JP2005317637A

JP2005317637A - 基板処理方法及びその装置

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Publication number: JP2005317637A
Application number: JP2004131421A
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Inventors: Sozo Nagami; 宗三永見
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Filing date: 2004-04-27
Publication date: 2005-11-10
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Abstract

【課題】純水洗浄処理を工夫することにより、純水の消費量を低減するとともに、乾燥処理を同時に行って工数を低減することができる基板処理方法及びその装置を提供する。
【解決手段】薬液を供給して基板Ｗに対する薬液処理を行った後、処理槽１内に供給ノズル３９から過熱蒸気を供給して基板Ｗに対して純水洗浄処理を行う。過熱蒸気を用いたことにより、純水で直接的に洗浄するよりも消費量を極めて低減できる。過熱蒸気は高温低湿であるので、同時に基板Ｗを乾燥させることができる。その結果、この処理における純水の消費量を低減するとともに工数を低減することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）等の基板を処理する基板処理方法及びその装置に係り、特に、薬液処理と純水洗浄処理とを含む処理を行う技術に関する。

従来、この種の装置として、基板を処理槽に収容し、薬液を供給して薬液処理を施し、その薬液を排出した後、純水を処理槽に供給して貯留し、純水をオーバーフローさせつつ純水中に基板を浸漬することで純水洗浄処理を行う基板処理装置が例示される（例えば、特許文献１参照）。
特開平１１−１６２９２１号公報

しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。

すなわち、従来の装置は、基板に付着した薬液を除去するために長時間を要し、そのため純水を大量に供給する必要がある。したがって、大量の純水を消費するという問題がある。また、純水洗浄処理の後には、純水で濡れている基板を乾燥させるために必ず乾燥処理を行う必要があって、工数が増加するという問題がある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、純水洗浄処理を工夫することにより、純水の消費量を低減するとともに、乾燥処理を同時に行って工数を低減することができる基板処理方法及びその装置を提供することを目的とする。

本発明者は、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。

すなわち、薬液処理の後に行う純水洗浄処理において長時間を要するのは、基板表面の近傍に流れのない境界膜が生じていることが原因であることを知見した。つまり、境界膜に起因して基板表面と純水との馴染みが悪くなっているので、基板表面に付着している薬液を純水によって置換するのに時間がかかり、その結果として純水による基板の洗浄が長時間化しているのである。このような知見に基づく本発明は、次のように構成されている。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。

すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理方法において、薬液により基板の薬液処理を行った後、純水洗浄処理の際に純水を過熱した過熱蒸気により基板の処理を行うことを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項1に記載の発明によれば、純水洗浄処理時に過熱蒸気を使用する。過熱蒸気は、蒸気を沸点以上に熱して得られた蒸気であり、飽和蒸気よりも温度が高く、温度が多少下がっても復水しないという特性を有する。また、蒸気は液体に比較して凝集力が極めて小さいので、基板表面の近傍に生じる境界膜を薄くすることができる。したがって、この高温の過熱蒸気を基板に供給することにより、基板表面に付着している薬液を置換効率高く置換して清浄化することができる。さらに、過熱蒸気を用いたことにより、純水で洗浄するよりも消費量を極めて低減することができる。その上、過熱蒸気が純水に比較して高温低湿であるので、同時に基板を乾燥させることができる。その結果、純水の消費量を低減するとともに工数を低減することができる。

本発明において、前記純水洗浄処理は、最終の純水洗浄処理であることが好ましい（請求項２）。乾燥処理を同時に行うことができるので、薬液処理と純水洗浄処理とを含む一連の処理のうちの最終の純水洗浄処理に好適である。

本発明において、前記過熱蒸気は、１００〜１８０℃の温度範囲であることことが好ましい（請求項３）。純水の沸点が１００℃であるので、これ以上の温度であって、かつ過熱に要する負荷等が過大とならない１８０℃までの範囲で過熱蒸気を生成するのが好適である。より好ましくは、１６０〜１７０℃の温度範囲である。この程度の温度範囲であれば、蒸気の湿度にかかわらず同様の作用効果を奏しつつも過熱の負荷を抑制することができる。

