TWI757514B - 基板處理方法及基板處理裝置 - Google Patents

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中澤貴士
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Abstract

[課題] 使從晶圓的中心部至周緣部之蝕刻量的面內均勻性提升。 　　[解決手段] 實施形態之基板處理方法，係包含有：溫溶解工程；及蝕刻工程。低溫溶解工程，係使氧溶解於鹼性水溶液，該鹼性水溶液，係冷卻成比起室溫更低之預定溫度。蝕刻工程，係將溶解了氧之鹼性水溶液供給至基板，蝕刻基板。

Description

基板處理方法及基板處理裝置
所揭示之實施形態，係關於基板處理方法及基板處理裝置。
以往，已知一種在半導體之製造工程中，藉由將鹼性水溶液供給至半導體晶圓(以下，亦稱為晶圓)等的基板之方式，蝕刻被形成於基板上之多晶矽層的基板處理方法(參閱專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開平9-246254號公報
[本發明所欲解決之課題]
然而，在以往的基板處理方法中，係存在有從晶圓的中心部至周緣部之蝕刻量的面內均勻性不充分之問題。
實施形態之一態樣，係有鑑於上述而進行研究者，以提供一種可使從晶圓的中心部至周緣部之蝕刻量的面內均勻性提升之基板處理方法及基板處理裝置為目的。 [用以解決課題之手段]
實施形態之一態樣的基板處理方法，係包含有：低溫溶解工程；及蝕刻工程。前述低溫溶解工程，係使氧溶解於鹼性水溶液，該鹼性水溶液，係冷卻成比起室溫更低之預定溫度。前述蝕刻工程，係將溶解了氧之前述鹼性水溶液供給至基板，蝕刻前述基板。 [發明之效果]
根據實施形態之一態樣，可使從晶圓的中心部至周緣部之蝕刻量的面內均勻性提升。
以下，參閱添附圖面，詳細地說明本申請案所揭示之基板處理方法及基板處理裝置的實施形態。另外，該發明並不受以下所示的實施形態所限定。
＜基板處理系統之概要＞ 　　首先，參閱圖1，說明關於實施形態之基板處理系統1的概略構成。圖1，係表示實施形態之基板處理系統1之概略構成的圖。在以下中，係為了明確位置關係，而規定相互正交之X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向設成為垂直向上方向。
如圖1所示，基板處理系統1，係具備有搬入搬出站2與處理站3。搬入搬出站2與處理站3，係鄰接設置。
搬入搬出站2，係具備有載體載置部11與搬送部12。在載體載置部11，係載置有複數個載體C，該載體C，係以水平狀態收容複數片基板，本實施形態中為半導體晶圓W(以下，稱為晶圓W)。
搬送部12，係鄰接設置於載體載置部11，在內部具備有基板搬送裝置13與收授部14。基板搬送裝置13，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置13，係可朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，使用晶圓保持機構，在載體C與收授部14之間進行晶圓W之搬送。
處理站3，係鄰接設置於搬送部12。處理站3，係具備有搬送部15與複數個處理單元16。複數個處理單元16，係被並排設置於搬送部15的兩側。
搬送部15，係在內部具備有基板搬送裝置17。基板搬送裝置17，係具備有保持晶圓W的晶圓保持機構。又，基板搬送裝置17，係可朝水平方向及垂直方向移動和以垂直軸為中心旋轉，使用晶圓保持機構，在收授部14與處理單元16之間進行晶圓W之搬送。
處理單元16，係對藉由基板搬送裝置17所搬送之晶圓W進行預定的基板處理。在該處理單元16，係連接有使氧溶解於鹼性水溶液L且供給至處理單元16的低溫溶解部70，該鹼性水溶液L，係冷卻成比起室溫更低之預定溫度。處理單元16及低溫溶解部70之構成例，係如後所述。
又，基板處理系統1，係具備有控制裝置4。控制裝置4，係例如電腦，具備有控制部18與記憶部19。在記憶部19，係儲存有控制在基板處理系統1所執行之各種處理的程式。控制部18，係藉由讀出並執行被記憶於記憶部19之程式的方式，控制基板處理系統1的動作。
另外，該程式，係被記錄於可藉由電腦而讀取的記憶媒體者，且亦可為從該記憶媒體被安裝於控制裝置4的記憶部19者。作為可藉由電腦而讀取之記憶媒體，係例如有硬碟(HD)、軟碟片(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。
在如上述所構成的基板處理系統1中，係首先，搬入搬出站2之基板搬送裝置13從被載置於載體載置部11的載體C取出晶圓W，並將取出的晶圓W載置於收授部14。載置於收授部14之晶圓W，係藉由處理站3的基板搬送裝置17，從收授部14被取出且搬入至處理單元16。
