JP6418554B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
典型的な基板処理ステップでは、スピンチャックに保持された基板に対して薬液が供給される。その後、リンス液が基板に供給され、それによって、基板上の薬液がリンス液に置換される。その後、基板上のリンス液を排除するためのスピンドライステップが行われる。スピンドライステップでは、基板が高速回転されることにより、基板に付着しているリンス液が振り切られて除去(乾燥)される。一般的なリンス液は脱イオン水である。
図9に示すように、パターンPの隙間に入り込んだ有機溶剤の液面高さHが基板Wの各所で不均一になっている。これは、次に述べる理由に基づく。すなわち、スピンドライステップでは、基板Wの高速回転に伴って発生する遠心力による液体の振り切りだけでなく、基板Wの上面に付着している有機溶剤の液体の蒸発(有機溶剤蒸気の拡散)によっても、基板Wの上面が乾燥させられる。基板Wの上面の周速度は、基板Wの上面の周縁部に向かうに従って大きいので、スピンドライステップでは、基板Wの表面の周縁部に向かうに従って、新鮮な空気と接触する機会が増大し、有機溶剤の液体の蒸発速度が速くなる。そのため、基板の乾燥時において、パターンP内の液面高さHが基板Wの上面の周縁部に向かう程低くなる状態(図9参照)が一時的に生じる。
特許文献1のように、スピンドライステップの前に有機溶剤の液体を基板に供給する場合には、有機溶剤の液体がパターンの隙間に入り込む。有機溶剤の表面張力は、典型的なリンス液である水よりも低い。そのため、表面張力に起因するパターン倒壊の問題が緩和される。
そこで、本発明の目的は、パターンの倒壊を抑制または防止できる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
有機溶剤の液膜を、一旦、均一かつ薄い厚みを有する薄膜に薄化させた後、有機溶剤の液体の除去を開始するので、パターン内の隙間に入り込んだ有機溶剤の液面高さが基板面内でばらつかない状態を保ちながら、有機溶剤の液体を基板の上面から除去できる。これにより、パターンの倒壊を抑制または防止できる。
この方法によれば、密閉チャンバの内部空間に基板を収容し、かつ排気バルブを閉じた状態とすることにより、密閉チャンバの内部空間の全域を有機溶剤蒸気の雰囲気とすることができる。そのため、基板の上面全域の周囲を有機溶剤蒸気の雰囲気に確実に保持できる。これにより、有機溶剤薄膜保持ステップにおいて、基板の上面における、有機溶剤の液体の蒸発(すなわち、基板の上面における有機溶剤蒸気の拡散)を確実に阻止でき、ゆえに、基板の上面に、均一かつ薄い厚みを有する有機溶剤の薄膜を確実に形成できる。
この方法によれば、密閉チャンバの内部空間を排気する排気ユニットを閉じることにより、内部空間を閉状態に維持できる。これにより、薄膜保持ステップにおいて、基板の上面に、均一かつ薄い厚みを有する有機溶剤の薄膜を確実に形成できる。
この方法によれば、密閉チャンバの内部空間を外部に開放させた状態において、基板を高速回転させる。密閉チャンバの内部空間を外部に開放させた状態では、新鮮な気体が基板の上面に接触するために、基板の上面の各所で有機溶剤蒸気の拡散が進み、基板の上面の各所で有機溶剤の液体の蒸発が進行する。そのため、基板の高速回転により、基板の上面上の有機溶剤の液体を振り切ることができ、これにより、基板の上面を乾燥させることができる。
この方法によれば、基板を高速回転させた状態で、常温よりも高温の不活性ガスを基板の上面に供給しながら密閉チャンバの内部空間を外部に開放させる。パターン内の隙間に入り込んでいる有機溶剤の液体が高温の不活性ガスによって蒸発させられる。また、密閉チャンバの内部空間を外部に開放させることにより、新鮮な気体が基板の上面に接触するために、基板の上面の各所で有機溶剤蒸気の拡散が進み、基板の上面の各所で有機溶剤の液体の蒸発が進行する。高温の不活性ガスの供給と内部空間の外部開放とを同時に行うことにより、薄膜除去ステップにおいて、基板の上面を一気に乾燥させることができる。
この方法によれば、常温よりも高温の不活性ガスを基板の上面に供給しながら、基板を高速回転させる。基板の高速回転により、基板の上面上の有機溶剤の液体を振り切ることができる。このとき、基板の上面に供給される高温の不活性ガスによって、パターン内の隙間に入り込んでいる有機溶剤の液体が蒸発させられるので、乾燥時間を短縮することができる。これにより、パターンの倒壊をより一層防止できる。
