형성 공정 후, 기판(W)을 고체화실(51)로 반송하는 제1 로컬 반송 공정과, 고체화실(51) 내에서 성막 처리액 막(10)을 고체화시켜 당해 기판(W)의 표면에 고체화 막(10S)을 형성하는 고체화 막 형성 공정과, 이 고체화 막 형성 공정 후, 기판(W)을 제거실로서의 처리실(11)로 반송하는 제2 로컬 반송 공정과, 그 처리실(11)(제거실) 내에서 고체화 막(10S)을 제거하기 위한 제거액을 기판(W)의 표면에 공급하는 제거 처리 공정과, 주반송 로봇(CR)에 의해서, 처리실(11)로 미처리의 기판(W)을 반입하고, 제거 처리 공정 후에, 상기 처리실(11)(제거실)로부터 기판(W)을 반출하는 주반송 공정을 포함한다.
이 실시 형태에서는, 상기 고체화 막 형성 공정이, 기판(W)을 가열 유닛으로서의 히터(53H)에 의해서 가열하는 가열 공정을 포함한다. 또, 상기 고체화 막 형성 공정은, 기판(W)이 처리되는 고체화 처리 공간(50)을 감압하는 감압 공정을 포함한다.
상기 주반송 공정에서는, 기판(W)은, 주반송실(5)을 통과하여 반송되고, 상기 제1 로컬 반송 공정에 있어서는, 기판(W)은, 주반송실(5)로부터 이격된 로컬 반송실(C)을 통과하여 반송된다.
상기 제1 로컬 반송 공정 및 상기 제2 로컬 반송 공정은, 공통의 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 행해지는 경우가 있다. 이 경우에, 상기 제1 로컬 반송 공정이, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH1)에 의해서 행해지고, 상기 제2 로컬 반송 공정이, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH2)에 의해서 행해진다.
또, 상기 제1 로컬 반송 공정이 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 행해지고, 상기 제2 로컬 반송 공정이 주반송 로봇(CR)에 의해서 행해지는 경우가 있다.
또, 이 실시 형태의 기판 처리 방법은, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)에 세정액을 공급하는 핸드 세정 공정(아암 세정 공정)을 포함한다.
상기 처리액 막 형성 공정과 상기 제거 처리 공정이, 공통의 처리실(11) 내에서 행해지는 경우가 있다. 또, 상기 처리액 막 형성 공정과 상기 제거 처리 공정이 상이한 액처리 유닛(M)에서 행해지는 경우에는, 그들 처리는 상이한 실에서 행해지게 된다.
[제2 실시 형태]
도 5a는, 이 발명의 제2 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1A)의 구성을 설명하기 위한 도해적인 평면도이며, 도 5b는 그 입면도이다. 도 5a 및 도 5b에 있어서, 전술의 도 1a 및 도 1b의 각 부의 대응 부분에는 동일 참조 부호를 붙인다.
이 실시 형태에서는, 평면에서 볼 때, 주반송실(5)의 일방측에 배치된 2개의 적층 유닛군(G1, G2)의 사이에 로컬 반송실(C)이 배치되고, 그 로컬 반송실(C)에 로컬 반송 로봇(LR)이 배치되어 있다. 마찬가지로, 주반송실(5)의 타방측에 배치된 2개의 적층 유닛군(G3, G4)의 사이에 로컬 반송실(C)이 배치되고, 그 로컬 반송실(C)에 로컬 반송 로봇(LR)이 배치되어 있다. 적층 유닛군(G1~G4)을 구성하는 복수의 유닛 및 그들의 적층 상태는, 제1 실시 형태의 경우와 동일하다.
주반송 로봇(CR)은, 제1 실시 형태의 경우와 동일하게, 합계 8개의 액처리 유닛(M)에 액세스하여 기판(W)을 건네줄 수 있고, 또한 인덱서 로봇(IR)과의 사이에서 기판(W)을 수도할 수 있다. 또, 액처리 유닛(M)은, 합계 8개의 고체화 유닛(D)에 액세스하여 기판(W)을 취출할 수 있도록 구성되어 있어도 된다.
로컬 반송 로봇(LR)은, 이 실시 형태에서는, 제1 층(S1)에 2개 구비되고, 제2 층(S2)에 2개 구비되어 있다. 보다 구체적으로는, 평면에서 볼 때, 제1 층(S1)에는, 주반송실(5)의 양측에 1개씩의 로컬 반송 로봇(LR11, LR12)이 배치되어 있다. 더 구체적으로는, 주반송실(5)의 일방측에 있어서, 제1 층(S1)에는, 액처리 유닛(M11, M12)의 사이에 1개의 로컬 반송 로봇(LR11)이 배치되어 있다. 주반송실(5)의 타방측에도 동일하게, 액처리 유닛(M13, M14)의 사이에 1개의 로컬 반송 로봇(LR12)이 배치되어 있다. 제2 층(S2)에 있어서의 2개의 로컬 반송 로봇(LR21, LR22)도 동일하게 배치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR11, LR12, LR21, LR22)은, 로컬 반송실(C11, C12, C21, C22) 내에 각각 배치되어 있다. 로컬 반송실(C)은, 주반송실(5)로부터 분리(이격)하도록 구획된 반송 공간을 형성하고 있다.
제1 층(S1)에 있어서, 주반송실(5)의 일방측에 배치된 로컬 반송 로봇(LR11)은, 2개의 액처리 유닛(M11, M12)에 의해서 공유된다.
즉, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)에 가까운 쪽의 액처리 유닛(M11)에서의 처리를 끝낸 기판(W)을 취출하고, 수직 방향(보다 구체적으로는 상방)으로 반송하여, 그 액처리 유닛(M11) 위의 고체화 유닛(D11)으로 반입한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 액처리 유닛(M12)에서의 처리를 끝낸 기판(W)을 취출하고, 수직 방향(보다 구체적으로는 상방)으로 반송하여, 그 액처리 유닛(M12) 위의 고체화 유닛(D12)으로 반입한다.
로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)에 가까운 쪽의 액처리 유닛(M11)에서의 처리를 끝낸 기판(W)을, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 액처리 유닛(M12) 위의 고체화 유닛(D12)에 반송해도 된다. 마찬가지로, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 액처리 유닛(M12)에서의 처리를 끝낸 기판(W)을 캐리어 유지부(2)에 가까운 쪽의 액처리 유닛(M11) 위의 고체화 유닛(D11)에 반송해도 된다.
보다 일반화하면, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 제1 층(S1)에 있어서 주반송실(5)의 일방측에 배치된 2개의 액처리 유닛(M11, M12)과, 그들 위에 각각 배치된 2개의 고체화 유닛(D11, D12)에 액세스 가능하다. 그리고, 1개의 액처리 유닛(M11, M12)에서 처리를 끝낸 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR11)에 의해서, 2개의 고체화 유닛(D11, D12) 중 어느 한쪽으로 반입되어, 그 표면의 성막 처리액 막을 고체화하기 위한 고체화 처리를 받는다.
한편, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)에 가까운 쪽의 고체화 유닛(D11)에서의 고체화 처리를 끝낸 기판(W)을 취출하고, 수직 방향(보다 구체적으로는 하방)으로 반송하여, 그 고체화 유닛(D11) 아래의 액처리 유닛(M11)으로 반입한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 고체화 유닛(D12)에서의 고체화 처리를 끝낸 기판(W)을 취출하고, 수직 방향(보다 구체적으로는 하방)으로 반송하여, 그 고체화 유닛(D12) 아래의 액처리 유닛(M12)으로 반입한다.