搬入至處理單元16之晶圓W，係在藉由處理單元16予以處理後，藉由基板搬送裝置17，從處理單元16被搬出且載置於收授部14。而且，載置於收授部14之處理完畢的晶圓W，係藉由基板搬送裝置13，返回到載體載置部11之載體C。
＜處理單元及低溫溶解部之概要＞ 　　其次，參閱圖2，說明關於處理單元16及低溫溶解部70之概要。圖2，係表示處理單元16及低溫溶解部70之構成的示意圖。如圖2所示般，處理單元16，係具備有腔室20、基板保持機構30、處理流體供給部40及回收罩杯50。
腔室20，係收容有基板保持機構30、處理流體供給部40及回收罩杯50。在腔室20之頂部，係設置有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU 21，係在腔室20內形成下降流。
基板保持機構30，係具備有保持部31、支柱部32及驅動部33。保持部31，係水平地保持晶圓W。支柱部32，係延伸於垂直方向之構件，藉由驅動部33可旋轉地支撐基端部，在前端部水平地支撐保持部31。驅動部33，係使支柱部32繞著垂直軸周圍旋轉。
該基板保持機構30，係藉由使用驅動部33來使支柱部32旋轉的方式，使被支撐於支柱部32之保持部31旋轉，藉此，使被保持於保持部31的晶圓W旋轉。
處理流體供給部40，係供給部之一例，對晶圓W供給處理流體。又，處理流體供給部40，係被連接於低溫溶解部70。
回收罩杯50，係被配置為包圍保持部31，捕捉因保持部31之旋轉而從晶圓W飛散的處理液。在回收罩杯50之底部，係形成有排液口51，藉由回收罩杯50所捕捉之處理液，係從該排液口51被排出至處理單元16的外部。又，在回收罩杯50之底部，係形成有將從FFU 21所供給之氣體排出至處理單元16之外部的排氣口52。
低溫溶解部70，係具有藥液貯藏容器71、循環管線72、泵73、溫度調節器74及起泡管線75。
在藥液貯藏容器71，係貯藏有被使用作為蝕刻液之鹼性水溶液L。該鹼性水溶液L，係例如包含有TMAH(TetraMethylAmmonium Hydroxide：氫氧化四甲基銨)、膽鹼水溶液、KOH(氫氧化鉀)水溶液及氨水中的至少1個。
在藥液貯藏容器71，係連接有使所儲存之鹼性水溶液L循環的循環管線72。該循環管線72被連接於上述的處理流體供給部40。
在循環管線72，係設置有泵73與溫度調節器74。而且，藉由該溫度調節器74而被冷卻成比起室溫更低之預定溫度的鹼性水溶液L，係藉由泵73循環於循環管線72。而且，在藥液貯藏容器71，係設置有起泡管線75，該起泡管線75，係藉由使氧氣起泡的方式，使氧溶解於所儲存之鹼性水溶液L。
藉由至此為止所說明之低溫溶解部70，進行使氧溶解於鹼性水溶液L的低溫溶解處理，該鹼性水溶液L，係被冷卻成比起室溫更低之預定溫度。又，在從該低溫溶解部70起被連接至處理流體供給部40之鹼性水溶液L的供給管線，係設置有對通過該供給管線之鹼性水溶液L進行升溫的線內加熱器(in-line heater)80。
其次，參閱圖3，說明關於處理單元16之具體構成例。圖3，係表示處理單元16之具體構成例的示意圖。另外，在圖3中，係省略線內加熱器80之記載。
如圖3所示般，在基板保持機構30所具備之保持部31的上面，係設置有從側面保持晶圓W之保持構件311。晶圓W，係在藉由該保持構件311而從保持部31之上面些許間隔開的狀態下，被水平保持。另外，晶圓W，係在使進行蝕刻處理之表面朝向上方的狀態下，被保持於保持部31。
處理流體供給部40，係具備有：複數個(在此，係3個)噴嘴41a、41b、41c；支臂42，水平地支撐該噴嘴41a、41b、41c；及旋轉升降機構43，使支臂42旋轉及升降。
噴嘴41a，係經由閥44a與流量調整器45a被連接於上述的低溫溶解部70。噴嘴41b，係經由閥44b與流量調整器45b被連接於DIW供給源46b。DIW(DeIonized Water：去離子水)，係例如被使用於沖洗處理。噴嘴41c，係經由閥44c與流量調整器45c被連接於DHF供給源46c。DHF(Diluted HydroFluoric acid：稀釋氫氟酸水溶液)，係例如被使用於氧化膜去除處理。
從噴嘴41a，係吐出藉由低溫溶解部70所供給的鹼性水溶液L。從噴嘴41b，係吐出藉由DIW供給源46b所供給的DIW。從噴嘴41c，係吐出藉由DHF供給源46c所供給的DHF。另外，藉由使圖2所示之線內加熱器80動作的方式，可使鹼性水溶液L升溫且吐出。
處理單元16，係更具備有下面供給部60。下面供給部60，係被插通於保持部31及支柱部32之中空部321。在下面供給部60之內部，係形成有延伸於上下方向的流路61，在該流路61，係經由流量調整器63a、加熱部65a及閥62a而連接有DIW供給源64a。又，在該流路61，係經由流量調整器63b、加熱部65b及閥62b而連接有TMAH供給源64b。