この方法によれば、基板の上面に供給された有機溶剤の液体の蒸発により生じた有機溶剤蒸気を用いて、基板の上面全域の周囲が有機溶剤蒸気の雰囲気に保たれる。そのため、薄膜保持ステップに用いる有機溶剤蒸気を、別途、基板の上面に供給する必要がない。そのため、コストダウンを図ることができる。
この方法によれば、基板の上面に供給される有機溶剤の液体の液温が高いので、薄化後の有機溶剤の薄膜も高い液温を有する。基板の高速回転により、基板の上面上の有機溶剤の液体を振り切ることができる。このとき、有機溶剤の薄膜が高い液温を有するので、パターン内の隙間に入り込んでいる有機溶剤の液体の蒸発速度が速い。そのため、乾燥時間を短縮することができる。これにより、パターンの倒壊をより一層防止できる。
請求項10に記載の発明は、外部から密閉された内部空間を有し、前記内部空間に前記基板保持ユニットが収容された密閉チャンバをさらに含む、請求項8に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、請求項2に関連して記載した作用効果と同等の作用効果を奏する。
この構成によれば、請求項3に関連して記載した作用効果と同等の作用効果を奏する。
図1は、この発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理装置1は、シリコンウエハなどの基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。この実施形態では、基板Wは、円板状の基板である。基板処理装置1は、処理液で基板Wを処理する複数の処理ユニット2と、処理ユニット2で処理される複数枚の基板Wを収容するキャリヤCが載置されるロードポートLPと、ロードポートLPと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する搬送ロボットIRおよびCRと、基板処理装置1を制御する制御ユニット3とを含む。搬送ロボットIRは、キャリヤCと搬送ロボットCRとの間で基板Wを搬送する。搬送ロボットCRは、搬送ロボットIRと処理ユニット2との間で基板Wを搬送する。複数の処理ユニット2は、たとえば、同様の構成を有している。
密閉チャンバ6は、上面に開口17を有し、略円筒状をなすチャンバ本体18と、開口17を開閉するための蓋部材19とを備えている。蓋部材19がチャンバ本体18の開口17を閉塞した状態で、密閉チャンバ6の内部空間7が外部から密閉される。
蓋部材19は、基板Wよりもやや大径の略円板状をなし、スピンチャック5の上方において、ほぼ水平な姿勢で配置されている。蓋部材19は、その中心が基板Wの回転軸線A1上に位置するように配置されている。蓋部材19の周縁部には、当該周縁部から下方に垂下する円筒状の鍔部25が形成されている。鍔部25の下面は、チャンバ本体18の周壁部21の上面に対向している。蓋部材19は、チャンバ本体18の開口17をスピンチャック5の上側から閉塞可能に構成されている。蓋部材19の鍔部25の下端面には、第2のシール部材26が固定的に配置されている。第2のシール部材26は、たとえばシール環である。第2のシール部材26は、たとえば樹脂製の弾性材料を用いて形成されている。
なお、密閉チャンバ6において第1のシール部材24および第2のシール部材26を設け、これにより内部空間7内の密閉状態を維持している。しかし、不活性ガス供給ユニット12からのガス供給流量が十分である場合には、密閉チャンバ6に第1のシール部材24および第2のシール部材26がなく、密閉チャンバ6が密閉されていなくても、密閉チャンバ6の内部空間7を加圧状態に遷移させることができる。したがって、密閉チャンバ6に第1のシール部材24および第2のシール部材26は必須の構成ではなく、第1のシール部材24および第2のシール部材26を省略することも可能である。
リンス液供給ユニット10は、リンス液ノズル33を含む。リンス液ノズル33は、密閉チャンバ6の蓋部材19の中心部に固定的に取り付けられており、当該中心部を、鉛直方向に挿通するように延びている。リンス液ノズル33には、リンス液供給源からリンス液が供給されるリンス液配管34が接続されている。リンス液ノズル33は、その吐出口を基板Wの上面の回転中心付近に向けて固定的に配置されている。リンス液配管34には、リンス液配管34を開閉するためのリンス液バルブ35が介装されている。リンス液バルブ35が開かれると、リンス液配管34からリンス液ノズル33に供給された、連続流のリンス液が、リンス液ノズル33の下端に設定された吐出口から吐出される。また、リンス液バルブ35が閉じられると、リンス液配管34からリンス液ノズル33へのリンス液の供給が停止される。リンス液は、たとえば脱イオン水(DIW)であるが、DIWに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度(たとえば、10ppm〜100ppm程度)の塩酸水のいずれかであってもよい。