로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)에 가까운 쪽의 고체화 유닛(D11)에서의 처리를 끝낸 기판(W)을, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 액처리 유닛(M12) 아래의 액처리 유닛(M12)에 반송해도 된다. 마찬가지로, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽의 고체화 유닛(D12)에서의 처리를 끝낸 기판(W)을 캐리어 유지부(2)에 가까운 쪽의 고체화 유닛(D11) 아래의 액처리 유닛(M11)에 반송해도 된다. 보다 일반화하면, 1개의 고체화 유닛(D11, D12)에서의 고체화 처리를 끝낸 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR11)에 의해서, 2개의 액처리 유닛(M11, M12) 중 어느 한쪽으로 반입되어, 그 표면의 고체화 막을 제거하기 위한 제거 처리를 받는다.
제1 층(S1)에 있어서 주반송실(5)의 타방측에 배치된 로컬 반송 로봇(LR12)의 동작도 동일하다. 즉, 로컬 반송 로봇(LR12)은, 2개의 액처리 유닛(M13, M14) 및 2개의 고체화 유닛(D13, D14)에 액세스 가능하게 구성되어 있고, 그들에 대해서, 주반송실(5)의 반대측의 로컬 반송 로봇(LR11)과 동일한 동작을 행한다.
제2 층(S2)에 배치된 로컬 반송 로봇(LR21, LR22)의 동작도 동일하다. 즉, 로컬 반송 로봇(LR21)은, 2개의 액처리 유닛(M21, M22) 및 2개의 고체화 유닛(D21, D22)에 액세스 가능하게 구성되어 있고, 그들에 대해서, 로컬 반송 로봇(LR11)과 동일한 동작을 행한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR22)은, 2개의 액처리 유닛(M23, M24) 및 2개의 고체화 유닛(D23, D24)에 액세스 가능하게 구성되어 있고, 그들에 대해서, 로컬 반송 로봇(LR11)과 동일한 동작을 행한다.
주반송실(5)의 일방측에 배치된 2개의 로컬 반송 로봇(LR11, LR21)은, 이 실시 형태에서는, 평면에서 볼 때 서로 겹치는 2개의 로컬 반송실(C11, C21)에 각각 배치되어 있다. 마찬가지로, 주반송실(5)의 타방측에 배치된 2개의 로컬 반송 로봇(LR12, LR22)은, 이 실시 형태에서는, 평면에서 볼 때 서로 겹치는 2개의 로컬 반송실(C12, C22)에 각각 배치되어 있다.
상하에 서로 겹친 2개의 로컬 반송실(C11, C21；C12, C22)을, 상하에 연통한 1개의 로컬 반송실로 해도 된다. 그리고, 이 1개의 로컬 반송실(C) 내에 1개의 로컬 반송 로봇(LR)을 배치해도 된다.
이 경우, 주반송실(5)의 일방측에서는, 로컬 반송실(C)에 대해서 캐리어 유지부(2)측에는, 액처리 유닛(M11), 고체화 유닛(D11), 액처리 유닛(M21) 및 고체화 유닛(D21)이 이 순으로 적층된 적층 유닛군(G1)이 위치하고, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽에도, 액처리 유닛(M12), 고체화 유닛(D12), 액처리 유닛(M22) 및 고체화 유닛(D22)이 이 순으로 적층된 적층 유닛군(G2)이 위치한다. 로컬 반송실(C)에 배치된 1개의 로컬 반송 로봇(LR)은, 이들 한 쌍의 적층 유닛군(G1, G2)을 구성하는 합계 8개의 유닛에 대해서 액세스할 수 있다.
이 경우, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 액처리 유닛(M11, M12, M21, M22)에서 성막 처리액 막 형성 처리가 종료한 1개의 기판(W)을 그 바로 위에 적층된 고체화 유닛(D11, D12, D21, D22)에 반입하도록 동작해도 된다. 또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 액처리 유닛(M11, M12, M21, M22)에서 성막 처리액 막 형성 처리가 종료한 1개의 기판(W)을, 액세스 가능한 4개의 고체화 유닛(D11, D12, D21, D22) 중 임의의 1개에 반입해도 된다. 일반적으로는, 처리를 위해서 사용되고 있지 않은 고체화 유닛(D)에 기판(W)을 반입함으로써, 생산성을 높일 수 있다.
또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 고체화 유닛(D11, D12, D21, D22)에서 고체화 처리가 종료한 1개의 기판(W)을 그 바로 아래에 적층된 액처리 유닛(M11, M12, M21, M22)에 반입하도록 동작해도 된다. 또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 고체화 유닛(D11, D12, D21, D22)에서 고체화 처리가 종료한 1개의 기판(W)을, 액세스 가능한 4개의 액처리 유닛(M11, M12, M21, M22) 중 임의의 1개에 반입해도 된다. 일반적으로는, 처리를 위해서 사용되고 있지 않은 액처리 유닛(M)에 기판(W)을 반입하여 제거 처리를 행하게 함으로써, 생산성을 높일 수 있다.
주반송실(5)의 타방측에 대해서도, 동일한 구성이며, 2개의 적층 유닛군(G3, G4)에 의해서 공유되는 1개의 로컬 반송 로봇(LR)을 동일하게 동작시킬 수 있다.
도 1a 및 도 5a의 비교로부터 이해되는 바와 같이, 이 실시 형태의 구성에 의해, 기판 처리 장치(1A)의 점유 면적(풋 프린트)을 작게 할 수 있다.
또한, 고체화 유닛(D)에서의 고체화 처리를 종료한 기판(W)의 반송은, 주반송 로봇(CR)에 의해서 행해도 된다. 이 경우, 주반송 로봇(CR)은, 임의의 액처리 유닛(M)에 당해 기판(W)을 반입하여 제거 처리를 행하게 하도록 동작해도 된다.
[제3 실시 형태]
도 6a는, 이 발명의 제3 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1B)의 구성을 설명하기 위한 도해적인 평면도이며, 도 6b는, 그 입면도이다. 이 실시 형태의 기판 처리 장치(1B)에서는, 유닛의 배치가, 제1 층(S1), 제2 층(S2) 및 제3 층(S3)을 포함하는 3층 구조를 형성하고 있다.
이 실시 형태에서는, 평면에서 볼 때, 주반송실(5)의 일방측에 3개의 적층 유닛군(G11, G12, G13)이 주반송실(5)을 따라서 배치되고, 주반송실(5)의 타방측에 3개의 적층 유닛군(G14, G15, G16)이 주반송실(5)을 따라서 배치되어 있다.
적층 유닛군(G11)은, 3개의 액처리 유닛(M11, M21, M31)을 밑에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G13)은, 3개의 액처리 유닛(M12, M22, M32)을 밑에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G11, G13)의 사이에 배치된 적층 유닛군(G12)은, 6개의 고체화 유닛(D11, D12, D21, D22, D31, D32)을 밑에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G11, G13)의 사이에는, 또한, 로컬 반송실(C11, C21, C31)이 밑에서부터 차례로 적층하여 배치되어 있고, 그들 중에, 로컬 반송 로봇(LR11, LR21, LR31)이 각각 배치되어 있다. 로컬 반송실(C11, C21, C31)은, 이 실시 형태에서는, 적층 유닛군(G12)에 대해서, 주반송실(5)과는 반대측에 배치되어 있다.
적층 유닛군(G14)은, 3개의 액처리 유닛(M13, M23, M33)을 밑에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G16)은, 3개의 액처리 유닛(M14, M24, M34)을 밑에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G14, G16)의 사이에 배치된 적층 유닛군(G15)은, 6개의 고체화 유닛(D13, D14, D23, D24, D33, D34)을 밑에서부터 차례로 적층하여 구성되어 있다. 적층 유닛군(G14, G16)의 사이에는, 또한, 로컬 반송실(C12, C22, C32)이 밑에서부터 차례로 적층하여 배치되어 있고, 그들 중에, 로컬 반송 로봇(LR12, LR22, LR32)이 각각 배치되어 있다. 로컬 반송실(C12, C22, C32)은, 이 실시 형태에서는, 적층 유닛군(G15)에 대해서, 주반송실(5)과는 반대측에 배치되어 있다.
