JP3373717B2 - シリコンの異方性エッチング液およびシリコンの異方性エッチング方法 - Google Patents
シリコンの異方性エッチング液およびシリコンの異方性エッチング方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シリコンの異方性
エッチング液およびシリコンの異方性エッチング方法に
関する。
エッチング液およびシリコンの異方性エッチング方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置の製造においてはシリ
コンウェハに突起状のアイランド（パターン）を形成す
ることが行われている。このようなパターンを形成する
には、従来、シリコンウェハの（１００）面に写真蝕刻
方により正方形のレジストパターンを形成した後、前記
レジストパターンをマスクとしてエッチング液であるア
ルカリ水溶液、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド（ＴＭＡＨ）水溶液により前記シリコンウェハを
選択的に異方性エッチングする方法が知られている。
コンウェハに突起状のアイランド（パターン）を形成す
ることが行われている。このようなパターンを形成する
には、従来、シリコンウェハの（１００）面に写真蝕刻
方により正方形のレジストパターンを形成した後、前記
レジストパターンをマスクとしてエッチング液であるア
ルカリ水溶液、例えばテトラメチルアンモニウムヒドロ
キシド（ＴＭＡＨ）水溶液により前記シリコンウェハを
選択的に異方性エッチングする方法が知られている。
【０００３】しかしながら、前記異方性エッチング後の
シリコンアイランドは図６に示すようなパターン形状に
なる。なお、図６中の破線で示した１は正方形状のエッ
チングマスク、２はエッチング後の傾斜した側面を有す
るシリコンアイランド（パターン）である。この図６か
ら明らかなように形成されたシリコンアイランド２はエ
ッチングマスク１に対して角部が後退する角落ちを生
じ、エッチングマスク１に忠実なシリコンアイランドを
形成することができない。角落ちを有するシリコンアイ
ランドが形成された半導体装置は、その特性に悪影響を
及ぼす。
シリコンアイランドは図６に示すようなパターン形状に
なる。なお、図６中の破線で示した１は正方形状のエッ
チングマスク、２はエッチング後の傾斜した側面を有す
るシリコンアイランド（パターン）である。この図６か
ら明らかなように形成されたシリコンアイランド２はエ
ッチングマスク１に対して角部が後退する角落ちを生
じ、エッチングマスク１に忠実なシリコンアイランドを
形成することができない。角落ちを有するシリコンアイ
ランドが形成された半導体装置は、その特性に悪影響を
及ぼす。
【０００４】このような角落ちを防止するには、異方性
エッチング時に図７に示すＰ−Ｃ−Ａ−Ｏを結んだ領域
（図７中の斜線部）３からＰ−Ｏ−Ａを結んだ線までパ
ターンの後退が生じることを見越して前記Ｐ−Ｃ−Ａ−
Ｏを結んだ領域（補償パターン）を有するエッチングマ
スクをシリコンウェハ上に形成することが行われてい
る。しかしながら、前記補償パターンはエッチングの深
さに応じて寸法を変化させる必要があり、しかもエッチ
ングが深くなればなるほど面積を広くする必要があるた
め、素子密度を高めることが困難になる。
エッチング時に図７に示すＰ−Ｃ−Ａ−Ｏを結んだ領域
（図７中の斜線部）３からＰ−Ｏ−Ａを結んだ線までパ
ターンの後退が生じることを見越して前記Ｐ−Ｃ−Ａ−
Ｏを結んだ領域（補償パターン）を有するエッチングマ
スクをシリコンウェハ上に形成することが行われてい
る。しかしながら、前記補償パターンはエッチングの深
さに応じて寸法を変化させる必要があり、しかもエッチ
ングが深くなればなるほど面積を広くする必要があるた
め、素子密度を高めることが困難になる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
異方性エッチング液では角落ちのために高精度のパター
ンを形成することができず、補償パターンを有するエッ
チングマスクを利用する場合はその寸法設定が面倒であ
るばかりか素子設計にも制約がある。
異方性エッチング液では角落ちのために高精度のパター
ンを形成することができず、補償パターンを有するエッ
チングマスクを利用する場合はその寸法設定が面倒であ
