JP7187268B2 - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。

特許文献１に記載されている基板処理装置は、基板に対して薬液処理を行う。基板処理装置は液受け部を備える。液受け部はカップ部を備える。基板に対して薬液処理を行うときには、カップ部が上昇し、スピンチャックに保持された基板の周囲がカップ部の案内部によって取り囲まれる。そして、基板がスピンチャックとともに回転され、吐出ヘッドから基板の上面に薬液が供給される。薬液は基板の回転による遠心力によって基板の上面に沿って流れ、基板の端縁部から側方に向けて飛散される。基板の端縁部から飛散した薬液は、カップ部の案内部の内壁面を伝って流下し、廃棄溝から排出される。

特に、液受け部は集液部をさらに備える。集液部は、カップ部の案内部の内側に配置される。集液部の内周面は複数の溝を有する。各溝は鉛直方向に沿って延在する。従って、基板の端縁部から飛散した処理液の液滴は、まず集液部の内周面に付着する。内周面に付着した液滴の大部分は、各溝における半円状の曲面に沿って流動し、他の付着した液滴と合流する。合流後の液滴は、合流前の液滴に比べて相対的に大きな自重により溝の延在方向に沿って流下する。

従って、カップ部の内壁面に液滴が滞留することを抑制できる。その結果、カップ部の内壁面に液滴が滞留した状態を放置することに起因する基板の汚染を低減できる。

特開２０１８－５６１５１号公報

しかしながら、近年、カップ部の内壁面に液滴が滞留することを更に抑制することが要望されている。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、カップ部の内壁面に液滴が滞留することを効果的に抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供することにある。

本発明の一局面によれば、基板処理装置は、基板保持部と、基板回転部と、遮蔽部と、遮蔽部動作機構と、処理液供給部と、カップ部とを有する。基板保持部は、基板を水平に保持する。基板回転部は、上下方向に延びる中心軸を中心として前記基板と前記基板保持部とを一体に回転させる。遮蔽部は、前記基板の上面に対向する。遮蔽部動作機構は、前記遮蔽部を動作させる。処理液供給部は、前記基板に処理液を供給する。カップ部は、前記基板保持部の周囲に配置されて、前記処理液を受ける。前記遮蔽部は、前記基板の上面と対向する遮蔽板と、前記遮蔽板と前記基板保持部との間の空間を経由することなく、前記カップ部の内壁面に向けて気体が流出する気体流出口とを有する。

本発明の基板処理装置において、前記気体流出口は、前記遮蔽部の周縁部に位置していることが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記カップ部は、前記基板よりも上方に位置するカップ上端部を有することが好ましい。前記気体流出口は、前記カップ上端部と近接していることが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記遮蔽部は、前記基板の上面全体を覆って、前記基板の上方を遮蔽することが好ましい。前記気体流出口は、前記カップ部の内壁面に向いていることが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記遮蔽板は、前記カップ部の内壁面と対向する対向壁面を有することが好ましい。前記気体流出口は、前記対向壁面に設けられることが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記遮蔽板は、前記気体流出口と、前記気体が流入する気体流入口と、気体流路とを有することが好ましい。気体流路は、前記気体流入口と前記気体流出口とを連通させることが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記カップ部の内壁面は、前記中心軸から径方向の外方へ向かうにつれて下方に向けて傾斜するカップ傾斜面を有することが好ましい。前記気体流路を構成する内面は、前記径方向の外方に向かうにつれて下方に向けて傾斜する流路傾斜面を有することが好ましい。前記流路傾斜面の水平方向に対する傾斜角度は、前記カップ傾斜面の水平方向に対する傾斜角度以下であることが好ましい。

本発明の基板処理装置は、前記気体を供給するガス供給部を更に有することが好ましい。前記ガス供給部から供給される前記気体が前記気体流入口に流入することが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記気体流入口は、前記遮蔽板の上面部に位置することが好ましい。前記気体流路は、前記気体流入口と前記気体流出口とを連通することが好ましい。前記ガス供給部は、前記気体を前記気体流入口に送り出すファンを有することが好ましい。前記ファンは、前記遮蔽板の上面部に配置されていることが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記遮蔽部は、前記遮蔽板に固定される軸部をさらに有することが好ましい。前記軸部は、前記中心軸を中心として前記遮蔽板と共に回転することが好ましい。前記ファンは、前記軸部に挿通されて、前記遮蔽板の上方から吸入した前記気体を、前記中心軸に対する径方向に噴き出すことが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記ガス供給部は、前記ファンに対向するノズルを更に有することが好ましい。前記ノズルは、前記遮蔽板の上面側から前記ファンに向けて前記気体を噴き出すことが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記遮蔽部は、前記遮蔽板に固定される軸部をさらに有することが好ましい。前記軸部は、前記中心軸を中心として前記遮蔽板と共に回転することが好ましい。前記遮蔽部は、前記軸部及び前記遮蔽板を貫通して前記中心軸に沿って延びる穴部を有することが好ましい。前記処理液供給部は、前記処理液が流通する流通部を有することが好ましい。前記流通部は、前記穴部に配置されていることが好ましい。前記ガス供給部は、前記流通部の外面と前記穴部を構成する壁面との間の隙間に前記気体を供給することが好ましい。前記気体流入口は、前記穴部を構成する前記壁面に設けられることが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記ガス供給部は、ファンフィルタユニットを有することが好ましい。ファンフィルタユニットは、前記基板処理装置の天板部に配置されることが好ましい。前記ファンフィルタユニットは、前記遮蔽板の上方から前記基板保持部に向かうダウンフローを発生させることが好ましい。

本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、基板保持部と、基板回転部と、遮蔽部と、遮蔽部動作機構と、処理液供給部と、カップ部とを有する。基板保持部は、基板を水平に保持する。基板回転部は、上下方向に延びる中心軸を中心として前記基板と前記基板保持部とを一体に回転させる。遮蔽部は、前記基板の上面に対向する。遮蔽部動作機構は、前記遮蔽部を動作させる。処理液供給部は、前記基板に処理液を供給する。カップ部は、前記基板保持部の周囲に配置されて、前記処理液を受ける。前記遮蔽部は、前記カップ部の内壁面に向かう気体が流出する気体流出口を有する。前記遮蔽部は、遮蔽板と、ノズルとを有する。遮蔽板は、前記基板の上面と対向する。ノズルは、前記遮蔽板の上面部に配置される。前記ノズルの開口が、前記気体流出口であり、前記カップ部の内壁面と対向する。

本発明の基板処理装置において、前記遮蔽部動作機構は、前記遮蔽部を上昇又は下降させる遮蔽部移動機構を含むことが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記遮蔽部動作機構は、前記遮蔽部を回転させる遮蔽部回転機構を含むことが好ましい。