각 층의 구성에 착목하면, 제1 층(S1)에 있어서, 주반송실(5)의 일방측에는, 주반송실(5)의 평면에서 볼 때의 길이 방향을 따라서, 한 쌍의 액처리 유닛(M11, M12)이 배치되어 있고, 이 한 쌍의 액처리 유닛(M11, M12)의 사이에, 한 쌍의 고체화 유닛(D11, D12)과, 1개의 로컬 반송 로봇(LR11)이 배치되어 있다. 한 쌍의 고체화 유닛(D11, D12)은, 이 실시 형태에서는, 상하로 적층되어 있다. 고체화 유닛(D11, D12)은, 주반송실(5)에 가까운 위치에 배치되어 있고, 고체화 유닛(D11, D12)에 대해서 주반송실(5)과는 반대측에 로컬 반송 로봇(LR11)이 배치되어 있다.
로컬 반송 로봇(LR11)은, 로컬 반송실(C11) 내에 배치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR11)은, 한 쌍의 액처리 유닛(M11, M12) 및 한 쌍의 고체화 유닛(D11, D12)에 액세스 가능하다.
로컬 반송 로봇(LR11)은, 1개의 액처리 유닛(M11, M12)에서 성막 처리액 막 형성 처리를 끝낸 기판(W)을 반출하고, 한 쌍의 고체화 유닛(D11, D12) 중 어느 한쪽으로 그 기판(W)을 반입하도록 동작한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR11)은, 1개의 고체화 유닛(D11, D12)에서 고체화 처리를 끝낸 기판(W)을 반출하고, 한 쌍의 액처리 유닛(M11, M12) 중 어느 한쪽으로 그 기판(W)을 반입하여 제거 처리를 행하게 하도록 동작한다.
제1 층(S1)에 있어서, 주반송실(5)의 타방측의 유닛 배치도 동일하다. 즉, 주반송실(5)의 타방측에는, 주반송실(5)의 평면에서 볼 때의 길이 방향을 따라서, 한 쌍의 액처리 유닛(M13, M14)이 배치되어 있고, 이 한 쌍의 액처리 유닛(M13, M14)의 사이에 한 쌍의 고체화 유닛(D13, D14)과 1개의 로컬 반송 로봇(LR12)이 배치되어 있다. 한 쌍의 고체화 유닛(D13, D14)은 상하로 적층되어 있다. 그들 고체화 유닛(D13, D14)은, 주반송실(5)에 가까운 위치에 배치되고, 고체화 유닛(D13, D14)에 대해서 주반송실(5)과는 반대측에 로컬 반송실(C12)이 구획되며, 그곳에 로컬 반송 로봇(LR12)이 수용되어 있다.
로컬 반송 로봇(LR12)은, 한 쌍의 액처리 유닛(M13, M14) 및 한 쌍의 고체화 유닛(D13, D14)에 액세스 가능하다. 로컬 반송 로봇(LR12)은, 1개의 액처리 유닛(M13, M14)에서 처리를 끝낸 기판(W)을 반출하고, 한 쌍의 고체화 유닛(D13, D14) 중 어느 한쪽으로 그 기판(W)을 반입하도록 동작한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR12)은, 1개의 고체화 유닛(D13, D14)에서 고체화 처리를 끝낸 기판(W)을 반출하고, 한 쌍의 액처리 유닛(M13, M14) 중 어느 한쪽으로 그 기판(W)을 반입하여 제거 처리를 행하게 하도록 동작한다.
제2 층(S2) 및 제3 층(S3)의 유닛 배치 및 각 층의 로컬 반송 로봇(LR)의 동작도 동일하다. 제2 층(S2)은, 주반송실(5)의 일방측에 배치된 한 쌍의 액처리 유닛(M21, M22), 한 쌍의 고체화 유닛(D21, D22) 및 1개의 로컬 반송 로봇(LR21)을 포함하고, 또한, 주반송실(5)의 타방측에 배치된 한 쌍의 액처리 유닛(M23, M24), 한 쌍의 고체화 유닛(D23, D24) 및 1개의 로컬 반송 로봇(LR22)을 포함한다. 제3 층(S3)은, 주반송실(5)의 일방측에 배치된 한 쌍의 액처리 유닛(M31, M32), 한 쌍의 고체화 유닛(D31, D32) 및 1개의 로컬 반송 로봇(LR31)을 포함하고, 또한, 주반송실(5)의 타방측에 배치된 한 쌍의 액처리 유닛(M33, M34), 한 쌍의 고체화 유닛(D33, D34) 및 1개의 로컬 반송 로봇(LR32)을 포함한다.
이와 같이, 이 실시 형태에서는, 액처리 유닛(M)과 고체화 유닛(D)이 평면적으로 배치(수평 배치)되어 있고, 그것에 의해, 기판 처리 장치(1B)의 전체 높이를 억제하면서, 다수의 액처리 유닛(M) 및 고체화 유닛(D)을 구비할 수 있다.
주반송실(5)의 일방측에 배치된 3개의 로컬 반송 로봇(LR11, LR21, LR31)은, 이 실시 형태에서는, 평면에서 볼 때, 서로 겹치는 3개의 로컬 반송실(C11, C21, C31)에 각각 배치되어 있다. 이 3개의 로컬 반송실(C11, C21, C31)을 상하에 연통한 1개의 로컬 반송실(C)로 해도 된다. 또, 이 1개의 로컬 반송실(C) 내에 1개의 로컬 반송 로봇(LR)을 배치해도 된다. 이 경우, 로컬 반송실(C)에 대해서 캐리어 유지부(2)측에는, 3개의 액처리 유닛(M11, M21, M31)이 적층된 적층 유닛군(G11)이 위치하고, 캐리어 유지부(2)로부터 먼 쪽에는, 3개의 액처리 유닛(M12, M22, M32)이 적층된 적층 유닛군(G13)이 위치하며, 주반송실(5)측에는 6개의 고체화 유닛(D11, D12, D21, D22, D31, D32)이 적층된 적층 유닛군(G12)이 위치한다. 로컬 반송실(C)에 배치된 1개의 로컬 반송 로봇(LR)은, 이들 3개의 적층 유닛군(G11~G13)을 구성하는 합계 12개의 유닛에 대해서 액세스할 수 있다.
이 경우, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 액처리 유닛(M)에서 성막 처리액 막 형성이 종료한 1개의 기판(W)을 동일층 내에 위치하는 고체화 유닛(D)에 반입하도록 동작해도 된다. 또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 고체화 유닛(D)에서 고체화 처리가 종료한 1개의 기판(W)을, 제거 처리를 위해서, 동일층 내에 위치하는 액처리 유닛(M)에 반입하도록 동작해도 된다. 또, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 액처리 유닛(M)에서 성막 처리액 막 형성이 종료한 1개의 기판(W)을, 액세스 가능한 6개의 고체화 유닛(D) 중 임의의 1개에 반입해도 된다. 일반적으로는, 처리를 위해서 사용되고 있지 않은 고체화 유닛(D)에 기판(W)을 반입함으로써, 생산성을 높일 수 있다. 그리고, 로컬 반송 로봇(LR)은, 어느 고체화 유닛(D)에서 고체화 처리가 종료한 1개의 기판(W)을, 제거 처리를 위해서, 액세스 가능한 6개의 액처리 유닛(M) 중 임의의 1개에 반입해도 된다. 일반적으로는, 처리를 위해서 사용되고 있지 않은 액처리 유닛(M)에 기판(W)을 반입함으로써, 생산성을 높일 수 있다. 물론, 주반송실(5)의 반대측에 관해서도, 동일한 구성으로 할 수 있다.
도 1a 및 도 6a의 비교로부터 이해되는 바와 같이, 이 실시 형태의 구성에 의해, 기판 처리 장치(1B)의 점유 면적(풋 프린트)을 작게 할 수 있다. 또한, 도 5b 및 도 6b 등의 비교로부터 이해되는 바와 같이, 이 실시 형태의 구성에 의해, 동일 높이의 스페이스에, 보다 많은 유닛을 배치할 수 있다. 바꾸어 말하면, 동일 유닛수의 기판 처리 장치를, 보다 낮은 높이로 구성할 수 있다.