從DIW供給源64a所供給之DIW，係藉由加熱部65a被加熱成比起室溫更高的溫度且供給至流路61。又，從TMAH供給源64b所供給之TMAH，係藉由加熱部65b被加熱成比起室溫更高的溫度且供給至流路61。
使用至此為止所說明之處理單元16，進行鹼性水溶液L所致之晶圓W的蝕刻處理。在此，實施形態之蝕刻處理，係如下述般地進行：以低溫溶解部70冷卻成比起室溫更低之預定溫度，在該冷卻的狀態下，將溶解了氧之鹼性水溶液L供給至晶圓W。
圖4，係表示鹼性水溶液L之氧溶解溫度與蝕刻量之面內分布之關係的圖，且表示在徑方向上測定了蝕刻處理後之晶圓W表面中之蝕刻量的結果。另外，圖4，係使用了TMAH作為鹼性水溶液L之情況下的結果，且表示將噴嘴41a固定於晶圓W之中央上方，從該噴嘴41a吐出了鹼性水溶液L之情況下的蝕刻量。
如圖4所示般，與使用了在室溫(25℃)下被氧溶解處理之鹼性水溶液L的情形相比，藉由使用在比起室溫更低之溫度即20℃及18℃下被氧溶解處理之鹼性水溶液L的方式，可使從晶圓W的中心部至周緣部之蝕刻量的面內均勻性提升。尤其是，當使用了在更低溫即18℃下被氧溶解處理之鹼性水溶液L的情況中，係可使蝕刻量的面內均勻性更提升。
接著，參閱圖5~圖7，說明關於獲得了圖4所示之結果的主要原因。圖5，係表示鹼性水溶液L中之氧氣之起泡時間與溶存氧濃度之關係的圖，且為使用了TMAH作為鹼性水溶液L之情況下的結果。
如圖5所示般，即便在循環溫度為任一的情況下，若使氧氣起泡15分~20分左右時，則鹼性水溶液L中之溶存氧亦成為飽和狀態。而且，在該溶存氧的飽和狀態中，當將循環溫度設成為比起室溫(25℃)更低之溫度的情況下，係與將循環溫度設成為室溫以上的情況相比，可使溶存氧濃度增加。
圖6，係用以說明關於參考例1中之晶圓W之表面狀態的圖。圖6，係例如表示了關於循環溫度為室溫以上，且鹼性水溶液L中之溶存氧量不充分之情況下的圖。如同先前所說明過，當朝向晶圓W之中心部吐出了鹼性水溶液L的情況下，在晶圓W之中心部，係鹼性水溶液L中之氧濃度變得比較濃。
另一方面，當該鹼性水溶液L朝向晶圓W之周緣部擴展之際，液中之氧，係與晶圓W表面的多晶矽層反應而形成SiO2 膜，且氧濃度慢慢地變薄。在此，由於在參考例1中，係鹼性水溶液L中之溶存氧量不充分，因此，如圖6(a)所示般，至少在晶圓W之周緣部側，係液中之氧幾乎耗盡。藉此，在晶圓W之周緣部側，係多晶矽層之表面並未形成SiO2 膜而成為露出了多晶矽層的狀態。
在此，當使用TMAH作為鹼性水溶液L的情況下，由於該TMAH中之多晶矽的蝕刻速率，係大於SiO2 的蝕刻速率，因此，如圖6(b)所示般，蝕刻在SiO2 膜上不怎麼進展，另一方面，蝕刻在露出的多晶矽上進展。亦即，在參考例1中，係與晶圓W之中心部相比，由於蝕刻在周緣部側上進展，因此，難以使蝕刻量的面內均勻性提升。
圖7，係用以說明關於實施形態之晶圓W之表面狀態的圖。圖7，係例如表示了關於鹼性水溶液L之循環溫度為比起室溫更低的預定溫度，且鹼性水溶液L中之溶存氧量充分之情況下的圖。
與參考例1相同地，即便在實施形態中，當鹼性水溶液L從晶圓W的中心部朝向周緣部擴展之際，液中之氧，係亦與晶圓W表面的多晶矽層反應而形成SiO2 膜，且氧濃度慢慢地變薄。然而，由於在實施形態中，係鹼性水溶液L中之溶存氧量充分，因此，即便在晶圓W之周緣部側，液中之氧亦不會耗盡。
藉此，如圖7(a)所示般，在晶圓W的整個區域中，SiO2 膜被均等地形成於多晶矽層上，如圖7(b)所示般，在晶圓W的整個區域中，該SiO2 膜均等地成長。因此，由於在實施形態中，係可使蝕刻從晶圓W的中心部至周緣部均等地進展，因此，可使蝕刻量的面內均勻性提升。
＜蝕刻處理之處理條件＞ 　　接著，說明關於實施形態中之蝕刻處理的處理條件。圖8A，係表示參考例2中之蝕刻量之面內分布的圖；圖8B，係表示實施形態之蝕刻量之面內分布的圖。
在此，圖8A，係表示在不含有氧之氛圍下(在此，係氮環境)進行蝕刻處理時的面內分布；圖8B，係表示在含有氧之氛圍下(在此，係大氣條件下)進行蝕刻處理時的面內分布。另外，該蝕刻處理，係與上述相同地，使用TMAH作為鹼性水溶液L而進行。
如圖8A及圖8B所示般，與在不含有氧之氛圍下進行蝕刻處理的情況相比，藉由在含有氧之氛圍下進行蝕刻處理的方式，可使從晶圓W的中心部至周緣部之蝕刻量的面內均勻性提升。這是表示，如圖7(a)等所示般，氛圍中所含有的氧亦從鹼性水溶液L之表面溶入，藉此，將氧施加至鹼性水溶液L中，抑制液中之氧在晶圓W的周緣部側耗盡。
亦即，根據實施形態，藉由在含有氧之氛圍下進行蝕刻處理的方式，可使晶圓W的中心部至周緣部之蝕刻量的面內均勻性更提升。