本発明の基板処理装置において、前記遮蔽部は、前記基板保持部と係合する複数の係合部を有することが好ましい。前記遮蔽部は、前記複数の係合部が前記基板保持部と係合することにより前記基板保持部と一体となって回転することが好ましい。

本発明の更に他の局面に係る基板処理方法は、基板を基板保持部によって保持する保持工程と、前記基板保持部と遮蔽部とを接近させる遮蔽部接近工程と、前記基板を前記基板保持部と共に回転させる回転工程と、前記遮蔽部の気体流出口から気体を流出させて、カップ部の内壁面に向かう気流を発生させる気流発生工程と、前記基板を処理液で処理する処理工程とを含む。前記遮蔽部は、前記基板の上面と対向する遮蔽板を有する。前記気流発生工程では、前記遮蔽板と前記基板保持部との間の空間を経由することなく、前記気体流出口から前記気体を前記カップ部の内壁面に向けて流出する。

本発明の基板処理方法において、前記気流発生工程では、前記気体は、前記遮蔽部の周縁部に位置している前記気体流出口から流出して、前記カップ部の内壁面に沿って流れることが好ましい。

本発明の基板処理方法において、前記カップ部は、前記基板よりも上方に位置するカップ上端部を有することが好ましい。前記気流発生工程では、前記気体は、前記カップ上端部と近接している前記気体流出口から、前記カップ上端部に向けて流出することが好ましい。

本発明によれば、カップ部の内壁面に液滴が滞留することを効果的に抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供できる。

本発明の実施形態１に係る基板処理システムを示す模式的平面図である。 実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。 （ａ）は、実施形態１に係る基板処理装置の遮蔽部及びカップ部を示す模式的断面図である。（ｂ）は、実施形態１に係る基板処理装置の遮蔽部を示す模式的平面図である。 図３（ａ）に示す遮蔽部とカップ部の一部とを拡大して示す模式的断面図である。 実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 （ａ）は、実施形態１の第１変形例に係る基板処理装置の遮蔽部、カップ部、及びファンを示す模式的断面図である。（ｂ）は、第１変形例に係る基板処理装置の遮蔽部及びファンを示す模式的平面図である。 実施形態１の第２変形例に係る基板処理装置の遮蔽部、カップ部、及びガス供給機構を示す模式的断面図である。 実施形態１の第３変形例に係る基板処理装置の遮蔽部、カップ部、及びガス供給機構を示す模式的断面図である。 実施形態１の第４変形例に係る基板処理装置の遮蔽部及びカップ部を示す模式的断面図である。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。 実施形態２に係る基板処理装置の処理液供給部を示す模式的側面図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、本発明の実施形態において、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。

（実施形態１）
図１～図５を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理システム１００を説明する。基板処理システム１００は基板Ｗを処理する。基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、電界放出ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ：ＦＥＤ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、又は、太陽電池用基板である。基板Ｗは、例えば、略円板状である。

まず、図１を参照して基板処理システム１００を説明する。図１は、基板処理システム１００を示す模式的平面図である。図１に示すように、基板処理システム１００は、インデクサーユニットＵ１と、処理ユニットＵ２とを有する。インデクサーユニットＵ１は、複数の基板収容器Ｃと、インデクサーロボットＩＲとを含む。処理ユニットＵ２は、複数の基板処理装置１と、搬送ロボットＣＲと、受渡部ＰＳとを含む。

基板収容器Ｃの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。インデクサーロボットＩＲは、複数の基板収容器Ｃのうちのいずれかの基板収容器Ｃから未処理の基板Ｗを取り出して、基板Ｗを受渡部ＰＳに渡す。そして、受渡部ＰＳには、基板収容器Ｃから取り出された基板Ｗが載置される。搬送ロボットＣＲは、受渡部ＰＳから未処理の基板Ｗを受け取って、複数の基板処理装置１のうちのいずれかの基板処理装置１に基板Ｗを搬入する。

そして、基板処理装置１は、未処理の基板Ｗを処理する。基板処理装置１は、基板Ｗを１枚ずつ処理する枚葉型である。実施形態１では、基板処理装置１は、処理液によって基板Ｗを処理する。

基板処理装置１による処理後に、搬送ロボットＣＲは、処理済みの基板Ｗを基板処理装置１から取り出して、基板Ｗを受渡部ＰＳに渡す。そして、受渡部ＰＳには、基板処理装置１で処理された基板Ｗが載置される。インデクサーロボットＩＲは、受渡部ＰＳから処理済みの基板Ｗを受け取って、複数の基板収容器Ｃのうちのいずれかの基板収容器Ｃに基板Ｗを収容する。

次に、図２を参照して基板処理装置１を説明する。図２は、基板処理装置１を示す模式的断面である。図２に示すように、基板処理装置１は、チャンバー３と、基板保持部５と、基板回転部７と、処理液供給部９と、複数のカップ部１１と、複数のカップ移動機構１５と、排出ポート１７と、遮蔽部１９と、遮蔽部動作機構２１とを有する。

チャンバー３は略箱形状を有する。チャンバー３は天板部３ａを有する。チャンバー３は、基板保持部５、基板回転部７、処理液供給部９、複数のカップ部１１、遮蔽部１９、及び遮蔽部動作機構２１を収容する。

基板保持部５は、基板Ｗを水平に保持する。具体的には、基板保持部５は、スピンベース５１と、複数のチャック部材５３とを有する。複数のチャック部材５３はスピンベース５１に設けられる。複数のチャック部材５３は基板Ｗを水平な姿勢で保持する。スピンベース５１は、略円板状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材５３を支持する。

基板回転部７は、中心軸ＡＸを中心として基板Ｗと基板保持部５とを一体に回転させる。中心軸ＡＸは基板Ｗの上下方向に延びる。具体的には、基板回転部７は、モーター７１と、シャフト７３とを有する。シャフト７３はスピンベース５１に結合される。モーター７１は、シャフト７３を介して中心軸ＡＸを中心としてスピンベース５１を回転させる。その結果、複数のチャック部材５３に保持された基板Ｗが中心軸ＡＸを中心として回転する。

処理液供給部９は、基板Ｗに処理液を供給する。基板Ｗを処理できる限りにおいては、処理液の組成は特に限定されない。例えば、処理液は、薬液であってもよいし、リンス液であってもよい。薬液は、例えば、ポリマー除去液又はエッチング液である。リンス液は、例えば、純水又は炭酸水である。具体的には、処理液供給部９は、処理液ノズル９１と、処理液供給機構９３とを有する。処理液供給機構９３は、処理液ノズル９１に接続され、処理液ノズル９１に処理液を供給する。処理液供給機構９３は、例えば、バルブ及び配管を有する。処理液ノズル９１には処理液が流通する。そして、処理液ノズル９１は、基板Ｗの回転中に、基板Ｗの上面Ｗａに向けて処理液を吐出する。処理液ノズル９１は、「流通部」の一例に相当する。