制御ユニット3は、予め定められたプログラムに従って、蓋部材昇降ユニット27、電動モータ16、排気装置45等の動作を制御する。さらに、制御ユニット3は、薬液バルブ32、リンス液バルブ35、第1の有機溶剤バルブ38、第1の不活性ガスバルブ41、排液バルブ43、排気バルブ47等の開閉動作を制御する。
未処理の基板Wは、搬送ロボットIR,CRによってキャリヤCから処理ユニット2に搬入され、さらに密閉チャンバ6内に搬入され、図5Aに示すように、スピンチャック5に渡され、基板Wに保持される(S1:基板保持ステップ)。図5Aに示すように、基板Wの搬入に先立って、密閉チャンバ6の蓋部材19が、チャンバ本体18から所定の間隔を隔てて離間する開位置に配置されている。基板Wの搬入後は、蓋部材19が下降されて、蓋部材19が、チャンバ本体18の上部分に接触する閉位置に配置される。
図6は、有機溶剤処理(図4のS4)の詳細を説明するためのタイムチャートである。図5A〜図6を参照しながら、有機溶剤処理について説明する。
有機溶剤処理は、有機溶剤置換ステップ(液膜形成ステップ)T1(図5D参照)と、有機溶剤パドルステップ(液膜形成ステップ)T2(図5E参照)と、有機溶剤薄膜保持ステップ(薄膜保持ステップ)T3(図5F参照)とを含み、これらが順に実行される。
基板Wの上面に供給された有機溶剤は、遠心力を受けて基板Wの上面の中心から外方へと向かい、基板Wの上面を覆う有機溶剤の液膜を形成する。液膜が基板Wの上面全域を覆うことにより、リンス処理(図4のS3)で基板Wの上面に供給されたリンス液が全て有機溶剤の液体に置換される。
有機溶剤パドルステップT2は、図5Eに示すように、基板Wの回転を減速して、パドル速度(たとえば10rpm)に維持させ、基板Wの上面に有機溶剤の厚い液膜60を形成して保持するステップである。液膜60は、基板Wの上面の全域を覆う。
有機溶剤の液体の吐出停止後、制御ユニット3は排気バルブ47を閉じる。これにより、密閉チャンバ6の内部空間7が外部から閉塞される。そのため、内部空間7に発生した有機溶剤蒸気は密閉チャンバ6の外部に逃げることができない。これにより、有機溶剤蒸気が内部空間7に充満する。換言すると、基板Wの上面全域の周囲が、有機溶剤蒸気がリッチな状態に保たれている。したがって、基板Wの上面に供給された有機溶剤の液体の蒸発により生じた有機溶剤蒸気を用いて、基板Wの上面全域の周囲が、有機溶剤蒸気がリッチな状態に保たれる。すなわち、この実施形態では、第1の有機溶剤供給ユニット11が、有機溶剤供給ユニットとしてだけでなく、有機溶剤蒸気供給ユニットとしても機能する。
有機溶剤薄膜保持ステップT3は、図5Fに示すように、有機溶剤の厚い液膜60を基板Wの上面に形成した後、当該上面全域の周囲を有機溶剤蒸気がリッチな状態に保ちながら、基板Wを高回転速度(第1の高回転速度1200rpm程度)で回転させるステップである。基板Wの高速回転によって、基板Wの上面の有機溶剤の液体の大部分が振り切られる。そのため、有機溶剤の厚い液膜60に含まれる有機溶剤の液体の大部分が基板W外に排出させられ、有機溶剤の液膜60が薄化される。ところが、基板Wの上面全域の周囲が有機溶剤蒸気(IPA Vapor)の雰囲気に保たれているために、基板Wの上面において、有機溶剤蒸気の拡散は進行せず、その結果、基板Wの上面における、有機溶剤の液体の蒸発の進行が抑制または防止される。そのため、有機溶剤の厚い液膜60を構成する有機溶剤の液体の全てを除去することはできない。これにより、図5Fに示すように、基板Wの上面に、基板Wの上面の全域を覆う有機溶剤の薄膜270(たとえば1μm程度)が形成される。
スピンドライステップT4の後は、スピンチャック5の回転が停止され、また、第1の不活性ガスバルブ41が閉じられて、不活性ガスノズル39からの不活性ガスの吐出が停止される。その後は、制御ユニット3は、搬送ロボットCRによって、処理済みの基板Wを処理ユニット2から搬出させる。
パターン倒れを抑制するためには、有機溶剤の薄膜70中に各構造体P1の上面P2が浸漬されている必要がある。そのため、有機溶剤薄膜保持ステップT3において、図7Bに示すように、有機溶剤の薄膜70の液面を、パターンPの各構造体P1の高さよりも上方に設ける必要がある。しかしながら、このときの有機溶剤の薄膜70の液面高さH1は、可能な限り低いことが望ましい。すなわち、有機溶剤の薄膜70の液面高さH1は、各構造体P1の高さと同等であるか、あるいは各構造体P1の高さよりも僅かに高い(たとえば数μm)ことが望ましい。