るばかりか素子設計にも制約がある。
【０００６】本発明は、補償パターンを有するエッチン
グマスクを用いることなく、角落ちの生じない高精度の
パターン形成が可能なシリコンの異方性エッチング液お
よび異方性エッチング方法を提供しようとするものであ
る。
グマスクを用いることなく、角落ちの生じない高精度の
パターン形成が可能なシリコンの異方性エッチング液お
よび異方性エッチング方法を提供しようとするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係るシリコンの
異方性エッチング方法は、シリコン基板の（１００）面
に所望のマスクを形成した後、第四級アンモニウム塩基
系の有機アルカリまたは水酸化カリウムが溶解されたア
ルカリ水溶液に界面活性剤を添加したエッチング液によ
り前記シリコン基板を側面に（１１０）面が露出するよ
うにエッチングすることを特徴とするものである。
異方性エッチング方法は、シリコン基板の（１００）面
に所望のマスクを形成した後、第四級アンモニウム塩基
系の有機アルカリまたは水酸化カリウムが溶解されたア
ルカリ水溶液に界面活性剤を添加したエッチング液によ
り前記シリコン基板を側面に（１１０）面が露出するよ
うにエッチングすることを特徴とするものである。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係わるシリコンの
異方性エッチング液詳細に説明する。シリコンの異方性
エッチング液は、アルカリ水溶液に界面活性剤を添加し
たものである。
異方性エッチング液詳細に説明する。シリコンの異方性
エッチング液は、アルカリ水溶液に界面活性剤を添加し
たものである。
【０００９】前記アルカリ水溶液としては、例えばテト
ラメチルアンモニウムヒドロキシドのような第四級アン
モニウム塩基系の有機アルカリが溶解された水溶液、水
酸化カリウム水溶液等を用いることができる。
ラメチルアンモニウムヒドロキシドのような第四級アン
モニウム塩基系の有機アルカリが溶解された水溶液、水
酸化カリウム水溶液等を用いることができる。
【００１０】前記界面活性剤としては、陰イオン性界面
活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、非イ
オン性界面活性剤のいずれも用いることができるが、特
に非イオン性界面活性剤が好ましい。このような非イオ
ン性界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンア
ルキルフェルエーテル等を用いることができる。
活性剤、陽イオン性界面活性剤、両性界面活性剤、非イ
オン性界面活性剤のいずれも用いることができるが、特
に非イオン性界面活性剤が好ましい。このような非イオ
ン性界面活性剤としては、例えばポリオキシエチレンア
ルキルフェルエーテル等を用いることができる。
【００１１】前記非イオン性界面活性剤のアルカリ水溶
液に対する添加量は、前記水溶液に対して０．０１〜１
０重量％、より好ましくは０．５〜５重量％の範囲する
ことが望ましい。前記非イオン性界面活性剤の添加量を
０．０１重量％未満にすると、シリコン基板の（１１
０）面および（１１１）面のエッチングレートを低減す
ることが困難になる。一方、前記非イオン性界面活性剤
の添加量が１０重量％を越えるとアルカリ水溶液による
エッチング性が阻害される恐れがある。
液に対する添加量は、前記水溶液に対して０．０１〜１
０重量％、より好ましくは０．５〜５重量％の範囲する
ことが望ましい。前記非イオン性界面活性剤の添加量を
０．０１重量％未満にすると、シリコン基板の（１１
０）面および（１１１）面のエッチングレートを低減す
ることが困難になる。一方、前記非イオン性界面活性剤
の添加量が１０重量％を越えるとアルカリ水溶液による
エッチング性が阻害される恐れがある。
【００１２】以上説明したアルカリ水溶液に界面活性剤
を添加した本発明に係わる異方性エッチング液によりシ
リコン基板の（１１０）面、（１１１）面のエッチング
処理すると、界面活性剤を含まないアルカリ水溶液から
なるエッチング液でのエッチング処理に比べて前記結晶
面でのエッチング速度を著しく低減することができる。
を添加した本発明に係わる異方性エッチング液によりシ
リコン基板の（１１０）面、（１１１）面のエッチング
処理すると、界面活性剤を含まないアルカリ水溶液から