[제4 실시 형태]
도 7은, 이 발명의 제4 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1C)의 구성을 설명하기 위한 도해적인 입면도이며, 주반송실의 일방측의 구성이 도시되어 있다. 주반송실(5)(도 5a 등 참조)의 일방측에, 한 쌍의 적층 유닛군(G21, G22)이 배치되어 있고, 그들 사이에 로컬 반송 로봇(LR1, LR2)이 배치되어 있다. 이 예에서는, 1개의 적층 유닛군(G21)은 3개의 액처리 유닛(M1, M2, M3)을 3층으로 적층하여 구성되어 있다. 또 1개의 적층 유닛군(G22)은, 1개의 액처리 유닛(M4)과. 그 위에 차례로 적층된 4개의 고체화 유닛(D1~D4)을 포함한다. 주반송실(5)의 반대측에도 동일한 구성이 설치되어 있다. 주반송 로봇(CR)은, 주반송실(5)의 일방측에 배치된 4개의 액처리 유닛(M1~M4)에 액세스 가능하고, 또한 주반송실(5)의 반대측에도 동일하게 배치된 4개의 액처리 유닛에 액세스 가능하다. 주반송 로봇(CR)은, 주반송실(5)의 일방측에 배치된 4개의 고체화 유닛(D1~D4)에 액세스 가능하고, 또한 주반송실(5)의 반대측에도 동일하게 배치된 4개의 고체화 유닛에 액세스 가능하게 구성되어 있어도 된다.
이 예에서는, 주반송실(5)의 일방측에, 2개의 로컬 반송 로봇(LR1, LR2)이 설치되어 있고, 그들은, 1개의 로컬 반송실(C) 내에 배치되어 있다. 예를 들어, 하측의 로컬 반송 로봇(LR1)은, 3개의 액처리 유닛(M1, M2, M4) 및 2개의 고체화 유닛(D1, D2)에 액세스 가능해도 된다. 그리고, 상측의 로컬 반송 로봇(LR2)은, 2개의 액처리 유닛(M2, M3) 및 4개의 고체화 유닛(D1~D4)에 액세스 가능해도 된다. 이들의 로컬 반송 로봇(LR1, LR2)은, 액처리 유닛(M1~M4)에서 성막 처리액이 형성된 후의 기판(W)을 어느 한 고체화 유닛(D1~D4)에 반입하도록 동작한다. 또, 로컬 반송 로봇(LR1, LR2)은, 고체화 유닛(D1~D4)에서 고체화 처리된 후의 기판(W)을, 제거 처리를 위해서, 어느 한 액처리 유닛(M1~M4)에 반입하도록 동작한다. 주반송실(5)의 반대측에도 동일한 구성이 설치되어 있고, 2개의 로컬 반송 로봇의 동작도 동일하다. 고체화 처리 후의 기판(W)의 반송은, 주반송 로봇(CR)이 행해도 된다. 즉, 주반송 로봇(CR)은, 어느 고체화 유닛(D)에서 고체화 처리된 기판(W)을, 어느 한 액처리 유닛(M)에 반입하도록 동작해도 된다.
[제5 실시 형태]
도 8은, 이 발명의 제5 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치(1D)의 구성을 설명하기 위한 도해적인 평면도이다. 이 실시 형태에서는, 3개의 적층 유닛군(G31, G32, G33)이 설치되어 있다. 제1 적층 유닛군(G31)은, 액처리 유닛(M11, M21, M31)을 복수 층(이 실시 형태에서는 3층)으로 적층하여 구성되어 있다. 제2 적층 유닛군(G32)은, 캐리어 유지부(2)에 있어서의 캐리어(3)의 정렬 방향을 따라서, 제1 적층 유닛군(G31)에 대향하고 있다. 이 제2 적층 유닛군(G32)은, 액처리 유닛(M12, M22, M32)을 복수 층으로 적층하여 구성되어 있다. 제3 적층 유닛군(G33)은, 제1 및 제2 적층 유닛군(G31, G32)의 사이에 배치되어 있다. 제3 적층 유닛군(G33)은, 고체화 유닛(D1~D6)을 복수 층(이 실시 형태에서는 6층)으로 적층하여 구성되어 있고, 도 6a 및 도 6b에 도시한 적층 유닛군(G12, G15)과 유사한 구성을 갖고 있다. 고체화 유닛(D1~D6)에 대해서 주반송 로봇(CR)과는 반대측에 로컬 반송실(C)이 배치되어 있다. 로컬 반송실(C)에는, 로컬 반송 로봇(LR)이 배치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 액처리 유닛(M11, M12；M21, M22；M31, M32)에 대응한 각 층에 1개씩 설치되어 있어도 된다. 또, 복수 층(예를 들어 모든 층)으로 배치된 액처리 유닛(M)에 대해서 공통으로 이용되는 1개의 로컬 반송 로봇(LR)이 설치되어 있어도 된다.
주반송 로봇(CR)은, 주반송실(5A)에 배치되어 있다. 주반송실(5A)은, 제1~ 제3 적층 유닛군(G31~G33)과 인덱서 로봇(IR) 사이에 구획되어 있다. 인덱서 로봇(IR)과 주반송 로봇(CR) 사이의 기판(W)의 수도는, 일시적으로 기판(W)을 유지하는 기판 수도 유닛(7)을 개재하여 행해져도 된다. 주반송 로봇(CR)은, 인덱서 로봇(IR)으로부터 기판 수도 유닛(7)을 개재하여 수취한 미처리의 기판(W)을, 제1 또는 제2 적층 유닛군(G31, G32)에 포함되는 1개의 액처리 유닛(M)에 반입한다. 그 액처리 유닛(M)에서 처리된 후의 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 반출되고, 당해 로컬 반송 로봇(LR)이 액세스 가능한 고체화 유닛(D1~D6) 중 어느 한쪽으로 반입된다. 그 고체화 유닛(D)에서 처리된 후의 기판(W)은, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 취출되고, 제거 처리를 위해서, 당해 로컬 반송 로봇(LR)이 액세스 가능한 액처리 유닛(M)에 반입된다. 그 액처리 유닛(M)에서 제거 처리 등을 끝낸 기판(W)은, 주반송 로봇(CR)에 의해서 취출되고, 기판 수도 유닛(7)을 개재하여, 인덱서 로봇(IR)으로 건네진다.
고체화 유닛(D)에서의 고체화 처리 후의 기판(W)은, 주반송 로봇(CR)에 의해서, 제거 처리를 위해서, 액처리 유닛(M)에 반입되어도 된다.
[제6 실시 형태]
도 9는, 이 발명의 제6 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 고체화 유닛(D)의 구성예를 도시한다. 이 고체화 유닛(D)은, 진공 챔버를 구성하는 고체화실(111)을 갖고 있다. 고체화실(111)에는, 배기관(112)이 접속되어 있다. 배기관(112)은, 진공 펌프 등의 배기 유닛(113)에 접속되어 있다. 배기관(112)에는, 배기 밸브(110)가 끼워 설치되어 있다.
고체화실(111)에는, 로컬 반송 로봇(LR)에 의해서 기판(W)을 반입/반출하기 위한 기판 반입/반출 개구(114)가 측벽(115)에 형성되어 있다.