本願発明者らは、基板Wを高速回転させて得られる有機溶剤の薄膜70は、最早、遠心力の影響を受けないと考えている。そして、有機溶剤の薄膜70の蒸発(有機溶剤蒸気の拡散)の影響が最も大きいと考えている。
以上によりこの第1の実施形態によれば、基板Wの上面に、基板Wの上面全域を覆う有機溶剤の液膜60を形成した後、基板Wの上面全域の周囲を有機溶剤蒸気がリッチな状態に保ちながら、基板Wを高速で回転させる。基板Wの高速回転によって、基板Wの上面の有機溶剤の液体の大部分が振り切られる。そのため、有機溶剤の液膜に含まれる有機溶剤の液体の大部分が基板W外に排出させられ、有機溶剤の液膜60が薄化される。ところが、基板Wの上面全域の周囲が、有機溶剤蒸気がリッチな状態に保たれているために、基板Wの上面において、有機溶剤蒸気の拡散は進行せず、その結果、基板Wの上面における、有機溶剤の液体の蒸発の進行が抑制または防止される。これにより、有機溶剤の液膜60を構成する有機溶剤の液体の全てを除去することはできず、基板Wの上面に、基板Wの上面の全域を覆う有機溶剤の薄膜70が保持される。
また、スピンドライステップT4では、高温の不活性ガスを基板Wの上面に供給し、かつ密閉チャンバ6の内部空間7を開状態とする。内部空間7の開状態では、新鮮な気体が基板Wの上面に接触するために、基板Wの上面の各所で有機溶剤蒸気の拡散が進み、基板Wの上面の各所で有機溶剤の液体の蒸発が進行する。そのため、基板Wの高速回転により、基板Wの上面から有機溶剤の液体を完全に振り切ることができる。
また、基板Wの上面への高温ガスの供給に伴って、パターンP内に入り込んでくる有機溶剤の液体の蒸発の進行が促進される。これにより、パターンP内からの有機溶剤の液体の除去に要する時間を短縮できる。高温の不活性ガスの供給と密閉チャンバ6の内部空間7の解放とを同時に行うことにより、基板Wの上面を一気に乾燥させることができる。基板Wの上面を一気に乾燥させることができる結果、パターンPに加わる力積を小さく抑えることができ、これにより、パターンPの倒壊を抑制できる。
また、図8Aでは図示を省略するが、薬液供給ユニット9(図2参照)、リンス液供給ユニット10(図2参照)および不活性ガス供給ユニット12(図2参照)に相当する構成が、処理室4内に設けられている。
具体的には、未処理の基板Wが、処理ユニット2に搬入され、処理室4内に搬入される。基板Wの搬入時には、対向部材202が退避位置に配置されている。基板Wの搬入後、薬液処理(図4のS2)およびリンス処理(図4のS3)が順次実行される。リンス処理の後、基板W上のリンス液を、より表面張力の低い低表面張力液である有機溶剤の液体に置換する有機溶剤処理(図4のS4)が実行される。制御ユニット3は、ノズル移動ユニット216を制御することにより、第2の有機溶剤ノズル213をホーム位置から処理位置(図8Aに破線で図示)に移動させる。これにより、第2の有機溶剤ノズル213が基板Wの中央部の上方に配置される。
図8Aに示すように、有機溶剤置換ステップT1では、制御ユニット3は、第2の有機溶剤バルブ218を開き、第2の有機溶剤ノズル213から基板Wの上面に有機溶剤の液体を供給する。基板Wの上面に供給された有機溶剤は、遠心力を受けて基板Wの上面の中心から外方へと向かい、基板Wの上面を覆う有機溶剤の液膜を形成する。有機溶剤の液膜が基板Wの上面全域を覆うことにより、リンス処理(図4のS3)で基板Wの上面に供給されたリンス液が全て有機溶剤の液体に置換される。
有機溶剤蒸気によって空間219が満たされるのに十分な期間が経過した後、有機溶剤薄膜保持ステップT3が実行される。
スピンドライステップT4の後は、スピンチャック5の回転が停止され、また、第2の不活性ガスバルブ210が閉じられて、吐出口216からの不活性ガスの吐出が停止される。また、対向部材202が退避位置に向けて上昇させられる。その後、制御ユニット3は、搬送ロボットCRによって、処理済みの基板Wを処理ユニット2から搬出させる。
前述の第1の実施形態において、密閉チャンバ6のチャンバ本体18が円筒状をなしているとして説明したが、円筒状に限られず、他の形状(たとえば角筒状)をなしていてもよい。