なるエッチング液でのエッチング処理に比べて前記結晶
面でのエッチング速度を著しく低減することができる。
【００１３】具体的には、テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド（ＴＭＡＨ）の２２％水溶液１００ｃｃに非
イオン性界面活性剤（和光純薬工業社製商品名；ＮＣＷ
−６０１Ａ、ポリオキシエチレンアルキルフェルエーテ
ル３０重量％含有）を添加したエッチング液（液温；９
０℃）により単結晶シリコンウェハの（１００）面、
（１１０）面および（１１１）面をエッチングしてその
エッチングレートを測定した。その結果を図１に示す。
なお、図１中のＡは（１００）面のエッチング特性線、
Ｂは（１１０）面のエッチング特性線、Ｃは（１１１）
面のエッチング特性線、である。
ドロキシド（ＴＭＡＨ）の２２％水溶液１００ｃｃに非
イオン性界面活性剤（和光純薬工業社製商品名；ＮＣＷ
−６０１Ａ、ポリオキシエチレンアルキルフェルエーテ
ル３０重量％含有）を添加したエッチング液（液温；９
０℃）により単結晶シリコンウェハの（１００）面、
（１１０）面および（１１１）面をエッチングしてその
エッチングレートを測定した。その結果を図１に示す。
なお、図１中のＡは（１００）面のエッチング特性線、
Ｂは（１１０）面のエッチング特性線、Ｃは（１１１）
面のエッチング特性線、である。
【００１４】図１の特性線Ａから明らかなように界面活
性剤を添加したエッチング液による単結晶シリコン基板
の（１００）面のエッチングレートは界面活性剤を無添
加のエッチング液によるそれと殆ど変わらないことがわ
かる。これに対し、界面活性剤を添加したエッチング液
による単結晶シリコン基板の（１１０）面のエッチング
レートは、特性線Ｂに示すように界面活性剤を無添加の
エッチング液によるそれに比べて１桁以上小さくなるこ
とがわかる。また、界面活性剤を添加したエッチング液
による単結晶シリコン基板の（１１１）面のエッチング
レートは、特性線Ｃに示すように界面活性剤を無添加の
エッチング液によるそれに比べて低減されることがわか
る。
性剤を添加したエッチング液による単結晶シリコン基板
の（１００）面のエッチングレートは界面活性剤を無添
加のエッチング液によるそれと殆ど変わらないことがわ
かる。これに対し、界面活性剤を添加したエッチング液
による単結晶シリコン基板の（１１０）面のエッチング
レートは、特性線Ｂに示すように界面活性剤を無添加の
エッチング液によるそれに比べて１桁以上小さくなるこ
とがわかる。また、界面活性剤を添加したエッチング液
による単結晶シリコン基板の（１１１）面のエッチング
レートは、特性線Ｃに示すように界面活性剤を無添加の
エッチング液によるそれに比べて低減されることがわか
る。
【００１５】なお、このようなエッチング特性は界面活
性が添加されたＴＭＡＨ水溶液の代わりに界面活性剤が
添加されたＫＯＨ水溶液を用いても同様である。したが
って、本発明に係わる異方性エッチング液を用いて後述
する単結晶シリコン基板の（１００）面の異方性エッチ
ングに際し、エッチングマスクに忠実なパターンの形成
が可能になる。
性が添加されたＴＭＡＨ水溶液の代わりに界面活性剤が
添加されたＫＯＨ水溶液を用いても同様である。したが
って、本発明に係わる異方性エッチング液を用いて後述
する単結晶シリコン基板の（１００）面の異方性エッチ
ングに際し、エッチングマスクに忠実なパターンの形成
が可能になる。
【００１６】また、アルカリ水溶液に界面活性剤を添加
した本発明に係わる異方性エッチング液はシリコン基板
の（１１０）面をエッチングした後のエッチング面を平
滑にすることができる。
した本発明に係わる異方性エッチング液はシリコン基板
の（１１０）面をエッチングした後のエッチング面を平
滑にすることができる。
【００１７】次に、本発明に係わる異方性エッチング方
法を詳細に説明する。まず、シリコン基板の（１００）
面に所望のマスクを形成する。つづいて、前記マスクか
ら露出した前記シリコン基板を異方性エッチング液によ
り選択的にエッチングして所望のパターンを形成する。
法を詳細に説明する。まず、シリコン基板の（１００）
面に所望のマスクを形成する。つづいて、前記マスクか
ら露出した前記シリコン基板を異方性エッチング液によ
り選択的にエッチングして所望のパターンを形成する。
【００１８】前記マスクは、例えば写真蝕刻法により形