圖9，係表示氧化膜去除處理後之待機時間與蝕刻量之關係的圖；且為使用TMAH作為鹼性水溶液L的情況之例子。如同先前所說明過，當使用TMAH作為鹼性水溶液L的情況下，由於該TMAH中之多晶矽的蝕刻速率，係大於SiO2 的蝕刻速率，因此，無法忽視被形成多晶矽層的表面之自然氧化膜的影響。
因此，如圖9所示般，在蝕刻處理之前，進行該自然氧化膜的去除處理後直至進行TMAH所致之蝕刻處理為止的待機時間越長，則導致蝕刻量越下降。
圖10，係表示氧化膜去除處理後之待機時間與蝕刻量之面內分布之關係的圖。如圖10所示般，在蝕刻處理之前，進行自然氧化膜的去除處理後直至進行TMAH所致之蝕刻處理為止的待機時間越長，則導致蝕刻量的面內均勻性亦越下降。
因此，根據實施形態，在進行蝕刻處理的處理單元16中，只要在蝕刻處理之前進行自然氧化膜的去除處理即可。藉此，由於可抑制被形成於多晶矽層的表面之自然氧化膜的影響，因此，可穩定地進行TMAH所致之蝕刻處理。
而且，根據實施形態，在處理單元16中，只要在進行自然氧化膜的去除處理後，於預先設定的時間內進行TMAH所致之蝕刻處理即可。藉此，由於可將自然氧化膜的影響抑制成最小限度，因此，可更穩定地進行TMAH所致之蝕刻處理。
在實施形態中，係使用TMAH作為鹼性水溶液L為較佳。藉由使用TMAH的方式，即便在維持原樣使用以低溫溶解處理而成為了低溫狀態之蝕刻液的情況下，亦可以高蝕刻速率蝕刻多晶矽層。
而且，在實施形態中，係在低溫溶解處理後，在蝕刻處理之前或與蝕刻處理同時地進行使鹼性水溶液L升溫的升溫處理即可。藉此，由於可使蝕刻反應之反應速度常數，因此，可使蝕刻速率更增加。
實施形態之升溫處理，係例如使被設置於鹼性水溶液L之供給管線的線內加熱器80升溫，藉此，只要使供給鹼性水溶液L之供給管線升溫即可。又，實施形態之升溫處理，係例如亦可使供給鹼性水溶液L的晶圓W升溫來進行。
該晶圓W之升溫，係例如亦可將藉由加熱部65a所加熱之DIW吐出至晶圓W的背面來進行，或亦可將藉由加熱部65b所加熱之TMAH吐出至晶圓W的背面來進行。藉由使用該些手法的方式，可進行鹼性水溶液L之升溫處理而不需大幅變更基板處理系統1的構成。因此，根據實施形態，可以低成本來進行鹼性水溶液L之升溫處理。
另外，雖考慮藉由使鹼性水溶液L升溫的方式，使液中之溶存氧濃度減少，但在供給管線內，由於鹼性水溶液L，係周圍被供給管覆蓋，因此，溶存氧不會被放出至外部。又，由於在晶圓W上，係蝕刻在溶存氧被放出至外部之前進展，因此，可將液中之溶存氧濃度下降的影響抑制成最小限度。
又，實施形態之蝕刻處理，係亦可將吐出鹼性水溶液L之噴嘴41a固定於晶W的中央上方來進行，或亦可一面使該噴嘴41a以預定動作移動，一面吐出鹼性水溶液L來進行。
另外，在實施形態中，係即便在將噴嘴41a固定於晶圓W之中央上方來進行的情況下，亦如圖4所示般，可良好地保持從晶圓W的中心部至周緣部之蝕刻量的面內均勻性。因此，根據實施形態，將噴嘴41a固定於晶圓W之中央上方，進行蝕刻處理，藉此，可簡化蝕刻處理的配方。
＜基板處理之程序＞ 　　接著，參閱圖11，說明關於實施形態之基板處理的程序。圖11，係表示基板處理系統1所執行之基板處理之程序的流程圖。
如圖11所示般，在處理單元16中，係首先，進行搬入處理(步驟S101)。在搬入處理中，係控制部18控制基板搬送裝置17，使晶圓W搬入至處理單元16的腔室20內。晶圓W，係在使被蝕刻處理之表面朝向上方的狀態下，被保持於保持構件311。其後，控制部18，係控制驅動部33，使基板保持機構30以預定旋轉速度旋轉。
其次，在處理單元16中，係進行氧化膜去除處理(步驟S102)。在氧化膜去除處理中，係控制部18使處理流體供給部40之噴嘴41c移動至晶圓W的中央上方。其後，控制部18將閥44c開放一預定時間，藉此，對晶圓W之表面供給蝕刻液即DHF。
供給至晶圓W之表面的DHF，係藉由伴隨著晶圓W之旋轉的離心力，擴展於晶圓W之表面整體。藉此，藉由DHF，去除被形成於晶圓W之多晶矽層的自然氧化膜。在該氧化膜去除處理中，係例如只要去除被形成於多晶矽層的自然氧化膜20(Å)左右即可。
其次，在處理單元16中，係進行沖洗處理(步驟S103)。在沖洗處理中，係控制部18使處理流體供給部40之噴嘴41b移動至晶圓W的中央上方，並將閥44b開放一預定時間，藉此，將DIW供給至晶圓W的表面。
供給至晶圓W之表面的DIW，係藉由伴隨著晶圓W之旋轉的離心力，擴展於晶圓W之表面整體。藉此，殘存於晶圓W之表面的DHF被置換成DIW。
與至此為止所說明之步驟S101~S103的處理平行地，在低溫溶解部70中，係進行低溫溶解處理(步驟S104)。在低溫溶解處理中，係控制部18控制泵73、溫度調節器74及起泡管線75等，使氧溶解於鹼性水溶液L，該鹼性水溶液L，係被冷卻成比起室溫更低之預定溫度。
在該低溫溶解處理中，係以使鹼性水溶液L內之溶存氧飽和的方式，使氧溶解即可。藉此，由於可抑制液中之氧在晶圓W的周緣部側耗盡之情形，因此可使蝕刻量的面內均勻性更提升。