また、請求項４に記載の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、薬液を貯留する処理槽と、前記処理槽内で基板を保持する保持機構と、前記処理槽へ薬液を供給する薬液供給系と、純水を過熱した過熱蒸気を基板へ供給する過熱蒸気供給系と、前記処理槽内の薬液液面と前記保持機構により保持された基板とを相対的に移動させる移動機構とを備え、前記処理槽内において薬液による基板の薬液処理を行った後、前記移動機構により前記処理槽内の薬液液面と前記保持機構により保持された基板とを相対的に移動させ、前記過熱蒸気供給系より過熱蒸気を基板へ供給させることを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項４に記載の発明によれば、保持機構によって基板が保持されている処理槽内に、薬液供給系から薬液を供給して基板に対する薬液処理を行った後、移動機構により基板を薬液液面に相対移動させ、過熱蒸気供給系から過熱蒸気を供給して純水洗浄処理を行う。したがって、高温の過熱蒸気を効率的に基板に作用させることができ、基板表面に付着している薬液を置換して清浄化することができる。また、過熱蒸気を用いたことにより、純水で洗浄するよりも消費量を極めて低減することができる。さらに、過熱蒸気が高温低湿であるので、同時に基板を乾燥させることができる。その結果、純水の消費量を低減するとともに工数を低減することができる。

また、請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の基板処理装置において、前記過熱蒸気供給系は、前記保持機構により前記処理槽内に保持された基板に過熱蒸気を供給し、前記移動機構は、前記処理槽に貯留された薬液を前記処理槽から排出する排出機構を有することを特徴とするものである。過熱蒸気供給系により処理槽内に過熱蒸気を供給するので、過熱蒸気の周囲への漏れを防止でき、効率的に過熱蒸気を基板に対して作用させることができる。また、排出機構により液面を下降させて基板を移動させるので、簡単な動作で移動させることができる。

また、請求項６に記載の発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置において、基板を保持する保持機構と、前記保持機構を回転させる駆動機構と、前記保持機構に保持されつつ回転している基板に薬液を供給する薬液供給系と、前記薬液供給系から薬液を基板に供給して基板の薬液処理を行った後、前記保持機構に保持されつつ回転している基板に純水を過熱した過熱蒸気を供給する過熱蒸気供給系と、を備えたことを特徴とするものである。

［作用・効果］請求項６に記載の発明によれば、薬液供給系から薬液を供給して薬液処理を行った後、保持機構で保持された回転されている基板に対して過熱蒸気供給系から過熱蒸気を供給して純水洗浄処理を行う。したがって、高温の過熱蒸気を効率的に基板に作用させることができ、基板表面に付着している薬液を除去して清浄化することができる。また、過熱蒸気を用いたことにより、純水で洗浄するよりも消費量を極めて低減することができる。さらに、過熱蒸気が高温低湿であるので、同時に基板を乾燥させることができる。その結果、純水の消費量を低減するとともに工数を低減することができる。

本発明において、前記過熱蒸気供給系からの過熱蒸気の供給は、最終の純水洗浄処理であることが好ましく（請求項７）、前記過熱蒸気供給系は、１００〜１８０℃の温度範囲で過熱することが好ましい（請求項８）。

本発明において、前記保持機構は、保持機構を加熱するための加熱部と、前記保持機構に対して出退可能な受け渡しピンとを備え、前記過熱蒸気供給系から過熱蒸気を供給する際には、前記受け渡しピンを進出させることが好ましい（請求項９）。保持機構を加熱部で加熱しておくことにより、過熱蒸気が保持機構に触れて復水して結露し、これが基板に触れて悪影響を及ぼすことを防止できる。また、受け渡しピンを進出させることにより、熱容量が大きな保持機構から基板を離間させることができるので、過熱蒸気が基板で復水して結露することを防止することができる。

本発明において、前記過熱蒸気供給系は、気体供給源を備え、過熱蒸気を供給する前に、前記過熱蒸気供給系から気体を供給することが好ましい（請求項１０）。過熱蒸気供給系の配管が結露していることがあっても、過熱蒸気を供給して洗浄・乾燥を行う前に、気体を過熱蒸気供給系から供給することにより、付着している結露水を排出した上で、洗浄・乾燥に移行することができる。なお、さらに好ましくは、吐出口までの配管に加熱部を備え、気体供給源からの気体を加熱して供給する。