第1の実施形態の有機溶剤薄膜保持ステップT3では、有機溶剤置換ステップT1において基板の上面に供給された有機溶剤の液体が蒸発し、この有機溶剤の液体の蒸発により生じた有機溶剤蒸気を用いて、基板Wの上面全域の周囲を有機溶剤蒸気がリッチな状態に保つとして説明した。しかし、第1の実施形態において、第2の実施形態のように有機溶剤蒸気を有機溶剤蒸気ノズルから供給することにより、基板の上面全域の周囲を有機溶剤蒸気がリッチな状態に保つようにしてもよい。
また、前述の第1の実施形態において、基板Wの回転速度がパドル回転速度に達すると、第1の有機溶剤ノズル36からの有機溶剤の液体の供給を停止するとして説明したが、基板Wの回転速度がパドル回転速度に達した後も、有機溶剤の液体の供給を続行するようにしてもよい。
前述の各実施形態のスピンドライステップT4では、基板Wの上面に対し、高温の不活性ガスを供給しながら、かつ基板Wの上面を清浄空気の雰囲気とした。しかしながら、高温の不活性ガスを供給せずに、基板Wの上面に清浄空気の雰囲気とした状態で基板Wを高速回転させるようしてもよい。
前述の各実施形態では、スピンドライステップT4における基板Wの回転速度(第2の高回転速度)を、有機溶剤薄膜保持ステップT3における基板Wの回転速度(第1の高回転速度)と同等であるとして説明したが、有機溶剤薄膜保持ステップT3における基板Wの回転速度(第1の高回転速度)よりも高速(たとえば約1400rpm)とすることもできる。この場合、基板Wの上面を、より一気に乾燥させることができる。
また、各実施形態の有機溶剤置換ステップT1において、常温よりも高い液温(たとえば40〜50℃)を有する有機溶剤の液体を、基板Wの上面に供給するようにしてもよい。この場合、基板Wの上面に供給される有機溶剤の液体の液温が高いので、薄化後の有機溶剤の薄膜も高い液温を有する。そのため、有機溶剤の薄膜70,270が高い液温を有するので、パターンP内の隙間に入り込んでいる有機溶剤の液体の蒸発速度が速く、したがって、乾燥時間を短縮することができる。これにより、パターンPの倒壊をより一層防止できる。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
5 スピンチャック(基板保持ユニット)
6 密閉チャンバ
7 内部空間
11 有機溶剤供給ユニット
16 電動モータ(基板回転ユニット)
212 有機溶剤供給ユニット
220 有機溶剤蒸気供給ユニット
W 基板
Claims (11)
- 上面にパターンが形成されている基板を基板保持ユニットによって水平姿勢に保持する基板保持ステップと、
前記上面に存在する処理液を有機溶剤の液体に置換するために、前記上面全域を覆う有機溶剤の液膜を形成する液膜形成ステップと、
前記上面全域の周囲の雰囲気を、前記有機溶剤の液体と同種の有機溶剤がリッチな有機溶剤リッチ状態とする有機溶剤形成ステップと、
前記上面全域の周囲の雰囲気が前記有機溶剤リッチ状態に達した後に開始され、前記基板を、前記液膜形成ステップにおける当該基板の回転速度よりも速い第1の高回転速度で回転させることにより前記有機溶剤の液膜を薄くし、これにより、有機溶剤の薄膜を前記上面に保持する薄膜保持ステップと、
前記薄膜保持ステップの後に、前記上面から前記薄膜を除去する薄膜除去ステップとを含み、
前記薄膜保持ステップにおいて、前記上面全域の周囲の雰囲気が前記有機溶剤リッチ状態に維持されており、
前記薄膜除去ステップは、前記基板を第2の高回転速度で回転させる高速回転ステップを含む、基板処理方法。 - 前記基板保持ユニットは、外部から密閉された密閉チャンバの内部空間に収容されており、
前記薄膜保持ステップは、前記内部空間が外部から閉じられた閉状態で実行される、請求項1に記載の基板処理方法。 - 前記薄膜保持ステップは、前記密閉チャンバの内部空間を排気する排気バルブを閉じた状態で実行する、請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記薄膜除去ステップは、前記密閉チャンバの内部空間を外部に開放させる開放ステップをさらに含む、請求項2または3に記載の基板処理方法。
- 前記薄膜除去ステップは、常温よりも高温の不活性ガスを前記上面に供給し、かつ前記密閉チャンバの内部空間を外部に開放させるステップをさらに含む、請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記薄膜除去ステップは、
常温よりも高温の不活性ガスを前記上面に供給する不活性ガス供給ステップをさらに含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。 - 前記薄膜保持ステップは、前記液膜形成ステップにおいて前記上面に供給された前記有機溶剤の液体の蒸発により生じた前記有機溶剤蒸気を用いて、前記上面の周囲を有機溶剤蒸気の雰囲気に保つ、請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記液膜形成ステップは、常温よりも高い液温を有する前記有機溶剤の液体を前記上面に供給する高温有機溶剤供給ステップを含む、請求項7に記載の基板処理方法。