複数のカップ部１１の各々は、基板Ｗから飛散した処理液を受ける。複数のカップ部１１は、基板保持部５の周囲に配置され、中心軸ＡＸに対して回転対称となる形状を有している。例えば、複数のカップ部１１の各々は略円筒形状を有する。

複数のカップ部１１の各々は、受液位置と退避位置との間で上昇又は下降する。受液位置は、カップ部１１が基板Ｗと径方向ＲＤに対向する位置を示す。カップ部１１は、受液位置に位置するときに、基板Ｗから飛散した処理液を受ける。径方向ＲＤは中心軸ＡＸに対する径方向を示し、中心軸ＡＸに直交する。一方、退避位置は、受液位置よりも下方の位置を示す。

具体的には、基板Ｗを処理液で処理するときには、少なくとも１つのカップ部１１が受液位置に位置する。そして、基板Ｗが基板保持部５と一体に回転され、処理液ノズル９１から基板Ｗの上面Ｗａに処理液が供給される。処理液は基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの上面Ｗａに沿って流れ、基板Ｗの端縁部から径方向ＲＤ外方に向けて飛散される。カップ部１１は、基板Ｗの端縁部から飛散した処理液を受ける。そして、処理液は、カップ部１１の内壁面１１０を伝って流下し、排出ポート１７から排出される。

複数のカップ移動機構１５は、それぞれ、複数のカップ部１１に対応して配置される。カップ移動機構１５は、受液位置と退避位置との間で、対応するカップ部１１を上昇又は下降させる。カップ移動機構１５は、例えば、電動モーター及びボールねじを含む。

遮蔽部１９は、基板Ｗの上面Ｗａに対して軸方向ＡＤに対向する。そして、遮蔽部１９は、基板Ｗの上面Ｗａ全体を覆って、基板Ｗの上方を遮蔽する。軸方向ＡＤは中心軸ＡＸに平行な方向を示す。

具体的には、遮蔽部１９は、遮蔽板１９ａと、軸部１９ｂと、穴部Ｓｂとを有する。遮蔽板１９ａは、中心軸ＡＸを中心として、径方向ＲＤ外方に拡がっている。遮蔽板１９ａは略円板状である。遮蔽板１９ａは、基板Ｗの上面Ｗａに対して軸方向ＡＤに対向する。そして、遮蔽板１９ａは、基板Ｗの上面Ｗａ全体を覆って、基板Ｗの上方を遮蔽する。軸部１９ｂは遮蔽板１９ａに固定される。軸部１９ｂは、中心軸ＡＸを中心として遮蔽板１９ａと共に回転する。軸部１９ｂは、例えば、略円筒状である。穴部Ｓｂは、軸部１９ｂ及び遮蔽板１９ａを貫通して中心軸ＡＸに沿って延びる。処理液ノズル９１は穴部Ｓｂに配置されている。

遮蔽部動作機構２１は遮蔽部１９を動作させる。具体的には、遮蔽部動作機構２１は、遮蔽部移動機構２１ａと、遮蔽部回転機構２１ｂとを有する。

遮蔽部移動機構２１ａは、軸方向ＡＤに沿って遮蔽部１９を上昇又は下降させる。具体的には、遮蔽部移動機構２１ａは、近接位置と退避位置との間で、遮蔽部１９を上昇又は下降させる。近接位置は、遮蔽部１９が下降して基板Ｗの上面Ｗａに所定間隔をあけて近接する位置を示す。図２では、遮蔽部１９は近接位置に位置する。退避位置は、近接位置よりも上方であって、遮蔽部１９が上昇して基板Ｗから離間している位置を示す。基板Ｗを処理液で処理するときには、遮蔽部移動機構２１ａは、遮蔽部１９を近接位置に移動する。遮蔽部移動機構２１ａは、例えば、電動モーター及びボールねじを含む。

遮蔽部回転機構２１ｂは、中心軸ＡＸを中心として遮蔽部１９を回転させる。具体的には、遮蔽部回転機構２１ｂは、遮蔽部１９を基板保持部５と同期回転させる。同期回転は、基板保持部５と同じ方向に同じ回転速度で回転することを示す。遮蔽部回転機構２１ｂは、例えば、電動モーターを含む。

基板処理装置１は、ガス供給機構２２と、ファンフィルタユニット２４とをさらに有していてもよい。チャンバー３はガス供給機構２２を収容する。

ガス供給機構２２は気体を穴部Ｓｂに供給する。気体は、例えば、窒素等の不活性ガスである。ガス供給機構２２は、例えば、バルブ及び配管を含む。

ファンフィルタユニット２４は、気体をチャンバー３の内部に供給する。具体的には、ファンフィルタユニット２４は、基板処理装置１の天板部３ａに配置される。そして、ファンフィルタユニット２４は、遮蔽板１９ａの上方から基板保持部５に向かうダウンフローを発生させる。更に具体的には、ファンフィルタユニット２４はファン及びフィルタを有する。そして、ファンフィルタユニット２４は、ファンによって基板処理装置１の外部空気を取り込み、フィルタを介してチャンバー３の内部に外部空気を供給する。外部空気はクリーンエアーである。なお、基板処理装置１はクリーンルームに設置されている。ファンフィルタユニット２４は、「ガス供給部」の一例に相当する。

次に、図３（ａ）及び図３（ｂ）を参照して遮蔽部１９を説明する。図３（ａ）は、遮蔽部１９及びカップ部１１を示す模式的断面図である。図３（ａ）では、遮蔽部１９は近接位置に位置している。図３（ｂ）は、遮蔽部１９を示す模式的平面図である。図３（ｂ）では、遮蔽部１９を平面視している。本明細書において、平面視は、軸方向ＡＤから対象物を見ることを示す。

図３（ａ）に示すように、遮蔽部１９は気体流出口１９１を有する。そして、気体流出口１９１から、カップ部１１の内壁面１１０に向かう気体ＡＲが流出する。従って、カップ部１１の内壁面１１０において、気体ＡＲによって上部から下部へ流れる気流を発生できる。

その結果、実施形態１によれば、カップ部１１の内壁面１１０に付着した液滴ＬＱを、気流によって円滑に流下できる。つまり、カップ部１１の内壁面１１０に液滴ＬＱが滞留することを効果的に抑制できる。従って、気体流出口１９１を設けない場合と比較して、カップ部１１の内壁面１１０にパーティクルが発生することと、スプラッシュバック現象によって基板Ｗが汚染させることとを効果的に抑制できる。パーティクルとは、カップ部１１の内壁面１１０に付着した液滴ＬＱが固化することによって発生する物質のことである。スプラッシュバック現象とは、基板Ｗからカップ部１１に向けて飛散する新たな処理液とカップ部１１の内壁面１１０に付着していた古い処理液からなる液滴ＬＱとが衝突し、処理液が基板Ｗに向けて跳ね返る現象のことである。