成したレジストパターン、またはこのレジストパターン
を用いてパターニングされたＳｉＮ等の絶縁膜パター
ン、もしくは金属パターン等を用いることができる。
成したレジストパターン、またはこのレジストパターン
を用いてパターニングされたＳｉＮ等の絶縁膜パター
ン、もしくは金属パターン等を用いることができる。
【００１９】前記異方性エッチング液は、前述したのと
同様なアルカリ水溶液および界面活性剤からなる。以上
説明した本発明に係わる異方性エッチング方法によれ
ば、シリコン基板の（１００）面に所望のマスクを形成
し、前記マスクから露出するシリコン基板の（１００）
面をアルカリ水溶液に界面活性剤を添加した異方性エッ
チング液により選択的にエッチングすることにより、前
記マスクに忠実な高精度のパターン（例えば凸状パター
ン）を形成することができる。
同様なアルカリ水溶液および界面活性剤からなる。以上
説明した本発明に係わる異方性エッチング方法によれ
ば、シリコン基板の（１００）面に所望のマスクを形成
し、前記マスクから露出するシリコン基板の（１００）
面をアルカリ水溶液に界面活性剤を添加した異方性エッ
チング液により選択的にエッチングすることにより、前
記マスクに忠実な高精度のパターン（例えば凸状パター
ン）を形成することができる。
【００２０】すなわち、マスクから露出するシリコン基
板の（１００）面を異方性エッチングを行って例えば凸
状パターンを形成する際、前記基板のエッチングの進行
に伴った前記マスク下のパターンパターン側面に（１１
０）面が露出する。換言すれば、シリコン基板の（１０
０）面をエッチングすると、前記マスク下に位置するパ
ターンの傾斜した側面は（１１０）面となる。このよう
な（１１０）面において前記（１００）面と同様なエッ
チングレートでエッチングが進行すると、露出するパタ
ーンの側面がマスクの稜線から内側に後退して角落ち等
が生じる。
板の（１００）面を異方性エッチングを行って例えば凸
状パターンを形成する際、前記基板のエッチングの進行
に伴った前記マスク下のパターンパターン側面に（１１
０）面が露出する。換言すれば、シリコン基板の（１０
０）面をエッチングすると、前記マスク下に位置するパ
ターンの傾斜した側面は（１１０）面となる。このよう
な（１１０）面において前記（１００）面と同様なエッ
チングレートでエッチングが進行すると、露出するパタ
ーンの側面がマスクの稜線から内側に後退して角落ち等
が生じる。
【００２１】前記界面活性剤を添加した組成を有する異
方性エッチング液は、前述した図１に示すように（１１
０）面のエッチングレートを界面活性剤無添加の異方性
エッチング液に比べて１桁以上小さくすることができる
ため、シリコン基板の（１００）面の異方性エッチング
過程で露出した側面［（１１０）面］へのエッチングの
進行を著しく抑制できる。つまり、エッチングの進行に
伴って露出するパターンの側面がマスクの稜線から内側
に後退するのを抑制できる。その結果、前記マスクの角
に相当する箇所での落ちを防止でき、マスクに忠実な高
精度の凸状パターンを形成することができる。
方性エッチング液は、前述した図１に示すように（１１
０）面のエッチングレートを界面活性剤無添加の異方性
エッチング液に比べて１桁以上小さくすることができる
ため、シリコン基板の（１００）面の異方性エッチング
過程で露出した側面［（１１０）面］へのエッチングの
進行を著しく抑制できる。つまり、エッチングの進行に
伴って露出するパターンの側面がマスクの稜線から内側
に後退するのを抑制できる。その結果、前記マスクの角
に相当する箇所での落ちを防止でき、マスクに忠実な高
精度の凸状パターンを形成することができる。
【００２２】したがって、本発明の異方性エッチング方
法によれば従来のように補償パターンを有するマスクを
用いることなく、角落ちのない高精度のパターンの形成
できるため、前記補償パターンが不要な分だけパターン
間の距離を近接でき、高密度化が可能になり、素子設計
の自由度を向上できる。
法によれば従来のように補償パターンを有するマスクを
用いることなく、角落ちのない高精度のパターンの形成
できるため、前記補償パターンが不要な分だけパターン
間の距離を近接でき、高密度化が可能になり、素子設計
の自由度を向上できる。
【００２３】
【実施例】以下、本発明の実施例を前述した図面を参照
して詳細に説明する。 （実施例１）まず、単結晶シリコンウェハの（１００）