接續於該低溫溶解處理，在基板處理系統1中，係進行升溫處理(步驟S105)。在升溫處理中，係例如控制部18使線內加熱器80升溫，藉此，通過供給管線，使被吐出至晶圓W的鹼性水溶液L升溫。在該情況下，升溫處理，係如圖11所示般，在後述的蝕刻處理之前而進行。
另外，該升溫處理，係亦可與後述之蝕刻處理同時地進行。該情況下，係控制部18將閥62a或閥62b開放一預定時間，藉此，只要將經加熱之DIW或TMAH供給至晶圓W的背面即可。
而且，在處理單元16中，係進行蝕刻處理(步驟S106)。在蝕刻處理中，係控制部18使處理流體供給部40之噴嘴41a移動至晶圓W的中央上方。其後，控制部18將閥44a開放一預定時間，藉此，對晶圓W之表面供給蝕刻液即鹼性水溶液L。
供給至晶圓W之表面的鹼性水溶液L，係藉由伴隨著晶圓W之旋轉的離心力，擴展於晶圓W之表面整體。藉此，藉由鹼性水溶液，蝕刻晶圓W之多晶矽層。
另外，實施形態之蝕刻處理，係在步驟S103的處理後，於預定時間內進行即可，又，在含有氧之氛圍下進行即可。
其次，在處理單元16中，係進行沖洗處理(步驟S107)。在沖洗處理中，係控制部18使處理流體供給部40之噴嘴41b移動至晶圓W的中央上方，並將閥44b開放一預定時間，藉此，將DIW供給至晶圓W的表面。
供給至晶圓W之表面的DIW，係藉由伴隨著晶圓W之旋轉的離心力，擴展於晶圓W之表面整體。藉此，殘存於晶圓W之表面的鹼性水溶液L被置換成DIW。
接著，在處理單元16中，係進行使晶圓W乾燥的乾燥處理(步驟S108)。在乾燥處理中，係例如控制部18控制驅動部33，使基板保持機構30以預定旋轉速度旋轉，藉此，使被保持於保持構件311之晶圓W旋轉乾燥。
另外，該乾燥處理，係不限於使DIW直接旋轉乾燥的情形。例如，亦可藉由未圖示之IPA供給部，將IPA(IsoPropyl Alcohol)供給至晶圓W的表面，使殘存於晶圓W之表面的DIW置換成IPA，並進行使該IPA旋轉乾燥的IPA乾燥。
其後，在處理單元16中，係進行搬出處理(步驟S109)。在搬出處理中，係控制部18控制驅動部33，在使晶圓W的旋轉停止後，控制基板搬送裝置17，使晶圓W從處理單元16搬出。若該搬出處理完成時，則針對1片晶圓W之一連串的基板處理完成。
以上，雖說明了關於本發明之實施形態，但本發明，係不限定於上述實施形態者，可在不脫離其意旨內進行各種變更。例如，在實施形態中，雖係表示了關於藉由循環管線72，一面使鹼性水溶液L循環，一面進行低溫溶解處理的例子，但亦可不使鹼性水溶液L循環而進行低溫溶解處理。
又，在實施形態中，雖係表示了關於使將鹼性水溶液L供給至晶圓W之供給管線升溫的處理或使供給有鹼性水溶液L之晶圓W升溫的處理作為鹼性水溶液L之升溫處理，但亦可進行該2個處理兩者。
實施形態之基板處理方法，係包含有低溫溶解處理(步驟S104)與蝕刻處理(步驟S106)。低溫溶解處理(步驟S104)，係使氧溶解於鹼性水溶液L，該鹼性水溶液L，係冷卻成比起室溫更低之預定溫度。蝕刻處理(步驟S106)，係將溶解了氧之鹼性水溶液L供給至基板(晶圓W)，蝕刻基板(晶圓W)。藉此，可使從晶圓W的中心部至周緣部之蝕刻量的面內均勻性提升。
又，在實施形態之基板處理方法中，鹼性水溶液L，係包含有TMAH(氫氧化四甲基銨)、膽鹼水溶液、KOH(氫氧化鉀)水溶液及氨水中的至少1個。藉此，可蝕刻處理晶圓W上的多晶矽層。
又，實施形態之基板處理方法，係包含有：氧化膜去除處理(步驟S102)，在蝕刻處理(步驟S106)之前，去除被形成於基板(晶圓W)之表面的自然氧化膜。藉此，由於可抑制自然氧化膜的影響，因此，可更穩定地進行TMAH所致之蝕刻處理。
又，在實施形態之基板處理方法中，蝕刻處理(步驟S106)，係在氧化膜去除處理(步驟S102)後，於預先設定的時間內進行。藉此，由於可將自然氧化膜的影響抑制成最小限度，因此，可更穩定地進行TMAH所致之蝕刻處理。
又，實施形態之基板處理方法，係包含有：升溫處理(步驟S105)，在低溫溶解處理(步驟S104)後且蝕刻處理(步驟S106)之前或與蝕刻處理(步驟S106)同時地，使鹼性水溶液L升溫。藉此，可使蝕刻速率更增加。
又，在實施形態之基板處理方法中，升溫處理(步驟S105)，係包含有如下述之處理中的至少1個：使將鹼性水溶液L供給至基板(晶圓W)之供給管線升溫的處理；及使供給有鹼性水溶液L之基板(晶圓W)升溫的處理。藉此，可以低成本來進行鹼性水溶液L之升溫處理。
又，在實施形態之基板處理方法中，低溫溶解處理(步驟S104)，係以使鹼性水溶液L內之溶存氧飽和的方式，使氧溶解。藉此，可使蝕刻量的面內均勻性提升。
又，在實施形態之基板處理方法中，蝕刻處理(步驟S106)，係在含有氧之氛圍下進行。藉此，可使蝕刻量的面內均勻性更提升。