- 基板を水平に保持するための基板保持ユニットと、
前記基板保持ユニットに保持されている基板を回転させるための基板回転ユニットと、
前記基板の上面に有機溶剤の液体を供給するための有機溶剤供給ユニットと、
前記基板の上面に有機溶剤蒸気を供給するための有機溶剤蒸気供給ユニットと、
前記基板保持ユニット、前記基板回転ユニット、前記有機溶剤供給ユニットおよび有機溶剤蒸気供給ユニットを制御する制御ユニットとを含み、
前記制御ユニットは、前記上面に存在する処理液を有機溶剤の液体に置換するために、前記上面全域を覆う有機溶剤の液膜を形成する液膜形成ステップと、前記上面全域の周囲の雰囲気を、前記有機溶剤の液体と同種の有機溶剤がリッチな有機溶剤リッチ状態とする有機溶剤形成ステップと、前記上面全域の周囲が前記有機溶剤リッチ状態に達した後に開始され、前記基板を、前記液膜形成ステップにおける当該基板の回転速度よりも速い第1の高回転速度で回転させることにより前記有機溶剤の液膜を薄くし、これにより、有機溶剤の薄膜を前記上面に保持する薄膜保持ステップと、前記基板を第1の高回転速度で回転させる高速回転ステップを有し、前記薄膜保持ステップの後に、前記上面から前記薄膜を除去する薄膜除去ステップとを実行し、前記薄膜保持ステップにおいて前記上面全域の周囲が前記有機溶剤リッチ状態に維持されており、前記制御ユニットが、薄膜除去ステップにおいて、前記基板を第2の高回転速度で回転させる高速回転ステップを実行する、基板処理装置。 - 外部から密閉された内部空間を有し、前記内部空間に前記基板保持ユニットが収容された密閉チャンバをさらに含む、請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記密閉チャンバの内部空間を排気する排気バルブをさらに含み、
前記制御ユニットは、前記排気バルブを閉じた状態で、前記薄膜保持ステップを実行する、請求項10に記載の基板処理装置。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015117557A JP6418554B2 (ja) | 2015-06-10 | 2015-06-10 | 基板処理方法および基板処理装置 |
US15/170,055 US10615026B2 (en) | 2015-06-10 | 2016-06-01 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
TW105117361A TWI607487B (zh) | 2015-06-10 | 2016-06-02 | 基板處理方法及基板處理裝置 |
KR1020160070294A KR101866640B1 (ko) | 2015-06-10 | 2016-06-07 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
CN201610404966.0A CN106252199B (zh) | 2015-06-10 | 2016-06-08 | 基板处理方法以及基板处理装置 |
US15/978,359 US20180261449A1 (en) | 2015-06-10 | 2018-05-14 | Substrate processing method and substrate processing apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015117557A JP6418554B2 (ja) | 2015-06-10 | 2015-06-10 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017005107A JP2017005107A (ja) | 2017-01-05 |
JP6418554B2 true JP6418554B2 (ja) | 2018-11-07 |
Family
ID=57516028
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015117557A Active JP6418554B2 (ja) | 2015-06-10 | 2015-06-10 | 基板処理方法および基板処理装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10615026B2 (ja) |