또한, 고체화실(111)에는, 주반송 로봇(CR)에 의해서, 고체화 처리 후의 기판(W)을 반출하기 위한 기판 반출 개구(116)가 측벽(117)에 형성되어 있어도 된다. 이 경우, 기판 반출 개구(116)를 개폐하기 위한 셔터(118)가 설치되고, 셔터(118)가 셔터 구동 유닛(119)에 의해서 구동되도록 구성되는 것이 바람직하다. 또, 셔터(118)의 고체화실(111)에 대향하는 표면에는, 씰 부재로서의 O링(120)이 설치되어 있는 것이 바람직하다. 이 경우, 셔터(118)는, 고체화실(111)의 측벽(117)에 눌려, 그것에 의해, O링(120)을 개재하여 기판 반출 개구(116)를 기밀하게 밀폐한다. 주반송 로봇(CR)이 고체화 유닛(D)에 의한 처리가 끝난 기판(W)을 반출할 때에는, 셔터 구동 유닛(119)은 셔터(118)를 구동하여 기판 반출 개구(116)를 개방한다. 그 개방된 기판 반출 개구(116)에 주반송 로봇(CR)의 핸드(HC)가 진입한다.
한편, 기판 반입/반출 개구(114)는, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)에 구비된 덮개 부재(125)에 의해서 개폐된다. 덮개 부재(125)의 고체화실(111)에 대향하는 표면에는, 씰 부재로서의 O링(126)이 설치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 액처리 유닛(M)에서 성막 처리액 막(10)이 형성된 후의 기판(W)을 고체화실(111)에 반입하고, 또한, 덮개 부재(125)를 O링(126)을 개재하여 고체화실(111)의 측벽(115)에 누르도록 동작한다. 그것에 의해, 기판 반입/반출 개구(114)가 기밀하게 폐색된다.
고체화실(111)의 천정면에는, 고체화실(111) 내의 공간에 불활성 가스를 도입하기 위한 불활성 가스 노즐(71A)이 설치되어 있다. 이 불활성 가스 노즐(71A)에 관해서, 도 3에 도시한 고체화 유닛의 경우와 동일한 구성이 구비되어 있고, 불활성 가스 노즐(71A)에 불활성 가스가 공급되어 있다. 도 9에 있어서, 도 3의 각 부에 대응하는 부분에 동일 참조 부호를 붙이고 설명을 생략한다.
고체화 유닛(D)의 동작의 개요는 다음과 같다.
기판 반출 개구(116)가 셔터(118)에 의해서 폐색된 상태로, 로컬 반송 로봇(LR)이 기판(W)을 고체화실(111)에 반입한다. 이 기판(W)은, 그 상면에 성막 처리액 막(10)이 형성된 상태의 기판이다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 핸드(LH)를 고체화실(111) 내에 진입시키고, 또한, 덮개 부재(125)를 고체화실(111)의 측벽(115)의 외면에 눌러 기판 반입/반출 개구(114)를 폐색한다. 이렇게 하여, 고체화실(111) 내는 기밀인 밀폐 공간이 된다. 이 상태로, 배기 밸브(110)가 열려, 배기 유닛(113)이 작동됨으로써, 고체화실(111) 내의 공간이 대기압보다 저압으로 감압된다. 그것에 의해, 기판(W) 상의 성막 처리액 막(10)이 건조하여 고체화한다.
고체화실(111) 내의 공간의 감압이 개시될 때까지의 기간에는, 불활성 가스 밸브(73)가 열려, 불활성 가스 노즐(71)로부터 고체화실(111) 내에 불활성 가스가 공급된다. 그것에 의해, 고체화실(111) 내가 저습도의 공간으로 유지된다. 고체화실(111) 내의 감압이 개시되면, 감압을 저해하지 않도록, 불활성 가스 밸브(73)가 닫힌다.
이렇게 하여 기판(W) 상의 성막 처리액 막(10)의 고체화가 종료하면, 배기 유닛(113)이 동작 정지되고, 필요에 따라서 불활성 가스 밸브(73)가 열린다. 그것에 의해, 고체화실(111) 내의 공간이 대기압으로 돌아온다. 이어서, 로컬 반송 로봇(LR)은, 고체화 막(10S)이 형성된 기판(W)을 유지하고 있는 핸드(LH)를 후퇴시켜 고체화실(111)로부터 퇴출시킨다. 그리고, 로컬 반송 로봇(LR)은, 그 기판(W)을, 제거 처리를 위해서 액처리 유닛(M)에 반송한다.
고체화 처리 후의 기판(W)의 반송을 주반송 로봇(CR)에서 행할 때에는, 셔터 구동 유닛(119)이 셔터(118)를 기판 반출 개구(116)로부터 퇴피시켜, 그것에 의해, 기판 반출 개구(116)가 열린다. 그 후, 주반송 로봇(CR)이 핸드(HC)를 고체화실(111) 내에 진입시켜, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)로부터, 고체화 처리가 끝난 기판(W)을 수취하고, 기판 반출 개구(116)로부터 그 기판(W)을 반출한다.
이와 같이, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)에 덮개 부재(125)를 설치함으로써, 기판 반입/반출 개구(114)를 개폐하기 위한 셔터 구동 기구를 생략할 수 있다. 또, 고체화실(111) 내에서의 기판(W)의 유지를 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)로 행할 수 있으므로, 고체화실(111) 내에 기판 유지 기구를 설치할 필요가 없다. 감압에 의한 성막 처리액 막(10)의 고체화는 단시간에 행할 수 있으므로, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)에 의한 고체화 처리 중의 기판(W)의 유지가 원인으로 생산성에 큰 영향이 생길 우려는 없다.
또, 고체화실(111)에 핸드(LH)로 기판(W)을 반송하는 동작에 의해, 덮개 부재(125)에 의해서 기판 반입/반출 개구(114)를 밀폐할 수 있어, 그대로, 고체화실(111) 내에서 기판(W)을 유지하여 고체화 처리를 행할 수 있다. 따라서, 기판 반입/반출 개구(114)의 개폐 전용의 동작 및 기판(W)의 수도 동작을 생략할 수 있기 때문에, 공정 전체의 소요 시간을 단축할 수 있어, 생산성을 향상할 수 있다. 구체적으로는, 기판 반입/반출 개구를 위한 셔터 개폐 시간, 기판 반입시에 핸드(LH)가 고체화실(111)로부터 퇴출하는 시간, 기판 반출시에 핸드(LH)가 고체화실(111)에 진입하는 시간, 기판을 리프트 핀에 두는 동작을 위한 시간, 기판을 리프트 핀으로부터 수취하는 동작을 위한 시간, 리프트 핀을 상승 및 하강시키는 시간 등을 생략할 수 있다. 또한, 고체화 처리 후의 기판(W)을 로컬 반송 로봇(LR)으로 반송할 때에는, 기판 반입/반출 개구(114)의 개폐 시간, 주반송 로봇(CR)과의 기판(W)의 수도에 필요로 하는 시간 등도 생략할 수 있다.
또한, 감압에 의한 고체화 처리와 병행하여, 기판(W)을 가열해도 된다. 구체적으로는, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)를 핸드 가열 유닛(97A)(도 4 참조)에서 가열함으로써, 기판(W)을 가열해도 된다. 또, 고체화실(111) 내에 복사열 또는 전자파 조사에 의해서 기판(W)을 가열하는 가열 유닛(127)을 구비하고, 이 가열 유닛(127)에 의해서, 핸드(LH)에 유지되어 있는 기판(W)을 가열해도 된다.
[제7 실시 형태]
도 10은, 이 발명의 제7 실시 형태를 설명하기 위한 도면이고, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)를 세정하는 핸드 세정 유닛(아암 세정 유닛)의 구성을 도시한다.
전술의 실시 형태에서는, 핸드(LH)를 세정하기 위한 구성이 로컬 반송실(C) 내에 구비되어 있다. 이에 비해, 이 실시 형태에서는, 예를 들어 도 8에 가상선으로 나타낸 바와 같이, 로컬 반송실(C)에 인접해서 핸드 세정 유닛(170)이 설치되어 있다.
핸드 세정 유닛(170)은, 로컬 반송실(C)에 인접해서 설치된 핸드 세정실(171)과, 핸드 세정실 내에 배치된 핸드 세정 노즐(172)과, 핸드 세정실(171) 내를 대기압보다 저압으로 감압하기 위한 배기 유닛(173)을 포함한다.