又，實施形態之基板處理裝置，係具備有低溫溶解部70與供給部(處理流體供給部40)。低溫溶解部70，係使氧溶解於鹼性水溶液L，該鹼性水溶液L，係冷卻成比起室溫更低之預定溫度。供給部(處理流體供給部40)，係將溶解了氧之鹼性水溶液L供給至基板(晶圓W)。而且，從供給部(處理流體供給部40)對基板(晶圓W)供給部鹼性水溶液L，藉此，蝕刻基板(晶圓W)。藉此，可使從晶圓W的中心部至周緣部之蝕刻量的面內均勻性提升。
又，在實施形態之基板處理裝置中，在被設置於低溫溶解部70與供給部(處理流體供給部40)之間的鹼性水溶液L之供給管線，係設置有加熱器(線內加熱器80)。藉此，可使蝕刻速率更增加。
更進一步之效果或變形例，係可藉由具有該發明技術領域之通常知識者來輕易進行導出。因此，本發明之更廣泛的態樣，係不限定於如以上所表示且記述之特定的詳細內容及代表性的實施形態者。因此，在不脫離藉由附加之申請專利範圍及其均等物所定義之所有的發明概念精神或範圍下，可進行各種變更。
W‧‧‧晶圓L‧‧‧鹼性水溶液1‧‧‧基板處理系統16‧‧‧處理單元18‧‧‧控制部40‧‧‧處理流體供給部70‧‧‧低溫溶解部
[圖1] 圖1，係表示實施形態之基板處理系統之概略構成的示意圖。 　　[圖2] 圖2，係表示處理單元及低溫溶解部之構成的示意圖。 　　[圖3] 圖3，係表示處理單元之具體構成例的示意圖。 　　[圖4] 圖4，係表示鹼性水溶液之氧溶解溫度與蝕刻量之面內分布之關係的圖。 　　[圖5] 圖5，係表示鹼性水溶液中之氧氣之起泡時間與溶存氧濃度之關係的圖。 　　[圖6] 圖6，係用以說明關於參考例1中之晶圓之表面狀態的圖。 　　[圖7] 圖7，係用以說明關於實施形態之晶圓之表面狀態的圖。 　　[圖8A] 圖8A，係表示參考例2中之蝕刻量之面內分布的圖。 　　[圖8B] 圖8B，係表示實施形態之蝕刻量之面內分布的圖。 　　[圖9] 圖9，係表示氧化膜去除處理後之待機時間與蝕刻量之關係的圖。 　　[圖10] 圖10，係表示氧化膜去除處理後之待機時間與蝕刻量之面內分布之關係的圖。 　　[圖11] 圖11，係表示基板處理系統所執行之基板處理之程序的流程圖。
16‧‧‧處理單元
20‧‧‧腔室
21‧‧‧FFU
30‧‧‧基板保持機構
31‧‧‧保持部
32‧‧‧支柱部
33‧‧‧驅動部
40‧‧‧處理流體供給部
50‧‧‧回收罩杯
51‧‧‧排液口
52‧‧‧排氣口
70‧‧‧低溫溶解部
71‧‧‧藥液貯藏容器
72‧‧‧循環管線
73‧‧‧泵
74‧‧‧溫度調節器
75‧‧‧起泡管線
80‧‧‧線內加熱器
L‧‧‧鹼性水溶液

Claims (10)

  1. 一種基板處理方法，其特徵係，包含有： 　　低溫溶解工程，使氧溶解於鹼性水溶液，該鹼性水溶液，係冷卻成比起室溫更低之預定溫度；及 　　蝕刻工程，將溶解了氧之前述鹼性水溶液供給至基板，蝕刻前述基板。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理方法，其中， 　　前述鹼性水溶液，係包含有TMAH(氫氧化四甲基銨)、膽鹼水溶液、KOH(氫氧化鉀)水溶液及氨水中的至少1個。
  3. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，包含有： 　　氧化膜去除工程，在前述蝕刻工程之前，去除被形成於前述基板之表面的自然氧化膜。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理方法，其中， 　　前述蝕刻工程，係在前述氧化膜去除工程後，於預先設定的時間內進行。
  5. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中，包含有： 　　升溫工程，在前述低溫溶解工程後且前述蝕刻工程之前或與前述蝕刻工程同時地，使前述鹼性水溶液升溫。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理方法，其中， 　　前述升溫工程，係包含有如下述之工程中的至少1個：使將前述鹼性水溶液供給至前述基板之供給管線升溫的工程；及使供給有前述鹼性水溶液之前述基板升溫的工程。
  7. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中， 　　前述低溫溶解工程，係以使前述鹼性水溶液內之溶存氧飽和的方式，使氧溶解。
  8. 如申請專利範圍第1或2項之基板處理方法，其中， 　　前述蝕刻工程，係在含有氧之氛圍下進行。