特に、実施形態１では、気体流出口１９１は、遮蔽部１９の周縁部１９ｃに位置している。従って、気体流出口１９１から流出する気体ＡＲは、カップ部１１の内壁面１１０に向かい易い。その結果、内壁面１１０において、気体ＡＲによって上部から下部へ流れる気流を効果的に発生できて、内壁面１１０に付着した液滴ＬＱを気流によって更に円滑に流下できる。

加えて、実施形態１では、気体流出口１９１は、カップ部１１の内壁面１１０に向いている。従って、内壁面１１０において、気体ＡＲによって上部から下部へ流れる気流を更に効果的に発生できる。その結果、内壁面１１０に付着した液滴ＬＱを気流によって更に円滑に流下できる。

特に、実施形態１では、遮蔽部移動機構２１ａによって気体流出口１９１がカップ部１１の内壁面１１０に向くように、遮蔽部１９を容易に配置できる。

また、実施形態１では、遮蔽部回転機構２１ｂによって遮蔽部１９が中心軸ＡＸを中心として回転する。従って、遮蔽部１９の回転によって、気体流出口１９１から流出する気体ＡＲの気流を効果的に発生できる。その結果、カップ部１１の内壁面１１０に付着した液滴ＬＱを、気体ＡＲによって更に円滑に流下できる。

図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、遮蔽部１９の遮蔽板１９ａは、ベース部材２０１と、上部部材２０３と、複数の支柱２０５とを有する。なお、図３（ａ）には、支柱２０５は表れていない。

ベース部材２０１と上部部材２０３とは、軸方向ＡＤに間隔をあけて対向している。複数の支柱２０５の各々は、ベース部材２０１から上方に突出している。複数の支柱２０５は、中心軸ＡＸに対する周方向ＣＤに沿ってベース部材２０１に配置される。複数の支柱２０５は上部部材２０３を支持する。つまり、複数の支柱２０５は、ベース部材２０１と上部部材２０３とを結合している。実施形態１では、平面視において、ベース部材２０１は略円板状であり、上部部材２０３は略円帯状である。

遮蔽板１９ａは、気体流出口１９１と、気体流入口１９３と、気体流路１９５とを有する。実施形態１では、気体流出口１９１及び気体流入口１９３の各々は、平面視において、略円環状である。気体流入口１９３は、遮蔽板１９ａの上面部１９６に位置する。気体流入口１９３には、気体が流入する。例えば、遮蔽板１９ａの回転によって、気体流入口１９３から気体が流入する。

例えば、ファンフィルタユニット２４（図２）は、気体を気体流入口１９３に供給する。従って、ファンフィルタユニット２４から供給される気体が気体流入口１９３に流入する。つまり、ファンフィルタユニット２４が発生するダウンフローによっても、気体流出口１９１から流出する気体ＡＲの気流を発生できる。その結果、カップ部１１の内壁面１１０に付着した液滴ＬＱを、気体ＡＲによって更に円滑に流下できる。

気体流路１９５は、ベース部材２０１と上部部材２０３との間の空間によって形成される。気体流路１９５は、気体流入口１９３と気体流出口１９１とを連通させる。従って、実施形態１によれば、気体流入口１９３から気体を取り込んで、気体を気体流路１９５に流し、気体ＡＲを気体流出口１９１からカップ部１１の内壁面１１０に向けて流出させることができる。

特に、実施形態１では、気体流出口１９１は、径方向ＲＤの全方位にわたって中心軸ＡＸの外方に向かって開口している。従って、カップ部１１の内壁面１１０に対して、周方向ＣＤに均等に気体ＡＲを吹き付けることができる。その結果、内壁面１１０に付着した液滴ＬＱを、気体ＡＲによって更に円滑に流下できる。

次に、図４を参照して遮蔽部１９を詳細に説明する。図４は、図３（ａ）に示す遮蔽部１９とカップ部１１の一部とを拡大して示す模式的断面図である。図４に示すように、遮蔽部１９の遮蔽板１９ａは対向壁面１９０を有する。対向壁面１９０はカップ部１１の内壁面１１０と径方向ＲＤに対向する。対向壁面１９０は周縁部１９ｃの表面である。気体流出口１９１は対向壁面１９０に設けられる。従って、実施形態１によれば、気体流出口１９１から流出する気体ＡＲは、カップ部１１の内壁面１１０に向かい易く、気体ＡＲによって液滴ＬＱを更に円滑に流下できる。

また、遮蔽板１９ａの気体流路１９５を構成する内面１９５１は、流路傾斜面１９５１ａを有する。流路傾斜面１９５１ａは、径方向ＲＤの外方に向かうにつれて下方に向けて傾斜する。

一方、カップ部１１は、傾斜部１１ａと、側壁部１１ｂとを有する。傾斜部１１ａは、側壁部１１ｂに対して、中心軸ＡＸの側に上方に向かって傾斜している。傾斜部１１ａは、上下が開口した中空の略円錐台形状を有する。側壁部１１ｂは中心軸ＡＸに沿って延びている。側壁部１１ｂは略円筒形状を有している。

カップ部１１はカップ上端部１１１を有している。カップ上端部１１１は傾斜部１１ａの上端部である。カップ上端部１１１は、基板Ｗよりも上方に位置する。そして、気体流出口１９１は、間隔をあけてカップ上端部１１１と近接している。従って、実施形態１によれば、内壁面１１０において、気体ＡＲによって上部から下部へ流れる比較的強い気流を発生できる。その結果、気流によって液滴ＬＱを更に円滑に流下できる。

また、カップ部１１の内壁面１１０は、カップ傾斜面１１３を有する。カップ傾斜面１１３は、カップ部１１の内壁面１１０うち、傾斜部１１ａの内壁面である。カップ傾斜面１１３は、中心軸ＡＸから径方向ＲＤの外方へ向かうにつれて下方に向けて傾斜する。

そして、遮蔽板１９ａの流路傾斜面１９５１ａの水平方向に対する傾斜角度θ１は、カップ部１１のカップ傾斜面１１３の水平方向に対する傾斜角度θ２以下である。従って、実施形態１によれば、流路傾斜面１９５１ａに沿って流出する気体ＡＲがカップ傾斜面１１３に効果的に吹き付けられて、カップ傾斜面１１３から下方に向かう気流を効果的に発生できる。その結果、気流によって液滴ＬＱを更に円滑に流下できる。

次に、図２及び図５を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。基板処理方法は基板処理装置１によって実行される。図５は、実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図５に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ５を含む。