面に写真蝕刻法により幅１００μｍの矩形状のレジスト
パターンを形成した。つづいて、ＴＭＡＨの２２％水溶
液１００ｃｃに非イオン性界面活性剤（和光純薬工業社
製商品名；ＮＣＷ−６０１Ａ、ポリオキシエチレンアル
キルフェルエーテル３０重量％含有）を０．５ｃｃ添加
した組成の温度９０℃のエッチング液を用いて前記レジ
ストパーンから露出する前記単結晶シリコンウェハの
（１００）面を５０μｍの深さまで選択的に異方性エッ
チングした。その結果、図２に示す傾斜した側面を有す
る凸状パターン１１が形成された。なお、図２中の点線
で示す１２はレジストパターンである。
して詳細に説明する。 （実施例１）まず、単結晶シリコンウェハの（１００）
面に写真蝕刻法により幅１００μｍの矩形状のレジスト
パターンを形成した。つづいて、ＴＭＡＨの２２％水溶
液１００ｃｃに非イオン性界面活性剤（和光純薬工業社
製商品名；ＮＣＷ−６０１Ａ、ポリオキシエチレンアル
キルフェルエーテル３０重量％含有）を０．５ｃｃ添加
した組成の温度９０℃のエッチング液を用いて前記レジ
ストパーンから露出する前記単結晶シリコンウェハの
（１００）面を５０μｍの深さまで選択的に異方性エッ
チングした。その結果、図２に示す傾斜した側面を有す
る凸状パターン１１が形成された。なお、図２中の点線
で示す１２はレジストパターンである。
【００２４】（比較例１）まず、単結晶シリコンウェハ
の（１００）面に写真蝕刻法により幅１００μｍの矩形
状のレジストパターンを形成した。つづいて、ＴＭＡＨ
の２２％水溶液からなる温度９０℃のエッチング液を用
いて前記レジストパーンから露出する前記単結晶シリコ
ンウェハの（１００）面を５０μｍの深さまで選択的に
異方性エッチングした。その結果、図３に示す傾斜した
側面を有する凸状パターン１３が形成された。なお、図
３中の点線で示す１２はレジストパターンである。
の（１００）面に写真蝕刻法により幅１００μｍの矩形
状のレジストパターンを形成した。つづいて、ＴＭＡＨ
の２２％水溶液からなる温度９０℃のエッチング液を用
いて前記レジストパーンから露出する前記単結晶シリコ
ンウェハの（１００）面を５０μｍの深さまで選択的に
異方性エッチングした。その結果、図３に示す傾斜した
側面を有する凸状パターン１３が形成された。なお、図
３中の点線で示す１２はレジストパターンである。
【００２５】実施例１により形成された図２に示す凸状
パターン１１は、マスクとしてのレジストパターン１２
の角に相当する箇所での角落ちがなく、レジストパター
ン１２に忠実な高精度のものであることがわかる。これ
に対し、比較例１により形成された図３に示す凸状パタ
ーン１３は、マスクとしてのレジストパターン１２の角
に相当する箇所での角落ちが著しいことがわかる。
パターン１１は、マスクとしてのレジストパターン１２
の角に相当する箇所での角落ちがなく、レジストパター
ン１２に忠実な高精度のものであることがわかる。これ
に対し、比較例１により形成された図３に示す凸状パタ
ーン１３は、マスクとしてのレジストパターン１２の角
に相当する箇所での角落ちが著しいことがわかる。
【００２６】（実施例２）単結晶シリコンウェハの（１
１０）面に写真蝕刻法により５ｍｍ×５ｍｍの開口部を
有するレジストパターンを形成した。つづいて、ＴＭＡ
Ｈの２２％水溶液１００ｃｃに非イオン性界面活性剤
（和光純薬工業社製商品名；ＮＣＷ−６０１Ａ、ポリオ
キシエチレンアルキルフェルエーテル３０重量％含有）
を０．５ｃｃ添加した組成の温度９０℃のエッチング液
を用いて前記レジストパーンの開口部から露出する前記
単結晶シリコンウェハの（１１０）面を５０μｍの深さ
まで選択的に異方性エッチングした。
１０）面に写真蝕刻法により５ｍｍ×５ｍｍの開口部を
有するレジストパターンを形成した。つづいて、ＴＭＡ
Ｈの２２％水溶液１００ｃｃに非イオン性界面活性剤
（和光純薬工業社製商品名；ＮＣＷ−６０１Ａ、ポリオ
キシエチレンアルキルフェルエーテル３０重量％含有）
を０．５ｃｃ添加した組成の温度９０℃のエッチング液
を用いて前記レジストパーンの開口部から露出する前記
単結晶シリコンウェハの（１１０）面を５０μｍの深さ
まで選択的に異方性エッチングした。
【００２７】（比較例２）単結晶シリコンウェハの（１
１０）面に写真蝕刻法により５ｍｍ×５ｍｍの開口部を
有するレジストパターンを形成した。つづいて、ＴＭＡ
Ｈの２２％水溶液からなる温度９０℃のエッチング液を