本発明に係る基板処理方法によれば、薬液により基板の薬液処理を行った後、高温の過熱蒸気を基板に供給することにより、基板表面に付着している薬液を置換効率高く除去して清浄化することができる。さらに、過熱蒸気を用いたことにより、純水で洗浄するよりも消費量を極めて低減することができる。その上、過熱蒸気が純水に比較して高温低湿であるので、同時に基板を乾燥させることができる。その結果、純水の消費量を低減するとともに工数を低減することができる。

以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。

図１は、実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。

基板Ｗを処理する処理槽１は、内槽３と外槽５とを備えている。処理槽１は、全体がチャンバー７によって囲われている。このチャンバー７は、基板Ｗを搬入出するための図示しない搬送口を上部に備えているとともに、内部の気体を排出する配管及び開閉弁を備えた排気機構８を備えている。内槽３は、複数枚の基板Ｗをリフター９に保持したまま収容し、薬液等によって処理を施す。リフター９は、基板Ｗの下縁を当接支持するための三片からなる支持部材１１を背板１３の下部に備えている。図１中に描かれているリフター９は、内槽３中の処理位置にある状態を示しているが、この処理位置と、チャンバー７上方の待機位置との間で昇降自在に構成されている。

内槽３の底部両側には、薬液等を含む処理液を内槽３に供給するための注入管１５を備え、それらの間には排液口１７を備えている。この排液口１７には、排出管１９が連通されており、排出管１９には開閉弁２１が取り付けられている。外槽５の底部には、内槽３から溢れて回収した薬液等を排出するための排出口２３が備えられており、この排液口２３と注入管１５とは供給配管２５で連通接続されている。

本発明における薬液供給系に相当する供給配管２５は、上流側からミキシングバルブ２７と、ポンプ２９と、インラインヒータ３１と、フィルタ３３とを備えている。ミキシングバルブ２７の上流側には、純水供給源３５が連通接続され、ミキシングバルブ２７の注入側には薬液供給源３６が連通接続されている。薬液供給源３６は、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）をミキシングバルブ２７へ供給する。供給配管２５には、純水供給源３５からの純水に、ミキシングバルブ２７によって薬液が混合されてポンプ２９で圧送される。また、供給配管２５のうち排出口２３に近い部位には、排液用の分岐管３７が設けられており、この分岐管３７には開閉弁３８が設けられている。

内槽３の上縁部の上方には、本発明における過熱蒸気供給系に相当する供給ノズル３９が配備されている。この供給ノズル３９には、窒素供給源４１と蒸気供給源４３とに連通接続された配管４５が連通接続されている。この配管４５には、窒素供給を制御する開閉弁４７と、過熱蒸気の供給を制御する開閉弁４９とが設けられている。これらの開閉弁４７，４９の下流側には、加熱ヒータ５１が配設されている。

窒素供給源４１は、窒素としていわゆるドライＮ₂（dry N₂）を供給するものであり、予め加熱した窒素(ホットＮ₂（hot N₂））であってもよい。また、蒸気供給源４３は、純水を過熱して生成される過熱蒸気を供給する。蒸気供給源４３の構成としては、例えば、純水から蒸気を生成する蒸気生成ユニットと、蒸気生成ユニットからの蒸気をさらに純水の沸点以上に加熱して過熱蒸気を生成する加熱器とを備えるものや、純水から加熱器を通して一気に過熱蒸気を生成する過熱蒸気生成ユニットを備えるものが挙げられる。「過熱蒸気」は、蒸気を沸点以上に熱して得られた蒸気であり、飽和蒸気よりも温度が高く、温度が多少下がっても復水しないという特性を有する。その温度は、例えば、１００〜１８０℃の温度範囲であることが好ましい。純水の沸点が１００℃であるので、これ以上の温度であって、かつ過熱に要する負荷等が過大とならない１８０℃までの範囲で過熱蒸気を生成するのが好適である。より好ましくは、１６０〜１７０℃の温度範囲である。この程度の温度範囲であれば、蒸気の湿度にかかわらず同様の作用効果を奏しつつも過熱の負荷を抑制することができるからである。