図２及び図５に示すように、工程Ｓ１において、基板処理装置１は、基板Ｗを基板保持部５によって保持する。工程Ｓ１は、「保持工程」の一例に相当する。

工程Ｓ２において、基板処理装置１は、基板保持部５と遮蔽部１９とを接近させる。工程Ｓ２は、「遮蔽部接近工程」の一例に相当する。

工程Ｓ３において、基板処理装置１は、基板Ｗを基板保持部５と共に回転させる。工程Ｓ３は、「回転工程」の一例に相当する。

工程Ｓ４において、基板処理装置１は、遮蔽部１９の気体流出口１９１から気体を流出させて、カップ部１１の内壁面１１０に向かう気流を発生させる。工程Ｓ５は、「気流発生工程」の一例に相当する。

工程Ｓ５において、基板処理装置１は、基板Ｗを処理液で処理する。工程Ｓ５は、「処理工程」の一例に相当する。

以上、図２及び図５を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法によれば、工程Ｓ４において気体流出口１９１からの気体ＡＲに基づく気流が、内壁面１１０の上部から下部に向かって内壁面１１０に沿って流れる。従って、カップ部１１の内壁面１１０に付着した液滴ＬＱを円滑に流下できる。つまり、カップ部１１の内壁面１１０に液滴ＬＱが滞留することを効果的に抑制できる。

特に、実施形態１においては、工程Ｓ４では、気体ＡＲは、遮蔽部１９の周縁部１９ｃに位置している気体流出口１９１から流出して、カップ部１１の内壁面１１０に沿って流れる。具体的には、工程Ｓ４では、気体ＡＲは、カップ上端部１１１と近接している気体流出口１９１から、カップ上端部１１１に向けて流出する。従って、カップ部１１の内壁面１１０に付着した液滴ＬＱを、気体ＡＲに基づく気流によって更に円滑に流下できる。

また、実施形態１では、工程Ｓ５において処理液を基板Ｗに供給することと並行して、気体流出口１９１から気体ＡＲが流出される。従って、基板Ｗの処理中に飛散する処理液に起因する液滴ＬＱを、気体ＡＲに基づく気流によって、カップ部１１の内壁面１１０に沿って効果的に流下できる。

なお、工程Ｓ４が工程Ｓ５の前段で実行される限りにおいては、工程Ｓ２～工程Ｓ４の実行順序は適宜変更されてよいし、工程Ｓ２～工程Ｓ４のうちの一部又は全部の工程は並行して実行されてよい。

（第１変形例）
図６（ａ）及び図６（ｂ）を参照して、実施形態１の第１変形例に係る基板処理装置１を説明する。基板処理装置１が気流発生のためのファン３１を有している点で、第１変形例は図１～図５を参照して説明した実施形態１と主に異なる。以下、第１変形例が実施形態１と異なる点を主に説明する。

図６（ａ）は、第１変形例に係る基板処理装置１の遮蔽部１９、カップ部１１、及びファン３１を示す模式的断面図である。図６（ａ）では、遮蔽部１９は近接位置に位置している。図６（ｂ）は、第１変形例に係る基板処理装置１の遮蔽部１９及びファン３１を示す模式的平面図である。図６（ｂ）では、遮蔽部１９及びファン３１を平面視している。

図６（ａ）及び図６（ｂ）に示すように、基板処理装置１は、図２に示す基板処理装置１の構成に加えて、ファン３１をさらに有する。ファン３１は、遮蔽部１９の遮蔽板１９ａの上面部１９６に配置されている。ファン３１は、気体を気体流入口１９３に供給する。従って、ファン３１から供給される気体が気体流入口１９３に流入する。その結果、第１変形例によれば、ファン３１を設けない場合と比較して、気体流出口１９１から流出する気体ＡＲによって強い気流を発生できて、気流によってカップ部１１の内壁面１１０の液滴ＬＱを更に円滑に流下できる。ファン３１は、「ガス供給部」の一例に相当する。

特に、第１変形例では、遮蔽板１９ａは凹部１９２をさらに有する。凹部１９２は遮蔽板１９ａの上面部１９６に形成される。ファン３１は凹部１９２に配置される。そして、ファン３１は、遮蔽板１９ａの上面部１９６に位置する気体流入口１９３に気体を送り出す。具体的には、ファン３１は、遮蔽板１９ａの凹部１９２に位置する気体流入口１９３に気体を送り出す。

更に具体的には、ファン３１は、軸部１９ｂに挿通されて、遮蔽板１９ａの上方から吸入した気体を、中心軸ＡＸに対する径方向ＲＤに噴き出す。従って、第１変形例によれば、気体流入口１９３に比較的強い気流の気体を流入できて、比較的強い気流の気体ＡＲを気体流出口１９１から噴き出すことができる。その結果、内壁面１１０において、気体ＡＲによって上部から下部へ流れる比較的強い気流を発生できて、内壁面１１０の液滴ＬＱを更に円滑に流下できる。ファン３１は、例えば、シロッコファンである。

（第２変形例）
図７を参照して、実施形態１の第２変形例に係る基板処理装置１を説明する。基板処理装置１が気流を発生するためのノズル３３を有している点で、第２変形例は第１変形例と主に異なる。以下、第２変形例が第１変形例と異なる点を主に説明する。

図７は、第２変形例に係る基板処理装置１の遮蔽部１９、カップ部１１、及びガス供給機構３５を示す模式的断面図である。図７では、遮蔽部１９は近接位置に位置している。図７に示すように、基板処理装置１は、図２に示す基板処理装置１の構成に加えて、ガス供給機構３５をさらに有する。ガス供給機構３５は、気体を気体流入口１９３に供給する。そして、ガス供給機構３５から供給される気体が気体流入口１９３に流入する。ガス供給機構３５は、「ガス供給部」の一例に相当する。

具体的には、ガス供給機構３５は、ファン３１と、ノズル３３とを有する。ファン３１は、第１変形例に係るファン３１と同様である。ノズル３３は、ファン３１に対して軸方向ＡＤに対向する。ノズル３３は、遮蔽板１９ａの上面側からファン３１に向けて気体を噴き出す。さらに、ファン３１は、ノズル３３からの気体を気体流入口１９３に送り出す。従って、ノズル３３を設けない場合と比較して、気体流入口１９３に強い気流の気体を流入できて、強い気流の気体ＡＲを気体流出口１９１から噴き出すことができる。その結果、内壁面１１０において、気体ＡＲによって上部から下部へ流れる強い気流を発生できて、内壁面１１０の液滴ＬＱを更に円滑に流下できる。なお、第２変形例では、ノズル３３は、窒素等の不活性ガスをファン３１に向けて噴き出す。

（第３変形例）
図８を参照して、実施形態１の第３変形例に係る基板処理装置１を説明する。基板処理装置１では、遮蔽部１９の穴部Ｓｂに気体流入口１９３が位置している点で、第３変形例は、図１～図５を参照して説明した実施形態１と主に異なる。以下、第３変形例が実施形態１と異なる点を主に説明する。