用いて前記レジストパーンの開口部から露出する前記単
結晶シリコンウェハの（１１０）面を５０μｍの深さま
で選択的に異方性エッチングした。
１０）面に写真蝕刻法により５ｍｍ×５ｍｍの開口部を
有するレジストパターンを形成した。つづいて、ＴＭＡ
Ｈの２２％水溶液からなる温度９０℃のエッチング液を
用いて前記レジストパーンの開口部から露出する前記単
結晶シリコンウェハの（１１０）面を５０μｍの深さま
で選択的に異方性エッチングした。
【００２８】実施例２および比較例２による異方性エッ
チング後にレジストパターンを除去し、正方形状の溝の
底面の粗面度合を４００μｍの長さに渡ってそれぞれ測
定した。その結果、実施例２では図４に示す特性図、比
較例２では図５に示す特性図がえられた。
チング後にレジストパターンを除去し、正方形状の溝の
底面の粗面度合を４００μｍの長さに渡ってそれぞれ測
定した。その結果、実施例２では図４に示す特性図、比
較例２では図５に示す特性図がえられた。
【００２９】図４および図５から明らかなように界面活
性剤が添加された異方性エッチング液を用いた実施例２
では、界面活性剤無添加の異方性エッチング液を用いた
比較例２に比べてエッチングされた（１１０）面を平滑
化できることがわかる。
性剤が添加された異方性エッチング液を用いた実施例２
では、界面活性剤無添加の異方性エッチング液を用いた
比較例２に比べてエッチングされた（１１０）面を平滑
化できることがわかる。
【００３０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば補
償パターンを有するエッチングマスクを用いることな
く、角落ちの生じない高精度のパターン形成が可能で、
パターンの高密度化や素子設計の自由度の向上を達成す
ることができるシリコンの異方性エッチング液および異
方性エッチング方法を提供することができる。
償パターンを有するエッチングマスクを用いることな
く、角落ちの生じない高精度のパターン形成が可能で、
パターンの高密度化や素子設計の自由度の向上を達成す
ることができるシリコンの異方性エッチング液および異
方性エッチング方法を提供することができる。
【図１】本発明に係わる異方性エッチング液による単結
晶シリコンウェハの（１００）面、（１１０）面、（１
１１）面のエッチングレートと前記エッチング液中の非
イオン性界面活性剤の添加量との関係を示す特性図。
晶シリコンウェハの（１００）面、（１１０）面、（１
１１）面のエッチングレートと前記エッチング液中の非
イオン性界面活性剤の添加量との関係を示す特性図。
【図２】本発明の実施例１により形成された凸状パター
ンを示す平面図。
ンを示す平面図。
【図３】比較例１により形成された凸状パターンを示す
平面図。
平面図。
【図４】本発明の実施例２により形成された単結晶シリ
コンウェハの（１１０）面を持つ溝底面の表面粗度を示
す特性図。
コンウェハの（１１０）面を持つ溝底面の表面粗度を示
す特性図。
【図５】比較例２により形成された単結晶シリコンウェ
ハの（１１０）面を持つ溝底面の表面粗度を示す特性
図。
ハの（１１０）面を持つ溝底面の表面粗度を示す特性
図。
【図６】従来の異方性エッチング液により単結晶シリコ
ンウェハの（１００）面に形成した正方形のアイランド
を示す平面図。
ンウェハの（１００）面に形成した正方形のアイランド
を示す平面図。
【図７】補償パターンを説明するための概略図。
１１…凸状パターン、
１２…レジストパターン。
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(56)参考文献 特開 昭50−147281（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−94979（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−160109（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−338643（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/306,21/3063,21/308
Claims (2)
- 【請求項１】 シリコン基板の（１００）面に所望のマ
スクを形成した後、第四級アンモニウム塩基系の有機ア