加熱ヒータ５１は、窒素供給源４１から供給ノズル３９へと送り出されたドライＮ₂を再加熱するとともに、蒸気供給源４３から送り出された過熱蒸気を再加熱するために用いられる。但し、それぞれの供給源４１，４３から送り出された気体の温度が極端に低下しない場合には、この加熱ヒータ５１を備える必要はない。

次に、図２〜図５を参照して、上述した構成の基板処理装置による動作について説明する。図２〜図５は、基板処理装置の動作説明に供する図である。なお、以下の処理の前に、開閉弁４７を開放するとともに排気機構８を作動させ、ホットＮ₂でチャンバー７内の気体をパージしておくのが好ましい。

まず、純水供給源３５から純水を供給しつつミキシングバルブ２７において薬液を混合し、ポンプ２９で圧送しつつインラインヒータ３１で所定温度に加熱した処理液を内槽３に供給する。内槽３が処理液で満杯になった時点で、一旦はその供給を停止する。そして、処理対象である複数枚の基板Ｗを、リフター９によって起立姿勢で保持したまま、図２に示すように内槽３の中の処理位置に移動する。

次に、図３に示すように、処理液の供給を再開させ、薬液を内槽３から溢れさせて外槽５で回収した処理液を供給配管２５で循環させながら処理を行う。この状態を所定時間だけ維持することにより、基板Ｗに対して薬液処理が行われる。所定時間の薬液処理が終わると、まずポンプ２９等を停止して処理液の供給を遮断する。そして、開閉弁４７を開放するとともに、加熱ヒータ５１を作動させて供給ノズル３９からホットＮ₂を内槽３内に供給する。この後に過熱蒸気を供給するが、配管４５や供給ノズル３９内に付着している場合がある結露水を予め排出するために行う動作であり、結露水が付着する恐れがない場合には行う必要はない。

上記のように処理液による薬液処理が完了すると、図４に示すように、開閉弁２１を開放して内槽３内の処理液を排液口１７から排出するとともに、開閉弁４７を閉止して開閉弁４９を開放する。これにより、内槽３内に貯留している処理液の液面が次第に下降し、基板Ｗが上縁部から次第に露出してゆく。この露出した基板Ｗには、過熱蒸気が供給されることになるので、基板Ｗに付着している処理液が過熱蒸気によって置換されて除去される。このような状態を図５に示すように、処理液が内槽３の排液口１７から完全に排出されるまで行うとともに、所定時間だけ維持して乾燥処理を行う。さらに、開閉弁４９を閉止して開閉弁４７を開放して、ホットＮ₂を供給した後、リフター９を待機位置まで上昇させてチャンバー７から基板Ｗを搬出する。このような一連の処理により、基板Ｗに対して薬液処理と純水洗浄処理と乾燥処理を含む処理を行うことができる。

処理槽１内に供給配管２５から薬液を供給して基板Ｗに対する薬液処理を行った後、チャンバー７によって囲われている処理槽１内に供給ノズル３９から過熱蒸気を供給して基板Ｗに対して純水洗浄処理を行う。チャンバー７で囲われている処理槽１内に過熱蒸気を供給することにより、過熱蒸気の周囲への漏れを防止でき、効率的に過熱蒸気を基板Ｗに対して作用させることができる。したがって、高温の過熱蒸気を効率的に基板Ｗに作用させることができ、基板Ｗの表面に付着している薬液を除去して清浄化することができる。また、過熱蒸気を用いたことにより、純水で直接的に洗浄するよりも消費量を極めて低減することができる。さらに、過熱蒸気が高温低湿であるので、同時に基板Ｗを乾燥させることができる。その結果、この処理における純水の消費量を低減するとともに工数を低減することができる。

次に、図面を参照して本発明の実施例２について説明する。なお、図６は、実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。

上述した実施例１の基板処理装置は、複数枚の基板Ｗを一度に処理する、いわゆる「バッチ式」であったが、本実施例における基板処理装置は基板Ｗを一枚ずつ処理する、いわゆる「枚葉式」である点において相違する。