  9. 一種基板處理裝置，其特徵係，具備有： 　　低溫溶解部，使氧溶解於鹼性水溶液，該鹼性水溶液，係冷卻成比起室溫更低之預定溫度；及 　　供給部，將溶解了氧之前述鹼性水溶液供給至基板， 　　從前述供給部對前述基板供給前述鹼性水溶液，藉此，蝕刻前述基板。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理裝置，其中， 　　在被設置於前述低溫溶解部與前述供給部之間的前述鹼性水溶液之供給管線，係設置有加熱器。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10747651B1 (en) * 2018-05-31 2020-08-18 The Ultimate Software Group, Inc. System for optimizing system resources and runtime during a testing procedure
JP2021077702A (ja) 2019-11-06 2021-05-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080179280A1 (en) * 2007-01-31 2008-07-31 International Business Machines Corporation Method for forming an indium cap layer
US20110030722A1 (en) * 2008-04-16 2011-02-10 Kurita Water Industries Ltd. Cleaning water for electronic material, method for cleaning electronic material and system for supplying water containing dissolved gas
US20110104840A1 (en) * 2004-12-06 2011-05-05 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Etchant Solutions And Additives Therefor
US20130306238A1 (en) * 2012-05-15 2013-11-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Chemical liquid preparation method of preparing a chemical liquid for substrate processing, chemical liquid preparation unit preparing a chemical liquid for substrate processing, and substrate processing system

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5275181A (en) * 1975-12-13 1977-06-23 Sony Corp Formation of oxide film
JPH07283381A (ja) * 1994-04-08 1995-10-27 Canon Inc 貼合わせ半導体基体の製造方法
JP3373717B2 (ja) 1996-03-13 2003-02-04 株式会社東芝 シリコンの異方性エッチング液およびシリコンの異方性エッチング方法
US6082373A (en) * 1996-07-05 2000-07-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Cleaning method
JP3450683B2 (ja) * 1997-01-10 2003-09-29 株式会社東芝 半導体被処理面の調製方法
KR100271769B1 (ko) * 1998-06-25 2001-02-01 윤종용 반도체소자의 제조방법, 이를 위한 반도체소자 제조용 식각액조성물 및 반도체소자
JP2000279902A (ja) * 1999-03-30 2000-10-10 Nomura Micro Sci Co Ltd 基板の洗浄方法
CN100416409C (zh) * 2001-03-29 2008-09-03 大日本印刷株式会社 采用湿蚀刻的电子部件的制造方法
JP4015823B2 (ja) * 2001-05-14 2007-11-28 株式会社東芝 アルカリ現像液の製造方法，アルカリ現像液，パターン形成方法，レジスト膜の剥離方法，及び薬液塗布装置
JP2005183937A (ja) * 2003-11-25 2005-07-07 Nec Electronics Corp 半導体装置の製造方法およびレジスト除去用洗浄装置