핸드 세정실(171)은, 진공 챔버를 구성하고 있다. 핸드 세정실(171)의 저부(175)에는, 배기/배액관(176)이 접속되어 있다. 배기/배액관(176)은, 배기관(176A)을 개재하여, 진공 펌프 등의 배기 유닛(173)에 접속되어 있다. 배기관(176A)에는, 배기 밸브(177)가 끼워 설치되어 있다. 배기/배액관(176)은, 또한, 배액 밸브(178)를 개재하여 배액관(176B)에 접속되어 있다.
핸드 세정실(171)에는, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)를 속에 넣기 위한 개구(180)가 측벽(174)에 형성되어 있다. 개구(180)는, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)에 구비된 덮개 부재(125)에 의해서 개폐된다. 덮개 부재(125)의 핸드 세정실(171)에 대향하는 표면에는, 씰 부재로서의 O링(126)이 설치되어 있다. 로컬 반송 로봇(LR)은, 기판(W)을 반송하고 있지 않을 때에, 핸드(LH)를 개구(180)로부터 핸드 세정실(171) 속에 넣고, 또한, 덮개 부재(125)를 O링(126)을 개재하여 핸드 세정실(171)의 측벽(174)에 누르도록 동작한다. 그것에 의해, 개구(180)가 기밀하게 폐색된다.
핸드 세정 노즐(172)은, 예를 들어, 핸드 세정실(171)의 천정면에 배치되어 있다. 핸드 세정 노즐(172)은, 핸드 세정실(171)에 꽂아 넣어진 핸드(LH)에 대해서 세정액을 토출한다. 핸드 세정 노즐(172)은, 세정액을 샤워 형상으로 토출하는 샤워 노즐이어도 된다. 핸드 세정 노즐(172)에는, 세정액 배관(185)이 접속되어 있다. 세정액 배관(185)은, 세정액 공급원(186)에 접속되어 있다. 세정액 공급원(186)은, 성막 처리액을 용해시킬 수 있는 세정액, 예를 들어 유기용제를 공급한다. 세정액 배관(185)에는, 세정액 유로를 개폐하는 세정액 밸브(187)가 끼워 설치되어 있다.
핸드 세정 유닛(170)의 동작의 개요는 다음과 같다.
로컬 반송 로봇(LR)은, 핸드(LH)를 핸드 세정실(171) 내에 진입시키고, 또한, 덮개 부재(125)를 핸드 세정실(171)의 측벽(174)의 외면에 눌러 개구(180)를 폐색한다. 이렇게 하여, 핸드 세정실(171) 내는 기밀인 밀폐 공간이 된다. 이 상태로, 배액 밸브(178)가 열린다. 그리고, 세정액 밸브(187)가 열림으로써, 핸드 세정 노즐(172)로부터 핸드(LH)에 세정액이 공급된다. 그것에 의해, 핸드(LH)가 세정된다. 세정액은, 저부(175)로 낙하하여, 배기/배액관(176)을 통과하고, 또한 배액 밸브(178)를 통과하여 배액관(176B)으로 배액된다.
핸드 세정 노즐(172)로부터 소정 시간만큼 세정액이 토출되면, 세정액 밸브(187)가 닫혀, 세정액의 토출이 정지된다. 그리고, 배액 밸브(178)가 닫히고, 그것을 대신하여 배기 밸브(177)가 열려, 배기 유닛(173)이 작동된다. 이로써, 핸드 세정실(171) 내의 공간이 대기압보다 저압으로 감압된다. 그것에 의해, 핸드(LH) 상의 액성분이 증발하여, 핸드(LH)가 건조한다.
이렇게 하여 핸드(LH)의 세정 및 건조가 종료하면, 배기 유닛(173)이 동작 정지되고, 필요에 따라서 배액 밸브(178)가 열린다. 그것에 의해, 핸드 세정실(171) 내의 공간이 대기압으로 되돌아온다. 이어서, 로컬 반송 로봇(LR)은, 핸드(LH)를 후퇴시켜 핸드 세정실(171)로부터 퇴출시킨다.
핸드 세정실(171)의 감압과 병행하여, 기판(W)을 가열해도 된다. 구체적으로는, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)를 핸드 가열 유닛(97A)(도 4 참조)으로 가열함으로써, 기판(W)을 가열해도 된다. 그것에 의해, 핸드(LH)의 건조를 촉진할 수 있다. 또, 핸드 세정실(171) 내에 복사열 또는 전자파 조사에 의해서 핸드(LH)를 가열하는 가열 유닛(188)을 구비하고, 핸드(LH)의 건조를 촉진해도 된다.
이와 같이, 이 실시 형태에서는, 로컬 반송실(C)에 인접해서 핸드 세정실(171)(아암 세정실)이 설치되어 있으므로, 로컬 반송 로봇(LR)이 기판(W)을 반송하고 있지 않을 때에, 핸드 세정실(171)에 있어서 핸드(LH)를 세정할 수 있다. 그리고, 핸드 세정실(171)에 핸드 세정 노즐(172)(아암 세정 노즐)이 배치되어 있으므로, 로컬 반송실(C) 내에 세정액이 들어가는 것을 억제하면서, 핸드(LH)를 세정할 수 있다. 그것에 의해, 세정액에 의한 기판(W)으로의 영향을 억제할 수 있다. 또, 핸드 세정실(171)이 감압됨으로써, 세정액에 의해서 세정된 후의 핸드(LH)를 신속하게 건조할 수 있다.
[제8 실시 형태]
도 11은, 이 발명의 제8 실시 형태에 따르는 기판 처리 장치의 구성을 설명하기 위한 도면이고, 전술의 고체화 유닛을 대신하여 이용할 수 있는, 고체화 유닛의 구성예를 도해적으로 도시한 단면도이다.
이 실시 형태에서는, 고체화 유닛(D)은, 도 3에 도시한 구성과 유사한 구성을 갖고 있고, 또한, 기판 냉각 유닛으로서의 냉각 플레이트(80)를 구비하고 있다. 도 3에 도시한 구성을 대신하여, 도 9에 도시한 구성과 유사한 구성을 이용할 수도 있다. 도 10에는, 도 3에 도시한 구성과 유사한 구성을 구비한 예를 도시한다.
냉각 플레이트(80)는, 베이스부(81) 상에 배치되어 있고, 그 상면에 기판(W)을 유지하여 하면으로부터 냉각한다. 냉각 플레이트(80)를 관통하여 복수(3개 이상)의 리프트 핀(84)이 배치되어 있다. 리프트 핀(84)은, 리프트 핀 승강 유닛(85)에 의해서 상하 이동되고, 그것에 의해, 냉각 플레이트(80) 상에서 기판(W)을 상하 이동시킨다.
기판 처리 장치는, 또한, 고체화실(51)에 있어서의 고체화 처리가 종료한 기판(W)을 냉각 플레이트(80)까지 반송하는 제2 로컬 반송 로봇(150)을 구비하고 있다. 제2 로컬 반송 로봇(150)은, 기판(W)을 유지하는 핸드(151)와, 핸드(151)를 이동시키는 핸드 구동 유닛(152)을 포함한다. 핸드 구동 유닛(152)은, 기판 홀더(52)의 상방(제1 기판 유지 위치)과 냉각 플레이트(80)의 상방(제2 기판 유지 위치) 사이에서 핸드(151)를 왕복 이동시킨다. 핸드(151)와 리프트 핀(54, 84)의 기판(W)의 수도시에는, 리프트 핀(54, 84)이 승강된다. 물론, 핸드 구동 유닛(152)이 기판(W)을 승강시켜 리프트 핀(54, 84)과 기판(W)을 수도하는 구성으로 할 수도 있다.
고체화실(51)에서는, 기판 홀더(52)에 의해서 기판(W)을 가열하면서, 고체화실(51) 내의 고체화 처리 공간(50)을 감압하여, 기판(W)의 표면의 성막 처리액 막(10)이 고체화되어, 고체화 막(10S)이 형성된다.