この装置は、基板Ｗを水平姿勢で支持するための保持機構６１と、この保持機構６１を囲うチャンバー６３とを備えている。保持機構６１は、基板Ｗの外径よりやや大なる外径を備えた部材を備え、平面視で正三角形の各頂点にあたる位置に貫通穴６５を備えている。また、内部には、保持機構６１を所定の温度に加熱するための加熱部６７を備えている。この加熱部６７による加熱は、例えば、４０℃程度で行われる。保持機構６１は、その底部に回転軸６９の一端側が連結されており、その他端側は回転モータ７１の回転軸に連結されている。

回転モータ７１の上部には、図示しない昇降機構により昇降される環状部材７３が配備されている。この環状部材７３の上面のうち、各貫通穴６５に対応する位置には、受け渡しピン７５が立設されている。この受け渡しピン７５は、環状部材７３の昇降に伴って昇降するが、その昇降範囲は、図に示すように保持機構６１の上面から先端部が没した待機位置と、保持機構６１の上面から先端部が突出した受け渡し位置との間である。また、受け渡しピン７５は、保持機構６１とともに回転可能に構成されている。

チャンバー６３には、内部の気体を排出するための排気機構７７を備えている。また、保持機構６１の上方には、チャンバー６３の側壁側にあたる待機位置と、保持機構６１の上方にあたる処理位置とにわたって進退自在に構成されている薬液供給ノズル７９と蒸気供給ノズル８１とが配備されている。

薬液供給ノズル７９には、例えば、フッ化水素酸（ＨＦ）を蒸気で供給するための薬液蒸気供給源８３に連通接続された配管８５が連通接続されており、蒸気供給ノズル８１には、窒素供給源８７と蒸気供給源８９に連通した配管９１が連通接続されている。配管８５には、薬液蒸気の供給を制御する開閉弁９３が配設され、配管９１には、窒素の供給を制御する開閉弁９５と過熱蒸気の供給を制御する開閉弁９７が配設されている。また、配管９１には、窒素供給源８７から供給されるドライＮ₂と蒸気供給源８９から供給される過熱蒸気とを再加熱するために使用される加熱ヒータ９９を備えている。蒸気供給源８９は、上述した実施例１と同様の温度範囲の過熱蒸気を供給する。

なお、上記の薬液供給ノズル７９は、本発明における薬液供給系に相当し、上記の蒸気供給ノズル８１は、本発明における過熱蒸気供給系に相当する。

次に、図７〜図９を参照して、上述した構成の基板処理装置の動作について説明する。図７〜図９は、基板処理装置の動作説明に供する図である。なお、以下の処理の前に、開閉弁９５を開放するとともに排気機構７７を作動させ、ホットＮ₂でチャンバー６３内の気体をパージしておくのが好ましい。

まず、受け渡しピン７５を上昇させて図示しない搬送手段から基板Ｗを受け取り、受け渡しピン７５を下降させて基板Ｗを保持機構６１に載置し、回転モータ７１を一定速度で回転させる（図７）。このときの回転数は、例えば、５０〜３００ｒｐｍである。そして、薬液供給ノズル７９を処理位置に進出させるとともに開閉弁９３を開放し、薬液蒸気供給源８３から薬液蒸気（例えば、フッ化水素酸ＨＦの蒸気）を基板Ｗの上面全体にわたって供給する。なお、このとき加熱部６７による加熱を行っておき、保持機構６１ごと基板Ｗを所定温度に保つようにしてもよい。これを所定時間だけ行うことにより、基板Ｗに対して薬液処理が行われる。なお、薬液処理中の間、開閉弁９５を開放してホットＮ₂をチャンバー６３内に導入して内部気体をパージし続けるようにしてもよく、遅くとも次の過熱蒸気を供給する前にホットＮ２を供給して配管９１及び蒸気供給ノズル８１内の結露水を排出しておくのが好ましい。なお、排出された結露水は、保持機構６１の周辺を通って外部に排出されるので、基板Ｗには悪影響が及ばない。但し、基板Ｗ上に達したとしても薬液蒸気による処理中であるので、結露水が基板Ｗに大きな悪影響を及ぼすことはない。