図８は、第３変形例に係る基板処理装置１の遮蔽部１９、カップ部１１、及びガス供給機構２２を示す模式的断面図である。図８では、遮蔽部１９は近接位置に位置している。図８に示すように、ガス供給機構２２は、気体を気体流入口１９３に供給する。そして、ガス供給機構２２から供給される気体が気体流入口１９３に流入する。ガス供給機構２２は、「ガス供給部」の一例に相当する。

具体的には、ガス供給機構２２は、処理液ノズル９１の外面９１ａと穴部Ｓｂを構成する壁面ＷＬとの間の隙間ＧＰに気体を供給する。気体は、基板Ｗを処理液で処理する前に、基板Ｗに向けて供給されて、基板Ｗの上方空間を所定の雰囲気にする。また、基板Ｗの上方空間が所定の雰囲気となった後、気体は隙間ＧＰに充填される。第３変形例において、気体流入口１９３は、穴部Ｓｂを構成する壁面ＷＬに設けられる。従って、ガス供給機構２２が供給した気体は、気体流入口１９３にも流入する。そして、気体流入口１９３は、気体流路１９５によって気体流出口１９１と連通されている。従って、隙間ＧＰに供給された気体を気体流入口１９３から取り込んで、気体を気体流路１９５に流し、気体ＡＲを気体流出口１９１からカップ部１１の内壁面１１０に向けて流出させることができる。その結果、内壁面１１０において、気体ＡＲによって上部から下部へ流れる気流を発生できて、内壁面１１０に付着した液滴ＬＱを気流によって円滑に流下できる。

特に、第３変形例では、ガス供給機構２２によって気体流入口１９３に気体を供給している。つまり、基板Ｗに供給する気体又は隙間ＧＰに充填される気体を流用して、気体流入口１９３に気体を取り込んでいる。従って、気体流入口１９３に気体を供給するための専用のガス供給機構を設けなくてもよく、基板処理装置１の製造コストを低減できる。

（第４変形例）
図９を参照して、実施形態１の第４変形例に係る基板処理装置１を説明する。基板処理装置１では、ノズル３９の開口が気体流出口１９１である点で、第４変形例は図１～図５を参照して説明した実施形態１と主に異なる。以下、第４変形例が実施形態１と異なる点を主に説明する。

図９は、第４変形例に係る基板処理装置１の遮蔽部１９Ａ及びカップ部１１を示す模式的断面図である。図９では、遮蔽部１９Ａは近接位置に位置している。図９に示すように、基板処理装置１は、図２に示す基板処理装置１の遮蔽部１９に代えて、遮蔽部１９Ａを有する。遮蔽部１９Ａは、遮蔽板１９ｘと、軸部１９ｂと、ノズル３９とを有する。遮蔽板１９ｘは、図４に示す遮蔽板１９ａと同様の構成を有する。ただし、遮蔽板１９ｘは、図４に示す気体流出口１９１、気体流入口１９３、及び気体流路１９５を有していない。遮蔽板１９ｘは、略円板状である。

ノズル３９は、遮蔽板１９ｘの上面部１９６に配置される。そして、ノズル３９の開口３９０が、気体流出口１９１であり、カップ部１１の内壁面１１０と対向する。従って、ノズル３９は、内壁面１１０に向けて気体ＡＲを噴き出す。第４変形例では、ノズル３９は、窒素等の不活性ガスを内壁面１１０に向けて噴き出す。

第４変形例によれば、ノズル３９によって、強い気流の気体ＡＲを内壁面１１０に向けて噴き出すことができる。従って、内壁面１１０において、気体ＡＲによって上部から下部へ流れる強い気流を発生できる。その結果、内壁面１１０の液滴ＬＱを円滑に流下できる。また、第４変形例の図９に関しては、上面部１９６の遮蔽板１９ｘが回転することでノズル３９も回転した方がより効果的である。上面部１９６およびノズル３９は同一構造体の方がより好ましい。

（実施形態２）
図１０及び図１１を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１Ａを説明する。基板処理装置１Ａが基板回転部７によって遮蔽部１９Ｂを回転させる点で、実施形態２は実施形態１と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。

図１０は、実施形態２に係る基板処理装置１Ａを示す模式的断面図である。図１０に示すように、基板処理装置１Ａは、図２に示す基板処理装置１のガス供給機構２２に代えて、ガス供給機構３７を備える。ガス供給機構３７については後述する。

基板処理装置１Ａの基板保持部５Ａは、図２に示す基板保持部５の構成に加えて、複数の係合部４１Ｂをさらに有する。複数の係合部４１Ｂは、中心軸ＡＸを中心として略等角度間隔にて、スピンベース５１の上面の外周部に周方向ＣＤに配置される。複数の係合部４１Ｂは、複数のチャック部材５３よりも径方向ＲＤの外方に配置される。複数の係合部４１Ｂの各々は、スピンベース５１の上面から上方に向かって略垂直に突出する。

基板処理装置１Ａの遮蔽部１９Ｂは、実施形態１に係る遮蔽部１９（図４）と同様の気体流出口１９１を有する。従って、実施形態２によれば、実施形態１と同様に、カップ部１１の内壁面１１０に付着した液滴ＬＱを、気流によって円滑に流下できる。つまり、カップ部１１の内壁面１１０に液滴ＬＱが滞留することを効果的に抑制できる。その他、実施形態２では、実施形態１と同様の効果を有する。

また、遮蔽部１９Ｂは、図２に示す遮蔽部１９の構成に加えて、複数の係合部４１Ａと、フランジ部１９ｄとをさらに有する。

複数の係合部４１Ａは、中心軸ＡＸを中心として略等角度間隔にて、遮蔽板１９ａの下面の外周部に周方向ＣＤに配置される。複数の係合部４１Ａは、それぞれ、複数の係合部４１Ｂと軸方向ＡＤに対向している。複数の係合部４１Ａの各々は、遮蔽板１９ａの下面から下方に向かって略垂直に突出する。複数の係合部４１Ａの各々は、上方に向かって凹む凹部（不図示）を有している。

具体的には、遮蔽部１９Ｂの複数の係合部４１Ａは、基板保持部５Ａと係合する。遮蔽部１９Ｂは、複数の係合部４１Ａが基板保持部５Ａと係合することにより基板保持部５Ａと一体となって回転する。従って、遮蔽部１９Ｂの回転によって、気体流出口１９１から流出する気体ＡＲの気流を効果的に発生できる。その結果、カップ部１１の内壁面１１０に付着した液滴ＬＱを、気体ＡＲによって更に円滑に流下できる。

更に具体的には、遮蔽部１９Ｂの複数の係合部４１Ａの凹部に、それぞれ、基板保持部５Ａの複数の係合部４１Ｂが嵌合する。その結果、遮蔽部１９Ｂは、基板保持部５の回転にともなって基板保持部５と同期回転する。