US8268735B2 (en) * 2006-02-01 2012-09-18 Tohoku University Semiconductor device manufacturing method and method for reducing microroughness of semiconductor surface
JP5251184B2 (ja) * 2008-03-14 2013-07-31 栗田工業株式会社 ガス溶解水供給システム
CN102159082A (zh) * 2008-09-16 2011-08-17 财团法人北九州产业学术推进机构 使编码植物免疫刺激蛋白质的抗病基因(pr基因簇)表达的水、使用该水预防植物病害的方法、及该水的生成装置
JP5238782B2 (ja) * 2010-09-22 2013-07-17 株式会社東芝 基板の処理装置および基板の処理方法
JP5917861B2 (ja) * 2011-08-30 2016-05-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP2013078273A (ja) * 2011-10-03 2013-05-02 Japan Agengy For Marine-Earth Science & Technology 溶存ガスの供給装置
JP2013153074A (ja) * 2012-01-25 2013-08-08 Fujifilm Corp キャパシタ形成方法
JP5911757B2 (ja) * 2012-06-08 2016-04-27 ソニー株式会社 基板処理方法、基板処理装置、および記録媒体
JP6022490B2 (ja) * 2013-08-27 2016-11-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理システムおよび記憶媒体
CN103882378B (zh) * 2014-02-13 2015-12-09 同济大学 一种三硼酸氧钙钇晶体(ycob)高激光损伤阈值增透膜的制备方法
US20160296894A1 (en) * 2015-04-13 2016-10-13 Sudhir R. Brahmbhatt Device for oxygenating drinking water
JP6928797B2 (ja) * 2015-11-14 2021-09-01 東京エレクトロン株式会社 希ｔｍａｈを使用してマイクロエレクトロニック基板を処理する方法
US20180182665A1 (en) * 2016-12-28 2018-06-28 Invensas Bonding Technologies, Inc. Processed Substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110104840A1 (en) * 2004-12-06 2011-05-05 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Etchant Solutions And Additives Therefor
US20080179280A1 (en) * 2007-01-31 2008-07-31 International Business Machines Corporation Method for forming an indium cap layer
US20110030722A1 (en) * 2008-04-16 2011-02-10 Kurita Water Industries Ltd. Cleaning water for electronic material, method for cleaning electronic material and system for supplying water containing dissolved gas
US20130306238A1 (en) * 2012-05-15 2013-11-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Chemical liquid preparation method of preparing a chemical liquid for substrate processing, chemical liquid preparation unit preparing a chemical liquid for substrate processing, and substrate processing system

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