이 고체화 처리 후, 고체화 처리 공간(50)이 대기압으로 되돌아와, 가동 덮개부(512)가 개방된다. 그렇게 하여 베이스부(511)와 가동 덮개부(512) 사이에 기판(W)을 반출하기 위한 개구가 형성된다. 그리고, 리프트 핀(54)에 의해서, 고체화 처리가 끝난 기판(W)이 기판 홀더(52)의 상방으로 들어 올려진다. 그러자, 제2 로컬 반송 로봇(150)은, 베이스부(511)와 가동 덮개부(512)의 사이에 형성된 개구를 개재하여 그 핸드(151)를 진입시킨다. 그 후, 리프트 핀(54)이 하강함으로써, 고체화 처리가 끝난 기판(W)이 핸드(151)에 건네진다. 그리고, 제2 로컬 반송 로봇(150)은, 핸드(151)를 구동하여, 그 기판(W)을 냉각 플레이트(80)의 상방까지 이동시킨다. 그 상태로, 리프트 핀 승강 유닛(85)이 리프트 핀(84)을 상승시킴으로써, 핸드(151)로부터 기판(W)을 수취한다. 핸드(151)가 냉각 플레이트(80)의 상방으로부터 퇴피한 후, 리프트 핀(84)이 하강하여, 그것에 의해, 냉각 플레이트(80) 상에 기판(W)이 올려놓여진다.
냉각 플레이트(80)는 기판(W)을 상온까지 냉각한다. 그 후, 리프트 핀(84)이 기판(W)을 들어올려, 로컬 반송 로봇(LR)의 핸드(LH)가 그 기판(W)을 수취하여 고체화 유닛(D) 밖으로 반출한다. 고체화 처리 후의 기판(W)의 반송을 주반송 로봇(CR)으로 행하는 경우에는, 주반송 로봇(CR)의 핸드(HC)가 리프트 핀(84)으로부터 기판(W)을 수취하여 고체화 유닛(D) 밖으로 반출한다.
이와 같이, 고체화 처리 후의 기판(W)을 냉각 플레이트(80)에서 냉각하는 구성이므로, 고체화 유닛(D)에서의 처리 시간을 단축할 수 있기 때문에, 생산성을 높일 수 있다. 고체화실(51)에서 가열된 기판(W)의 반송을 주반송 로봇(CR)과는 별도의 제2 로컬 반송 로봇(150)으로 행하므로, 주반송 로봇(CR)에 과잉인 열이 축적되는 것을 회피할 수 있고, 주반송 로봇(CR)이 반송하는 기판(W)에 대한 열의 영향을 억제할 수 있다.
이상, 이 발명의 실시 형태에 대해 설명해 왔는데, 이 발명은, 또 다른 형태로 실시할 수 있다.
예를 들어, 전술의 실시 형태에서는, 고체화 유닛(D)은, 고체화실(51, 111) 내를 감압하여 감압 건조를 행하도록 구성되어 있는데, 고체화 유닛(D)은 감압을 위한 구성을 구비하고 있을 필요는 없다. 예를 들어, 고체화 유닛(D)은, 대기압 중에서 기판(W)을 가열하여, 성막 처리액 막(10)을 고체화하도록 구성되어 있어도 된다. 또, 불활성 가스 공급원(74)으로부터 가열된 불활성 가스를 공급하여, 그 불활성 가스에 의한 온풍에 의해서 성막 처리액 막(10)의 건조 및 고체화를 촉진하는 구성으로 해도 된다.
전술의 도 1a, 1b, 도 5a, 5b, 도 6a, 6b, 도 7의 구성에 있어서, 인덱서 로봇(IR)과 주반송 로봇(CR)의 사이에, 기판(W)을 일시적으로 유지하는 기판 수도 유닛을 배치하고, 도 8의 구성의 경우와 동일하게, 그들 사이의 기판 수도를 행해도 된다.
이 출원은, 2017년 3월 27일에 일본국 특허청에 제출된 특허출원 2017-061381호에 대응하고 있으며, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 편입되는 것으로 한다.
본 발명의 실시 형태에 대해 상세하게 설명해 왔는데, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 이용된 구체적인 예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예에 한정하여 해석되어야 하는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 첨부의 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
W 기판
IR 인덱서 로봇
S1 제1 층
S2 제2 층
S3 제3 층
M, M1-M4, M11-M14, M21-M24, M31-M34 액처리 유닛
D, D1-D6, D11-D14, D21-D24, D31-D34 고체화 유닛
LR, LR1, LR2, LR11-LR14, LR21-LR24, LR31, LR32 로컬 반송 로봇
LH, LH1, LH2 로컬 반송 로봇의 핸드
C, C11-C14, C21-C24 로컬 반송실
G1-G4, G11-G16, G21, G22, G31-G33 적층 유닛군
CR 주반송 로봇
HC 주반송 로봇의 핸드
1, 1A, 1B, 1C, 1D 기판 처리 장치
2 캐리어 유지부
3 캐리어
5, 5A 주반송실
7 기판 수도 유닛
10 성막 처리액 막
10S 고체화 막
11 처리실
12 스핀척
13 컵
14 약액 노즐
15 성막 처리액 노즐
16 제거액 노즐
17 모터
18 회전축선
19 차단판
19a 대향면
19b 개구
20 차단판 구동 유닛
20A 차단판 승강 유닛
20B 차단판 회전 유닛
21 약액 배관
22 약액 밸브
23 약액 공급원
25 차단판의 회전축
26 성막 처리액 배관
27 성막 처리액 밸브
28 성막 처리액 공급원
29 린스 노즐
31A 린스액 배관
31B 유기용제 배관
32A 린스액 밸브
32B 유기용제 밸브
33A 린스액 공급원
33B 유기용제 공급원
37 기판 반입/반출 개구
38 기판 반입/반출 개구
39, 40 셔터
41, 42 셔터 구동 유닛
45 불활성 가스 유로
46 불활성 가스 배관
47 불활성 가스 밸브
48 불활성 가스 공급원
50 고체화 처리 공간
51 고체화실
511 베이스부
512 가동 덮개부
52 기판 홀더
53H 히터
53C 냉각 유닛
54 리프트 핀
55 리프트 핀 승강 유닛
56 덮개부 구동 유닛
62 배기 배관
63 배기 유닛
64 배기 밸브
71, 71A 불활성 가스 노즐
72 불활성 가스 배관
73 불활성 가스 밸브
74 불활성 가스 공급원
80 냉각 플레이트
81 베이스부
84 리프트 핀
85 리프트 핀 승강 유닛
89 회전축선
90 핸드 구동 유닛
91, 91A 세정액 노즐
92 세정액 배관
93 세정액 밸브
94 세정액 공급원
97A 핸드 가열 유닛
97B 핸드 냉각 유닛
98A 열매 통로
98B 냉매 통로
99A 가열 플레이트
99B 냉각 플레이트
101 제거액 배관
102 제거액 밸브
103 제거액 공급원
110 배기 밸브
111 고체화실
112 배기관
113 배기 유닛
114 기판 반입/반출 개구
116 기판 반출 개구
118 셔터
125 덮개 부재
126 O링
127 가열 유닛
131 이면 노즐
132 토출구
133 린스액 공급 배관
134 린스액 밸브
135 린스액 공급원
136 유기용제 밸브
137 유기용제 공급원
140 불활성 가스 유로
141 불활성 가스 공급 배관
142 불활성 가스 밸브
143 불활성 가스 공급원
150 제2 로컬 반송 로봇
151 핸드
152 핸드 구동 유닛
160 저부
161 배액 배관
165 불활성 가스 노즐
166 불활성 가스 배관
167 불활성 가스 밸브
168 불활성 가스 공급원
170 핸드 세정 유닛
171 핸드 세정실
172 핸드 세정 노즐
173 배기 유닛
175 저부
176 배기/배액관
177 배기 밸브
178 배액 밸브
180 개구
181 측벽
185 세정액 배관
186 세정액 공급원
187 세정액 밸브
188 가열 유닛

Claims (20)

  1. 처리실 내에서 기판의 표면에 성막 처리액을 공급하여, 기판의 표면에 성막 처리액 막을 형성하는 액처리 유닛과,
    고체화실 내에서 상기 성막 처리액 막을 고체화시켜 상기 기판의 표면에 고체화 막을 형성하는 고체화 유닛과,
    제거실 내에서 상기 고체화 막을 제거하기 위한 제거액을 상기 기판의 표면에 공급하는 제거 처리 유닛과,
    상기 처리실로 기판을 반입하고, 상기 제거실로부터 기판을 반출하는 주반송 유닛과,
    상기 처리실로부터 기판을 반출하여, 표면에 상기 성막 처리액 막이 형성된 상태의 당해 기판을 반송하고, 상기 고체화실로 당해 기판을 반입하는 로컬 반송 유닛을 포함하고,
    상기 주반송 유닛이 주반송실에 배치되어 있고, 상기 로컬 반송 유닛이, 상기 주반송실로부터 이격된 로컬 반송실에 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 로컬 반송 유닛이, 또한, 상기 고체화실로부터 기판을 반출하고, 상기 제거실로 기판을 반입하는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 로컬 반송 유닛이, 상기 처리실로부터 기판을 반출하여 상기 고체화실로 기판을 반입하는 제1 반송 아암과, 상기 고체화실로부터 기판을 반출하여 상기 제거실로 기판을 반입하는 제2 반송 아암을 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고체화 유닛이 상기 기판을 가열하는 가열 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 액처리 유닛이,
    기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과,
    상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 상기 성막 처리액을 토출하는 처리액 토출 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리실과 상기 제거실이 동일한 실인, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로컬 반송 유닛이, 기판을 유지하여 상기 로컬 반송실을 통과하는 반송 아암을 갖고 있고,
    상기 로컬 반송실에 설치되며, 상기 반송 아암을 세정하는 세정액을 토출하는 아암 세정 노즐을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 로컬 반송실은, 상기 세정액을 받는 저부(底部)와, 상기 저부에 받아진 세정액을 배액하는 배액 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로컬 반송 유닛이, 기판을 유지하는 반송 아암을 갖고 있고,
    상기 반송 아암에 설치되며, 당해 반송 아암을 세정하기 위한 세정액을 토출하는 아암 세정 노즐을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로컬 반송 유닛이, 기판을 유지하여 로컬 반송실을 통과하는 반송 아암을 갖고 있고,
    상기 로컬 반송실에 인접해서 설치된 아암 세정실과,
    상기 아암 세정실 내에 배치되며, 상기 반송 아암을 세정하기 위한 세정액을 토출하는 아암 세정 노즐과,
    상기 아암 세정실 내를 대기압보다 저압으로 감압하여 상기 반송 아암을 건조시키는 감압 유닛을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
  11. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제거 처리 유닛이,
    상기 제거실 내에서 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과,
    상기 기판 유지 유닛에 유지된 기판에 제거액을 토출하는 제거액 토출 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  12. 기판의 표면에 처리실 내에서 성막 처리액을 공급하여, 기판의 표면에 성막 처리액 막을 형성하는 처리액 막 형성 공정과,
    상기 처리액 막 형성 공정 후, 표면에 상기 성막 처리액 막이 형성된 상태의 상기 기판을 상기 처리실로부터 고체화실로 반송하는 제1 로컬 반송 공정과,
    상기 고체화실 내에서 상기 성막 처리액 막을 고체화시켜 상기 기판의 표면에 고체화 막을 형성하는 고체화 막 형성 공정과,
    상기 고체화 막 형성 공정 후, 상기 기판을 제거실로 반송하는 제2 로컬 반송 공정과,
    상기 제거실 내에서 상기 고체화 막을 제거하기 위한 제거액을 상기 기판의 표면에 공급하는 제거 처리 공정과,
    주반송 유닛에 의해서, 상기 처리액 막 형성 공정 전에, 상기 처리실로 기판을 반입하고, 상기 제거 처리 공정 후에 상기 제거실로부터 기판을 반출하는 주반송 공정을 포함하고,
    상기 주반송 공정에 있어서 상기 기판이 주반송실을 통과하여 반송되고, 상기 제1 로컬 반송 공정에 있어서, 상기 기판이 상기 주반송실로부터 이격된 로컬 반송실을 통과하여 반송되는, 기판 처리 방법.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 로컬 반송 공정 및 상기 제2 로컬 반송 공정이, 공통의 로컬 반송 유닛에 의해서 실행되는, 기판 처리 방법.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 제1 로컬 반송 공정이, 상기 로컬 반송 유닛의 제1 반송 아암에 의해서 행해지고, 상기 제2 로컬 반송 공정이, 상기 로컬 반송 유닛의 제2 반송 아암에 의해서 행해지는, 기판 처리 방법.
  15. 청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고체화 막 형성 공정이, 상기 기판을 가열 유닛에 의해서 가열하는 가열 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
  16. 청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 로컬 반송 유닛의 반송 아암에 세정액을 공급하는 아암 세정 공정을 더 포함하는, 기판 처리 방법.
  17. 청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리실 및 상기 제거실이 공통의 실인, 기판 처리 방법.
  18. 청구항 12 내지 청구항 14 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리액 막 형성 공정 전에, 기판을 세정하는 세정 공정을 실행하는, 기판 처리 방법.
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Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020036641A (ja) * 2018-08-31 2020-03-12 株式会社三洋物産 遊技機
JP7187268B2 (ja) * 2018-11-02 2022-12-12 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP7181068B2 (ja) * 2018-11-30 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7116676B2 (ja) * 2018-12-14 2022-08-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR102288985B1 (ko) * 2019-06-27 2021-08-13 세메스 주식회사 액공급유닛, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014107313A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法および基板洗浄システム
JP2015092539A (ja) * 2013-09-30 2015-05-14 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003297901A (ja) 2002-04-05 2003-10-17 Supurauto:Kk 基板処理システムおよびその処理方法
JP2007053154A (ja) 2005-08-16 2007-03-01 Pre-Tech Co Ltd マスク基板用の洗浄装置及びそれを用いたマスク基板の洗浄方法
JP4514700B2 (ja) 2005-12-13 2010-07-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2007258462A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP2008159656A (ja) 2006-12-21 2008-07-10 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 凍結処理装置、基板処理装置および凍結処理方法
JP4884057B2 (ja) 2006-04-11 2012-02-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5090089B2 (ja) * 2006-10-19 2012-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
CN101165854A (zh) * 2006-10-19 2008-04-23 大日本网目版制造株式会社 基板处理装置和基板处理方法
JP5064069B2 (ja) * 2007-03-20 2012-10-31 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板搬送装置および熱処理装置
JP5378686B2 (ja) * 2008-01-10 2013-12-25 株式会社Ｓｏｋｕｄｏ 基板処理装置
JP5185046B2 (ja) * 2008-09-29 2013-04-17 大日本スクリーン製造株式会社 基板洗浄装置
KR101258002B1 (ko) * 2010-03-31 2013-04-24 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5890255B2 (ja) * 2012-04-02 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ 露光装置、基板処理装置、基板の露光方法および基板処理方法
JP5677603B2 (ja) 2012-11-26 2015-02-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄システム、基板洗浄方法および記憶媒体
JP6425517B2 (ja) * 2014-11-28 2018-11-21 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体
JP6418554B2 (ja) * 2015-06-10 2018-11-07 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR101776019B1 (ko) * 2015-07-31 2017-09-07 세메스 주식회사 노즐 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014107313A (ja) * 2012-11-26 2014-06-09 Tokyo Electron Ltd 基板洗浄方法および基板洗浄システム
JP2015092539A (ja) * 2013-09-30 2015-05-14 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

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