フランジ部１９ｄは、軸部１９ｂの上端部から径方向ＲＤ外方に環状に広がる。フランジ部１９ｄは、例えば、中心軸ＡＸを中心とする略円環板状である。

基板処理装置１Ａの遮蔽部動作機構２１は、図２に示す遮蔽部移動機構２１ａに代えて、遮蔽部移動機構２１Ｘを有する。また、基板処理装置１Ａの遮蔽部動作機構２１は、図２に示す遮蔽部回転機構２１ｂを有していない。

遮蔽部移動機構２１Ｘは、軸方向ＡＤに沿って遮蔽部１９Ｂを上昇又は下降させる。具体的には、遮蔽部移動機構２１Ｘは、近接位置と退避位置との間で、遮蔽部１９Ｂを上昇又は下降させる。近接位置及び退避位置は、それぞれ、実施形態１の近接位置及び退避位置と同様である。図１０では、遮蔽部１９Ｂは近接位置に位置する。遮蔽部１９Ｂが近接位置に位置する場合には、複数の係合部４１Ａは、それぞれ、複数の係合部４１Ｂに係合している。一方、遮蔽部１９Ｂが退避位置に位置する場合には、複数の係合部４１Ａは、それぞれ、複数の係合部４１Ｂから離間している。基板Ｗを処理液で処理するときには、遮蔽部移動機構２１Ｘは、遮蔽部１９Ｂを近接位置に移動する。

具体的には、遮蔽部移動機構２１Ｘは、保持部６１と、昇降機構６２とを有する。昇降機構６２は、遮蔽部１９Ｂを保持部６１と共に、上昇又は下降させる。昇降機構６２は、例えば、電動モーター及びボールねじを含む。

保持部６１は遮蔽部１９Ｂを保持する。保持部６１は、保持部本体６１１と、本体支持部６１２と、フランジ支持部６１３と、支持部接続部６１４とを有する。保持部本体６１１は、遮蔽部１９Ｂのフランジ部１９ｄの上方を覆う。本体支持部６１２は、略水平に延びる棒状のアームである。本体支持部６１２の一方の端部は保持部本体６１１に接続され、他方の端部は昇降機構６２に接続される。支持部接続部６１４は、フランジ支持部６１３と保持部本体６１１とをフランジ部１９ｄの周囲にて接続する。フランジ支持部６１３は、遮蔽部１９Ｂが退避位置に位置するときに、遮蔽部１９Ｂのフランジ部１９ｄに下側から接して支持する。一方、図１０に示すように、フランジ支持部６１３は、遮蔽部１９Ｂが近接位置に位置するときに、遮蔽部１９Ｂのフランジ部１９ｄから離間する。その結果、遮蔽部１９Ｂが回転可能になる。

次に、図１１を参照して処理液供給部９を説明する。図１１は、処理液供給部９を示す模式的側面図である。図１１に示すように、実施形態２では、処理液供給部９の処理液ノズル９１は、処理液流路９３１と、２つのガス流路３７１とを有する。処理液流路９３１は、処理液供給機構９３に接続される。２つのガス流路３７１は、ガス供給機構３７に接続される。

処理液供給機構９３は処理液を処理液ノズル９１に供給する。具体的には、処理液供給機構９３は処理液を処理液流路９３１に供給する。処理液流路９３１に供給された処理液は、処理液ノズル９１の下端面に設けられた吐出口９３１ａから下方へと吐出される。

ガス供給機構３７は気体を処理液ノズル９１に供給する。具体的には、ガス供給機構３７は、２つのガス流路３７１に気体を供給する。ガス供給機構３７は、例えば、２つのガス流路３７１に、窒素等の不活性ガスを供給する。ガス供給機構３７は、例えば、バルブ及び配管を含む。

処理液ノズル９１の中央部のガス流路３７１に供給された気体は、処理液ノズル９１の下端面に設けられた下面噴射口３７１ａから下方に向けて噴射される。一方、処理液ノズル９１の外周部のガス流路３７１に供給された気体は、処理液ノズル９１の側面に設けられた複数の側面噴射口３７１ｂから周囲に噴射される。従って、実施形態２によれば、気体を基板Ｗに効果的に供給できる。また、処理液ノズル９１の外面９１ａと穴部Ｓｂを構成する壁面ＷＬとの間の隙間ＧＰに気体を効果的に充填できる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

（１）図２～図１０を参照して説明した実施形態１（第１変形例～第４変形例を含む。）及び実施形態２において、気体流出口１９１からカップ部１１の内壁面１１０に向かう気体ＡＲが流出する限りにおいては、気体流出口１９１、気体流入口１９３、及び気体流路１９５の形状、数、及び配置は特に限定されない。例えば、平面視において、複数の気体流路１９５が径方向ＲＤ外方に放射状に延びるように、気体流入口１９３及び気体流路１９５を形成してもよい。例えば、平面視において、１つの気体流路１９５が径方向ＲＤ外方に延びるように、気体流入口１９３及び気体流路１９５を形成してもよい。気体流出口１９１、気体流入口１９３、及び気体流路１９５の各々の数は、１つでもよいし、複数でもよい。また、遮蔽部１９は、複数のカップ部１１の形状に対応して、噴射角度の異なる複数の気体流出口１９１を有していてもよい。さらに、カップ部１１の数に応じて、気体流出口１９１の数を変更してもよい。

（２）図７を参照して説明した実施形態１の第２変形例において、気体流出口１９１からカップ部１１の内壁面１１０に向かう気体ＡＲが流出する限りにおいては、ガス供給機構３５はファン３１を有していなくてもよい。

（３）図１０を参照して説明した実施形態２において、遮蔽部１９Ｂは、図８を参照して説明した遮蔽部１９の遮蔽板１９ａ及び軸部１９ｂを有していてもよい。この場合は、図１１に示す処理液ノズル９１の複数の側面噴射口３７１ｂから噴射される気体が、図８に示す気体流入口１９３に流入する。この場合、ガス供給機構３７が「ガス供給部」の一例に相当する。

（４）図２～図１０を参照して説明した実施形態１（第１変形例～第４変形例を含む。）及び実施形態２において、遮蔽板１９ａは、カップ部１１の形状に応じて気体流出口１９１の向きが可変するように構成されていてもよい。また、カップ移動機構１５は、カップ部１１を上下に揺動させてもよい。この場合、カップ部１１の内壁面１１０に付着した液滴ＬＱを更に効果的に流下させることができる。

本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。

１、１Ａ 基板処理装置
５、５Ａ 基板保持部
７ 基板回転部
９ 処理液供給部
１１ カップ部
１９、１９Ａ、１９Ｂ 遮蔽部
１９ａ、１９ｘ 遮蔽板
１９ｂ 軸部
２１ 遮蔽部動作機構
２１ａ、２１Ｘ 遮蔽部移動機構
２１ｂ 遮蔽部回転機構
２２ ガス供給機構（ガス供給部）
２４ ファンフィルタユニット（ガス供給部）
３１ ファン（ガス供給部）
３３ ノズル
３５ ガス供給機構（ガス供給部）
３９ ノズル
４１Ａ 係合部
９１ 処理液ノズル（流通部）
１１１ カップ上端部
１１３ カップ傾斜面
１９０ 対向壁面
１９１ 気体流出口
１９３ 気体流入口
１９５ 気体流路
１９５１ａ 流路傾斜面
Ｗ 基板