次に、受け渡しピン７５を上昇させて基板Ｗを保持機構６１から離間させる。そして、開閉弁９３を閉止するとともに薬液供給ノズル７９を待機位置に戻し、さらに蒸気供給ノズル８１を処理位置に進出させるとともに、開閉弁９５を閉止して開閉弁９７を開放する（図８）。これにより、基板Ｗの上面に過熱蒸気が供給されて、その上面に付着している薬液が置換除去されて純水洗浄処理及び乾燥処理が行われる。ここで基板Ｗを離間させているのは、熱容量が大きな保持機構６１によって過熱蒸気の熱が奪われ、基板Ｗに結露するのを防止するためである。したがって、加熱部６７により基板Ｗを１００℃以上に加熱している場合には結露しにくいので、必ずしも基板Ｗを離間させる必要はない。なお、このときの回転数は、上記の回転数と同じでもよいが、離間された基板Ｗの安定性を考慮して、例えば、５０〜２００ｒｐｍである。

上述のように過熱蒸気による処理を一定時間だけ行った後、開閉弁９７を閉止するとともに開閉弁９５を開放して、図９に示すように基板Ｗに対してホットＮ₂を一定時間だけ供給して処理を完了する。その後、回転モータ７１を停止させ、開閉弁９５を閉止してホットＮ₂の供給を停止するとともに蒸気供給ノズル８１を待機位置に待避させた後、受け渡しピン７５により上昇されている基板Ｗを搬出させる。

このように、薬液供給ノズル７９から薬液を供給して薬液処理を行った後、チャンバー６３によって囲われている保持機構６１に蒸気供給ノズル８１から過熱蒸気を供給して純水洗浄処理を行う。チャンバー６３で囲われている保持機構６１に過熱蒸気を供給することにより、過熱蒸気の周囲への漏れを防止でき、効率的に過熱蒸気を基板Ｗに対して作用させることができる。したがって、高温の過熱蒸気を効率的に基板Ｗに作用させることができ、基板Ｗの表面に付着している薬液を除去して清浄化することができる。また、過熱蒸気を用いたことにより、純水で洗浄するよりも消費量を極めて低減することができる。さらに、過熱蒸気が高温低湿であるので、同時に基板Ｗを乾燥させることができる。その結果、純水の消費量を低減するとともに工数を低減することができる。

＜変形例＞
上記実施例２の変形例について、図１０を参照して説明する。

上述した実施例２の装置は、薬液蒸気を供給して薬液処理を行う構成となっているが、本変形例装置は薬液を蒸気ではなく液体のまま供給する構成を採用している。なお、蒸気の構成と同じ構成については、同符号を付すことで詳細な説明については省略する。

基板Ｗを保持する保持手段１０１は、基板Ｗの形より小径の円盤状を呈する部材で構成されている。この保持機構１０１は、飛散防止カップ１０３によって周囲が囲われている。保持機構１０１の上方には、薬液供給ノズル１０５が配備され、これは配管８５を介して薬液供給源１０７に連通接続されている。薬液供給源１０７は、薬液を液体状のまま供給する。

このような構成の基板処理装置では、基板Ｗを回転させつつ薬液供給源１０７から薬液を液体のまま供給し、薬液を遠心力で周囲に振り切りつつ薬液処理を行う。振り切られた薬液は、飛散防止カップ１０３によって回収される。その後の純水洗浄処理は、上述した装置と同様に行えばよい。つまり、受け渡しピン７５によって基板Ｗを上昇させ、過熱蒸気を基板Ｗに対して供給する。このように薬液を液体のまま基板Ｗに対して供給する構成であっても実施例２と同様の効果を奏する。

本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した各実施例では、フッ化水素酸（ＨＦ）を薬液として供給する薬液処理を例に採って説明しているが、上記の処理において使用可能な薬液としては、以下のものが挙げられる。