ルカリまたは水酸化カリウムが溶解されたアルカリ水溶
液に界面活性剤を添加したエッチング液により前記シリ
コン基板を側面に（１１０）面が露出するようにエッチ
ングすることを特徴とするシリコンの異方性エッチング
方法。 - 【請求項２】 前記界面活性剤は、非イオン性界面活性
剤であることを特徴とする請求項１記載のシリコンの異
方性エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05640096A JP3373717B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | シリコンの異方性エッチング液およびシリコンの異方性エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05640096A JP3373717B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | シリコンの異方性エッチング液およびシリコンの異方性エッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246254A JPH09246254A (ja) | 1997-09-19 |
| JP3373717B2 true JP3373717B2 (ja) | 2003-02-04 |
Family
ID=13026157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05640096A Expired - Fee Related JP3373717B2 (ja) | 1996-03-13 | 1996-03-13 | シリコンの異方性エッチング液およびシリコンの異方性エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3373717B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100612985B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2006-10-31 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR100329208B1 (ko) | 1998-06-18 | 2002-03-21 | 니시무로 타이죠 | 기능소자와 그 제조방법 및 이 기능소자를 이용한 광디스크장치 |
| US8129212B2 (en) * | 2008-03-25 | 2012-03-06 | Applied Materials, Inc. | Surface cleaning and texturing process for crystalline solar cells |
| JP2009288801A (ja) * | 2009-09-02 | 2009-12-10 | Sony Corp | カラーフィルタの製造方法 |
| KR20120078612A (ko) * | 2010-12-31 | 2012-07-10 | 동우 화인켐 주식회사 | 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법 |
| JP5911757B2 (ja) | 2012-06-08 | 2016-04-27 | ソニー株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置、および記録媒体 |
| JP6277677B2 (ja) * | 2013-11-01 | 2018-02-14 | 大日本印刷株式会社 | エッチングマスクの設計方法、構造体の製造方法及びエッチングマスク |
| JP6917807B2 (ja) | 2017-07-03 | 2021-08-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
-
1996
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|---|---|
| JPH09246254A (ja) | 1997-09-19 |
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