Claims (20)

1. 基板を水平に保持する基板保持部と、
   上下方向に延びる中心軸を中心として前記基板と前記基板保持部とを一体に回転させる基板回転部と、
   前記基板の上面に対向する遮蔽部と、
   前記遮蔽部を動作させる遮蔽部動作機構と、
   前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
   前記基板保持部の周囲に配置されて、前記処理液を受けるカップ部と
   を有し、
   前記遮蔽部は、
   前記基板の上面と対向する遮蔽板と、
   前記遮蔽板と前記基板保持部との間の空間を経由することなく、前記カップ部の内壁面に向けて気体が流出する気体流出口と
   を有する、基板処理装置。
2. 前記気体流出口は、前記遮蔽部の周縁部に位置している、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記カップ部は、前記基板よりも上方に位置するカップ上端部を有し、
   前記気体流出口は、前記カップ上端部と近接している、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記遮蔽部は、前記基板の上面全体を覆って、前記基板の上方を遮蔽し、
   前記気体流出口は、前記カップ部の内壁面に向いている、請求項１～請求項３のいずれか１項に記載の基板処理装置。
5. 前記遮蔽板は、前記カップ部の内壁面と対向する対向壁面を有し、
   前記気体流出口は、前記対向壁面に設けられる、請求項１～請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記遮蔽板は、
   前記気体流出口と、
   前記気体が流入する気体流入口と、
   前記気体流入口と前記気体流出口とを連通させる気体流路と
   を有する、請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記カップ部の内壁面は、前記中心軸から径方向の外方へ向かうにつれて下方に向けて傾斜するカップ傾斜面を有し、
   前記気体流路を構成する内面は、前記径方向の外方に向かうにつれて下方に向けて傾斜する流路傾斜面を有し、
   前記流路傾斜面の水平方向に対する傾斜角度は、前記カップ傾斜面の水平方向に対する傾斜角度以下である、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 前記気体を供給するガス供給部を更に有し、
   前記ガス供給部から供給される前記気体が前記気体流入口に流入する、請求項６又は請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記気体流入口は、前記遮蔽板の上面部に位置し、
   前記気体流路は、前記気体流入口と前記気体流出口とを連通し、
   前記ガス供給部は、前記気体を前記気体流入口に送り出すファンを有し、
   前記ファンは、前記遮蔽板の上面部に配置されている、請求項８に記載の基板処理装置。
10. 前記遮蔽部は、前記遮蔽板に固定される軸部をさらに有し、
    前記軸部は、前記中心軸を中心として前記遮蔽板と共に回転し、
    前記ファンは、前記軸部に挿通されて、前記遮蔽板の上方から吸入した前記気体を、前記中心軸に対する径方向に噴き出す、請求項９に記載の基板処理装置。
11. 前記ガス供給部は、前記ファンに対向するノズルを更に有し、
    前記ノズルは、前記遮蔽板の上面側から前記ファンに向けて前記気体を噴き出す、請求項９又は請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 前記遮蔽部は、前記遮蔽板に固定される軸部をさらに有し、
    前記軸部は、前記中心軸を中心として前記遮蔽板と共に回転し、
    前記遮蔽部は、前記軸部及び前記遮蔽板を貫通して前記中心軸に沿って延びる穴部を有し、
    前記処理液供給部は、前記処理液が流通する流通部を有し、
    前記流通部は、前記穴部に配置されており、
    前記ガス供給部は、前記流通部の外面と前記穴部を構成する壁面との間の隙間に前記気体を供給し、
    前記気体流入口は、前記穴部を構成する前記壁面に設けられる、請求項８に記載の基板処理装置。
13. 前記ガス供給部は、前記基板処理装置の天板部に配置されるファンフィルタユニットを有し、
    前記ファンフィルタユニットは、前記遮蔽板の上方から前記基板保持部に向かうダウンフローを発生させる、請求項８～請求項１２のいずれか１項に記載の基板処理装置。
14. 基板を水平に保持する基板保持部と、
    上下方向に延びる中心軸を中心として前記基板と前記基板保持部とを一体に回転させる基板回転部と、
    前記基板の上面に対向する遮蔽部と、
    前記遮蔽部を動作させる遮蔽部動作機構と、
    前記基板に処理液を供給する処理液供給部と、
    前記基板保持部の周囲に配置されて、前記処理液を受けるカップ部と
    を有し、
    前記遮蔽部は、前記カップ部の内壁面に向かう気体が流出する気体流出口を有し、
    前記遮蔽部は、
    前記基板の上面と対向する遮蔽板と、
    前記遮蔽板の上面部に配置されるノズルと
    を有し、
    前記ノズルの開口が、前記気体流出口であり、前記カップ部の内壁面と対向する、基板処理装置。
15. 前記遮蔽部動作機構は、前記遮蔽部を上昇又は下降させる遮蔽部移動機構を含む、請求項１～請求項１４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
16. 前記遮蔽部動作機構は、前記遮蔽部を回転させる遮蔽部回転機構を含む、請求項１～請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
17. 前記遮蔽部は、前記基板保持部と係合する複数の係合部を有し、
    前記遮蔽部は、前記複数の係合部が前記基板保持部と係合することにより前記基板保持部と一体となって回転する、請求項１～請求項１５のいずれか１項に記載の基板処理装置。
18. 基板を基板保持部によって保持する保持工程と、
    前記基板保持部と遮蔽部とを接近させる遮蔽部接近工程と、
    前記基板を前記基板保持部と共に回転させる回転工程と、
    前記遮蔽部の気体流出口から気体を流出させて、カップ部の内壁面に向かう気流を発生させる気流発生工程と、
    前記基板を処理液で処理する処理工程と
    を含み、
    前記遮蔽部は、前記基板の上面と対向する遮蔽板を有し、
    前記気流発生工程では、前記遮蔽板と前記基板保持部との間の空間を経由することなく、前記気体流出口から前記気体を前記カップ部の内壁面に向けて流出する、基板処理方法。
19. 前記気流発生工程では、前記気体は、前記遮蔽部の周縁部に位置している前記気体流出口から流出して、前記カップ部の内壁面に沿って流れる、請求項１８に記載の基板処理方法。
20. 前記カップ部は、前記基板よりも上方に位置するカップ上端部を有し、
    前記気流発生工程では、前記気体は、前記カップ上端部と近接している前記気体流出口から、前記カップ上端部に向けて流出する、請求項１９に記載の基板処理方法。

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