JP (1) | JP6418554B2 (ja) |
KR (1) | KR101866640B1 (ja) |
CN (1) | CN106252199B (ja) |
TW (1) | TWI607487B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6367763B2 (ja) * | 2015-06-22 | 2018-08-01 | 株式会社荏原製作所 | ウェーハ乾燥装置およびウェーハ乾燥方法 |
JP6593920B2 (ja) * | 2015-08-18 | 2019-10-23 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6994307B2 (ja) * | 2017-03-27 | 2022-01-14 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP6933960B2 (ja) * | 2017-11-15 | 2021-09-08 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US11355366B2 (en) * | 2018-08-30 | 2022-06-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for shuttered wafer cleaning |
CN113474875A (zh) * | 2019-04-23 | 2021-10-01 | 杰宜斯科技有限公司 | 蚀刻装置及其蚀刻方法 |
CN111473805B (zh) * | 2020-04-17 | 2021-09-21 | 江苏多维科技有限公司 | 一种微机电环境传感器及其制备方法 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5271774A (en) * | 1990-03-01 | 1993-12-21 | U.S. Philips Corporation | Method for removing in a centrifuge a liquid from a surface of a substrate |
TW386235B (en) | 1995-05-23 | 2000-04-01 | Tokyo Electron Ltd | Method for spin rinsing |
US6199298B1 (en) * | 1999-10-06 | 2001-03-13 | Semitool, Inc. | Vapor assisted rotary drying method and apparatus |
TW420841B (en) * | 1999-11-15 | 2001-02-01 | Taiwan Semiconductor Mfg | Method and system for removing the water mark from the surface of a semiconductor substrate |
US20020069899A1 (en) | 2000-06-26 | 2002-06-13 | Verhaverbeke Steven Verhaverbeke | Method and apparatus for removing adhered moisture form a wafer |
US7614411B2 (en) * | 2002-09-30 | 2009-11-10 | Lam Research Corporation | Controls of ambient environment during wafer drying using proximity head |
US8070884B2 (en) * | 2005-04-01 | 2011-12-06 | Fsi International, Inc. | Methods for rinsing microelectronic substrates utilizing cool rinse fluid within a gas enviroment including a drying enhancement substance |
