JPS63102234A - ウエハ乾燥方式 - Google Patents
ウエハ乾燥方式Info
- Publication number
- JPS63102234A JPS63102234A JP61247688A JP24768886A JPS63102234A JP S63102234 A JPS63102234 A JP S63102234A JP 61247688 A JP61247688 A JP 61247688A JP 24768886 A JP24768886 A JP 24768886A JP S63102234 A JPS63102234 A JP S63102234A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- tape
- pressure
- cleaning fluid
- cover
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は、ウェハ状態の半導体素子を多数のチップに
切断する際の洗浄・転帰工程に適用されるウェハ乾燥方
式に関するものである。
切断する際の洗浄・転帰工程に適用されるウェハ乾燥方
式に関するものである。
［従来の技術］
第２図は、従来のウェハ乾燥方式を示すものである。
同図において、（１）はウェハ、（２）はウェハ（１）
を貼り付けたテープ、（３）はテープ（２）を支持する
フレーム、（４）はテープ（２）およびフレーム（３）
を固定して回転させるためのテーブル、（５）は温風等
を吹き付けるためのノズルである。
を貼り付けたテープ、（３）はテープ（２）を支持する
フレーム、（４）はテープ（２）およびフレーム（３）
を固定して回転させるためのテーブル、（５）は温風等
を吹き付けるためのノズルである。
つぎに、動作について説明する。フレーム（３）に支持
されたテープ（２）にウェハ（１）を貼り付け、このウ
ェハ（１）を、ダイシング後の洗浄が終了した後にテー
ブル（４）に固定する。テーブル（４）を回転させるこ
とにより、ウェハ（１）を高速で回転させながら、ノズ
ル（５）よりウェハ表面に温風を吹き付けて洗浄時にウ
ェハ表面に付着した液（純水）を除去する。この後、さ
らに温風を吹き付け、ウェハ表面に吸着している洗浄液
を蒸発させる。
されたテープ（２）にウェハ（１）を貼り付け、このウ
ェハ（１）を、ダイシング後の洗浄が終了した後にテー
ブル（４）に固定する。テーブル（４）を回転させるこ
とにより、ウェハ（１）を高速で回転させながら、ノズ
ル（５）よりウェハ表面に温風を吹き付けて洗浄時にウ
ェハ表面に付着した液（純水）を除去する。この後、さ
らに温風を吹き付け、ウェハ表面に吸着している洗浄液
を蒸発させる。
［発明が解決しようとする問題点］
従来のウェハ乾燥方式は、洗浄液として純水を使用し、
常圧で乾燥させるため、洗浄液の８点以上まで加熱し、
短時間で洗浄液を完全に蒸発させるためには、１００℃
以上に昇温させる必要がある。一方、従来使用している
テープ（２）の＃熱温度は７０℃程度である。このため
、ウェハ（１）をテープ（２）に貼り付けた状態でダイ
シングを行なうテープダイシングにおいては、テープ（
２）の耐熱温度以下の温度で乾燥させねばならず、乾燥
に長面間を要するといった問題点があった。
常圧で乾燥させるため、洗浄液の８点以上まで加熱し、
短時間で洗浄液を完全に蒸発させるためには、１００℃
以上に昇温させる必要がある。一方、従来使用している
テープ（２）の＃熱温度は７０℃程度である。このため
、ウェハ（１）をテープ（２）に貼り付けた状態でダイ
シングを行なうテープダイシングにおいては、テープ（
２）の耐熱温度以下の温度で乾燥させねばならず、乾燥
に長面間を要するといった問題点があった。
この発明は上記従来の問題点を解消するためになされた
もので、ダイシング後に洗浄されたウェハの乾燥時間の
短縮化を図り得るウェハ乾燥方式を提供することを目的
とする。
もので、ダイシング後に洗浄されたウェハの乾燥時間の
短縮化を図り得るウェハ乾燥方式を提供することを目的
とする。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係るウェハ乾燥方式は、ウェハを貼り付けた
テープごと密閉し、ウェハおよびテープの周囲を減圧す
るとともに加熱するようにしたものである。
テープごと密閉し、ウェハおよびテープの周囲を減圧す
るとともに加熱するようにしたものである。
［作用］
この発明においては、ウェハおよびテープの周囲を減圧
してウェハを加熱するから、減圧効果によりウェハに吸
着された洗浄液の沸点が下げられることになり、したが
って、ウェハの乾燥が促進される。
してウェハを加熱するから、減圧効果によりウェハに吸
着された洗浄液の沸点が下げられることになり、したが
って、ウェハの乾燥が促進される。
［発明の実施例］
以下、この発明の実施例を図面にしたがって説明する。
第１図はこの発明に係るウェハ乾燥方式の一例を示すも
ので、従来のものと同一部所には同一符号を付して説明
を省略する。
ので、従来のものと同一部所には同一符号を付して説明
を省略する。
同図において、（６）はテープ（２）に貼り付けられた
ウェハ（１）等を加熱するためのヒートブロック、（７
）は上記ウェハ（１）の周囲を減圧するために上記ウェ
ハ（１）やテープ（２）等を被うカバーであり、上記ヒ
ートブロック（６）ならびにヒートブロック（６）との
接触部に設けられたシール用０リンク゛（９）縛ととも
に密閉構造体（９）を構成している。
ウェハ（１）等を加熱するためのヒートブロック、（７
）は上記ウェハ（１）の周囲を減圧するために上記ウェ
ハ（１）やテープ（２）等を被うカバーであり、上記ヒ
ートブロック（６）ならびにヒートブロック（６）との
接触部に設けられたシール用０リンク゛（９）縛ととも
に密閉構造体（９）を構成している。
つぎに動作について説明する。
従来方法と同様にウェハ（１）の表面に付着した洗浄液
を除去した後、フレーム（３）に支持されたテープ（２
）にウェハ（１）を貼り付け、これらをヒートブロック
（＆）上に載置し、上から密閉力、＜−ＣＴ）を被せる
。これにより、カバー＜ｒ’ｔ）内は密閉構造となる。
を除去した後、フレーム（３）に支持されたテープ（２
）にウェハ（１）を貼り付け、これらをヒートブロック
（＆）上に載置し、上から密閉力、＜−ＣＴ）を被せる
。これにより、カバー＜ｒ’ｔ）内は密閉構造となる。
カバー（ワ）内を真空で引き、減圧した後、ヒートブロ
ック（ｂ）で加熱すれば、ウェハ（１）に吸着した洗浄
液が蒸発される。すなわち、上記減圧効果により、洗浄
液の沸点が下げられ、これよりも高温でウェハ（１）を
加熱させることにより乾燥時間が早められるうえ、耐熱
温度が７０℃程度のテープ（２）であってもこれを変形
させたりするおそれもなくなる。
ック（ｂ）で加熱すれば、ウェハ（１）に吸着した洗浄
液が蒸発される。すなわち、上記減圧効果により、洗浄
液の沸点が下げられ、これよりも高温でウェハ（１）を
加熱させることにより乾燥時間が早められるうえ、耐熱
温度が７０℃程度のテープ（２）であってもこれを変形
させたりするおそれもなくなる。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれば、ダイシング後に洗浄さ
れたウェハおよびテープを密閉構造の中で減圧し、この
状態で加熱するようにしたから、テープ等を変形させる
ことなく、ウェハの乾燥に要する時間を短縮できる効果
がある。
れたウェハおよびテープを密閉構造の中で減圧し、この
状態で加熱するようにしたから、テープ等を変形させる
ことなく、ウェハの乾燥に要する時間を短縮できる効果
がある。
第１図はこの発明の一実施例によるウェハ乾燥方式を示
す概略構成図、第２図は従来のウェハ乾燥方式を示す概
略構成図である。 （１）・・・ウェハ、（２）・・・テープ、（ら）・・
・ヒートブロック、（３）・・・密閉構造体。 なお、図中、同一符号は同一もしくは相当部分を示す。
す概略構成図、第２図は従来のウェハ乾燥方式を示す概
略構成図である。 （１）・・・ウェハ、（２）・・・テープ、（ら）・・
・ヒートブロック、（３）・・・密閉構造体。 なお、図中、同一符号は同一もしくは相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）ウェハをテープに貼り付けた状態でダイシングを
行なつた後の該ウェハを洗浄液で洗浄し、ついでこのウ
ェハに付いた洗浄液を乾燥させる工程におけるウェハ乾
燥方式において、上記洗浄後のウェハおよびテープを密
閉構造の中で減圧し、上記洗浄液の沸点を下げてウェハ
を加熱することを特徴とするウェハ乾燥方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247688A JPS63102234A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | ウエハ乾燥方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247688A JPS63102234A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | ウエハ乾燥方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63102234A true JPS63102234A (ja) | 1988-05-07 |
Family
ID=17167163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61247688A Pending JPS63102234A (ja) | 1986-10-17 | 1986-10-17 | ウエハ乾燥方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63102234A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0358418A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-13 | Ebara Corp | ウェハ真空乾操装置 |
| JPH0358419A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-13 | Ebara Corp | ウェハ真空乾操装置 |
| JPH0426122A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Yoshihide Shibano | 水洗浄後の高集積度ワークの乾燥方法及び装置 |
-
1986
- 1986-10-17 JP JP61247688A patent/JPS63102234A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0358418A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-13 | Ebara Corp | ウェハ真空乾操装置 |
| JPH0358419A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-13 | Ebara Corp | ウェハ真空乾操装置 |
| JPH0426122A (ja) * | 1990-05-22 | 1992-01-29 | Yoshihide Shibano | 水洗浄後の高集積度ワークの乾燥方法及び装置 |
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