ＳＣ１（アンモニア、過酸化水素水、純水の混合液）
ＳＣ２（塩酸、過酸化水素水、純水の混合液）
ＳＰＭ（硫酸、過酸化水素水の混合液）
ＢＨＦ（緩衝フッ酸溶液）
燐酸（Ｈ３ＰＯ４）
（２）上述した各実施例では、円形状の基板Ｗを例に採って説明しているが、本発明は角形基板にも適用することができる。

（３）上記の各実施例は、全てチャンバーを備えているが、例えば、緩やかなダウンフローを基板に付与する構成を備え、過熱蒸気が基板の上方から下方に流下して周囲に漏れ出さない構成を備えている場合には、チャンバーを備える必要はない。

（４）上述した実施例においては、過熱蒸気による処理を最終純水洗浄・乾燥として適用しているが、最終ではない純水洗浄処理においても適用することができる。

実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。基板処理装置の動作説明に供する図である。基板処理装置の動作説明に供する図である。基板処理装置の動作説明に供する図である。基板処理装置の動作説明に供する図である。実施例２に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。基板処理装置の動作説明に供する図である。基板処理装置の動作説明に供する図である。基板処理装置の動作説明に供する図である。変形例に係る基板処理装置の概略構成を示すブロック図である。

符号の説明

Ｗ … 基板
１ … 処理槽
３ … 内槽
５ … 外槽
７ … チャンバー
９ … リフター
２５ … 供給配管２５（薬液供給系）
３５ … 純水供給源
３７ … 薬液供給源
３９ … 供給ノズル（過熱蒸気供給系）
４３ … 蒸気供給源
４５ … 配管
５１ … 加熱ヒータ

Claims

基板に所定の処理を行う基板処理方法において、
薬液により基板の薬液処理を行った後、純水洗浄処理の際に純水を過熱した過熱蒸気により基板の処理を行うことを特徴とする基板処理方法。
請求項１に記載の基板処理方法において、
前記純水洗浄処理は、最終の純水洗浄処理であることを特徴とする基板処理方法。
請求項１または２に記載の基板処理方法において、
前記過熱蒸気は、１００〜１８０℃の温度範囲であることを特徴とする基板処理方法。
基板に所定の処理を行う基板処理装置において、
薬液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内で基板を保持する保持機構と、
前記処理槽へ薬液を供給する薬液供給系と、
純水を過熱した過熱蒸気を基板へ供給する過熱蒸気供給系と、
前記処理槽内の薬液液面と前記保持機構により保持された基板とを相対的に移動させる移動機構とを備え、
前記処理槽内において薬液による基板の薬液処理を行った後、前記移動機構により前記処理槽内の薬液液面と前記保持機構により保持された基板とを相対的に移動させ、前記過熱蒸気供給系より過熱蒸気を基板へ供給させることを特徴とする基板処理装置。
請求項４に記載の基板処理装置において、
前記過熱蒸気供給系は、前記保持機構により前記処理槽内に保持された基板に過熱蒸気を供給し、
前記移動機構は、前記処理槽に貯留された薬液を前記処理槽から排出する排出機構を有することを特徴とする基板処理装置。
基板に所定の処理を行う基板処理装置において、
基板を保持する保持機構と、
前記保持機構を回転させる駆動機構と、
前記保持機構に保持されつつ回転している基板に薬液を供給する薬液供給系と、
前記薬液供給系から薬液を基板に供給して基板の薬液処理を行った後、前記保持機構に保持されつつ回転している基板に純水を過熱した過熱蒸気を供給する過熱蒸気供給系と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
請求項４から６のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記過熱蒸気供給系からの過熱蒸気の供給は、最終の純水洗浄処理であることを特徴とする基板処理装置。
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記過熱蒸気供給系は、１００〜１８０℃の温度範囲で過熱することを特徴とする基板処理装置。
請求項５から７のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記保持機構は、保持機構を加熱するための加熱部と、前記保持機構に対して出退可能な受け渡しピンとを備え、
前記過熱蒸気供給系から過熱蒸気を供給する際には、前記受け渡しピンを進出させることを特徴とする基板処理装置。
請求項４から９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記過熱蒸気供給系は、気体供給源を備え、
過熱蒸気を供給する前に、前記過熱蒸気供給系から気体を供給することを特徴とする基板処理装置。