KR100696378B1 (ko) | 2005-04-13 | 2007-03-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 기판을 세정하는 장치 및 방법 |
TW200707511A (en) * | 2005-06-23 | 2007-02-16 | Tokyo Electron Ltd | Substrate Processing method and substrate processing apparatus |
JP4762098B2 (ja) * | 2006-09-28 | 2011-08-31 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5090089B2 (ja) | 2006-10-19 | 2012-12-05 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP4960075B2 (ja) | 2006-12-18 | 2012-06-27 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4886544B2 (ja) | 2007-02-09 | 2012-02-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP5188216B2 (ja) * | 2007-07-30 | 2013-04-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5413016B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2014-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体 |
JP6131162B2 (ja) * | 2012-11-08 | 2017-05-17 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP6400919B2 (ja) * | 2013-03-07 | 2018-10-03 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6304592B2 (ja) * | 2014-03-25 | 2018-04-04 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
-
2015
- 2015-06-10 JP JP2015117557A patent/JP6418554B2/ja active Active
-
2016
- 2016-06-01 US US15/170,055 patent/US10615026B2/en active Active
- 2016-06-02 TW TW105117361A patent/TWI607487B/zh active
- 2016-06-07 KR KR1020160070294A patent/KR101866640B1/ko active IP Right Grant
- 2016-06-08 CN CN201610404966.0A patent/CN106252199B/zh active Active
-
2018
- 2018-05-14 US US15/978,359 patent/US20180261449A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106252199B (zh) | 2019-04-23 |
US20160365238A1 (en) | 2016-12-15 |
TWI607487B (zh) | 2017-12-01 |
US20180261449A1 (en) | 2018-09-13 |
CN106252199A (zh) | 2016-12-21 |
US10615026B2 (en) | 2020-04-07 |
KR101866640B1 (ko) | 2018-06-11 |
JP2017005107A (ja) | 2017-01-05 |
KR20160145495A (ko) | 2016-12-20 |
TW201705199A (zh) | 2017-02-01 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180517 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |